




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文檔簡(jiǎn)介
觀察和分析晶體缺陷和第二相粒子等在各種衍射條件下第第一節(jié)衍襯分析要求的基本信息和實(shí)驗(yàn)條 雙光束衍射矢量gs的大小和符號(hào)
ff操作反射g明場(chǎng)像:ω=ξgs≈0.2~1.0,暗場(chǎng)像:ω加相位因其中a2pgR當(dāng)
稱(chēng)gRN(N是整數(shù)為晶體缺陷的不可?性判據(jù)缺陷的Rg而顯示不同襯度g一定時(shí),不同缺陷(R不同)當(dāng)N=0時(shí),Rg垂直,Rg對(duì)應(yīng)的晶面內(nèi)?第三節(jié)位錯(cuò)的衍襯分R=1b
1-
nln ) gRNgR0,
b= be= b·u=
對(duì)于刃型位錯(cuò),b=be,其引起的位移矢R=1f+sin2fb+1-
·u2p n) gRN也不是非零整數(shù),刃型位錯(cuò)的不可見(jiàn)性判據(jù)gR0,
gb=gb·u=
be0,b×u=0R=fgRN也不可能是非零整數(shù),因此其不可?gR
gb=對(duì)于混合型位錯(cuò)和刃型位錯(cuò),當(dāng)滿(mǎn)足g.b=0條件時(shí),只 gb=0 時(shí),說(shuō)明滿(mǎn)足gb=0的條件此時(shí),bg垂直,bg所對(duì)應(yīng)的(hkl)?
g b=g b=b必g1g2所對(duì)應(yīng)的晶面(h1k1l1)和(h2k2l2)
b=g1· 的操作反射g1和g2的指數(shù)(h1k1l1)和(h2k2l2),由此計(jì)算布氏矢量b的指數(shù)[uvw]b測(cè)定布氏矢量的關(guān)鍵CCDBABA gg11DAg=g=g=11bA?B?C?D?測(cè)定面心立方 在不同反射下,fcc晶體中ba/2110g·bb(×a/2±[110]±[1±[10±[01110000000CCDBABA gg11DAg=g=g=11AB[1CD[10例定Ti3AlNb合金例定
g=g=g=g=02b=[100]位錯(cuò)bccfcc[[11bcc[11
[11fcc[11
[
5gb2時(shí),一根位錯(cuò)線顯示雙像,三束成像是也會(huì)出 位錯(cuò)像偏離位錯(cuò)芯的距離及位錯(cuò)像寬約為10OGOOGOOG s>
s< 位錯(cuò)的衍襯面心立方晶體密排面的堆垛順CCCCCCCBABABABA正常堆垛順序ABCABCABCABCCC CC C 1/6[1A C C A
堆垛順序ABCABCACABCACC CC A 1/6[11 C BC
堆垛順序ABCABCACBCABC面心立方晶體層錯(cuò)引起的位移矢B密排面以ABCABCACABC……為堆垛順序的層錯(cuò),相當(dāng)于在R=若下方晶體相對(duì)于上方晶體作1/6[112]、1/6[121]或1/6[21R=1/6[112],R=1/6[121],R=1/6[21密排面以ABCABCACBCABC……為堆垛順序的層錯(cuò),相當(dāng)于在正常順序中插入一層C,與抽出型位移矢量符號(hào)相反R=1/3[111]R1/6[112],R1/6[121],R1/6[R1=±1/3111或R2=±1/6對(duì)于fcc晶體R1=±1/3111R2=±1/6112a=2pgR=2p(h+k+ a=2pgR=2p(h+k+ a在主值范圍(p,p)內(nèi)的取值為:2/3p02/3當(dāng)a=0時(shí),層錯(cuò)不可見(jiàn);當(dāng)a=2/3p時(shí),層錯(cuò)顯示α=2/3π為暗襯度 α= α= 00A—A層錯(cuò):α= B—B層錯(cuò):α= 區(qū)分±1/3111和±1/6112±1/3111和±1/6112層錯(cuò)形成機(jī)制不±1/6112層錯(cuò)是通過(guò)不全位錯(cuò)擴(kuò)展滑移而形成±1/3111層錯(cuò)是間隙原子的 利用層錯(cuò)可見(jiàn)性不能區(qū)別±1/3111和±1/6112根據(jù)襯度無(wú)法加以區(qū)別±1/3111和±1/6112層錯(cuò)R1=1/3[111],a1=2p/3(h+k+l)R2=1/6[112],a2=p/3(h+ 區(qū)分±1/3111和±1/6112 b= b=–3 ±1/6112型層錯(cuò)邊界 注意 b=0時(shí),層錯(cuò)和不全位錯(cuò)同時(shí)不可 b1/3區(qū)分±1/3111和±1/6112 g成像,引起的附加相位角a的符號(hào)相反g·R值。gcos(g,R)<0cos(g,R)>0cos(g,R)>0gcos(g,R)<0g(B型 g(B型 A型:{200},{222},{440};BL是體積為V位錯(cuò)密度在106~108cm2范圍內(nèi),計(jì) r=n/位錯(cuò)密度在108~1011cm2范圍內(nèi),計(jì)算 n是任意取向且長(zhǎng)度為L(zhǎng)的直線與位錯(cuò)的交點(diǎn)數(shù),t是膜0層錯(cuò)能的測(cè)d
d1-n 2-nWgg=W與基體平均原子序數(shù)存在較大差別的大尺寸
基體襯度(應(yīng)變襯度基體襯度類(lèi)似于晶體缺陷的襯度,襯度特征取決于應(yīng)變場(chǎng)
應(yīng)變襯度(基體襯度應(yīng)變襯 結(jié)構(gòu)因子襯Dt
D
-
Dt(t 1sin2(ptsDt(tDI=
-x2 2g2
gtn/s0I0;t(2n+1)/2s0I0I與s2s2
1s0
Dt=xg - gxg當(dāng)Dξgp(t+Dt)2
t2
1
DI=sin
-sin
?
-
g
xg P P第二相顯示均勻襯度的條件:tξgn/2t/ξg=(2n+1)/40I最大ξg>ξgP,且tξg1/45/4時(shí),在明場(chǎng)像中第二相顯示暗襯度0I與D成正比,第二相的襯度隨D減小而減弱,以至第二相的尺 Rn=Dtd-n(t是沉淀物厚度,δ是錯(cuò)配度,n2pt2
I=
式中,α2πg(shù)Rn透射波強(qiáng)度在樣品深度方向的變化周期為ξg/2,與Rn無(wú)關(guān)易觀察到位移條紋襯度,當(dāng)|sξg|>1時(shí),條紋確定片狀相引起的 移矢量d2+dd2+d2-2dd12 d
d2+d2-2dd12 平行波紋圖(θ=0d2+d2-2dd12
dP
d1-d2
2sinf/2 波紋圖襯度的應(yīng)1.檢測(cè)晶體缺陷,2.檢測(cè)錯(cuò)配度,3.大角晶界(取向差大于
大角晶界(取向差大于 共晶組織中的曲
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