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集成電路設(shè)計(jì)MOS管數(shù)字集成電路基本邏輯單元設(shè)計(jì)服從真理,就能征服一切事物集成電路設(shè)計(jì)導(dǎo)論梁竹關(guān)云南大學(xué)信息學(xué)院電子工程系第一部分理論課第一章緒言1.1集成電路的發(fā)展1.2集成電路分類(lèi)1.3集成電路設(shè)計(jì)第二章MoS晶體管2.1MoS晶體管結(jié)構(gòu)2.2MoS晶體管工作原理2.3MOS晶體管的電流電壓關(guān)系2.4MoS晶體管主要特性參數(shù)2.5MoS晶體管的SPICE模型第三章MoS管反相器3.1引言3.2NMoS管反相器3.3CMos反相器3.4動(dòng)態(tài)反相器3.5延遲3.6功耗第四章半導(dǎo)體集成電路基本加工工藝與設(shè)計(jì)規(guī)則41引言42集成電路基本加工工藝4.3CMoS工藝流程44設(shè)計(jì)規(guī)則45cMos反相器的閂鎖效應(yīng)4.6版圖設(shè)計(jì)第五章MoS管數(shù)字集成電路基本邏輯單元設(shè)計(jì)51NMoS管邏輯電路52靜態(tài)CMoS邏輯電路53MS管改進(jìn)型邏輯電路54MOS管傳輸邏輯電路55觸發(fā)器56移位寄存器57輸入輸出(I/o)單元第六章MoS管數(shù)字集成電路子系統(tǒng)設(shè)計(jì)61引言62加法器63乘法器64存儲(chǔ)器6.5PLA第七章MoS管模擬集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)71引言72MoS管模擬集成電路中的基本元器件73Mos模擬集成電路基本單元74MoS管模擬集成電路版圖設(shè)計(jì)第八章集成電路的測(cè)試與可測(cè)性設(shè)計(jì)81引言82模擬集成電路測(cè)試83數(shù)字集成電路測(cè)試84數(shù)字集成電路的可測(cè)性測(cè)試第二部分實(shí)驗(yàn)課1、數(shù)字集成電路(1)不同負(fù)載反相器的仿真比較;(2)靜態(tài)cMoS邏輯門(mén)電路仿真分析(3)設(shè)計(jì)CMoS反相器版圖(4)設(shè)計(jì)D觸發(fā)器及其版圖;(5)設(shè)計(jì)模16的計(jì)數(shù)器及其版圖(可選)2、模擬集成電路設(shè)計(jì)一個(gè)MOS放大電路(可選)教學(xué)進(jìn)度表章次題目教學(xué)時(shí)數(shù)第一章緒言2學(xué)時(shí)第二章MoS晶體管4學(xué)時(shí)第三章MoS管反相器6學(xué)時(shí)第四章半導(dǎo)體集成電路基本加工工藝與設(shè)計(jì)規(guī)則6學(xué)時(shí)第五章Mos管數(shù)字集成電路基本邏輯單元設(shè)計(jì)4學(xué)時(shí)第六章Mos管數(shù)字集成電路子系統(tǒng)設(shè)計(jì)4學(xué)時(shí)第七章Mos管模擬集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)6學(xué)時(shí)第八章集成電路的測(cè)試與可測(cè)性設(shè)計(jì)4學(xué)時(shí)總計(jì)36學(xué)時(shí)考文獻(xiàn)[1]王志功,景為平,孫玲集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)與工具.南京:東南大學(xué)出版社,2007年7月(國(guó)家級(jí)規(guī)劃教材)[21(E)R.JacobBakerHarryW.Li,DavidE.boyce.CMOSCircuitDesign,Layoutandsimulation。北京:機(jī)械工業(yè)出版社,2006[3]陳中建主譯,cMoS電路設(shè)計(jì)、布局與仿真北京:機(jī)械工業(yè)出版社,2006[4](E)Waynewolf.ModernVLsIDesignSystemonSilicon.北京:科學(xué)出版社,2002[5]朱正涌半導(dǎo)體集成電路.北京:清華大學(xué)出版社,2001[6]王志功,沈永朝?!都呻娐吩O(shè)計(jì)基礎(chǔ)》電子工業(yè)出版社,2004年5月(21世紀(jì)高等學(xué)校電子信息類(lèi)教材)第五章MoS管數(shù)字集成電路基本邏輯單元設(shè)計(jì)51NMoS管邏輯電路NMoS邏輯門(mén)電路是全部由N溝道MOSFET構(gòu)成。由于這種器件具有較小的幾何尺寸,適合于制造大規(guī)模集成電路。此外,由于NMoS集成電路的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,易于使用cAD技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)。與CMos電路類(lèi)似NMos電路中同樣不使用難于制造的電阻。NMos邏輯電路的基本結(jié)構(gòu)特點(diǎn)在于,工作管常用增強(qiáng)型器件,而負(fù)載管可以是增強(qiáng)型也可以是耗盡型。5_.1NMOs管與非門(mén)礦DABFM13FBM10〔GD〕(a)電路(b)邏輯功能圖511二輸入與非門(mén)二輸入與非門(mén)的電路結(jié)構(gòu)如圖511(a)所示,工作管是兩只串聯(lián)的增強(qiáng)型NMoS晶體管M1和M2,而負(fù)載管是耗盡型NMoS晶體管M3。輸入信號(hào)分別從兩只NMoS晶體管M1和M2的柵極上引入,而輸出從NMoS晶體管M1的漏極上引出。只要有一個(gè)輸入端為低電平,輸出將為高電平,如圖511(b)所示,所以它實(shí)現(xiàn)與非門(mén)的邏輯功能,即F=ABEND16、業(yè)余生活要有意義,不要越軌。——華盛頓

17、一個(gè)人即使已登上頂峰,也仍要自強(qiáng)不息?!_素·貝克

18、最大的挑戰(zhàn)和突破

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