晶圓廠機(jī)臺(tái)二次配系統(tǒng)簡(jiǎn)介課件

晶圓廠機(jī)臺(tái)二次配電系統(tǒng)簡(jiǎn)介

(制作人:朱紅軍)目錄一.晶圓廠機(jī)臺(tái)圖片欣賞二.晶圓廠機(jī)臺(tái)一般分區(qū)規(guī)劃三.晶圓廠機(jī)臺(tái)一般編號(hào)命名規(guī)則四.晶圓廠機(jī)臺(tái)二次配電所對(duì)應(yīng)設(shè)備及大致位置五.晶圓廠機(jī)臺(tái)二次配電涉及的相關(guān)設(shè)備及對(duì)應(yīng)設(shè)備的特性六.晶圓廠機(jī)臺(tái)二次配電工作范圍及常用架構(gòu)圖七.晶圓廠機(jī)臺(tái)二次配電一般規(guī)則八.晶圓廠機(jī)臺(tái)二次配電所用之電盤(pán)位置規(guī)劃九.晶圓廠機(jī)臺(tái)二次配電時(shí)相關(guān)準(zhǔn)備工作及注意事項(xiàng)十.晶圓廠對(duì)應(yīng)機(jī)臺(tái)送電操作流程十一.晶圓廠送電相關(guān)注意事項(xiàng)十二.晶圓廠機(jī)臺(tái)電力系統(tǒng)日常維護(hù)保養(yǎng)十三.問(wèn)題與討論晶圓廠機(jī)臺(tái)二次配電系統(tǒng)簡(jiǎn)介

(制作人:朱紅軍)一．晶圓廠機(jī)臺(tái)圖片欣賞

1.etch-蝕刻區(qū)(簡(jiǎn)稱(chēng)E);一．晶圓廠機(jī)臺(tái)圖片欣賞一．晶圓廠機(jī)臺(tái)圖片欣賞

2.clean&cmp–水槽區(qū)(簡(jiǎn)稱(chēng)C&C);備注:C&C是cleanandcmp,一般會(huì)叫該部門(mén)為"水槽"其實(shí),C&C不只是水槽,它包括:backside\wet\cmp.wet只是一部分,但是也是主要部分一．晶圓廠機(jī)臺(tái)圖片欣賞備注:C&C是cleanandcm一．晶圓廠機(jī)臺(tái)圖片欣賞

3.diffusion-擴(kuò)散區(qū)或者稱(chēng)爐管區(qū)(簡(jiǎn)稱(chēng)D);一．晶圓廠機(jī)臺(tái)圖片欣賞一．晶圓廠機(jī)臺(tái)圖片欣賞

4.thinfilm-薄膜區(qū)(簡(jiǎn)稱(chēng)T);一．晶圓廠機(jī)臺(tái)圖片欣賞一．晶圓廠機(jī)臺(tái)圖片欣賞

5.其他實(shí)驗(yàn)、量測(cè)機(jī)臺(tái)及自動(dòng)存儲(chǔ)倉(cāng)庫(kù)STK.一．晶圓廠機(jī)臺(tái)圖片欣賞二．晶圓廠機(jī)臺(tái)一般分區(qū)規(guī)劃

1.說(shuō)明:制程段機(jī)臺(tái)共分6個(gè)區(qū),分別為EC&CPDC&CT

B區(qū)A區(qū)E-蝕刻區(qū)C&C-水槽區(qū)P-黃光區(qū)D-擴(kuò)散區(qū)C&C-水槽區(qū)T-薄膜區(qū)二．晶圓廠機(jī)臺(tái)一般分區(qū)規(guī)劃B區(qū)A區(qū)E-蝕刻區(qū)C&C-水槽區(qū)P三．晶圓廠機(jī)臺(tái)一般編號(hào)命名規(guī)則(TOOLID)1234567EA02-211.目的:用來(lái)辨識(shí)機(jī)臺(tái)所處的區(qū)域及位置

2.規(guī)則:七位字母和數(shù)字編碼(內(nèi)容說(shuō)明如下)

1

-表示

機(jī)臺(tái)所屬部門(mén)

(

P:photo-黃光區(qū),E:etch-蝕刻區(qū),T:thinfilm-薄膜區(qū),D:diffusion-擴(kuò)散區(qū),C:C&C-洗凈區(qū)

)

2-表示

FAB區(qū)域(AorB)

3~4-表示

工作Bay(01~16)

5-表示

連接符(-)

6~7-

表示序列號(hào)(01~99)三．晶圓廠機(jī)臺(tái)一般編號(hào)命名規(guī)則(TOOLID)1234561234567EA02-213.范例如下:三．晶圓廠機(jī)臺(tái)編號(hào)命名規(guī)則(TOOLID)1234567EA02-213.范例如下:三．晶圓廠機(jī)臺(tái)FABAEQID中的SerialNo以每條BAY機(jī)臺(tái)排列的逆時(shí)針?lè)较蛟黾?From01-99)3.范例如下:三．晶圓廠機(jī)臺(tái)編號(hào)命名規(guī)則(TOOLID)FABAEQID中的SerialNo以每條BAY機(jī)FABBEQID中的SerialNo以每條BAY機(jī)臺(tái)排列的順時(shí)針?lè)较蛟黾?From01-99)3.范例如下:三．晶圓廠機(jī)臺(tái)編號(hào)命名規(guī)則(TOOLID)FABBEQID中的SerialNo以每條BAY機(jī)1.機(jī)臺(tái)內(nèi)置開(kāi)關(guān)(無(wú)電盤(pán));四．晶圓廠機(jī)臺(tái)二次配電所對(duì)應(yīng)設(shè)備及大致位置備注:除了E-蝕刻區(qū)和T-薄膜區(qū)部分機(jī)臺(tái)自帶電盤(pán)外,全區(qū)機(jī)臺(tái)基本上為內(nèi)置開(kāi)關(guān),位置大多分布于FAB層(3F)配電接點(diǎn)配電接點(diǎn)配電接點(diǎn)1.機(jī)臺(tái)內(nèi)置開(kāi)關(guān)(無(wú)電盤(pán));四．晶圓廠機(jī)臺(tái)二次配電所對(duì)應(yīng)設(shè)備四．晶圓廠機(jī)臺(tái)二次配電所對(duì)應(yīng)設(shè)備及大致位置2.機(jī)臺(tái)自帶電盤(pán)(ACBOX);備注:自帶電盤(pán)的機(jī)臺(tái),大致分布在E-蝕刻區(qū)和T-薄膜區(qū),位置基本分布在SUB-FAB層(1F和2F).配電接點(diǎn)配電接點(diǎn)配電接點(diǎn)配電接點(diǎn)四．晶圓廠機(jī)臺(tái)二次配電所對(duì)應(yīng)設(shè)備及大致位置2.機(jī)臺(tái)自帶電盤(pán)(四．晶圓廠機(jī)臺(tái)二次配電所對(duì)應(yīng)設(shè)備及大致位置3.附屬抽氣馬達(dá)(PUMP);備注:機(jī)臺(tái)附屬之PUMP,大致分布在E-蝕刻區(qū)、D-擴(kuò)散區(qū)和T-薄膜區(qū),位置基本分布在SUB-FAB層(1F和2F,且1F居多).配電接點(diǎn)配電接點(diǎn)四．晶圓廠機(jī)臺(tái)二次配電所對(duì)應(yīng)設(shè)備及大致位置3.附屬抽氣馬達(dá)(四．晶圓廠機(jī)臺(tái)二次配電所對(duì)應(yīng)設(shè)備及大致位置4.附屬氣體處理器(SCRUBBER);備注:機(jī)臺(tái)附屬之SCRUBBER,大致分布在E-蝕刻區(qū)、D-擴(kuò)散區(qū)和T-薄膜區(qū),位置基本分布在SUB-FAB層(1F和2F).配電接點(diǎn)配電接點(diǎn)四．晶圓廠機(jī)臺(tái)二次配電所對(duì)應(yīng)設(shè)備及大致位置備注:機(jī)臺(tái)附屬之S四．晶圓廠機(jī)臺(tái)二次配電所對(duì)應(yīng)設(shè)備及大致位置5.附屬二氧化碳自動(dòng)滅火器(CO2盤(pán)柜);備注:機(jī)臺(tái)附屬之CO2盤(pán)柜,大致分布在C-水槽區(qū),位置布置于FAB層(3F).配電接點(diǎn)配電接點(diǎn)四．晶圓廠機(jī)臺(tái)二次配電所對(duì)應(yīng)設(shè)備及大致位置5.附屬二氧化碳自四．晶圓廠機(jī)臺(tái)二次配電所對(duì)應(yīng)設(shè)備及大致位置6.附屬加熱控制器等.備注:機(jī)臺(tái)附屬之加熱控制器,大致分布在C-水槽區(qū),位置布置于FAB層(3F)和SUB-FAB(2F).配電接點(diǎn)配電接點(diǎn)四．晶圓廠機(jī)臺(tái)二次配電所對(duì)應(yīng)設(shè)備及大致位置備注:機(jī)臺(tái)附屬之加五．晶圓廠機(jī)臺(tái)二次配電涉及的相關(guān)設(shè)備及對(duì)應(yīng)設(shè)備的特性1.母線槽及插接箱(插接箱有自鎖和安裝方便之功能,其蓋板在插接箱已經(jīng)送電后將無(wú)法打開(kāi));插接箱母線槽插接箱內(nèi)部五．晶圓廠機(jī)臺(tái)二次配電涉及的相關(guān)設(shè)備及對(duì)應(yīng)設(shè)備的特性1五．晶圓廠機(jī)臺(tái)二次配電涉及的相關(guān)設(shè)備及對(duì)應(yīng)設(shè)備的特性2.插接式電盤(pán)(內(nèi)設(shè)母線槽便于安裝插接式開(kāi)關(guān));

插接式電盤(pán)盤(pán)內(nèi)布置五．晶圓廠機(jī)臺(tái)二次配電涉及的相關(guān)設(shè)備及對(duì)應(yīng)設(shè)備的特性2五．晶圓廠機(jī)臺(tái)二次配電涉及的相關(guān)設(shè)備及對(duì)應(yīng)設(shè)備的特性3.插接式斷路器(方便安裝和拆卸);插接式斷路器五．晶圓廠機(jī)臺(tái)二次配電涉及的相關(guān)設(shè)備及對(duì)應(yīng)設(shè)備的特性五．晶圓廠機(jī)臺(tái)二次配電涉及的相關(guān)設(shè)備及對(duì)應(yīng)設(shè)備的特性4.電纜及橋架.

電纜橋架五．晶圓廠機(jī)臺(tái)二次配電涉及的相關(guān)設(shè)備及對(duì)應(yīng)設(shè)備的特性六．晶圓廠機(jī)臺(tái)二次配電工作范圍及常用架構(gòu)圖插接箱(PLUGIN)電盤(pán)(I-LINEPanel)機(jī)臺(tái)電源接點(diǎn)設(shè)備Equipment紅色尖頭內(nèi)部為機(jī)臺(tái)二次配電工作范圍現(xiàn)場(chǎng)開(kāi)關(guān)箱或內(nèi)置開(kāi)關(guān)母線(BUSWAY)

1.機(jī)臺(tái)二次配電工作范圍

六．晶圓廠機(jī)臺(tái)二次配電工作范圍及常用架構(gòu)圖插接箱(PLUG六．晶圓廠機(jī)臺(tái)二次配電工作范圍及常用架構(gòu)圖母線槽(BUSWAY)母線槽系統(tǒng)(BUSWAY)經(jīng)插接式電盤(pán)(ILINEPANEL)將電源于不停電狀態(tài)下分別接至各個(gè)設(shè)備母線槽系統(tǒng)(BUSWAY)經(jīng)插接箱(PLUG-UNIT)將電源于不停電狀態(tài)下引接至各個(gè)設(shè)備母線槽(BUSWAY)授電端:額定電流2000A變電室備注:一般規(guī)定負(fù)載需求電流在100A以下(包括100A)的機(jī)臺(tái)配電,來(lái)源于電盤(pán);負(fù)載需求電流在100A以上(不包括100A)的機(jī)臺(tái)配電,直接來(lái)源于插接箱.2.機(jī)臺(tái)二次配電常用架構(gòu)圖

六．晶圓廠機(jī)臺(tái)二次配電工作范圍及常用架構(gòu)圖母線槽(BUSWA七．晶圓廠機(jī)臺(tái)二次配電一般規(guī)則1.晶圓廠機(jī)臺(tái)二次配電系統(tǒng)分類(lèi)

(1).一般市電(NORMAL)配電系統(tǒng)

需求機(jī)臺(tái)如下：

Ａ.一般機(jī)臺(tái)所用的主電源(如E-蝕刻區(qū)主電;C-水槽區(qū)主電;P-黃光區(qū)主電;D-擴(kuò)散區(qū)或爐管區(qū)主電)Ｂ.實(shí)驗(yàn)機(jī)臺(tái)所用的電源(如E-蝕刻區(qū);C-水槽區(qū);P-黃光區(qū);D-擴(kuò)散區(qū)或爐管區(qū);T-薄膜區(qū))(2).不間斷電源(UPS)配電系統(tǒng)需求機(jī)臺(tái)如下：Ａ.一般機(jī)臺(tái)所用的控制電源(如E-蝕刻區(qū)控制電;C-水槽區(qū)控制電及CO2控制柜電;P-黃光區(qū)控制電;D-擴(kuò)散區(qū)或爐管區(qū)控制電;T-薄膜區(qū)控制電)

Ｂ.特殊機(jī)臺(tái)所用的主電及控制電源(如T-薄膜區(qū)主電及控制電)備注:一般對(duì)于生產(chǎn)機(jī)臺(tái)來(lái)說(shuō),E電(應(yīng)急電)只當(dāng)N電(一般市電)使用.七．晶圓廠機(jī)臺(tái)二次配電一般規(guī)則1.晶圓廠機(jī)臺(tái)二次配電系統(tǒng)分類(lèi)七．晶圓廠機(jī)臺(tái)二次配電一般規(guī)則2.晶圓廠機(jī)臺(tái)二次配電電壓類(lèi)型因各國(guó)的電壓標(biāo)準(zhǔn)不同,導(dǎo)致機(jī)臺(tái)二次配電壓有所不同:渝德19.05K

生產(chǎn)線中90%機(jī)臺(tái)二次配電的電壓為120/208V,10%的機(jī)臺(tái)因來(lái)源不同導(dǎo)致需求為220/380V.

以下為各國(guó)電壓標(biāo)準(zhǔn):美洲地區(qū)國(guó)

名電

壓頻

率美國(guó)12060夏威夷12060智利22050加拿大12060墨西哥12760亞洲地區(qū)國(guó)

名電

壓頻

率韓國(guó)110/22060日本10050香港20050中國(guó)22050菲律賓22060泰國(guó)22050新加坡23050印度23050(1)(2)七．晶圓廠機(jī)臺(tái)二次配電一般規(guī)則2.晶圓廠機(jī)臺(tái)二次配電電壓類(lèi)型七．晶圓廠機(jī)臺(tái)二次配電一般規(guī)則(3)歐洲地區(qū)國(guó)

名電

壓頻

率英國(guó)24050法國(guó)127/22050意大利127/22050西班牙127/22050希臘22050瑞典22050奧地利22050德國(guó)22050荷蘭22050挪威、瑞典22050俄國(guó)127/22050非洲地區(qū)國(guó)

名電

壓頻

率中非22050摩洛哥11550南非22050埃及22050剛果22050肯亞24050尚比亞23050奈及利亞23050(4)七．晶圓廠機(jī)臺(tái)二次配電一般規(guī)則(3)歐洲地區(qū)國(guó)

八．晶圓廠機(jī)臺(tái)二次配電所用之電盤(pán)位置規(guī)劃1.電盤(pán)位置規(guī)劃:

從節(jié)省材料考慮,可以布置于SUB-FAB每個(gè)區(qū)(A區(qū)和B區(qū))中心線上,根據(jù)情況在E\C\P\D\T區(qū)域各自布置2至4個(gè)電盤(pán)(包含N電和U電);從美觀、操作和管理方便以及不易同其他設(shè)備沖突考慮,盡量布置于SUB-FAB的兩側(cè)回風(fēng)道內(nèi),區(qū)域內(nèi)各自布置2至4個(gè)電盤(pán)(包含N電和U電).B區(qū)A區(qū)B區(qū)中心線A區(qū)中心線A區(qū)回風(fēng)道B區(qū)回風(fēng)道八．晶圓廠機(jī)臺(tái)二次配電所用之電盤(pán)位置規(guī)劃1.電盤(pán)位置規(guī)劃:B九．晶圓廠機(jī)臺(tái)二次配電時(shí)相關(guān)準(zhǔn)備工作及注意事項(xiàng)1.機(jī)臺(tái)配電時(shí),相關(guān)準(zhǔn)備工作A.在得到業(yè)主通知后,進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)會(huì)勘:

準(zhǔn)備好會(huì)簽單,記錄機(jī)臺(tái)配電需求,并要求業(yè)主簽字確認(rèn);同其他廠商(如氣體包-Gas/基礎(chǔ)包-Foundation/排氣包-EX/制程冷卻水包-PCW/真空包-PV/化學(xué)包-CHEMICAL/純水包-DI/廢水包-Drain等)協(xié)商好各自的施作空間和位置并各自在確認(rèn)好的位置處做好標(biāo)識(shí).B.設(shè)計(jì)施工圖:根據(jù)會(huì)勘狀況進(jìn)行施工圖繪制,施工圖繪制好后,通過(guò)送審業(yè)主得到確認(rèn)后,開(kāi)始現(xiàn)場(chǎng)備料施作.九．晶圓廠機(jī)臺(tái)二次配電時(shí)相關(guān)準(zhǔn)備工作及注意事項(xiàng)1.機(jī)臺(tái)配電時(shí)九．晶圓廠機(jī)臺(tái)二次配電時(shí)相關(guān)準(zhǔn)備工作及注意事項(xiàng)2.配電相關(guān)注意事項(xiàng)A.禁止觸碰與本工程無(wú)關(guān)的機(jī)臺(tái)部位:

在配電施作時(shí),根據(jù)施工圖紙進(jìn)行施作,不可隨意觸碰與本工程無(wú)關(guān)的機(jī)臺(tái)部位,以免造成不必要的糾紛.B.機(jī)臺(tái)配電電纜施作路徑:從SUB-FAB(2F)層的電盤(pán)或者插接箱,通過(guò)橋架或者電線管,再經(jīng)高架地板配線至機(jī)臺(tái).九．晶圓廠機(jī)臺(tái)二次配電時(shí)相關(guān)準(zhǔn)備工作及注意事項(xiàng)2.配電相關(guān)注NNNYNNNYYYYYN十．晶圓廠對(duì)應(yīng)機(jī)臺(tái)送電操作流程插節(jié)箱送電檢查插節(jié)式電盤(pán)(ILINEPANEL)送電檢查機(jī)臺(tái)送電檢查機(jī)臺(tái)送電檢查機(jī)臺(tái)送電檢查機(jī)臺(tái)送電檢查機(jī)臺(tái)送電檢查機(jī)臺(tái)送電檢查YNNNYNNNYYYYYN十．晶圓廠對(duì)應(yīng)機(jī)臺(tái)送電操作流程插節(jié)十一．晶圓廠送電相關(guān)注意事項(xiàng)1.機(jī)臺(tái)送電前(1).確保設(shè)備開(kāi)關(guān)為斷開(kāi)位置(2).確?，F(xiàn)場(chǎng)銜接位置的所有螺絲固定牢固(3).回路的絕緣量測(cè)完好2.送電中(1).送電時(shí),電盤(pán)和機(jī)臺(tái)側(cè)至少分別配2個(gè)操作人員(2).送電時(shí),要確保機(jī)臺(tái)操作門(mén)面關(guān)閉(3).非相關(guān)人員要求遠(yuǎn)離送電機(jī)臺(tái)(4)