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文檔簡介
核反響堆物理分析各章節(jié)重要學問點整理匯總資料第一章1、在反響堆內(nèi)中子與原子的相互作用方式主要有:勢散射、直接相互作用和復合核的形成。其中復合核的形成是中子和原子相互作用的最重要方式。2共振彈性散射、共振非彈性散射、輻射俘獲和核裂變,可以概括為散射和吸取。3、共振現(xiàn)象:但入射中子的能量具有某些特定值,恰好使形成的復合核激發(fā)態(tài)接近于共振現(xiàn)象。4、非彈性散射特點:只有當入射中子的動能高于靶核的第一激發(fā)態(tài)的能量時才能使靶核激發(fā),也就是說,只有入射中子的能量高于某一數(shù)值時才能發(fā)生非彈性散射,由此可知,非彈性散射具有閾能的特點。5、彈性散射特點:它可以分為共振彈性散射和勢散射兩種,區(qū)分在于前者經(jīng)過復合核的是彈性散射。6、易裂變同位素:一些核素,如233U、235U、239Pu241Pu易裂變同位素。7232Th、238U240Pu用下才發(fā)生裂變,通常把它們稱為可裂變同位素。8、中子束強度I:在單位時間內(nèi),通過垂直于中子飛行方向的單位面積的中子數(shù)量,I。N9、單位體積中的原子核數(shù)N:計算公式為N 0AN06.0221367*1023/mol:材料密度A:該元素的原子量10、微觀截面:微觀截面是表示平均一個給定能量的入射中子與一個靶核發(fā)生作用的概率大小的一種度量,通常用“巴恩b〕1b=1-282。11、核反響下標:s--散射;a--吸?。沪?-輻射俘獲;f--裂變;t--總核反響12、靶內(nèi)平行中子束強度:013、宏觀截面:宏觀截面是一個中子與單位體積內(nèi)全部原子核發(fā)生核反響的平均概率大小的一種度量,單位為m-1,公式為:N由幾種元素組成的均勻混合物質(zhì)的宏觀截面x: Nx i xii14、富集度:某種元素在其同位素中的〔原子〕重量百分比。15、平均自由程:原子核連續(xù)兩次相互作用之間穿行的平均距離叫作平均距離。xP(x)dxxexdx10 0 16〔統(tǒng)計平均值〕R中子/m3*s,公式為:Rnn:中子密度,中子/m3:中子運動速率,m/s17、中子通量密度中子/cm2*s,公式為:n18、中子能量區(qū)域:低能區(qū):也稱“1/v”區(qū),E<=1eV中能區(qū):也稱共振區(qū),消滅很多共振峰,1eV<E<=1keV0.0253EE高能區(qū):也稱快中子區(qū),E>103eV19、1/v0.0253EEa,i
(E)
(0.0253)
或a,i
C主要適用于低能區(qū),但對于多數(shù)輕核,高能區(qū)也有近似規(guī)律。20、俘獲-裂變比α:輻射俘獲截面與裂變截面之比,公式為 f21η有效裂變中子數(shù)。公式為: fa
f
1
;每次裂變的中子產(chǎn)額,235U2.41622這一現(xiàn)象叫做多普勒效應或多普勒展寬。多普勒效應不轉(zhuǎn)變共振截面曲線下的積分面積。23、裂變能量:235U200MeV,1MeV=1.6*10-13J.240.05MeV10MeV2MeV。25、瞬發(fā)中子和緩發(fā)中子:裂變反響時,在裂變的瞬間〔約10-14s〕放射出來的中子稱瞬發(fā)中子〔份額在99緩發(fā)中子〔份額小于1235U裂變?yōu)?.65緩發(fā)中子先驅(qū)核。26、有效增殖因數(shù)k
:effkeff
=生一代中子數(shù)/直屬上一代中子數(shù)或系統(tǒng)內(nèi)中子的產(chǎn)生率/系統(tǒng)內(nèi)中子的總消失〔吸取+泄露〕率27、臨界、次臨界、超臨界系統(tǒng):臨界系統(tǒng):有效增殖系數(shù)等于1,鏈式裂變反響以恒定速率不斷進展下去,鏈式裂變反響過程處于穩(wěn)態(tài)狀況;次臨界系統(tǒng):有效增殖系數(shù)小于1,系統(tǒng)內(nèi)中子數(shù)目隨時間不斷地衰減;超臨界系統(tǒng):有效增殖系數(shù)大于1,系統(tǒng)內(nèi)中子數(shù)目隨時間不斷地增加;28、無限介質(zhì)增殖因數(shù)k、不泄露概率、有效增殖因數(shù)keff關(guān)系:keffk〔系統(tǒng)為無限大時1〕=系統(tǒng)內(nèi)中子的吸取率/〔系統(tǒng)內(nèi)中子的吸取率+系統(tǒng)內(nèi)中子的泄露率〕29、臨界大小、臨界質(zhì)量臨界大?。号R界狀態(tài)下反響堆芯部的大小稱為臨界大小。臨界質(zhì)量:臨界狀態(tài)下反響堆裝載的燃料質(zhì)量叫作臨界質(zhì)量。30、中子循環(huán)〔P321-15〕循環(huán)過程:〔1〕238U慢化過程中的共振吸?。宦瘎┮约皹?gòu)造材料等物質(zhì)的輻射俘獲;燃料吸取熱中子引起的裂變;中子的泄漏:慢化過程中的泄漏和熱中子集中過程中的泄漏。重要參量:快中子增殖系數(shù)238U238U快中子增殖效應,所以ε1。逃脫共振俘獲概率p:裂變產(chǎn)生的快中子在慢化過程中,要經(jīng)過共振能區(qū),有一局部被238U共振吸取,逃脫共振吸取的中子份額就稱為逃脫共振俘獲概率。熱中子利用系數(shù)f:被燃料吸取的熱中子數(shù)占被芯部中〔包括燃料在內(nèi)〕吸取的熱中子總數(shù)的份額。定義式:NfNf
a,f
Nm
fa,m
a,fNc
a,c
Ns
a,s有效裂變中子數(shù) fa:每次裂變所產(chǎn)生的平均裂變中子數(shù)不泄漏概率:中子在慢化過程和熱中子在集中過程中不泄漏概率的乘積。定義式:s d有效增殖系數(shù)k 表達式:eff
k pf keff s d k pf其次章1、平均對數(shù)能降:每次碰撞中子能量的自然對數(shù)的平均變化值。定義式:lnElnE”lnEE”2、慢化劑的選擇:s
和平均對數(shù)能降比,衡.ssa好的慢化劑不僅應具有較大的s
,還應當具有較大的慢化比。3、中子平均壽命l:ts
至被俘獲以前所經(jīng)過的平均時間稱為集中時間td
,也稱為熱中子平均壽命。中子平均壽命是快中子自裂變產(chǎn)生到慢化成為熱中子,直至最終被俘獲的平均時間,定義式為:lt ts d4、費米譜分布:無吸取介質(zhì)內(nèi)在慢化區(qū)內(nèi)慢化能譜近似聽從1/E分布或稱之為費米譜分布。5能量自屏效應能量自屏效應〔簡潔來說就是由于共振吸取截面劇變,降低了中子通量密度〕6、熱中子能譜“硬化”緣由:在反響堆中,全部的熱中子都是從較高的能量慢化而來,然后逐步與介質(zhì)到達熱平衡狀態(tài)的,這樣,在能量較高區(qū)域內(nèi)的中子數(shù)目相對地就要多些;由于介質(zhì)或多或少地要吸取中子,因此,必定有一局部中子尚將來得及同介質(zhì)的〔或分子能量較高局部的中子份額相對增大〔1/v〕第三章1、斐克定律前提假設:介質(zhì)是無限的、均勻的;在試驗室坐標系中散射是各向同性的:介質(zhì)的吸取截面很小,即a
;s中子通量密度是隨空間位置緩慢變化的。ZJ
(r)
1 (r)z 4 6 zsZJ
(r)
1 (r)單位時間凈中子數(shù):
z 4 6 zsJ
1 (r)
(r) s ;其他方向形式一樣z r
3 z 3 zs因此中子流密度〔矢量〕定義為:J s
gradDgrad;D
為集中系數(shù)s3 3s這一假設對于重核才近似成立為了對散射的各向異性作修正用輸運平均自由程 來tr代替式中的散射平均自由程。sD tr3s str 102、單能中子集中方程連續(xù)方程:dn(r,t)dVS(r,t)dV(r,t)dVdivJ(r,t)dVdtV V V a Vn(r,t)S(r,t)t
(r,t)divJ(r,t)代入斐克定律和單能中子條件,得到單能中子集中方程:1(r,t) t
S(r,t)D2(r,t)a
(r,t)代入穩(wěn)態(tài)條件,得到穩(wěn)態(tài)單能中子集中方程:D2(r)(r)S(r)0aD2(rt)(rt)S(r)--產(chǎn)生率a3、集中方程邊界條件集中方程適用范圍內(nèi),中子通量密度的數(shù)值必需是正的、有限的實數(shù)。在兩種不同集中性質(zhì)的介質(zhì)交界面上,垂直于分界面的中子流密度相等,即J|x A
J|x BJ|J|兩式相減得:
x A x B兩式相加得:
D dAdx
|DA
ddx|B A B介質(zhì)于真空交界的外外表上,自真空返回介質(zhì)的中子流等于零,即x
0x0由斐克定律可以推得:
J|x x0d
d0 tr | 00 4 6 dx x03 | 0 0dx x0 2 dtrd23 trd直線外推距離,d。按更準確的中子輸運理論,d0.7104 ,計算承受這一數(shù)值。tr4、斐克定律和集中理論適用范圍在有限介質(zhì)內(nèi),在其距離外表幾個自由程以外的內(nèi)部區(qū)域斐克定律是成立的,在距真空邊界兩三個自由程內(nèi)的區(qū)域,它是不適用的。它只適用于 的弱吸取介質(zhì)。a s在距強的中子源兩三個平均自由程的區(qū)域內(nèi),斐克定律不適用。5、非增值介質(zhì)內(nèi)中子集中方程的解由穩(wěn)態(tài)方程D2(r)(r)S(r)0a0
2(r)DL2
(r)L2 0aL2L稱為中子集中長度。一些幾何外形下波動方程2B20的解解的形式解的形式2B2B2一維平板2dxd2AsinBxCcosBxAeBxCeBx2球2drd22rdr2dAsinBxCcosBxAeBrCeBrrrrr一維圓柱 d22dr21drdrAJ(Br)CY(Br)0 0AI(Br)CK(Br)0 06、特別狀況下的解無限介質(zhì)內(nèi)點源以點源為中心建立球坐標,集中方程為:d2(r)2d(r)(r)dr2 r dr L2
0,(r0)邊界條件為:a、除r=0處以外,中子通量密度在各處均為有限值;blim4r2J(r)Sr0代入ur,解得:(r)
Ser/L
,r0無限平面源位于有限厚度介質(zhì)內(nèi)設介質(zhì)厚度為〔包括外推距離,以中心平面建立一維坐標系,集中方程為:d2(x)(x)
0,x0dx2 L2邊界條件為:ax(a/2),(a/2)0;blimJ(x)S/2。xo解得:
(x)
SLex/Le(ax)/L2D 1ea/L厚度為無窮大時,有:
(x)
SLex/L2D當,因此沒有必要承受過厚的放射層。7L:集中長度表征中子從慢化成為熱中子處到被吸取為止在介質(zhì)中運動所1收地點穿行直線距離均方值的六分之一,即:1L2 r26平面源的狀況為:
L21x228L
或熱中子年齡1
L2或熱中子年齡1
〔兩者是等價的〕所穿行的直線距離的均方值的六分之一。9、徙動面積M2〔M為徙動長度:徙動面積M2是中子由作為快〔裂變〕出來,直到它成為熱中子并在介質(zhì)中集中被吸取所穿行直線距離均方值的六分之一,即:M2L2th徙動長度越大,中子不泄露概率越小。第四章1、均勻裸堆臨界條件由穩(wěn)態(tài)方程
D2(r)a
(r)S(r)0S(r)k
(r)Ba k
k 1 ,得:L2k 11L2B2g2(r)Bg
(r)kkk 中子吸取率中子吸取率中子泄露率dV aVdVD2dVaV VdV aVdVDB2dVaV gV 11L2B2g2、幾種幾何外形的裸堆的幾何曲率和熱中子通量密度分布幾何外形幾何曲率幾何外形幾何曲率熱中子通量密度分布球形〔半徑R〕B2gR21 C sin rrR直角長方體B2B2B2B2gx〔邊長a,b,c〕( )2( )2(yzCcos xcosa bycos cab)2c圓柱體〔半徑R,高H〕B2(g2.405R)2(H)2CJ(02.405Rr)cos( z)H3、反響性:04、修正單群理論:
k1kk k 1eff 1M2B2gB2m
k 1M2其原理是考慮中子的慢化過程,用徙動面積來代替集中長度的平方。5、放射層材料選擇散射截面大,逃逸出的中子返回芯部的時機也就增多。吸取截面小,以減小對中子的吸取。具有良好的慢化力量,從而削減返回中子在堆芯內(nèi)共振吸取的概率。良好的慢化劑材料,通常也是良好的反射層材料。常用的反射層材料有:HO,DO,石墨和Be2 26、反射層節(jié)約:芯部包有反射層以后,芯部臨界尺寸的削減量叫反射層節(jié)約,表達式為:
RR0有反射層反響堆的幾何曲率可以用沒有反射層之前的等效裸堆的幾何曲率來表示,即:B2B20 g度增加到肯定值后,反射層節(jié)約就到達一個常數(shù)值,大約等于中子在反射層中的集中長度。6、中子通量密度分布不均勻系數(shù):芯部內(nèi)熱中子通量密度的最大值與熱中子通量密度的平均值之比,定義式為:7、功率分布展平
KH1V
max(r)dVV對于給定體積的反響堆堆芯總的功率輸出是和 V/K 成比例受最大功率密度的max H限制,反響堆內(nèi)功率分布越不均勻,給定體積的反響堆總功率越小。展平功率的主要措施有:芯局部區(qū)布置、可燃毒物的合理布置、承受化學補償及局部長度掌握棒掌握以展平軸向通量分布。除此以外,還有反射層的應用,合理安排提棒程序,掌握棒的合理布置。第五章1、與能量相關(guān)的中子集中方程泄露率相空間內(nèi)體積元的中子泄露率:LdivJ(r,E)divD(r,E)grad(r,E)D(r,E)(r,E)損失率總的中子損失率包括吸取損失和由于散射引起的損失,因此有:R(s
(r,E)a
(r,E))(r,E)t
(r,E)(r,E)產(chǎn)生率由于散射源產(chǎn)生的中子:Q(r,E)s 0
(r,E”)f(E”E)(r,E”)dE”由于核裂變反響產(chǎn)生的中子:Q(r)(E)v(E”)f 0
(r,E”)(r,E”)dE”(E):裂變中子能譜在穩(wěn)態(tài)和無源的狀況下,有方程:LRQQs fD(r,E)(r,E)t
(r,E)(r,E)0 s
(r,E”E(r,E”)dE”(E)v(E”)0 f
(r,E”)(r,E”)dE”上式只對臨界系統(tǒng)成立,對于其他系統(tǒng)有:D(r,E)(r,E)t
(r,E)(r,E)
(r,E”
E)(r,E”)dE”
(E)
v(E”)
(r,E”)(r,E”)dE”0 s
0 feff第六章1、空間自屏效應:把這種現(xiàn)象叫做空間自屏效應。2、非均勻構(gòu)造的特點:非均勻構(gòu)造使燃料吸取熱中子的力量下降,亦即使熱中子利用系數(shù)減小,這是一個主要缺點??臻g自屏效應削減了燃料核對中子的共振吸取。增加了中子與慢化劑核碰撞的概率增加了中子逃脫共振吸取的概率。綜上,非均勻柵格布置可使熱中子利用系數(shù)與逃脫共振俘獲概率的乘積fp大于均勻堆得乘積,提高了無限增殖因數(shù)。注:自然鈾和輕水組成的均勻堆是達不到臨界的。3、溫度對共振吸取的影響對能量自屏效應的影響:多普勒效應使截面峰值下降,展平了吸取截面曲線,減弱了能量自屏效應〔共振能區(qū)中子通量密度分布被展平,增加了有效共振積分,即增加了共振吸取。對空間自屏效應的影響:多普勒效應使截面峰值下降,減弱了表層燃料核對中子的共振吸取,更多的中子進入到了燃料內(nèi)部,減弱了空間自屏效應,增加了共振吸取。綜上所述,當燃料溫度使共振吸取增大,從而使有效增殖因數(shù)和反響性變小,其反響性效應總是負的。4、柵格幾何參數(shù)選擇〔k 與V VHO UO2 2
關(guān)系〕當V VHO UO2
增加時,一方面由于柵元的慢化力量增大,慢化過程中的共振吸取削減,逃脫共振俘獲概率增加,因而有效增殖因數(shù)k 增大。另一方面,由于柵元中慢化劑的含量增大,慢化劑對熱中子的吸取增加,熱中子利用系數(shù)下降,因而有效增殖因數(shù)k 減小。在較低的V VHO UO2
k
將增加當V V 超HO UO2 2過肯定值時,后者的效應是主要的,因而有效增殖因數(shù)k 將削減〔參考書P163圖6-15〕極大值或臨界體積為微小的柵格幾何參數(shù),這樣的柵格叫最正確柵格。慮實際壓水堆的柵格選擇在欠慢化區(qū)只有這樣當溫度上升水的密度下降時,N NH U減〔總體積固定水的質(zhì)量減小氫原子數(shù)削減等效為V VHO UO2 2
〔在過分慢化區(qū)則相反,反響堆才是安全的〔即負溫度效應。第七章1、裂變產(chǎn)物中毒:由于裂變產(chǎn)物的存在,吸取中子而引起的反響性變化稱裂變產(chǎn)物中毒,裂變產(chǎn)物引起的反響性變化為:k”k
Pa
P a2、135Xe
k” Fa
M a aγIγI裂變γXe135IλI135XeλXe135Cs〔n,γ)135XedN (t)
dNI(t)dt I
Nf I
(t)Xe dt Xe
NI
(t)(Xe
Xe)Na Xe
(t)3、Xe〔氙〕中毒反響堆中反響性影響最大的裂變產(chǎn)物中毒就是氙中毒。反響堆啟動時135I和135Xe的平衡濃度如下〔變化率為:fN()I fI IN () fXe XeXe a I Xe一般動力堆額定功率下的中子通量密度1014cm2s1,在運行很短時間〔40h〕之后,135I135Xe平衡氙濃度引起的反響性變化值,稱為平衡氙中毒,表達式如下: Xea
a
XeXea在低功率或低的中子通量密度下可近似地認為平衡氙中毒與熱中子通量密度值無關(guān)截面的比值有關(guān),即:
()fXe a這個數(shù)值對于滿功率運行的反響堆來講是不行無視的。反響堆停堆后反響堆停堆后,中子通量密度可近似認為突然降為0。135Xe不再通過裂變反響產(chǎn)生,也不再通過吸取中子消逝,因此停堆后有如下方程:dNI(t)N
(t)dt I IdNXe(t)N
(t)
(t)dt I I
Xe Xe135Xe135I135Xe但是假設啟動時的中子通量密度滿足
Xe
Xe2.761011cm2s1,有:0dN (t)Xe
I a| 0dt t0135Xe〔一般狀況下都大于這個值。在高的熱中子通量密度或滿功率下運行的反應堆內(nèi),滿足0 Xe
Xe1013cm2s1,可認為停堆后到達最大氙濃度的時間就與中子通量密度a無關(guān),這時有:
11t ln I11.3hmax I Xe Xe11〔反響性減小到最小值后又漸漸增大的過程135I135Xe135Xe假設停堆前的剩余反響性缺乏以補償氙中毒,那就會消滅強迫停堆現(xiàn)象〔參考書P180圖7-11〕功率過渡〔中子通量密度突然增大或減小〕〔參考書P1827-13〕氙振蕩:在大型熱中子反響堆中,局部區(qū)域內(nèi)中子通量密度的變化會引起局部區(qū)域135Xe者之間的相互反響作用就有可能使堆芯中135Xe濃度和熱中子通量密度分布產(chǎn)生空間振蕩現(xiàn)象。4、149Sm〔釤〕衰變圖和變化方程149Pm149Sm,)150SmdNPm(t) dt Pm f
NPm
(t)dN (Sm Ndt Pm
SmNa
(t)5、149Sm〔釤〕中毒135Xe〔1)反響堆啟動149Pm149SmN ()PmfPmN ()Sm
PmPm fSma149Pm149Sm中子通量密度無關(guān)〔即與功率無關(guān),平衡釤中毒為:N ()Sm ()Sm
Sm a
Pm a
0.007對于高中子通量密度狀況下的反響堆,到達釤平衡的時間至少需要百小時以上。6、堆芯壽期:一個裝料堆芯從開頭運行到有效增殖因數(shù)降到1時,反響堆滿功率運行的時間。7、燃耗深度:燃耗深度是裝入堆芯的單位重量核燃料所產(chǎn)生的總能量的度量。通常把裝入堆芯的單位質(zhì)量燃料所發(fā)出的能量作為燃耗深度的單位,工程上單位取MW*d/t。8、反響堆增殖鏈:鈾钚循環(huán):
23U)23U239Np239Pu鈾釷循環(huán):23Th)23Th233Pa23U9、轉(zhuǎn)化比CR:反響堆中每消耗一個易裂變材料原子所產(chǎn)生的易裂變材料的原子數(shù),即:CR
易裂變核的生成率堆內(nèi)可轉(zhuǎn)換物質(zhì)的輻射俘獲率易裂變核的消耗率堆內(nèi)全部易裂變物質(zhì)的吸取率最終實際被利用的易裂變同位素的總數(shù)量為:NNCRNCR2N/(1CR)對于輕水反響堆,CR≈0.62.5。10、增殖過程實現(xiàn)條件:只有當>CR>1,則必需要求>2,這是由于還要考慮吸取損失和泄漏損失。第八章1、溫度效應:由于堆芯溫度及其分布的變化導致堆芯有效增殖因數(shù)的變化,從而引起反響性的變化,這種物理現(xiàn)象稱之為反響堆的“溫度效應2、反響性系數(shù):反響堆的反響性相對于反響堆的某一個參數(shù)的變化率稱之為該參數(shù)的反響性系數(shù)。注:PCM10-53T溫度系數(shù),表達式為:
T T4、等溫溫度系數(shù):假定溫度與反響堆內(nèi)的位置無關(guān),但溫度變化時,整個系統(tǒng)的溫度均勻發(fā)生變化,在這種狀況下定義或?qū)С龅臏囟认禂?shù)稱為等溫溫度系數(shù)。5、溫度系數(shù)與核反響堆穩(wěn)定性反響堆溫度系數(shù)等于各成分的溫度系數(shù)的總和化劑溫度系數(shù)。反響性溫度效應的正反響將使反響堆具有內(nèi)在的不穩(wěn)定性數(shù)。壓水堆物理設計的根本準則之一,便是要保證溫度系數(shù)必需為負值。6、燃料溫度系數(shù)定義與溫度系數(shù)類似,屬于瞬發(fā)溫度系數(shù)〔即溫度上升,效應馬上發(fā)生。燃料溫度系數(shù)是負溫度效應,緣由是燃料核共振系數(shù)的多普勒效應〔在第六章有具體解釋,這里不再贅述。7、慢化劑溫度系數(shù)定義與溫度系數(shù)類似。但慢化劑溫度增加時,將對反響性引起兩個相反的效應:慢化劑溫度增加時,慢化劑密度減小,慢化劑相對于燃料的有害吸取將減小,這使有效增殖因數(shù)增加對慢化劑溫度系數(shù)有正奉獻當慢化劑中含有化學補償毒物如硼酸時,溫度上升導致溶解度的減小,會加劇了這種正效應〔 壓水堆規(guī)定初始硼濃度必需小于1400ug/g;另一方面,溫度上升,慢化劑密度減小,慢化劑的慢化力量減弱,因而共振吸取增加,對慢化劑溫度系數(shù)有負奉獻。在輕水堆中,慢化劑溫度系數(shù)是正是負與柵格的VH02
/V 的比值親熱相關(guān),安全性要UO2求壓水堆運行在欠慢化區(qū),緣由在第六章有具體解釋,這里不再贅述。8、其他反響性系數(shù)空泡系數(shù)MV
x。定義式為:MV空泡份額增大,有以下三種效應:
xa、冷卻劑的有害中子吸取減小,這是正效應;b、中子泄漏增加,這是負效應;c、慢化力量變小,能譜變硬。對輕水堆來說,空泡效應一般是負效應。功率系數(shù)定義與前者類似,設計時要求為負。效應。9、反響性掌握重要物理量剩余反響性 :堆芯中沒有任何掌握毒物時的反響性。ex掌握毒物價值:某一掌握毒物投入堆芯所引起的反響性變化量稱為該掌握毒i物的反響性或價值。停堆深度 :當全部毒物都投入堆芯是反響堆所到達的負反響性稱為停堆深度。s135Xe減小,這樣堆芯有可能又重恢復到臨界或超臨界的危急狀況??偟谋豢胤错懶裕嚎偟谋豢胤错懶缘扔谑S喾错懶耘c停堆深度之,以表示,即: ex s10、反響性掌握的任務,以滿足反響堆長期運行的需要;通過掌握毒物適當?shù)目臻g布置和最正確的提棒程序,使反響堆在整個堆芯壽期內(nèi)保持較平坦的功率分布,使功率峰因子盡可能地??;在外界負荷變化時,能調(diào)整反響堆功率,使它能適應外界負荷變化;在反響堆消滅事故時,能快速安全地停堆,并保持適當?shù)耐6焉疃取?1、反響堆掌握分類〔1〕〔〕〕12、反響性掌握方式〔1〕〔2〕〔3〕〔〕子泄漏〔1〕〔2〕固體可燃毒物掌握,主要用于補償局部初始過3〕在總的被掌握反響性〔0.32〕中,化學補償掌握的價值占53%以上,余下的為可燃毒物和掌握棒所掌握。13、掌握棒的積分價值當掌握棒從一參考位置插入到某一高度時分價值。14、掌握棒的微分價值掌握棒在堆芯不同高度處移動單位距離所引起的反響性變化,單位為PCM/cm,表達式為:dc dz H15變,影響其它掌握棒的價值,這種現(xiàn)象稱之為掌握棒間的相互干預效應。和要大。16、化學補償掌握:在一回路冷卻劑中參加可溶性化學毒物,以代替補償棒的作用。17、化學補償掌握優(yōu)缺點優(yōu)點:化學補償毒物在堆芯中分布比較均勻;化控不但不引起堆芯功率分布的畸變,而且與燃料分區(qū)相協(xié)作,能降低功率峰因子,提高平均功率密度;化控中的硼濃度可以依據(jù)運行需要來調(diào)整,而固體可燃毒物是不行調(diào)整的;化控不占柵格位置,不需要驅(qū)動機構(gòu)等,從而可以簡化反響堆的構(gòu)造,提高反響堆的經(jīng)濟性。缺點:只能掌握慢變化反響性;需要加硼和稀硼的一套附加設備;水中硼濃度的大小對慢化劑溫度系數(shù)有顯著影響〔溫度系數(shù)局部有具體解釋,這里不在贅述。第九章1、緩發(fā)中子特點:占總裂變中子的份額很小,對于235U裂變只占0.65%,但這些中子緩發(fā)的時間很長〔可達數(shù)十秒,對反響堆周期影響大。2T:反響堆內(nèi)中子密度變化為原來的e〔1/e〕所需要的時間,表達式為:反響堆中子密度方程式為:
T lk 1effdn(t)
k 1eff n(t)dt ln(t)n0
et/Tl:中子壽命3、點堆模型動態(tài)方程dn k
(1)1 6eff n(t)dt l
i1
C(t)i idCidt i
keffl
n(t)Ci i
(t)(i1,2,,6)定義中子每代時間l/keff代入以上兩式可得:
dn(t)(t)
n(t)6C(t)dt
i ii1dC(t) i i
n(t)C
(t)i1,2,,6dt i i4、點堆模型適用范圍點堆模型在物理上假定不同時刻中子通量密度在空間中的分布外形不變參數(shù)的系統(tǒng)處理。因此,它的主要限制在于它不能描述與空間有關(guān)的動力學效應,這些效應一般表現(xiàn)為反響性的局部擾動和過渡過程中中子通量密度空間分布隨時間的快速畸變。當反響堆偏離臨界狀態(tài)太遠或
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