高電壓技術(shù)學(xué)習(xí)心得

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篇一：高電壓技術(shù)總結(jié)

第一章

1.極化：電介質(zhì)在電場作用下，其束縛電荷相應(yīng)于電場方向產(chǎn)生彈性位移現(xiàn)象和偶極子的取向現(xiàn)象。類型：電子式極化、離子式極化、偶極子極化、夾層極化。

2.吸收現(xiàn)象：原因分界面上積聚起一批多余的空間電荷，這就是夾層極化引起的吸收電荷。電荷積聚過程所形成的電流稱為吸收電流。

3.介質(zhì)損耗：定義：在電場作用下電介質(zhì)中總有一定的能量損耗，包括由電導(dǎo)引起的損耗和某些有損極化（例如偶極子、夾層極化）引起的損耗。組成：電導(dǎo)、有、無損極化。影響因素：漏電、電壓頻率、溫度、材料。

第二章

1.氣隙中帶電質(zhì)點的產(chǎn)生的方式：①氣體分子本身發(fā)生游離②處于氣體中的金屬陰極表面發(fā)生游離。消失方式：①與兩電極的電量中和②擴(kuò)散③復(fù)合

2.擊穿理論：①湯遜理論（電子的碰撞游離和正離子撞擊陰極表面造成的表面游離所引起。適用范圍：低氣壓、短氣隙。）②流注理論[適用范圍：高氣壓、短氣隙。流注通道：正負(fù)離子（濃度相等）、良導(dǎo)體、弱電場]。

3.電場：均勻、不均勻。

4.極性效應(yīng)：對于電極形狀不對稱的不均勻電場氣隙，極性不同時，間隙的氣暈電壓和擊穿電壓各不同。極性效應(yīng)是不對稱的不均勻電場所具有的特性之一。

5.沖擊電壓標(biāo)準(zhǔn)波形擊穿電壓：指間隙上出現(xiàn)的最高電壓。放電時間的組成為：tb=t1+ts+tf。

6.提高氣體間隙擊穿場強(qiáng)的方法：①改善電場分布，使其盡可能均勻②改變氣體的狀態(tài)和種類。

7.沿面放電：定義：在大氣中用絕緣子支撐或懸掛帶電體，當(dāng)絕緣子兩級電壓超過一定值時，絕緣子與空氣交界面出現(xiàn)放電現(xiàn)象。形式：干、濕、污閃。污閃：沿著污染表面發(fā)展的閃絡(luò)。污閃過程：污閃層受潮→電導(dǎo)增大→泄漏電流增大→發(fā)熱→形成干區(qū)→干區(qū)電阻大分壓高場強(qiáng)高→放電形成→干區(qū)擴(kuò)大→擊穿。污閃事故的對策：①調(diào)整爬距②定期或不定期的清掃③涂料④半導(dǎo)體釉絕緣子⑤新型合成絕緣子。

第三章

1.液體體介質(zhì)擊穿現(xiàn)象：發(fā)熱膨脹、出現(xiàn)氣泡。固~：電擊穿是有強(qiáng)電場引起的（特點：擊穿電壓高、時間短、擊穿前介質(zhì)發(fā)熱不顯著）

2.影響液體介質(zhì)擊穿電壓的因素：雜質(zhì)、溫度、電場的均勻程度、電壓作用時間、壓力。~固體~因素：電壓作用時間、溫度、電場的均勻程度、電壓種類、積累效應(yīng)、受潮、機(jī)械負(fù)荷。累積效應(yīng)：固體介質(zhì)在不均勻電場中，介質(zhì)內(nèi)部可能出現(xiàn)局部損傷，并留下局部碳化、燒焦或裂縫等痕跡。多次加電壓時，局部損傷會逐步發(fā)展。

3.組合絕緣原則：①必須有優(yōu)異的電氣性能②有良好的熱性能、機(jī)械性能及其他物理-化學(xué)性能③各種介質(zhì)的特性相互合理配合，優(yōu)缺點進(jìn)行互補(bǔ)。

4.絕緣的老化定義：電氣設(shè)備的絕緣在長期運行過程中會發(fā)生一系列物理變化和化學(xué)變化，致使其電氣、機(jī)械及其他性能逐漸劣化現(xiàn)象。~形式：電、熱、機(jī)械、環(huán)境老化。

第四章

1.預(yù)防性試驗：①絕緣電阻和吸收比的測量②泄漏電流測量③介質(zhì)損失角正切測量④局部放電測量。試驗結(jié)果：①絕緣電阻和吸收比能發(fā)現(xiàn)絕緣中貫穿性導(dǎo)電通道、受潮、表面臟污等缺陷②和絕緣電阻一樣③測量tgδ能發(fā)現(xiàn)絕緣中存在的大面積分布性缺陷④能檢測出絕緣中存在的局部缺陷。

2.耐壓試驗：工頻、感應(yīng)、直流、沖擊~。試驗結(jié)果：①能有效地發(fā)現(xiàn)絕緣中危險的集中性缺陷②能對繞組的縱絕緣和相間絕緣進(jìn)行試驗③更易檢查出其中的缺陷④能良好地檢驗高壓電氣設(shè)備對雷電沖擊電壓和操作沖擊電壓的耐受能力。

3.星三角接法：正、反接法。

4.絕緣試驗有：絕緣特性試驗、耐壓試驗。

第五章

1.波過程含義：實質(zhì)上是能量沿著導(dǎo)線傳播的過程，即在導(dǎo)線周圍空間儲存電磁能的過程。波阻抗：作用于某個面積上的壓力與單位時間內(nèi)垂直通過此面積的質(zhì)點流量(即面積乘質(zhì)點振動速度）之比，介質(zhì)密度p與波速V的乘積。波阻抗與電阻的區(qū)別：阻抗是電路中包含了電阻，電感，電容幾個元件或其中的兩個；而電阻只是單個電器元件的純電阻。

2.折射系數(shù)（α）：折射電壓波與入射電壓波的比值。反射系數(shù)（β）：反射電壓波~。

3.線路串電容作用：可降低短路電流；降低入侵波陡度。~并電感作用：可提高功率因數(shù),降低線路損耗；改變波形。

4.繞組行波特點：初始電壓分布、穩(wěn)態(tài)~。過電壓在繞組中的分布特點？

5.中性點過電壓保護(hù)方法：①采用避雷器或避雷棒間隙②配置零序過電壓和間隙零序電流保護(hù)。中性點絕緣水平情況：全絕緣、分級絕緣（經(jīng)濟(jì)性好）。

第六章

1.雷電參數(shù)：雷電流的幅值、波頭、波長、波陡度，波形，雷暴日與雷暴小時、地面落雷密度。

2.防雷直擊雷：避雷針、避雷線避雷器：類型：保護(hù)間隙、排氣式避雷器、閥式~、氧化鋅~。

3.接地裝置形式：工作~、保護(hù)~、防雷接地。

4.變壓器繞組中的波過程影響因素：繞組的接法、中性點接地方向、進(jìn)波情況。

5..防雷措施：架設(shè)避雷線、降低桿塔接地電阻、架設(shè)耦合地線、采用不平衡絕緣方式、采用消弧線圈接地方式、裝設(shè)自動重合閘、加強(qiáng)絕緣、采用排氣式避雷器。

第七章

1.輸電線路雷擊過壓：直擊雷~、感應(yīng)過電壓。

2.反擊定義：絕緣水平不高的35kV以下的配電裝置，構(gòu)架避雷針容易導(dǎo)致絕緣逆閃絡(luò)。防止反擊：接地裝置必須接地良好，接地裝置的接地電阻必須合格，獨立避雷針的接地電阻一般不大于25歐，避雷針與設(shè)備間保持一定的距離。

3.感應(yīng)過電壓：由雷擊線路附近大地，由于電磁感應(yīng)在導(dǎo)線產(chǎn)生的過電壓。

4.輸電線路防雷性能指標(biāo)：耐雷水平、雷擊跳閘率。

第八章

1.獨立避雷針與構(gòu)架~的區(qū)別：獨立的避雷針為單獨的用角鋼或是22的圓鋼做成的，用于35KV及以下配電裝置；而構(gòu)架避雷針是用建筑物的鋼架或別的可導(dǎo)電物體做為接接閃器，用于110KV及以上的配電裝置

2.進(jìn)線段保護(hù)：對全線無避雷線的35～11okV架空線路，應(yīng)在變電所1～2km的線路上架設(shè)避雷線。進(jìn)線段作用：①雷電過電壓波在流過進(jìn)線段時因沖擊電暈而發(fā)生衰減和變形，降低了波前陡度和幅值②限制流過避雷器的沖擊電流幅值。

第九章

1.內(nèi)部過電壓類型：暫時過電壓（工頻電壓升高、諧振過電壓）、操作過電壓（切斷空載線路~、空載線路合閘~、切斷空載變壓器~、斷續(xù)電弧接地~）。

篇二：高電壓技術(shù)-學(xué)習(xí)指南

高電壓技術(shù)-學(xué)習(xí)指南

一、填空題

1．夾層極化相當(dāng)于整個電介質(zhì)的等值電容。

2.選用電容器的絕緣介質(zhì)時，希望εr和質(zhì)量減小。

3．根據(jù)外界能量來源不同，氣體分子的游離可以分為碰撞游離、熱游離。

4.影響固體電介質(zhì)tgδ的因素主要有頻率、外加電壓、。

5．用靜電電壓表測量直流高電壓時，測出的是直流電壓的。

6．在大氣條件下，空氣間隙擊穿電壓隨空氣相對密度的減小而________。

7．固體電介質(zhì)的電導(dǎo)分為體積電導(dǎo)和。

8.中性或弱極性液體介質(zhì)的損耗主要是

9．標(biāo)準(zhǔn)參考大氣條件為：溫度t0，壓力p0=101.3kpa，絕對濕度h0=11g/m2

10.提高氣體間隙擊穿電壓的方法總體可分為兩大類，其一為改善電場分布，其二為。

11.湯遜理論認(rèn)為，

12．固體電介質(zhì)的擊穿形式主要有擊穿、熱擊穿和電化學(xué)擊穿三種。

二、分析及解答題

1．防止絕緣子污閃有哪些措施？

2.進(jìn)行工頻耐壓試驗時，測量試驗電壓的方法通常有哪幾種？為什么要求直接在被試品兩端測量？

3.畫出被試品一極接地情況下進(jìn)行泄漏電流測量的原理接線圖。

4．進(jìn)行工頻交流耐壓試驗時，對試驗變壓器有什么要求？

5.一些含鹵族元素的氣體化合物（如sF6）具有高電氣強(qiáng)度的原因是什么？

三、計算題

1．有一幅值為100kV的無限長直角波沿波阻抗為50Ω的電纜線路向波阻抗為800Ω的發(fā)電機(jī)繞組入侵，已知繞組每匝長度為3m，匝間絕緣允許承受的電壓為600V，繞組中波的傳播速度為6×107m/s，求為保護(hù)發(fā)電機(jī)繞組匝間絕緣所需并聯(lián)的電容數(shù)值。

2.如圖，已知u0=2000kV。Z1=450Ω，Z2=30Ω，（1）求直角波u0經(jīng)過A點以后的折射、反射電壓值。（2）如果在A點串聯(lián)一個電感L，求直角波u0通過電

感L之后的折、反射電壓的穩(wěn)態(tài)值，并畫出波形。

一、填空題

1．增大了

2．大些

3．光游離

4．溫度

5．平均值

6．降低

7.表面電導(dǎo)

8．電導(dǎo)

9．20℃

10．削弱氣體中的游離過程

11．碰撞游離

12．電

二、分析及解答題

1．答：防止絕緣子污閃的措施有：

1）調(diào)整爬電比距（加強(qiáng)絕緣）

2）定期或不定期的清掃

3）涂憎水性涂料（防塵涂料）

4）半導(dǎo)體釉絕緣子

5）采用新型合成絕緣子

2．答：有低壓側(cè)測量和高壓側(cè)測量

其中高壓側(cè)測量的方法主要有

（1）用高壓靜電電壓表測量。

（2）用電容分壓器配低壓儀表測量。

（3）用球隙測量。

（4）用高壓電容器和整流裝置串聯(lián)測量。

（5）用電壓互感器測量。

耐壓試驗時，試驗回路呈容性，由于回路電容電流在試驗變壓器漏抗上產(chǎn)生的壓降與被試品上的電壓方向相反，從而使被試品上的電壓高于試驗變壓器高壓側(cè)電壓。

即有電容效應(yīng)，

在低壓側(cè)測量時誤差較大，所以應(yīng)在被試品兩端直接測量。

3．答：接線如圖所示

4．答：工頻耐壓試驗對試驗變壓器的要求：

1）試驗變壓器高壓繞組的額定電壓應(yīng)不小于被試品的試驗電壓值。

2）試驗變壓器的額定容量不小于由被試品試驗電壓及試驗電壓下流過被試品的電流決定的被試品容量，在被試品擊穿或閃絡(luò)后能短時維持電弧。

5．答：因為鹵族元素具有很強(qiáng)的電負(fù)性，易吸附電子成為負(fù)離子，削弱游離過程；其次，具有較大的分子量和分子直徑，電子在其中運動時平均自由程小，不易積聚能量從而削弱其游離能力。所以，含鹵族元素的氣體化合物具有較高的電氣強(qiáng)度。

三、計算題

1、解：允許進(jìn)入發(fā)電機(jī)繞組中入侵波的空間最大陡度為：du2q

dxmax?600?200(V/m)3

將其轉(zhuǎn)換為時間上的陡度，則有

du2q

dtmax?du2qdx?200?6?107?12?109(V/s)dxmaxdt

2?105?0.33?10?6(F)950?12?10當(dāng)用并聯(lián)電容保護(hù)時，所需電容值為c?2

duZ12qdtu1q?max

即需要0.33μF的電容可保護(hù)電機(jī)繞組的絕緣。

2.解：1)u1f?z2?z130?450?420u(:高電壓技術(shù)學(xué)習(xí)心得)1q??2000??2000??1750（kV）z1?z230?450480

u2q?2Z22?3060u0??2000??2000?250(kV)Z1?Z2450?30480

2)A點串聯(lián)電感時，折、反射電壓穩(wěn)態(tài)值不變。

即：u1f=-1750kV,u2q

=250kV

u

篇三：高電壓技術(shù)總結(jié)復(fù)習(xí)資料

一、填空和概念解釋

1、電介質(zhì)：電氣設(shè)備中作為絕緣使用的絕緣材料。

2、擊穿：在電壓的作用下，介質(zhì)由絕緣狀態(tài)變?yōu)閷?dǎo)電狀態(tài)的過程。

3、擊穿電壓：擊穿時對應(yīng)的電壓。

4、絕緣強(qiáng)度：電介質(zhì)在單位長度或厚度上承受的最小的擊穿電壓。

5、耐電強(qiáng)度：電介質(zhì)在單位長度上或厚度所承受的最大安全電壓。

6、游離：電介質(zhì)中帶電質(zhì)點增加的過程。

7、去游離：電介質(zhì)中帶電質(zhì)點減少的過程。

8、碰撞游離：在電場作用下帶電質(zhì)點碰撞中性分子產(chǎn)生的游離。

9、光游離：中性分子接收光能產(chǎn)生的游離。

10、表面游離：電極表面的電荷進(jìn)入絕緣介質(zhì)中產(chǎn)生的游離。

11、強(qiáng)場發(fā)射：電場力直接把電極中的電荷加入電介質(zhì)產(chǎn)生的游離。

12、二次電子發(fā)射：具有足夠能量的質(zhì)點撞擊陰極放出電子。

13、電暈放電：氣體中穩(wěn)定的局部放電。

14、沖擊電壓作用下的放電時間：擊穿時間+統(tǒng)計時延+放電形成時延

15、統(tǒng)計時延：從間隙加上足以引起間隙擊穿的靜態(tài)擊穿電壓的時刻起到產(chǎn)生足以引起碰撞游離導(dǎo)致完全擊穿的有效電子時刻。

16、放電形成時延：第一個有效電子在外電場作用下碰撞游離形成流注，最后產(chǎn)生主放電的過程時間。

17、50%沖擊放電電壓：沖擊電壓作用下絕緣放電的概率在50%時的電壓值。

18、沿面放電：沿著固體表面的氣體放電。

19、濕閃電壓：絕緣介質(zhì)在淋濕時的閃絡(luò)電壓。

20、污閃電壓：絕緣介質(zhì)由污穢引起的閃絡(luò)電壓。

21、爬距：絕緣子表面閃絡(luò)的距離。

22、極化：電介質(zhì)在電場的作用下對外呈現(xiàn)電極性的過程。

23、電導(dǎo)：電介質(zhì)在電場作用下導(dǎo)電的過程。

24、損耗：由電導(dǎo)和有損極化引起的功率損耗。

25、老化：電力系統(tǒng)長期運行時電介質(zhì)逐漸失去絕緣能力的過程。

26、吸收比：t=60s和t=15s時的絕緣電阻的比值。

27、過電壓：電力系統(tǒng)承受的超過正常電壓的。

28、沖擊電暈：輸電線路中由沖擊電流產(chǎn)生的電暈。

29、雷暴日：一年中聽見雷聲或者看見閃電的天數(shù)。

30、雷暴小時：一年中能聽到雷聲的小時數(shù)。

31、地面落雷密度：每平方公里每雷暴日的落雷次數(shù)。

32、耐雷水平：雷擊輸電電路不引起絕緣閃絡(luò)的最大的雷電流幅值。

33、雷擊跳閘率：每百公里線路每年在雷暴日為40天的標(biāo)準(zhǔn)條件下由雷擊引起的跳閘的次數(shù)。

34、擊桿率：雷擊事故中雷擊塔頂?shù)拇螖?shù)與雷擊輸電線路的總次數(shù)之比。

35、繞擊率：雷擊繞過避雷線擊中導(dǎo)線的概率。

36、建弧率：線路中絕緣由沖擊閃絡(luò)變?yōu)楣ゎl閃絡(luò)的概率。

37、進(jìn)線段：輸電線路中距離變電站1—2公里的線段。

二、簡答

①提高系統(tǒng)的輸電能力②增加輸電距離③降低線路功率損耗④降低電網(wǎng)傳輸單位容量的造價。

湯森德理論：①電子碰撞游離產(chǎn)生電子崩的過程是氣體放電的主要過程②二次放射是氣體自持放電的必要條件。

游離條件：運動質(zhì)點所具有的總能量一定要大于被撞質(zhì)點在正常狀態(tài)下的游離能。

氣體的放電電壓是氣體間隙距離和氣體相對密度乘積的函數(shù)uf=f（δ·s）。

4、在多介質(zhì)絕緣結(jié)構(gòu)中極化和電場分布的關(guān)系。

電場分布的靜向分量與絕緣的相對介質(zhì)常數(shù)成反比。

①有損極化電流②無損極化電流③電導(dǎo)電流直流電壓作用的一瞬間三種電壓都存在，當(dāng)?shù)竭_(dá)穩(wěn)態(tài)時只存在電導(dǎo)電流。

6、固體介質(zhì)的擊穿形式。

①電擊穿：由于電場力作用發(fā)生碰撞游離破壞介質(zhì)晶格形成電通道。②熱擊穿：由固體內(nèi)部熱不穩(wěn)定造成的擊穿。

①非破壞性試驗②耐壓試驗

原則：①兩個實驗都是從不同側(cè)面反映絕緣缺陷的實驗，兩者相互補(bǔ)充②檢測性試驗與擊穿電壓之間沒有函數(shù)關(guān)系所以耐壓試驗是不可替代的③耐壓試驗對設(shè)備有一定的損害所以要先進(jìn)行檢測性試驗，沒有缺陷后再進(jìn)行耐壓試驗。

多級電容的并聯(lián)充電然后串聯(lián)放電。

9、過電壓的分類和系統(tǒng)電壓的關(guān)系。

①外部過電壓②內(nèi)部過電壓（操作過電壓、諧振過電壓）

外部過電壓和系統(tǒng)電壓之間沒有關(guān)系內(nèi)部過電壓和系統(tǒng)電壓的等級有關(guān)。

電力系統(tǒng)中的儲能原件由于各種操作從一個穩(wěn)態(tài)到達(dá)另一個穩(wěn)態(tài)的過程中產(chǎn)生的振蕩電壓就是內(nèi)部過電壓。

電壓波和電流波在線路傳播是相伴而行的統(tǒng)一體，電壓波和電流波的傳播就是電磁能的

傳播或者電磁波的傳播。

①物理意義上的不同波阻抗是指同方向傳播的電壓波與電流波之間的數(shù)量關(guān)系當(dāng)波通過分布參數(shù)的波阻抗時以電磁能形式把能量保持在線路周圍，而通過集中參數(shù)電阻時則消耗在電荷內(nèi)②波阻抗加正負(fù)表示波阻抗的方向③線路中的波阻抗只與單位長度上的參數(shù)有關(guān)與長度無關(guān)④當(dāng)線路中存在兩個方向的波相遇時電路中的總電壓與總電流之比不等于波阻抗。

電場能=磁場能

波通過參數(shù)激變的節(jié)點發(fā)生電壓波和電流波的重新分布或電磁能的重新分布。

①把入侵波的電壓的兩倍作為等值電路電壓源的電動勢②把分布參數(shù)的波阻抗看場集中參數(shù)的波阻抗然后連接在一起。

適用范圍：①入侵波必須按照分布參數(shù)的線路傳播而來②和線路一相連的線路中只能有一個可拆分的電壓波或電流波。

①使波形發(fā)生改變幅值減小②波速和波阻抗減?、凼菍?dǎo)線的耦合系數(shù)增加。

算數(shù)疊加規(guī)律

18、電壓波和電流波符號的定義。

電壓波：①在線路中正電荷的傳播產(chǎn)生的電壓波是正的電壓波②在線路中負(fù)電荷的傳播產(chǎn)生的電壓波是負(fù)的電壓波。電流波①線路中正電荷沿x正方向傳播產(chǎn)生的電流波是正的電流波②負(fù)電荷沿x正方向傳播產(chǎn)生的電流波是負(fù)的電流波③正電荷沿x反方向傳播產(chǎn)生的電流波是負(fù)的電流波④負(fù)電荷沿x反方向傳播產(chǎn)生的電流波是正的電流波。

19、避雷線在輸電線中的作用。

①當(dāng)雷擊桿塔時起分流作用降低桿塔上的雷電流②防止雷直接擊到桿塔上③對感應(yīng)雷起耦合作用。

變電站獨立避雷針距離設(shè)備的距離不小于5m接地體距主接地網(wǎng)的距離不小于3m。

21、三繞組變壓器的特殊保護(hù)。

當(dāng)三繞組變壓器高中壓繞組運行而低壓繞組停運時應(yīng)在低壓側(cè)加裝避雷器保護(hù)防止高中壓繞組出現(xiàn)過電壓。

三、論述

隨著電壓升高電子在電場力下加速撞擊中性分子發(fā)生碰撞游離，是升壓的時間。隨著電子崩的發(fā)展他的正電荷和電子數(shù)量成正比增加是發(fā)展階段。隨著加電壓的進(jìn)行正離子在

電場力的作用下也加速，當(dāng)獲得的能量足夠大時產(chǎn)生二次電子發(fā)射，新的電子代替出事電子參與電子崩自持放電開始。

（1）湯森得理論解釋的氣體的放電時間比實際的放電時間長（2）湯森德理論解釋的氣體放電條件是和陰極表面材料有關(guān)實際觀測試沒有關(guān)系的（3）放電形式不同湯森德理論解釋的放電是充滿間隙空間的放電，實際觀測是值差的樹狀放電。為什么：因為湯森德；理論沒有考慮到空間電荷累積而造成的電廠的激變。

當(dāng)擊穿發(fā)生在波前時擊穿電壓以擊穿時的電壓值計，當(dāng)擊穿發(fā)生在波后時擊穿電壓以對應(yīng)電壓的峰值計，，擊穿時間以擊穿的時刻計，用統(tǒng)計的方法繪制成曲線

4、巴申定律對氣體在氣體相對密度和間隙距離變化下的放電電壓變化曲線的解釋。

（1）δ不變s增大必須增大外施才能產(chǎn)生碰撞游離，當(dāng)s很小時碰撞游離的概率已經(jīng)很高s繼續(xù)減小電子碰撞中性分子的概率減小所以必須升高外施電場才能保持擊穿（2）s不變δ增加電子自由行程變短相鄰兩次碰撞之間電子積累足夠動能產(chǎn)生碰撞游離的概率減小所以升高外施電壓。δ很小時碰撞游離的概率增加的影響不再抵消碰撞游離次數(shù)減小作用，為保持一定數(shù)量的帶電質(zhì)點所以必須增加外施電場。

隨著電子崩的發(fā)展，空間上積累大量的正離子和少量的負(fù)離子，電子很快進(jìn)入陰極，造成電場的激變，電場強(qiáng)度弱的地方正好是正負(fù)離子混合的區(qū)域，很容易產(chǎn)生負(fù)荷，發(fā)光產(chǎn)生光游離，帶來的電子替代原來的電子，形成二次電子崩或多次電子崩匯合形成流注接通正負(fù)兩極，最終形成擊穿。

①棒極帶正電位時，棒極附近強(qiáng)場區(qū)內(nèi)的電暈放電產(chǎn)生的電子達(dá)到棒極后即被中和，而正離子速度慢暫被留在棒極附近，正電荷消弱棒極附近的電場強(qiáng)度而加深了氣隙身處的電場強(qiáng)度，容易使氣隙深處產(chǎn)生二次電子崩，與初崩匯合成流注。流注產(chǎn)生的空間電荷總是加強(qiáng)前方電場，發(fā)展是連續(xù)的速度很快的，與副極性比擊穿電壓低。②棒極為負(fù)極性時，電子崩的發(fā)展比正極性時困難。初崩留下的正電荷加強(qiáng)了負(fù)棒極附近電場，但消弱了氣隙深處的空間電場，流注向前發(fā)展受到抑制只有再生高電壓等待初崩中向陰極發(fā)展的正流注完成，才能產(chǎn)生新的電子崩，形成負(fù)流注。負(fù)流注的發(fā)展是階段性的，擊穿所需電壓要高得多。③無論正流注負(fù)流注，發(fā)展到對面電極時整個間隙就被充滿了正負(fù)電荷，具有較大導(dǎo)電性的通道所穿過。在電壓源的作用下流注中的帶電質(zhì)點繼續(xù)加速獲得能量，使流注中帶電質(zhì)點濃度增加，通道溫度和電導(dǎo)增大，完全失去絕緣能力，氣隙擊穿就完成了。

提高電場的均勻程度，靠屏蔽電極的沿面效應(yīng)等效的增加了曲率半徑小的電極吃寸減小了曲率半徑小的電荷，提高了放電電壓。

不均勻電場中局部放電產(chǎn)生電荷在兩極間運動被極間屏障阻擋電荷均勻分布在屏障上提

高了電場的均勻程度提高放電電壓。油中增加絕緣屏障阻擋雜質(zhì)小橋接通電極，減