標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 43088-2023 微束分析 分析電子顯微術(shù) 金屬薄晶體試樣中位錯(cuò)密度的測(cè)定方法》是一項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，旨在為通過(guò)分析電子顯微鏡技術(shù)測(cè)量金屬薄晶體試樣中的位錯(cuò)密度提供一套規(guī)范化的指導(dǎo)。該標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了從樣品制備到數(shù)據(jù)處理的一系列步驟和技術(shù)要求。

首先，在樣品準(zhǔn)備階段，標(biāo)準(zhǔn)明確了適用于此方法的材料類(lèi)型及其預(yù)處理要求，包括但不限于表面拋光、電解減薄等步驟，以確保最終得到的樣品能夠滿(mǎn)足透射電子顯微鏡觀(guān)察的需求。同時(shí)，對(duì)于不同材質(zhì)可能需要采用不同的減薄參數(shù)也給予了建議。

接著，關(guān)于實(shí)驗(yàn)條件的選擇與設(shè)置方面，《GB/T 43088-2023》提出了具體的要求。這包括但不限于加速電壓的選擇、放大倍數(shù)的調(diào)整以及成像模式（如明場(chǎng)或暗場(chǎng)）的應(yīng)用等，這些都是為了保證所獲取圖像的質(zhì)量和準(zhǔn)確性。

在數(shù)據(jù)采集過(guò)程中，本標(biāo)準(zhǔn)強(qiáng)調(diào)了對(duì)選定區(qū)域內(nèi)位錯(cuò)進(jìn)行系統(tǒng)性統(tǒng)計(jì)的重要性，并給出了如何正確標(biāo)記并記錄下每個(gè)觀(guān)測(cè)點(diǎn)上存在的位錯(cuò)數(shù)量的方法。此外，還討論了如何利用軟件工具輔助完成這一過(guò)程，提高工作效率的同時(shí)減少人為誤差。

最后，當(dāng)所有必要的信息都已收集完畢后，《GB/T 43088-2023》提供了計(jì)算平均位錯(cuò)密度的具體公式及步驟。它不僅考慮到了直接可見(jiàn)的位錯(cuò)線(xiàn)長(zhǎng)度，同時(shí)也引入了修正因子來(lái)補(bǔ)償那些因取向效應(yīng)而未能被直接觀(guān)察到的部分。通過(guò)這樣的方式，可以獲得一個(gè)更加全面且準(zhǔn)確反映實(shí)際狀況的結(jié)果。


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....

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  • 2023-09-07 頒布
  • 2024-04-01 實(shí)施
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GB/T 43088-2023微束分析分析電子顯微術(shù)金屬薄晶體試樣中位錯(cuò)密度的測(cè)定方法_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

ICS7104050

CCSG.04.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T43088—2023

微束分析分析電子顯微術(shù)金屬薄晶體

試樣中位錯(cuò)密度的測(cè)定方法

Microbeamanalysis—Analyticalelectronmicroscopy—Measurement

ofthedislocationdensityinthinmetals

2023-09-07發(fā)布2024-04-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T43088—2023

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語(yǔ)和定義

3………………1

符號(hào)

4………………………2

方法概述

5…………………3

設(shè)備

6………………………3

試樣

7………………………4

測(cè)定方法

8…………………4

數(shù)據(jù)處理

9…………………6

測(cè)定結(jié)果的不確定度

10……………………7

試驗(yàn)報(bào)告

11…………………8

附錄資料性小變形退火鋼中位錯(cuò)密度的測(cè)量示例

A()IF……………9

附錄資料性變形鋁合金中位錯(cuò)密度的測(cè)量示例

B()…………………17

參考文獻(xiàn)

……………………21

Ⅰ

GB/T43088—2023

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)

GB/T1.1—2020《1:》

定起草

。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專(zhuān)利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專(zhuān)利的責(zé)任

。。

本文件由全國(guó)微束分析標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

(SAC/TC38)。

本文件起草單位首鋼集團(tuán)有限公司國(guó)標(biāo)北京檢驗(yàn)認(rèn)證有限公司

:、()。

本文件主要起草人孟楊鞠新華朱國(guó)森付新馬通達(dá)崔桂彬史學(xué)星閆賀王澤鵬王雅晴

:、、、、、、、、、、

嚴(yán)春蓮

。

Ⅲ

GB/T43088—2023

微束分析分析電子顯微術(shù)金屬薄晶體

試樣中位錯(cuò)密度的測(cè)定方法

1范圍

本文件規(guī)定了利用透射電子顯微鏡測(cè)量金屬薄晶體中位錯(cuò)密度的設(shè)備試樣測(cè)定方法數(shù)

(TEM)、、、

據(jù)處理測(cè)定結(jié)果的不確定度和試驗(yàn)報(bào)告

、。

本文件適用于測(cè)定晶粒內(nèi)不高于15-2的位錯(cuò)密度也適用于測(cè)量幾十納米至幾百納米厚

1×10m。

度金屬薄晶體試樣中單個(gè)晶粒內(nèi)的位錯(cuò)密度

。

注1試樣在制備時(shí)位錯(cuò)會(huì)從表面逸出當(dāng)薄晶體試樣厚度較小時(shí)逸出的位錯(cuò)占比相對(duì)較大對(duì)測(cè)量準(zhǔn)確性影響

:,,,

較大

。

注2位錯(cuò)塞積無(wú)法辨識(shí)時(shí)塞積的位錯(cuò)占比較大晶粒內(nèi)的位錯(cuò)密度可能會(huì)遠(yuǎn)低于試樣中的實(shí)際位錯(cuò)密度

:,,。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

微束分析分析電子顯微術(shù)透射電鏡選區(qū)電子衍射分析方法

GB/T18907

微束分析薄晶體厚度的會(huì)聚束電子衍射測(cè)定方法

GB/T20724

微束分析分析電子顯微學(xué)術(shù)語(yǔ)

GB/T40300

3術(shù)語(yǔ)和定義

和界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T20724GB/T40300。

31

.

位錯(cuò)密度dislocationdensity

ρ

單位體積薄晶體試樣中所含位錯(cuò)線(xiàn)的總長(zhǎng)度

。

32

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