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  • 2023-09-07 頒布
  • 2024-04-01 實(shí)施
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GB/T 43088-2023微束分析分析電子顯微術(shù)金屬薄晶體試樣中位錯(cuò)密度的測定方法_第1頁
GB/T 43088-2023微束分析分析電子顯微術(shù)金屬薄晶體試樣中位錯(cuò)密度的測定方法_第2頁
GB/T 43088-2023微束分析分析電子顯微術(shù)金屬薄晶體試樣中位錯(cuò)密度的測定方法_第3頁
GB/T 43088-2023微束分析分析電子顯微術(shù)金屬薄晶體試樣中位錯(cuò)密度的測定方法_第4頁
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文檔簡介

ICS7104050

CCSG.04.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T43088—2023

微束分析分析電子顯微術(shù)金屬薄晶體

試樣中位錯(cuò)密度的測定方法

Microbeamanalysis—Analyticalelectronmicroscopy—Measurement

ofthedislocationdensityinthinmetals

2023-09-07發(fā)布2024-04-01實(shí)施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T43088—2023

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

符號

4………………………2

方法概述

5…………………3

設(shè)備

6………………………3

試樣

7………………………4

測定方法

8…………………4

數(shù)據(jù)處理

9…………………6

測定結(jié)果的不確定度

10……………………7

試驗(yàn)報(bào)告

11…………………8

附錄資料性小變形退火鋼中位錯(cuò)密度的測量示例

A()IF……………9

附錄資料性變形鋁合金中位錯(cuò)密度的測量示例

B()…………………17

參考文獻(xiàn)

……………………21

GB/T43088—2023

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)

GB/T1.1—2020《1:》

定起草

。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任

。。

本文件由全國微束分析標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出并歸口

(SAC/TC38)。

本文件起草單位首鋼集團(tuán)有限公司國標(biāo)北京檢驗(yàn)認(rèn)證有限公司

:、()。

本文件主要起草人孟楊鞠新華朱國森付新馬通達(dá)崔桂彬史學(xué)星閆賀王澤鵬王雅晴

:、、、、、、、、、、

嚴(yán)春蓮

GB/T43088—2023

微束分析分析電子顯微術(shù)金屬薄晶體

試樣中位錯(cuò)密度的測定方法

1范圍

本文件規(guī)定了利用透射電子顯微鏡測量金屬薄晶體中位錯(cuò)密度的設(shè)備試樣測定方法數(shù)

(TEM)、、、

據(jù)處理測定結(jié)果的不確定度和試驗(yàn)報(bào)告

、。

本文件適用于測定晶粒內(nèi)不高于15-2的位錯(cuò)密度也適用于測量幾十納米至幾百納米厚

1×10m。

度金屬薄晶體試樣中單個(gè)晶粒內(nèi)的位錯(cuò)密度

注1試樣在制備時(shí)位錯(cuò)會從表面逸出當(dāng)薄晶體試樣厚度較小時(shí)逸出的位錯(cuò)占比相對較大對測量準(zhǔn)確性影響

:,,,

較大

。

注2位錯(cuò)塞積無法辨識時(shí)塞積的位錯(cuò)占比較大晶粒內(nèi)的位錯(cuò)密度可能會遠(yuǎn)低于試樣中的實(shí)際位錯(cuò)密度

:,,。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

微束分析分析電子顯微術(shù)透射電鏡選區(qū)電子衍射分析方法

GB/T18907

微束分析薄晶體厚度的會聚束電子衍射測定方法

GB/T20724

微束分析分析電子顯微學(xué)術(shù)語

GB/T40300

3術(shù)語和定義

和界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T20724GB/T40300。

31

.

位錯(cuò)密度dislocationdensity

ρ

單位體積薄晶體試樣中所含位錯(cuò)線的總長度

。

32

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