電子信息產(chǎn)業(yè)集成電路與新型顯示重大科技專(zhuān)項(xiàng)項(xiàng)目申報(bào)指南

———電子信息產(chǎn)業(yè)集成電路與新型顯示重大科技專(zhuān)項(xiàng)項(xiàng)目申報(bào)指南總體績(jī)效目標(biāo)：研發(fā)重大創(chuàng)新產(chǎn)品15個(gè)，突破關(guān)鍵核心技術(shù)42項(xiàng)，申請(qǐng)或授權(quán)發(fā)明專(zhuān)利56件，帶動(dòng)實(shí)現(xiàn)銷(xiāo)售收入（或產(chǎn)值）36億元。資金支持方式：專(zhuān)項(xiàng)資金采取前補(bǔ)助支持方式。實(shí)施周期：2023年11月--2027年12月。有關(guān)要求：1.每個(gè)項(xiàng)目的聯(lián)合申報(bào)單位原則上不超過(guò)5個(gè)，下設(shè)課題原則上不超過(guò)5個(gè)。2.項(xiàng)目負(fù)責(zé)人須具有高級(jí)職稱(chēng)，課題負(fù)責(zé)人須具有高級(jí)職稱(chēng)或博士學(xué)位。目前承擔(dān)有科技計(jì)劃其他類(lèi)別在研項(xiàng)目和申報(bào)過(guò)2023年度其他項(xiàng)目的負(fù)責(zé)人，可申報(bào)重大科技專(zhuān)項(xiàng)項(xiàng)目1項(xiàng)。目前還在限制申報(bào)期內(nèi)的項(xiàng)目負(fù)責(zé)人不得牽頭申報(bào)。3.牽頭申報(bào)企業(yè)2022年主營(yíng)業(yè)務(wù)收入須超過(guò)5000萬(wàn)元，或者利潤(rùn)須超過(guò)1000萬(wàn)元。4.在符合條件的情況下，優(yōu)先支持省創(chuàng)新聯(lián)合體、國(guó)家實(shí)驗(yàn)室、國(guó)家技術(shù)創(chuàng)新中心、全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的主要依托企業(yè)。支持方向和重點(diǎn)：集成電路。1.1嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器IP研發(fā)。（1）研究?jī)?nèi)容。開(kāi)展多次可編程存儲(chǔ)技術(shù)、單次可編程存儲(chǔ)技術(shù)、多晶硅柵電熔絲技術(shù)等非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的關(guān)鍵技術(shù)研究，提高編程速度、擦除速度、數(shù)據(jù)保持時(shí)間等指標(biāo)。研究標(biāo)準(zhǔn)工藝的嵌入式存儲(chǔ)IP設(shè)計(jì)，適應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)工藝的IP環(huán)境，減少額外光罩層次或工藝步驟，可實(shí)現(xiàn)快速導(dǎo)入芯片設(shè)計(jì)。設(shè)計(jì)并開(kāi)發(fā)符合ISO26262標(biāo)準(zhǔn)的車(chē)規(guī)級(jí)嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)IP產(chǎn)品，提升其操作溫度、高溫操作壽命、高溫?cái)?shù)據(jù)保持時(shí)間等指標(biāo)。（2）考核指標(biāo)。突破關(guān)鍵技術(shù)3項(xiàng)以上，申請(qǐng)或授權(quán)發(fā)明專(zhuān)利5項(xiàng)以上，形成產(chǎn)品不少于2個(gè)，針對(duì)汽車(chē)電子芯片的需求，在國(guó)內(nèi)主流工藝平臺(tái)進(jìn)行車(chē)規(guī)級(jí)驗(yàn)證，技術(shù)成果應(yīng)用于汽車(chē)電子相關(guān)企業(yè)。（3）有關(guān)說(shuō)明。擬支持1項(xiàng)，支持專(zhuān)項(xiàng)資金不超過(guò)800萬(wàn)元；企業(yè)牽頭申報(bào)，鼓勵(lì)產(chǎn)學(xué)研聯(lián)合申報(bào)，自籌經(jīng)費(fèi)與申請(qǐng)專(zhuān)項(xiàng)資金比例不低于2：1。1.2基于PCI/SATA二合一的高速存儲(chǔ)接口COMBOPHYIP核。（1）研究?jī)?nèi)容。研究開(kāi)發(fā)符合SATA3.0協(xié)議及PCIE2.0協(xié)議的多功能高速存儲(chǔ)接口COMBOPHYIP核，完成IP授權(quán)；形成國(guó)外同類(lèi)替代產(chǎn)品，支持1.5G/2.5G/5G/6G等節(jié)點(diǎn)高速數(shù)據(jù)收發(fā)，支持PCS子層功能，具備外信號(hào)通訊、低功耗模式切換等功能，符合SATA3.0及PCIE2.0的一致性測(cè)試規(guī)范電氣特性。（2）考核指標(biāo)。突破關(guān)鍵技術(shù)3項(xiàng)以上，申請(qǐng)或授權(quán)發(fā)明專(zhuān)利4件以上，形成IP授權(quán)不少于5項(xiàng)，技術(shù)成果應(yīng)用于存儲(chǔ)主控芯片和數(shù)據(jù)運(yùn)算相關(guān)企業(yè)。（3）有關(guān)說(shuō)明。擬支持1項(xiàng)，支持專(zhuān)項(xiàng)資金不超過(guò)800萬(wàn)元；企業(yè)牽頭申報(bào)，鼓勵(lì)產(chǎn)學(xué)研聯(lián)合申報(bào)，自籌經(jīng)費(fèi)與申請(qǐng)專(zhuān)項(xiàng)資金比例不低于2：1。1.3四通道射頻多功能芯片研發(fā)。（1）研究?jī)?nèi)容。研究高精度電磁場(chǎng)協(xié)同仿真技術(shù)，提高仿真精度和設(shè)計(jì)效率；開(kāi)展多通道集成MCM芯片設(shè)計(jì)研究，在實(shí)現(xiàn)多功能、高性能情況下，減小封裝尺寸；研究新型低功耗高線(xiàn)性度放大結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，提高線(xiàn)性度、降低功耗等關(guān)鍵指標(biāo)；研究高可靠性封裝技術(shù)，提高高溫工作要求下各項(xiàng)指標(biāo)穩(wěn)定性。（2）考核指標(biāo)。研發(fā)多通道集成MCM芯片，突破關(guān)鍵核心技術(shù)不少于3項(xiàng)，申請(qǐng)或授權(quán)發(fā)明專(zhuān)利5件以上，形成產(chǎn)品2個(gè)以上，技術(shù)成果應(yīng)用于無(wú)線(xiàn)通信相關(guān)企業(yè)，實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化產(chǎn)品供應(yīng)。（3）有關(guān)說(shuō)明。擬支持1項(xiàng)，支持專(zhuān)項(xiàng)資金不超過(guò)1000萬(wàn)元；企業(yè)牽頭申報(bào)，鼓勵(lì)產(chǎn)學(xué)研聯(lián)合申報(bào)，自籌經(jīng)費(fèi)與申請(qǐng)專(zhuān)項(xiàng)資金比例不低于2：1。1.4毫米波核心芯片關(guān)鍵技術(shù)研究。（1）研究?jī)?nèi)容。開(kāi)展高性能收發(fā)通道芯片和電源管理芯片一體化優(yōu)化設(shè)計(jì)、寬電壓范圍CMOS電源管理以及多通道電流采樣等技術(shù)研究，提高無(wú)線(xiàn)通信系統(tǒng)發(fā)射機(jī)的動(dòng)態(tài)適應(yīng)范圍；研究硅基收發(fā)通道高隔離度技術(shù)，減少功能模塊相互干擾；研究高頻段毫米波噪聲抑制大功率輸出技術(shù)，提高靈敏度和可靠性；開(kāi)展毫米波高功率及低噪聲放大技術(shù)研究，提升放大器芯片的飽和輸出功率，增加射頻芯片功率。研制擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的具有電源管理功能的高功率、低噪聲收發(fā)前端芯片。（2）考核指標(biāo)。突破關(guān)鍵技術(shù)4項(xiàng)以上，申請(qǐng)核心芯片發(fā)明或授權(quán)專(zhuān)利不少于5件，形成產(chǎn)品2個(gè)以上，技術(shù)成果應(yīng)用于下一代無(wú)線(xiàn)通信企業(yè)。（3）有關(guān)說(shuō)明。擬支持1項(xiàng)，支持專(zhuān)項(xiàng)資金不超過(guò)800萬(wàn)元；企業(yè)牽頭申報(bào)，鼓勵(lì)產(chǎn)學(xué)研聯(lián)合申報(bào)，自籌經(jīng)費(fèi)與申請(qǐng)專(zhuān)項(xiàng)資金比例不低于2：1。1.5高密度、高效率SiCJBS功率芯片制備。（1）研究?jī)?nèi)容。針對(duì)新能源充電樁等小型化、高效率電源裝備領(lǐng)域所急需的高頻高壓SiC二極管產(chǎn)品需求，開(kāi)展SiC結(jié)勢(shì)壘二極管器件的大規(guī)模制造技術(shù)研究，突破高壓低導(dǎo)通壓降結(jié)型二極管載流子輸運(yùn)機(jī)理和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)優(yōu)化技術(shù)；突破陽(yáng)極接觸、SiC刻蝕、襯底減薄、激光退火歐姆接觸等工藝技術(shù)，具備開(kāi)展SiCJBS器件大規(guī)模生產(chǎn)制造的技術(shù)和能力。從高壓低導(dǎo)通壓降結(jié)勢(shì)壘二極管結(jié)終端設(shè)計(jì)優(yōu)化、關(guān)鍵工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)、器件流片研制與測(cè)試三個(gè)方面開(kāi)展系統(tǒng)研究，解決SiC結(jié)勢(shì)壘二極管器件制造技術(shù)中陰極制備、器件熱管理優(yōu)化、良率提升等關(guān)鍵工藝瓶頸問(wèn)題。研發(fā)高頻高壓SiCJBS二極管及碳化硅二極管器件。（2）考核指標(biāo)。突破關(guān)鍵技術(shù)不少于2項(xiàng)，申請(qǐng)或授權(quán)發(fā)明專(zhuān)利6件以上，形成產(chǎn)品2個(gè)以上，技術(shù)成果應(yīng)用于汽車(chē)電子相關(guān)企業(yè)。（3）有關(guān)說(shuō)明。擬支持1項(xiàng)，支持專(zhuān)項(xiàng)資金不超過(guò)800萬(wàn)元；企業(yè)牽頭申報(bào)，鼓勵(lì)產(chǎn)學(xué)研聯(lián)合申報(bào)，自籌經(jīng)費(fèi)與申請(qǐng)專(zhuān)項(xiàng)資金比例不低于2：1。1.6功率芯片封測(cè)工藝研發(fā)與應(yīng)用。（1）研究?jī)?nèi)容。研究高功率密度、無(wú)引腳封裝結(jié)構(gòu)、低封裝損耗和優(yōu)化散熱等封裝技術(shù)，突破高功率大芯片低損耗技術(shù)和熱管理技術(shù)；研究封裝系統(tǒng)電磁兼容與信號(hào)隔離、多排陣列框架、大電流低熱阻封裝技術(shù)，實(shí)現(xiàn)功率器件低信號(hào)延遲、高可靠性、良好傳導(dǎo)、低阻抗大電流能力。研究建立具有全面自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、產(chǎn)品成熟度高的功率芯片研發(fā)設(shè)計(jì)、封測(cè)平臺(tái)，開(kāi)發(fā)電流達(dá)300A的汽車(chē)功率芯片封測(cè)模組。（2）考核指標(biāo)。突破關(guān)鍵技術(shù)不少于3項(xiàng)，申請(qǐng)或授權(quán)發(fā)明專(zhuān)利5件以上，形成產(chǎn)品3個(gè)以上，產(chǎn)品轉(zhuǎn)化應(yīng)用于汽車(chē)電子相關(guān)企業(yè)。（3）有關(guān)說(shuō)明。擬支持1項(xiàng)，支持專(zhuān)項(xiàng)資金不超過(guò)300萬(wàn)元；企業(yè)牽頭申報(bào)，鼓勵(lì)產(chǎn)學(xué)研聯(lián)合申報(bào)，自籌經(jīng)費(fèi)與申請(qǐng)專(zhuān)項(xiàng)資金比例不低于2：1。1.7超高速800G光模塊封裝測(cè)試研究。（1）研究?jī)?nèi)容。研究高精度貼裝與高集成度混合封裝技術(shù)，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化光學(xué)封裝；開(kāi)發(fā)高精度多維光學(xué)耦合系統(tǒng)，開(kāi)展先進(jìn)耦合算法研究，提高耦合效率；突破光電接口帶寬限制，實(shí)現(xiàn)基于直接調(diào)制方案的低成本單通道200G超高速率數(shù)據(jù)傳輸。研制超高速800G光模塊等系列產(chǎn)品，包括硅光平臺(tái)馬赫·曾德?tīng)栒{(diào)制器/大功率連續(xù)光波激光器，實(shí)現(xiàn)并行多路的共享光源架構(gòu)；研制四通道EML激光器，確保高可靠性氣密封裝架構(gòu)。（2）考核指標(biāo)。突破關(guān)鍵技術(shù)不少于3項(xiàng)，申請(qǐng)或授權(quán)發(fā)明專(zhuān)利5件以上，形成產(chǎn)品2個(gè)以上，實(shí)現(xiàn)低功耗、高集成和高速率性能的硅光模塊的推廣與應(yīng)用，技術(shù)成果應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心相關(guān)企業(yè)。（3）有關(guān)說(shuō)明。擬支持1項(xiàng)，支持專(zhuān)項(xiàng)資金不超過(guò)500萬(wàn)元；企業(yè)牽頭申報(bào)，鼓勵(lì)產(chǎn)學(xué)研聯(lián)合申報(bào)，自籌經(jīng)費(fèi)與申請(qǐng)專(zhuān)項(xiàng)資金比例不低于2：1。2.新型顯示。2.1全面屏柔性AMOLED顯示技術(shù)研究。（1）研究?jī)?nèi)容。面向柔性AMOLED全面屏超高屏占比、無(wú)開(kāi)口屏下攝像功能等需求，開(kāi)展柔性AMOLED面板多種像素密度混合驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)、研制工藝和測(cè)試技術(shù)研究；研究攝像頭對(duì)應(yīng)區(qū)域高像素密度、高M(jìn)DL透過(guò)率、高亮度和高壽命顯示等關(guān)鍵技術(shù)，相關(guān)指標(biāo)滿(mǎn)足產(chǎn)業(yè)化要求。（2）考核指標(biāo)。突破關(guān)鍵技術(shù)3項(xiàng)，申請(qǐng)或授權(quán)發(fā)明專(zhuān)利3件以上，形成全面屏產(chǎn)品2~3個(gè)。技術(shù)成果應(yīng)用于新一代屏下攝像手機(jī)，形成真正意義上的全面屏。（3）有關(guān)說(shuō)明。擬支持1項(xiàng)，支持專(zhuān)項(xiàng)資金不超過(guò)1000萬(wàn)元；企業(yè)牽頭申報(bào)，鼓勵(lì)產(chǎn)學(xué)研聯(lián)合申報(bào)，自籌經(jīng)費(fèi)與申請(qǐng)專(zhuān)項(xiàng)資金比例不低于2：1。2.2高畫(huà)質(zhì)低功耗可折疊柔性AMOLED顯示技術(shù)研究。（1）研究?jī)?nèi)容。開(kāi)展柔性AMOLED超薄堆疊結(jié)構(gòu)仿真與設(shè)計(jì)，降低功耗的同時(shí)不影響顯示畫(huà)質(zhì)；研究開(kāi)發(fā)超薄可彎折高折射率材料，滿(mǎn)足厚度需求與信賴(lài)性測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)；開(kāi)展彎折堆疊設(shè)計(jì)研究，通過(guò)優(yōu)化堆疊設(shè)計(jì)，避免EES結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有堆疊發(fā)生分層、斷裂等。研發(fā)可折疊柔性AMOLED顯示產(chǎn)品，其彎曲半徑、功耗、顯示MDL反射率和厚度、常溫動(dòng)態(tài)彎折、溫濕度條件動(dòng)態(tài)彎折等技術(shù)指標(biāo)性能優(yōu)異。（2）考核指標(biāo)。突破關(guān)鍵技術(shù)3項(xiàng)，申請(qǐng)或授權(quán)發(fā)明專(zhuān)利3件以上，形成產(chǎn)品2-3個(gè)。技術(shù)成果應(yīng)用于高分辨率超薄柔性折疊終端屏，支持大尺寸柔性顯示終端制造。（3）有關(guān)說(shuō)明。擬支持1項(xiàng)，支持專(zhuān)項(xiàng)資金不超過(guò)1000萬(wàn)元；企業(yè)牽頭申報(bào)，鼓勵(lì)產(chǎn)學(xué)研聯(lián)合申報(bào)，自籌經(jīng)費(fèi)與申請(qǐng)專(zhuān)項(xiàng)資金比例不低于2：1。2.38K激光移軸變焦投影關(guān)鍵技術(shù)研究。（1）研究?jī)?nèi)容。開(kāi)展基于振鏡組合DLP芯片的方案設(shè)計(jì)，縮小光學(xué)系統(tǒng)體積；研究移軸鏡頭技術(shù)，實(shí)現(xiàn)影像位置電動(dòng)調(diào)整；突破鏡頭自動(dòng)調(diào)焦技術(shù)，解決調(diào)整后不同位置畫(huà)質(zhì)和解析度變差的問(wèn)題；突破振鏡自動(dòng)相機(jī)優(yōu)化技術(shù)，實(shí)現(xiàn)振鏡參數(shù)最優(yōu)化，確保像質(zhì)最佳。研發(fā)高解析、高亮度、高色域8K激光移軸長(zhǎng)焦投影顯示產(chǎn)品。（2）考核指標(biāo)。突破關(guān)鍵技術(shù)3項(xiàng)，申請(qǐng)或授權(quán)發(fā)明專(zhuān)利3件以上，形成產(chǎn)品2~3個(gè)。技術(shù)成果應(yīng)用于激光投影顯示生產(chǎn)企業(yè)，并實(shí)現(xiàn)批量化生產(chǎn)。（3）有關(guān)說(shuō)明。擬支持1項(xiàng)，支持專(zhuān)項(xiàng)資金不超過(guò)560萬(wàn)元；企業(yè)牽頭申報(bào)，鼓勵(lì)產(chǎn)學(xué)研聯(lián)合申報(bào)，自籌經(jīng)費(fèi)與申請(qǐng)專(zhuān)項(xiàng)資金比例不低于2：1。2.4超低散斑激光顯示光學(xué)屏技術(shù)研究。（1）研究?jī)?nèi)容。研究激光顯示中復(fù)合散斑的自相關(guān)特性和功率譜分布，建立復(fù)合散斑模型和實(shí)驗(yàn)方法，突破光學(xué)屏領(lǐng)域散斑抑制技術(shù)；建立光學(xué)屏融合架構(gòu)的光學(xué)仿真、光利用效率的評(píng)價(jià)體系和測(cè)試方法，為行業(yè)提供更高效評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)，促進(jìn)行業(yè)技術(shù)升級(jí)；研究基于微納結(jié)構(gòu)的表面光整形技術(shù)，突破現(xiàn)有光擴(kuò)散技術(shù)的能量利用極限，提升屏幕的光利用效率，實(shí)現(xiàn)光機(jī)小型化、節(jié)能化的環(huán)保需求；開(kāi)展基于粒子的光散射、吸收和輻射模型研究，實(shí)現(xiàn)更優(yōu)異的光散射分布，達(dá)到超清與均勻畫(huà)質(zhì)的視覺(jué)效果。（2）考核指標(biāo)。突破關(guān)鍵技術(shù)3項(xiàng)，申請(qǐng)或授權(quán)發(fā)明專(zhuān)利3件以上，制定行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)1項(xiàng)，形成產(chǎn)品2~3個(gè)。大尺寸高分辨率激光投影顯示屏產(chǎn)品在家用環(huán)境、影院環(huán)境等場(chǎng)景取得良好應(yīng)用示范效果。（3）有關(guān)說(shuō)明。擬支持1項(xiàng)，支持專(zhuān)項(xiàng)資金不超過(guò)560萬(wàn)元；企業(yè)牽頭申報(bào)，鼓勵(lì)產(chǎn)學(xué)研聯(lián)合申報(bào)，自籌經(jīng)費(fèi)與申請(qǐng)專(zhuān)項(xiàng)資金比例不低于2：1。2.5高世代產(chǎn)線(xiàn)用高精度掩膜版技術(shù)研究。（1）研究?jī)?nèi)容。開(kāi)展掩膜版涂布技術(shù)研究，掌握G6及以上產(chǎn)線(xiàn)高精度光阻涂布技術(shù)，實(shí)現(xiàn)該尺寸領(lǐng)域光阻涂布技術(shù)自主化；開(kāi)展高精度激光直寫(xiě)技術(shù)研究，掌握高PPI圖形Mura控制技術(shù)、多圖形混版Mura控制技術(shù)；開(kāi)展圖形精度測(cè)量及校正技術(shù)研究，掌握高精度DCM補(bǔ)償技術(shù)；開(kāi)展高精度缺陷修復(fù)技術(shù)研究，掌握高PPI圖形、復(fù)雜圖形修復(fù)技術(shù)。（2）考核指標(biāo)。突破關(guān)鍵技術(shù)3項(xiàng)，申請(qǐng)或授權(quán)發(fā)明專(zhuān)利3件以上，形成產(chǎn)品2-3個(gè)，研究成果應(yīng)用于G6及以上高精度二元及半色調(diào)掩膜版的生產(chǎn)制造。（3）有關(guān)說(shuō)明。擬支持1項(xiàng)，支持專(zhuān)項(xiàng)資金不超過(guò)560萬(wàn)元；企業(yè)牽頭申報(bào)，鼓勵(lì)產(chǎn)學(xué)研聯(lián)合申報(bào)，自籌經(jīng)費(fèi)與申請(qǐng)專(zhuān)項(xiàng)資金比例不低于2：1。2.6AMOLED用磷光發(fā)光材料國(guó)產(chǎn)化關(guān)鍵技術(shù)研究。（1）研究?jī)?nèi)容。開(kāi)展OLED發(fā)光材料有機(jī)分子發(fā)光過(guò)程激發(fā)態(tài)調(diào)控、分子設(shè)計(jì)、發(fā)光器件優(yōu)化等方面研究，完成OLED有機(jī)發(fā)光材料紅、綠、藍(lán)發(fā)光和主體材料結(jié)構(gòu)研制并滿(mǎn)足工業(yè)應(yīng)用，形成具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的有機(jī)磷光發(fā)光材料的國(guó)產(chǎn)化供應(yīng)。（2）考核指標(biāo)。突破關(guān)鍵技術(shù)3項(xiàng)，申請(qǐng)或授權(quán)發(fā)明專(zhuān)利3件以上，形成產(chǎn)品2~3個(gè)，發(fā)光材料應(yīng)用于OLED生產(chǎn)廠家。（3）有關(guān)說(shuō)明。擬支持1項(xiàng)，支持專(zhuān)項(xiàng)資金不超過(guò)760萬(wàn)元；企業(yè)牽頭申報(bào)，鼓勵(lì)產(chǎn)學(xué)研聯(lián)合申報(bào)，自籌經(jīng)費(fèi)與申請(qǐng)專(zhuān)項(xiàng)資金比例不低于2：1。2.7大幅寬PMMA偏光片基膜關(guān)鍵技術(shù)研究。（1）研究?jī)?nèi)容。開(kāi)展大寬幅PMMA基膜制備關(guān)鍵技術(shù)研究，掌握光學(xué)樹(shù)脂