現(xiàn)代半導體器件及先進制造智慧樹知到課后章節(jié)答案2023年下浙江大學

現(xiàn)代半導體器件及先進制造智慧樹知到課后章節(jié)答案2023年下浙江大學浙江大學

第一章測試

本征硅的費米能級位于：（）

A:略偏向

B:略偏向

C:

D:

答案:略偏向

硼摻雜的硅中，下列說法正確的是：（）

A:電子濃度大于空穴濃度

B:與磷摻雜硅的導電類型一致

C:空穴濃度大于電子濃度

D:硅的晶體結構將發(fā)生改變

答案:空穴濃度大于電子濃度

抑制離子注入工藝中溝道效應的方法有（）。

A:降低離子注入能量

B:襯底表面沉積非晶薄膜

C:傾斜襯底

D:升高襯底溫度

答案:襯底表面沉積非晶薄膜

;傾斜襯底

;升高襯底溫度

制造單晶硅襯底的方法包括（）。

A:外延生長法

B:氧化還原法

C:直拉法

D:區(qū)域熔融法

答案:直拉法

;區(qū)域熔融法

當硅中摻雜濃度越小時，費米能級越靠近Ei。（）

A:錯B:對

答案:對

第二章測試

對于長溝道MOSFET器件，發(fā)生夾斷后，下面說法中正確的是（）。

A:

B:Vg≥Vd+Vth

C:溝道中漏極一側的電位為0

D:Vg繼續(xù)增加，Id不會繼續(xù)增大

答案:Vg≥Vd+Vth

;溝道中漏極一側的電位為0

;Vg繼續(xù)增加，Id不會繼續(xù)增大

溝道長度縮短有可能對MOSFET器件產(chǎn)生哪些影響（）。

A:器件的漏極電流增大

B:器件的集成度增加

C:閾值電壓增大

D:器件的可靠性劣化

答案:器件的漏極電流增大

;器件的集成度增加

;器件的可靠性劣化

有關MOSFET器件亞閾值擺幅（S）的說法錯誤的是（）

A:

B:亞閾值擺幅的單位是mV

C:溫度升高，亞閾值擺幅增大

D:

答案:亞閾值擺幅的單位是mV

有關MOSFET器件特征長度的說法正確的是（）

A:柵氧化層介電常數(shù)越厚，特征長度越小

B:溝道長度相等的器件，特征長度越小，DIBL越小

C:與器件的溝道長度呈正比

D:僅與器件的結構參數(shù)有關

答案:溝道長度相等的器件，特征長度越小，DIBL越小

MOSFET器件的閾值電壓實際上是柵極MOS電容強反型區(qū)的起點。（）

A:對B:錯

答案:對

第三章測試

下面有關浸沒式光刻技術的說法，正確的是（）

A:在目鏡和襯底間填充水

B:由臺積電的工程師林本堅發(fā)明

C:能夠增大物鏡的數(shù)值孔徑

D:能夠減小光的波長

答案:由臺積電的工程師林本堅發(fā)明

;能夠增大物鏡的數(shù)值孔徑

;能夠減小光的波長

相移光刻技術中，使光產(chǎn)生相位差的方法包括：（）

A:在掩膜板上的透光區(qū)域中添加移相器

B:利用整面透光的石英板，改變局部區(qū)域的厚度

C:改變石英掩膜板的傾斜角

D:減小未沉積鉻區(qū)域的石英板厚度

答案:在掩膜板上的透光區(qū)域中添加移相器

;利用整面透光的石英板，改變局部區(qū)域的厚度

;減小未沉積鉻區(qū)域的石英板厚度

根據(jù)瑞利判據(jù)得到的光刻分辨率極限，表達式為（）

A:

B:

C:

D:

答案:

正光刻膠和負光刻膠中，光敏劑的作用分別是（）

A:交聯(lián)催化劑，提供自由基

B:交聯(lián)催化劑，交聯(lián)催化劑

C:提供自由基，交聯(lián)催化劑

D:提供自由基，提供自由基

答案:提供自由基，交聯(lián)催化劑

光刻是集成電路制造過程中總成本最高的工藝。（）

A:錯B:對

答案:對

第四章測試

有關半導體中載流子有效質量的說法正確的是（）

A:受到半導體晶格周期性勢場的影響

B:與載流子的慣性質量在數(shù)值上相等

C:具有一定的概率分布

D:電子和空穴可能具有不同的有效質量

答案:受到半導體晶格周期性勢場的影響

;電子和空穴可能具有不同的有效質量

張應變和壓應變影響硅溝道中載流子遷移率的共同原因有（）

A:減小MOS界面粗糙度

B:抑制界面態(tài)的庫倫散射作用

C:減小載流子有效質量

D:增加能級分裂，抑制能谷散射

答案:減小載流子有效質量

;增加能級分裂，抑制能谷散射

在硅溝道場效應晶體管器件中，埋入式源漏技術能夠產(chǎn)生何種應變（）

A:僅能產(chǎn)生張應變

B:僅能產(chǎn)生壓應變

C:既有可能產(chǎn)生張應變，又有可能產(chǎn)生壓應變

D:其余選項說法都不對

答案:既有可能產(chǎn)生張應變，又有可能產(chǎn)生壓應變

對于高集成密度的n型溝道的SiFinFET器件，合適的產(chǎn)生應變的技術是（）

A:應力記憶技術

B:SiGe虛擬襯底技術

C:接觸式刻蝕中止層技術

D:SiGe埋入式源漏技術

答案:SiGe虛擬襯底技術

應變硅技術從90納米技術節(jié)點開始進入量產(chǎn)。（）

A:錯B:對

答案:對

第五章測試

有關High-k/metalgate技術的說法正確的是（）

A:柵氧化層k值越大越好

B:從45納米技術節(jié)點開始進入量產(chǎn)

C:能夠減小柵氧化層中的電場強度

D:能夠提升溝道中的載流子遷移率

答案:從45納米技術節(jié)點開始進入量產(chǎn)

;能夠減小柵氧化層中的電場強度

作為High-k柵氧化層的材料，需要具備下面哪些特點（）

A:需要具有較好的穩(wěn)定性

B:需要具有合適的能帶結構

C:需要具有較高的k值

D:需要是常見材料

答案:需要具有較好的穩(wěn)定性

;需要具有合適的能帶結構

;需要具有較高的k值

下面哪種方法能夠減小Si柵極堆垛的EOT（）

A:減薄柵絕緣層的厚度

B:利用金屬柵替代多晶硅柵

C:利用high-k材料替代二氧化硅柵絕緣層

D:應用Scavenging技術

答案:減薄柵絕緣層的厚度

;利用金屬柵替代多晶硅柵

;利用high-k材料替代二氧化硅柵絕緣層

;應用Scavenging技術

幾種薄膜沉積方法中，三維表面包覆能力由強到弱依次為：ALD、PECVD、電子束蒸鍍。（）

A:對B:錯

答案:對

Scavenging技術實質上是氧化還原反應。（）

A:對B:錯

答案:對

第六章測試

根據(jù)傳輸線模型，有關場效應晶體管器件源漏接觸電阻的說法正確的是（）

A:與金屬的功函數(shù)無關

B:源漏接觸電極越大，接觸電阻一定越小

C:分為長接觸極限和短接觸極限兩種特例

D:源漏接觸金屬下方的電流密度不均勻

答案:分為長接觸極限和短接觸極限兩種特例

;源漏接觸金屬下方的電流密度不均勻

當互聯(lián)的最小特征尺寸減小時，下面說法錯誤的是（）

A:互聯(lián)寄生電阻增大

B:互聯(lián)延時增大

C:互聯(lián)延時減小

D:互聯(lián)寄生電容不變

答案:互聯(lián)寄生電阻增大

;互聯(lián)延時增大

Al互聯(lián)中不包含下面那個結構（）

A:Al配線

B:Liner

C:Cu通孔

D:W通孔

答案:Cu通孔

下面哪種方法不能抑制場效應晶體管器件中的寄生電容（）

A:空氣側墻

B:后柵工藝

C:high-k柵絕緣層

D:引入溝道應變

答案:引入溝道應變

特征尺寸越小，柵極延遲和互聯(lián)延時都越小。（）

A:對B:錯

答案:錯現(xiàn)代半導體器件及先進制造智慧樹知到課后章節(jié)答案2023年下浙江大學浙江大學

第一章測試

本征硅的費米能級位于：（）

A:略偏向

B:略偏向

C:

D:

答案:略偏向

硼摻雜的硅中，下列說法正確的是：（）

A:電子濃度大于空穴濃度

B:與磷摻雜硅的導電類型一致

C:空穴濃度大于電子濃度

D:硅的晶體結構將發(fā)生改變

答案:空穴濃度大于電子濃度

抑制離子注入工藝中溝道效應的方法有（）。

A:降低離子注入能量

B:襯底表面沉積非晶薄膜

C:傾斜襯底

D:升高襯底溫度

答案:襯底表面沉積非晶薄膜

;傾斜襯底

;升高襯底溫度

制造單晶硅襯底的方法包括（）。

A:外延生長法

B:氧化還原法

C:直拉法

D:區(qū)域熔融法

答案:直拉法

;區(qū)域熔融法

當硅中摻雜濃度越小時，費米能級越靠近Ei。（）

A:錯B:對

答案:對

第二章測試

對于長溝道MOSFET器件，發(fā)生夾斷后，下面說法中正確的是（）。

A:

B:Vg≥Vd+Vth

C:溝道中漏極一側的電位為0

D:Vg繼續(xù)增加，Id不會繼續(xù)增大

答案:Vg≥Vd+Vth

;溝道中漏極一側的電位為0

;Vg繼續(xù)增加，Id不會繼續(xù)增大

溝道長度縮短有可能對MOSFET器件產(chǎn)生哪些影響（）。

A:器件的漏極電流增大

B:器件的集成度增加

C:閾值電壓增大

D:器件的可靠性劣化

答案:器件的漏極電流增大

;器件的集成度增加

;器件的可靠性劣化

有關MOSFET器件亞閾值擺幅（S）的說法錯誤的是（）

A:

B:亞閾值擺幅的單位是mV

C:溫度升高，亞閾值擺幅增大

D:

答案:亞閾值擺幅的單位是mV

有關MOSFET器件特征長度的說法正確的是（）

A:柵氧化層介電常數(shù)越厚，特征長度越小

B:溝道長度相等的器件，特征長度越小，DIBL越小

C:與器件的溝道長度呈正比

D:僅與器件的結構參數(shù)有關

答案:溝道長度相等的器件，特征長度越小，DIBL越小

MOSFET器件的閾值電壓實際上是柵極MOS電容強反型區(qū)的起點。（）

A:對B:錯

答案:對

第三章測試

下面有關浸沒式光刻技術的說法，正確的是（）

A:在目鏡和襯底間填充水

B:由臺積電的工程師林本堅發(fā)明

C:能夠增大物鏡的數(shù)值孔徑

D:能夠減小光的波長

答案:由臺積電的工程師林本堅發(fā)明

;能夠增大物鏡的數(shù)值孔徑

;能夠減小光的波長

相移光刻技術中，使光產(chǎn)生相位差的方法包括：（）

A:在掩膜板上的透光區(qū)域中添加移相器

B:利用整面透光的石英板，改變局部區(qū)域的厚度

C:改變石英掩膜板的傾斜角

D:減小未沉積鉻區(qū)域的石英板厚度

答案:在掩膜板上的透光區(qū)域中添加移相器

;利用整面透光的石英板，改變局部區(qū)域的厚度

;減小未沉積鉻區(qū)域的石英板厚度

根據(jù)瑞利判據(jù)得到的光刻分辨率極限，表達式為（）

A:

B:

C:

D:

答案:

正光刻膠和負光刻膠中，光敏劑的作用分別是（）

A:交聯(lián)催化劑，提供自由基

B:交聯(lián)催化劑，交聯(lián)催化劑

C:提供自由基，交聯(lián)催化劑

D:提供自由基，提供自由基

答案:提供自由基，交聯(lián)催化劑

光刻是集成電路制造過程中總成本最高的工藝。（）

A:錯B:對

答案:對

第四章測試

有關半導體中載流子有效質量的說法正確的是（）

A:受到半導體晶格周期性勢場的影響

B:與載流子的慣性質量在數(shù)值上相等

C:具有一定的概率分布

D:電子和空穴可能具有不同的有效質量

答案:受到半導體晶格周期性勢場的影響

;電子和空穴可能具有不同的有效質量

張應變和壓應變影響硅溝道中載流子遷移率的共同原因有（）

A:減小MOS界面粗糙度

B:抑制界面態(tài)的庫倫散射作用

C:減小載流子有效質量

D:增加能級分裂，抑制能谷散射

答案:減小載流子有效質量

;增加能級分裂，抑制能谷散射

在硅溝道場效應晶體管器件中，埋入式源漏技術能夠產(chǎn)生何種應變（）

A:僅能產(chǎn)生張應變

B:僅能產(chǎn)生壓應變

C:既有可能產(chǎn)生張應變，又有可能產(chǎn)生壓應變

D:其余選項說法都不對

答案:既有可能產(chǎn)生張應變，又有可能產(chǎn)生壓應變

對于高集成密度的n型溝道的SiFinFET器件，合適的產(chǎn)生應變的技術是（）

A:應力記憶技術

B:SiGe虛擬襯底技術

C:接觸式刻蝕中止層技術

D:SiGe埋入式源漏技術

答案:SiGe虛擬襯底技術

應變硅技術從90納米技術節(jié)點開始進入量產(chǎn)。（）

A:錯B:對

答案:對

第五章測試

有關High-k/metalgate技術的說法正確的是（）

A:柵氧化層k值越大越好

B:從45納米技術節(jié)點開始進入量產(chǎn)

C:能夠減小柵氧化層中的電場強度

D:能夠提升溝道中的載流子遷移率

答案:從45納米技術節(jié)點開始進入量產(chǎn)

;能夠減小柵氧化層中的電場強度

作為High-k柵氧化層的材料，需要具備下面哪些特點（）

A:需要具有較好的穩(wěn)定性

B:需要具有合適的能帶結構

C:需要具有較高的k值

D:需要是常見材料

答案:需要具有較好的穩(wěn)定性

;需要具有合適的能帶結構

;需要具有較高的k值

下面哪種方法能夠減小Si柵極堆垛的EOT（）

A:減薄柵絕緣層的厚度

B:利用金屬柵替代多晶硅柵

C:利用high-k材料替代二氧化硅柵絕緣層

D:應用Scavenging技術

答案:減薄柵絕緣層的厚度

;利用金屬柵替代多晶硅柵

;利用high-k材料替代二氧化硅柵絕緣層

;應用Scavenging技術

幾種薄膜沉積方法中，三維表面包覆能力由強到弱依次為：ALD、PECVD、電子束蒸鍍。（）

A:對B:錯

答案:對

Scavenging技術實質上是氧化還原反應。（）

A:對B:錯

答案:對

第六章測試

根據(jù)傳輸線模型，有關場效應晶體管器件源漏接觸電阻的說法正確的是（）

A:與金屬的功函數(shù)無關

B:源漏接觸電極越大，接觸電阻一定越小

C:分為長接觸極限和短接觸極限兩種特例

D:源漏接觸金屬下方的電流密度不均勻

答案:分為長接觸極限和短接觸極限兩種特例

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