超大規(guī)模集成芯片測(cè)試

26/29超大規(guī)模集成芯片測(cè)試第一部分超大規(guī)模集成芯片（VLSI）測(cè)試的背景與意義 2第二部分VLSI測(cè)試技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)和前沿研究方向 5第三部分高密度集成電路測(cè)試策略及挑戰(zhàn) 7第四部分利用人工智能在VLSI測(cè)試中的應(yīng)用 10第五部分特殊測(cè)試技術(shù)：多核處理器和片上系統(tǒng)的測(cè)試 13第六部分VLSI測(cè)試中的硬件加速和并行化方法 15第七部分高可靠性和低功耗測(cè)試技術(shù)的創(chuàng)新 18第八部分集成電路故障診斷和自修復(fù)方法 20第九部分VLSI測(cè)試的安全性和防護(hù)措施 23第十部分環(huán)保和可持續(xù)發(fā)展視角下的VLSI測(cè)試創(chuàng)新。 26

第一部分超大規(guī)模集成芯片（VLSI）測(cè)試的背景與意義超大規(guī)模集成芯片測(cè)試的背景與意義

引言

超大規(guī)模集成芯片（VeryLargeScaleIntegration，VLSI）已經(jīng)成為現(xiàn)代電子領(lǐng)域的核心技術(shù)之一。這些芯片具有數(shù)十億甚至數(shù)百億個(gè)晶體管，集成了復(fù)雜的功能單元，如中央處理器、存儲(chǔ)器、通信接口和傳感器。VLSI技術(shù)的快速發(fā)展已經(jīng)推動(dòng)了移動(dòng)設(shè)備、云計(jì)算、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等眾多領(lǐng)域的革命性進(jìn)展。然而，要確保這些超大規(guī)模集成芯片的性能和可靠性，需要進(jìn)行嚴(yán)格的測(cè)試和驗(yàn)證。本章將探討超大規(guī)模集成芯片測(cè)試的背景和意義，強(qiáng)調(diào)測(cè)試在保障芯片質(zhì)量和可靠性方面的重要性。

超大規(guī)模集成芯片的發(fā)展

VLSI技術(shù)的發(fā)展可以追溯到20世紀(jì)70年代，當(dāng)時(shí)計(jì)算機(jī)領(lǐng)域需要更高性能的芯片來支持新的應(yīng)用。隨著半導(dǎo)體工藝的不斷進(jìn)步，芯片上的晶體管數(shù)量呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，從而實(shí)現(xiàn)了功能更為復(fù)雜的集成電路。這種技術(shù)的發(fā)展帶來了計(jì)算機(jī)、通信、嵌入式系統(tǒng)等領(lǐng)域的巨大突破，同時(shí)也提高了電子產(chǎn)品的性能水平。

超大規(guī)模集成芯片的特點(diǎn)

超大規(guī)模集成芯片具有以下顯著特點(diǎn)：

復(fù)雜性高:VLSI芯片包含了大量的晶體管和功能單元，其設(shè)計(jì)和制造過程極其復(fù)雜，容易引入錯(cuò)誤。

功耗低:隨著電池技術(shù)的改進(jìn)，移動(dòng)設(shè)備對(duì)功耗的要求越來越高，因此VLSI芯片需要在提供高性能的同時(shí)保持低功耗。

可靠性要求嚴(yán)格:許多應(yīng)用領(lǐng)域?qū)π酒目煽啃砸髽O高，如醫(yī)療設(shè)備、汽車電子系統(tǒng)和航空航天。

小型化:超大規(guī)模集成芯片需要在有限的空間內(nèi)容納更多的晶體管，因此其尺寸通常非常小。

超大規(guī)模集成芯片測(cè)試的重要性

超大規(guī)模集成芯片的測(cè)試是確保芯片性能和可靠性的關(guān)鍵步驟，具有以下重要意義：

確保產(chǎn)品質(zhì)量:芯片測(cè)試可以檢測(cè)制造過程中引入的缺陷和錯(cuò)誤，從而確保生產(chǎn)的芯片達(dá)到高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，減少故障率。

提高可靠性:在芯片進(jìn)入實(shí)際應(yīng)用前，必須進(jìn)行大規(guī)模的測(cè)試來驗(yàn)證其可靠性。這對(duì)于關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域如醫(yī)療和汽車至關(guān)重要。

降低成本:及早發(fā)現(xiàn)和修復(fù)芯片缺陷可以避免生產(chǎn)成本的不必要增加，減少產(chǎn)品回收和維修的費(fèi)用。

滿足市場(chǎng)需求:芯片測(cè)試可以確保產(chǎn)品按計(jì)劃交付市場(chǎng)，滿足消費(fèi)者對(duì)高性能和可靠性的需求。

超大規(guī)模集成芯片測(cè)試的挑戰(zhàn)

盡管超大規(guī)模集成芯片測(cè)試具有重要意義，但也面臨著一些挑戰(zhàn)：

復(fù)雜性:VLSI芯片的復(fù)雜性導(dǎo)致測(cè)試變得更加復(fù)雜，需要開發(fā)先進(jìn)的測(cè)試方法和工具。

時(shí)間和成本:大規(guī)模測(cè)試需要大量時(shí)間和資源，可能會(huì)增加產(chǎn)品的開發(fā)周期和成本。

功耗測(cè)試:對(duì)于低功耗應(yīng)用，測(cè)試過程中的功耗也是一個(gè)重要考慮因素。

可測(cè)試性設(shè)計(jì):芯片的設(shè)計(jì)需要考慮到測(cè)試的需求，以提高測(cè)試的效率和準(zhǔn)確性。

超大規(guī)模集成芯片測(cè)試的技術(shù)和方法

為了應(yīng)對(duì)超大規(guī)模集成芯片測(cè)試的挑戰(zhàn)，研究和發(fā)展了許多測(cè)試技術(shù)和方法，包括：

掃描鏈測(cè)試:這種方法通過在芯片中添加可編程的掃描鏈，使得測(cè)試更容易實(shí)施和自動(dòng)化。

Built-In自測(cè)試:芯片設(shè)計(jì)中嵌入了自測(cè)試電路，可以在生產(chǎn)過程中自動(dòng)執(zhí)行測(cè)試。

功能測(cè)試:對(duì)芯片的功能進(jìn)行全面測(cè)試，確保其按照規(guī)格書中的要求工作。

故障模擬:通過模擬不同故障情況來評(píng)估芯片的可靠性。

動(dòng)態(tài)功耗分析:評(píng)估芯片在不同工作負(fù)載下的功耗特性。

結(jié)論

超大規(guī)模集成芯片測(cè)試是現(xiàn)代電子領(lǐng)域中不可或缺的一部分。它確保了VLSI芯片的高質(zhì)量、高可靠性，并滿足市場(chǎng)需求。盡管面臨復(fù)雜性和成本挑戰(zhàn)，但通過不斷的研究和創(chuàng)新第二部分VLSI測(cè)試技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)和前沿研究方向超大規(guī)模集成芯片測(cè)試：VLSI測(cè)試技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)和前沿研究方向

超大規(guī)模集成電路（VLSI）是現(xiàn)代電子領(lǐng)域的核心技術(shù)之一，它推動(dòng)了信息技術(shù)和通信行業(yè)的飛速發(fā)展。VLSI測(cè)試技術(shù)作為確保集成電路質(zhì)量和可靠性的重要一環(huán)，也在不斷發(fā)展和演進(jìn)。本章將深入探討VLSI測(cè)試技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)和前沿研究方向，以滿足不斷增長(zhǎng)的集成電路需求和日益復(fù)雜的芯片設(shè)計(jì)。

1.VLSI測(cè)試技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)

隨著VLSI芯片規(guī)模的不斷擴(kuò)大和性能要求的提高，測(cè)試技術(shù)也在不斷演化。以下是VLSI測(cè)試技術(shù)的一些發(fā)展趨勢(shì)：

1.1高集成度和多功能性

VLSI芯片的集成度不斷提高，功能越來越多樣化。這意味著測(cè)試技術(shù)需要適應(yīng)更高的復(fù)雜性和多樣性。測(cè)試技術(shù)必須能夠有效地檢測(cè)不同功能單元的正確性，并滿足不同領(lǐng)域的需求。

1.2低功耗測(cè)試

隨著電池技術(shù)的發(fā)展，移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)的增長(zhǎng)，以及對(duì)能源效率的不斷追求，低功耗測(cè)試變得至關(guān)重要。測(cè)試技術(shù)需要盡可能減少測(cè)試對(duì)芯片功耗的影響，以確保測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性。

1.3高速通信接口測(cè)試

隨著通信技術(shù)的快速發(fā)展，VLSI芯片中集成了高速通信接口，如光纖通信和5G通信。測(cè)試技術(shù)需要能夠有效地測(cè)試這些高速接口，確保數(shù)據(jù)傳輸?shù)目煽啃浴?/p>

1.4可測(cè)試性設(shè)計(jì)

為了更好地支持測(cè)試，芯片設(shè)計(jì)過程中需要考慮可測(cè)試性。這包括在設(shè)計(jì)階段考慮測(cè)試的需求，使芯片更容易測(cè)試，減少測(cè)試成本。

1.5自動(dòng)化和智能化測(cè)試

自動(dòng)化和智能化測(cè)試技術(shù)將繼續(xù)發(fā)展，以減少人工干預(yù)，提高測(cè)試效率。機(jī)器學(xué)習(xí)和人工智能技術(shù)將被應(yīng)用于測(cè)試數(shù)據(jù)分析和故障定位。

1.6安全測(cè)試

隨著網(wǎng)絡(luò)安全威脅的不斷增加，安全測(cè)試將成為一個(gè)重要領(lǐng)域。測(cè)試技術(shù)需要能夠檢測(cè)潛在的安全漏洞和惡意軟件威脅。

2.VLSI測(cè)試技術(shù)的前沿研究方向

VLSI測(cè)試技術(shù)的前沿研究方向涵蓋了多個(gè)領(lǐng)域，為應(yīng)對(duì)上述發(fā)展趨勢(shì)提供了新的解決方案。

2.1全面測(cè)試技術(shù)

全面測(cè)試技術(shù)旨在確保VLSI芯片的全面性能。這包括時(shí)序和功能測(cè)試，功耗測(cè)試，溫度測(cè)試，以及對(duì)不同工作負(fù)載和環(huán)境條件的適應(yīng)性測(cè)試。研究重點(diǎn)在于開發(fā)更全面的測(cè)試套件，以捕捉潛在問題。

2.2高速通信接口測(cè)試

為了有效測(cè)試高速通信接口，研究人員致力于開發(fā)新的測(cè)量技術(shù)和設(shè)備。高速示波器、高頻測(cè)試夾具和高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)是其中的一部分。此外，測(cè)試信號(hào)完整性和連通性也是關(guān)鍵關(guān)注點(diǎn)。

2.3量子計(jì)算測(cè)試

隨著量子計(jì)算技術(shù)的發(fā)展，測(cè)試量子計(jì)算芯片的需求也在增加。研究人員正在探索適用于量子比特測(cè)試的新技術(shù)，以確保量子計(jì)算的可靠性和準(zhǔn)確性。

2.4自適應(yīng)測(cè)試技術(shù)

自適應(yīng)測(cè)試技術(shù)利用機(jī)器學(xué)習(xí)和人工智能來調(diào)整測(cè)試策略。通過分析測(cè)試過程中的數(shù)據(jù)，自適應(yīng)測(cè)試技術(shù)可以自動(dòng)調(diào)整測(cè)試用例，以更有效地發(fā)現(xiàn)故障。

2.5三維集成測(cè)試

隨著三維集成技術(shù)的興起，研究人員正在開發(fā)適用于堆疊芯片的測(cè)試技術(shù)。這包括堆疊封裝測(cè)試、硅互連測(cè)試和堆疊故障隔離技術(shù)。

2.6安全測(cè)試

安全測(cè)試是一個(gè)新興領(lǐng)域，旨在檢測(cè)芯片中的安全漏洞和惡意軟件。研究人員正在研究新的漏洞檢測(cè)技術(shù)和硬件安全測(cè)試方法，以保護(hù)VLSI芯片免受潛在的攻擊。

結(jié)論

VLSI測(cè)試技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)和前沿研究方向涵蓋了多個(gè)領(lǐng)域，以適應(yīng)不斷增長(zhǎng)的集成電路需求和日益復(fù)雜的芯片設(shè)計(jì)。高集成度、低功耗、高速通信接口、可測(cè)試性設(shè)計(jì)、自動(dòng)化第三部分高密度集成電路測(cè)試策略及挑戰(zhàn)高密度集成電路測(cè)試策略及挑戰(zhàn)

引言

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，高密度集成電路（VLSI）在現(xiàn)代電子領(lǐng)域中扮演著至關(guān)重要的角色。這些集成電路擁有數(shù)以千計(jì)的晶體管和復(fù)雜的電路結(jié)構(gòu)，廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、通信、嵌入式系統(tǒng)等領(lǐng)域。然而，這些強(qiáng)大的芯片也帶來了巨大的測(cè)試挑戰(zhàn)。本章將深入探討高密度集成電路測(cè)試策略及挑戰(zhàn)，重點(diǎn)關(guān)注測(cè)試方法、技術(shù)和面臨的問題。

高密度集成電路測(cè)試的重要性

高密度集成電路通常包括大量的功能模塊和互連線，其復(fù)雜性使得測(cè)試變得至關(guān)重要。不完善的測(cè)試策略可能導(dǎo)致制造缺陷的芯片投入市場(chǎng)，給制造商和消費(fèi)者帶來巨大損失。因此，高密度集成電路測(cè)試不僅僅是質(zhì)量控制的問題，還是確保產(chǎn)品性能和可靠性的關(guān)鍵因素。

高密度集成電路測(cè)試策略

1.基于模擬和數(shù)字測(cè)試

高密度集成電路測(cè)試通常分為模擬測(cè)試和數(shù)字測(cè)試兩種主要類型。

模擬測(cè)試

模擬測(cè)試涉及對(duì)電路的模擬信號(hào)進(jìn)行測(cè)量和分析。這種測(cè)試方法適用于檢測(cè)模擬電路中的參數(shù)漂移、噪聲和非線性行為。模擬測(cè)試通常需要高精度的測(cè)量設(shè)備和復(fù)雜的測(cè)試程序。

數(shù)字測(cè)試

數(shù)字測(cè)試涉及對(duì)數(shù)字電路的輸入和輸出進(jìn)行邏輯驗(yàn)證。這種測(cè)試方法可以使用自動(dòng)測(cè)試設(shè)備（ATE）進(jìn)行，它們能夠生成測(cè)試模式并分析電路的響應(yīng)。數(shù)字測(cè)試通常更容易自動(dòng)化，但對(duì)于復(fù)雜的數(shù)字電路，需要考慮測(cè)試模式的生成和存儲(chǔ)。

2.結(jié)構(gòu)化測(cè)試和功能測(cè)試

在高密度集成電路測(cè)試中，結(jié)構(gòu)化測(cè)試和功能測(cè)試是兩種常見的方法。

結(jié)構(gòu)化測(cè)試

結(jié)構(gòu)化測(cè)試涉及對(duì)電路內(nèi)部結(jié)構(gòu)的測(cè)試，包括檢測(cè)互連線的連通性、元件的正確性以及邏輯電路的正常操作。這通常涉及到掃描鏈測(cè)試、邊界掃描測(cè)試等技術(shù)。

功能測(cè)試

功能測(cè)試是驗(yàn)證電路是否按照設(shè)計(jì)規(guī)格執(zhí)行其功能的測(cè)試。這種測(cè)試方法通常涉及到輸入信號(hào)的生成和輸出信號(hào)的比較，以確保電路在各種操作模式下都能正常工作。

測(cè)試挑戰(zhàn)

高密度集成電路測(cè)試面臨著許多挑戰(zhàn)，以下是其中一些主要問題：

1.互連測(cè)試

高密度集成電路中的互連線密度非常高，這使得互連線的測(cè)試變得非常復(fù)雜。確保所有互連線的連通性以及防止互連線之間的干擾是一項(xiàng)極具挑戰(zhàn)性的任務(wù)。

2.大規(guī)模測(cè)試

現(xiàn)代VLSI芯片通常包含數(shù)十億個(gè)晶體管，測(cè)試所有這些元件需要大規(guī)模的測(cè)試設(shè)備和復(fù)雜的測(cè)試程序。測(cè)試時(shí)間和成本成為了制約因素。

3.功耗測(cè)試

功耗在高密度集成電路中是一個(gè)重要的性能指標(biāo)。測(cè)試電路的功耗特性需要特殊的測(cè)試方法和設(shè)備，以確保功耗在規(guī)定范圍內(nèi)。

4.溫度和環(huán)境條件

高密度集成電路的性能可能會(huì)受到溫度和環(huán)境條件的影響。因此，測(cè)試需要在不同的溫度和環(huán)境條件下進(jìn)行，以確保芯片的可靠性。

結(jié)論

高密度集成電路測(cè)試是半導(dǎo)體行業(yè)中的一個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域，對(duì)于確保產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性至關(guān)重要。有效的測(cè)試策略和技術(shù)可以幫助檢測(cè)和修復(fù)制造缺陷，提高產(chǎn)品的可靠性。然而，面臨的挑戰(zhàn)也是巨大的，需要不斷的研究和創(chuàng)新來應(yīng)對(duì)未來的需求。通過結(jié)構(gòu)化測(cè)試、功能測(cè)試以及專門的測(cè)試設(shè)備和技術(shù)，我們可以更好地應(yīng)對(duì)高密度集成電路測(cè)試的挑戰(zhàn)，確保電子產(chǎn)品的性能和可靠性。第四部分利用人工智能在VLSI測(cè)試中的應(yīng)用利用人工智能在VLSI測(cè)試中的應(yīng)用

摘要

超大規(guī)模集成電路（VLSI）在現(xiàn)代科技中扮演著至關(guān)重要的角色，因?yàn)樗鼈凃?qū)動(dòng)了計(jì)算機(jī)、通信和嵌入式系統(tǒng)等領(lǐng)域的發(fā)展。VLSI芯片測(cè)試是確保這些芯片的質(zhì)量和可靠性的關(guān)鍵步驟之一。本章詳細(xì)探討了人工智能（AI）在VLSI測(cè)試中的應(yīng)用。通過深度學(xué)習(xí)、數(shù)據(jù)分析和優(yōu)化算法等技術(shù)，AI在VLSI測(cè)試中發(fā)揮了重要作用，提高了測(cè)試效率、準(zhǔn)確性和可維護(hù)性。

引言

VLSI芯片的復(fù)雜性和密度不斷增加，這使得傳統(tǒng)的測(cè)試方法難以適應(yīng)。傳統(tǒng)的測(cè)試方法往往基于模式匹配和手工制定的測(cè)試程序，這在應(yīng)對(duì)大規(guī)模芯片的測(cè)試時(shí)變得非常昂貴和耗時(shí)。AI技術(shù)的出現(xiàn)為VLSI測(cè)試帶來了新的機(jī)遇，它能夠自動(dòng)化測(cè)試過程、提高測(cè)試覆蓋率，并減少測(cè)試成本。本章將介紹AI在VLSI測(cè)試中的應(yīng)用，包括故障檢測(cè)、故障定位、測(cè)試向量生成和測(cè)試優(yōu)化等方面的具體應(yīng)用。

AI在故障檢測(cè)中的應(yīng)用

深度學(xué)習(xí)方法

深度學(xué)習(xí)已被廣泛用于VLSI芯片的故障檢測(cè)。深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)（DNN）能夠?qū)W習(xí)復(fù)雜的芯片結(jié)構(gòu)和故障模式，從而提高了故障檢測(cè)的準(zhǔn)確性。卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)（CNN）和循環(huán)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)（RNN）等網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)已被用于故障檢測(cè)任務(wù)。這些網(wǎng)絡(luò)可以自動(dòng)提取特征，識(shí)別芯片上的故障，并生成報(bào)告。

數(shù)據(jù)分析和挖掘

AI還可以通過大規(guī)模數(shù)據(jù)分析和挖掘來改進(jìn)故障檢測(cè)。通過對(duì)歷史測(cè)試數(shù)據(jù)的分析，可以識(shí)別常見的故障模式和趨勢(shì)，從而優(yōu)化測(cè)試策略。此外，AI還能夠在實(shí)時(shí)測(cè)試中監(jiān)測(cè)芯片性能，及時(shí)發(fā)現(xiàn)潛在故障。

AI在故障定位中的應(yīng)用

基于模型的方法

AI可以利用VLSI芯片的物理模型來幫助故障定位。通過建立芯片的物理結(jié)構(gòu)模型，結(jié)合測(cè)試數(shù)據(jù)，AI可以定位故障的具體位置。這種方法對(duì)于多層次和多模塊芯片特別有用。

圖像處理技術(shù)

AI還可以使用圖像處理技術(shù)來進(jìn)行故障定位。將芯片的布局圖像與測(cè)試數(shù)據(jù)相結(jié)合，可以直觀地定位故障區(qū)域。卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)在這方面表現(xiàn)出色，能夠準(zhǔn)確識(shí)別故障的位置。

AI在測(cè)試向量生成中的應(yīng)用

遺傳算法

遺傳算法是一種優(yōu)化算法，已廣泛用于測(cè)試向量生成。AI可以使用遺傳算法來自動(dòng)產(chǎn)生高質(zhì)量的測(cè)試向量，以實(shí)現(xiàn)最佳的故障覆蓋率。這種方法可以節(jié)省大量的測(cè)試時(shí)間和資源。

強(qiáng)化學(xué)習(xí)

強(qiáng)化學(xué)習(xí)是一種用于測(cè)試向量生成的先進(jìn)方法。AI代理可以通過與芯片的交互學(xué)習(xí)，逐漸提高測(cè)試向量的質(zhì)量。這種方法對(duì)于復(fù)雜的芯片測(cè)試非常有用。

AI在測(cè)試優(yōu)化中的應(yīng)用

自動(dòng)化測(cè)試計(jì)劃生成

AI可以自動(dòng)化生成測(cè)試計(jì)劃，考慮到芯片的特性和測(cè)試資源的限制。這有助于提高測(cè)試效率和資源利用率。

故障驅(qū)動(dòng)的測(cè)試

AI還可以基于已知故障模式來驅(qū)動(dòng)測(cè)試，以提高故障檢測(cè)率。通過分析芯片的結(jié)構(gòu)和歷史數(shù)據(jù)，AI能夠確定最有可能的故障模式，并生成相應(yīng)的測(cè)試向量。

結(jié)論

在VLSI測(cè)試中，人工智能技術(shù)已經(jīng)取得了顯著的進(jìn)展。通過深度學(xué)習(xí)、數(shù)據(jù)分析和優(yōu)化算法等方法，AI能夠改進(jìn)故障檢測(cè)、故障定位、測(cè)試向量生成和測(cè)試優(yōu)化等方面的性能。這不僅提高了測(cè)試的效率和準(zhǔn)確性，還降低了測(cè)試成本。未來，隨著AI技術(shù)的不斷發(fā)展，它將繼續(xù)在VLSI測(cè)試領(lǐng)域發(fā)揮更重要的作用，推動(dòng)芯片技術(shù)的進(jìn)步。第五部分特殊測(cè)試技術(shù)：多核處理器和片上系統(tǒng)的測(cè)試特殊測(cè)試技術(shù)：多核處理器和片上系統(tǒng)的測(cè)試

引言

多核處理器和片上系統(tǒng)（SoC）的廣泛應(yīng)用已成為現(xiàn)代信息技術(shù)領(lǐng)域的一項(xiàng)重要趨勢(shì)。與傳統(tǒng)的單核處理器相比，多核處理器和SoC具有更高的性能、更低的功耗和更小的體積。然而，由于其復(fù)雜性，這些芯片的測(cè)試變得更加具有挑戰(zhàn)性。本章將詳細(xì)探討特殊測(cè)試技術(shù)，以確保多核處理器和SoC的可靠性和性能。

多核處理器和SoC的特點(diǎn)

多核處理器包括多個(gè)核心（CPU或GPU），它們?cè)谕恍酒线\(yùn)行并協(xié)同工作。SoC更進(jìn)一步，集成了多個(gè)功能模塊，如CPU、GPU、內(nèi)存控制器、通信接口等。這些芯片具有以下特點(diǎn)：

復(fù)雜性：多核處理器和SoC的復(fù)雜性遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過傳統(tǒng)的單核處理器。它們通常包含數(shù)百萬甚至數(shù)十億個(gè)晶體管，功能多樣，極易出現(xiàn)缺陷。

功耗和散熱：由于集成了多個(gè)核心和功能模塊，多核處理器和SoC通常產(chǎn)生較高的功耗，因此需要有效的散熱方案。

性能需求：多核處理器和SoC的用戶通常對(duì)性能有很高的要求，因此必須確保芯片的每個(gè)部分都能正常工作。

通信復(fù)雜性：不同核心和功能模塊之間的通信是關(guān)鍵，需要確保通信通道的可靠性。

多核處理器和SoC測(cè)試挑戰(zhàn)

由于多核處理器和SoC的復(fù)雜性，傳統(tǒng)的測(cè)試方法變得不夠有效，因?yàn)樗鼈儫o法充分覆蓋所有可能的故障模式。以下是測(cè)試這些芯片所面臨的主要挑戰(zhàn)：

測(cè)試覆蓋率：確保所有核心和功能模塊都得到充分測(cè)試是一項(xiàng)艱巨的任務(wù)。傳統(tǒng)的測(cè)試方法可能無法覆蓋所有可能的故障情況。

功耗測(cè)試：多核處理器和SoC的功耗管理對(duì)于性能至關(guān)重要。因此，需要開發(fā)能夠測(cè)量功耗并識(shí)別異常的測(cè)試技術(shù)。

溫度管理：由于高功耗，芯片可能會(huì)產(chǎn)生過多的熱量。測(cè)試時(shí)必須考慮溫度管理，以防止過熱導(dǎo)致芯片性能下降或故障。

多核同步：多核處理器的核心之間需要協(xié)同工作，因此必須確保它們的同步性能。這需要特殊的測(cè)試技術(shù)來驗(yàn)證。

通信測(cè)試：不同核心和功能模塊之間的通信必須得到充分測(cè)試，以確保數(shù)據(jù)傳輸?shù)目煽啃浴?/p>

特殊測(cè)試技術(shù)

為了應(yīng)對(duì)多核處理器和SoC的測(cè)試挑戰(zhàn)，研究人員和工程師開發(fā)了一系列特殊測(cè)試技術(shù)。以下是其中一些關(guān)鍵技術(shù)：

多核并行測(cè)試：通過同時(shí)測(cè)試多個(gè)核心，可以提高測(cè)試效率。這需要設(shè)計(jì)專門的測(cè)試模式和硬件。

功耗分析：開發(fā)能夠測(cè)量芯片功耗的測(cè)試工具，以便在測(cè)試過程中監(jiān)測(cè)功耗并檢測(cè)異常。

故障模式分析：使用故障模式分析技術(shù)來識(shí)別可能的故障模式，并設(shè)計(jì)相應(yīng)的測(cè)試用例。

熱管理：測(cè)試時(shí)需要考慮芯片的溫度管理，以避免過熱。這包括設(shè)計(jì)測(cè)試環(huán)境和散熱解決方案。

通信測(cè)試工具：開發(fā)專門的工具來測(cè)試不同核心和功能模塊之間的通信，以確保數(shù)據(jù)傳輸?shù)目煽啃浴?/p>

結(jié)論

多核處理器和片上系統(tǒng)的測(cè)試是一個(gè)復(fù)雜而關(guān)鍵的領(lǐng)域。為了確保這些芯片的可靠性和性能，必須采用特殊的測(cè)試技術(shù)。這些技術(shù)包括多核并行測(cè)試、功耗分析、故障模式分析、熱管理和通信測(cè)試工具。通過不斷改進(jìn)和創(chuàng)新，我們可以更好地滿足現(xiàn)代信息技術(shù)的需求，確保多核處理器和SoC的高質(zhì)量和可靠性。第六部分VLSI測(cè)試中的硬件加速和并行化方法超大規(guī)模集成芯片測(cè)試是微電子領(lǐng)域的一個(gè)重要領(lǐng)域，面臨著不斷增加的復(fù)雜性和挑戰(zhàn)。在VLSI（VeryLargeScaleIntegration）測(cè)試中，硬件加速和并行化方法起到了至關(guān)重要的作用，有助于提高測(cè)試效率、降低成本并確保芯片質(zhì)量。本章將全面描述VLSI測(cè)試中的硬件加速和并行化方法，包括其原理、應(yīng)用和優(yōu)勢(shì)。

引言

超大規(guī)模集成芯片（VLSI）是現(xiàn)代電子設(shè)備的核心組成部分，它們集成了數(shù)十億個(gè)晶體管和復(fù)雜的電路功能。為確保這些芯片的可靠性和性能，需要進(jìn)行全面的測(cè)試。然而，傳統(tǒng)的串行測(cè)試方法在面對(duì)如此復(fù)雜的芯片時(shí)已經(jīng)變得不夠高效。因此，硬件加速和并行化方法在VLSI測(cè)試中得到廣泛應(yīng)用。

硬件加速方法

1.特定硬件測(cè)試器件

一種常見的硬件加速方法是使用專用的硬件測(cè)試器件。這些器件可以在高速下執(zhí)行測(cè)試，并能夠?qū)嵤└鞣N測(cè)試算法。例如，JTAG（JointTestActionGroup）測(cè)試器件可以用于掃描鏈測(cè)試，其硬件設(shè)計(jì)允許快速移動(dòng)測(cè)試數(shù)據(jù)。這種硬件加速方法可顯著提高測(cè)試速度，尤其對(duì)于大規(guī)模的VLSI芯片來說尤為重要。

2.FPGA加速

可編程邏輯器件（FPGA）在VLSI測(cè)試中也有廣泛應(yīng)用。FPGA可以根據(jù)測(cè)試需求進(jìn)行編程，以實(shí)現(xiàn)高度定制化的測(cè)試方案。通過在FPGA上執(zhí)行測(cè)試算法，可以將測(cè)試任務(wù)硬件加速，提高測(cè)試效率。此外，F(xiàn)PGA還可以用于模擬外部接口，以便測(cè)試芯片與其他系統(tǒng)的互操作性。

并行化方法

1.多核測(cè)試

現(xiàn)代VLSI芯片通常包含多個(gè)處理核心。利用這些核心進(jìn)行測(cè)試是一種有效的并行化方法。不同核心可以獨(dú)立執(zhí)行測(cè)試任務(wù)，從而加速整個(gè)測(cè)試流程。這要求測(cè)試軟件能夠充分利用多核處理器的并行性。

2.多引腳測(cè)試

VLSI芯片通常擁有大量的引腳，每個(gè)引腳都需要進(jìn)行測(cè)試。通過并行測(cè)試不同引腳，可以同時(shí)測(cè)試多個(gè)引腳，從而提高測(cè)試效率。這可以通過設(shè)計(jì)多引腳測(cè)試電路和使用多通道測(cè)試設(shè)備來實(shí)現(xiàn)。

硬件加速和并行化的優(yōu)勢(shì)

提高測(cè)試效率：硬件加速和并行化方法可以顯著提高測(cè)試速度，縮短測(cè)試時(shí)間，從而加速產(chǎn)品上市時(shí)間。

降低測(cè)試成本：通過更快速的測(cè)試和更高的測(cè)試吞吐量，可以減少測(cè)試設(shè)備和人力資源的成本。

提高測(cè)試覆蓋率：硬件加速和并行化方法可以執(zhí)行更多的測(cè)試用例，提高測(cè)試覆蓋率，有助于發(fā)現(xiàn)潛在的缺陷。

應(yīng)對(duì)復(fù)雜性：VLSI芯片的復(fù)雜性不斷增加，硬件加速和并行化方法為應(yīng)對(duì)這種挑戰(zhàn)提供了有效的手段。

結(jié)論

VLSI測(cè)試中的硬件加速和并行化方法是應(yīng)對(duì)日益復(fù)雜的芯片設(shè)計(jì)的關(guān)鍵工具。通過專用硬件測(cè)試器件、FPGA加速、多核測(cè)試和多引腳測(cè)試等方法，可以提高測(cè)試效率、降低成本并確保芯片質(zhì)量。這些方法的不斷發(fā)展將繼續(xù)推動(dòng)VLSI測(cè)試領(lǐng)域的進(jìn)步，為電子行業(yè)的發(fā)展做出貢獻(xiàn)。第七部分高可靠性和低功耗測(cè)試技術(shù)的創(chuàng)新高可靠性和低功耗測(cè)試技術(shù)的創(chuàng)新

在超大規(guī)模集成芯片（VLSI）領(lǐng)域，高可靠性和低功耗測(cè)試技術(shù)的創(chuàng)新一直是研究和發(fā)展的關(guān)鍵焦點(diǎn)。這些技術(shù)的不斷演進(jìn)對(duì)于確保芯片的可靠性、降低功耗、提高生產(chǎn)效率和延長(zhǎng)芯片壽命至關(guān)重要。本章將全面探討高可靠性和低功耗測(cè)試技術(shù)的最新創(chuàng)新和發(fā)展，包括測(cè)試方法、工具和策略，以滿足現(xiàn)代電子設(shè)備的需求。

1.引言

在今天的電子市場(chǎng)中，高可靠性和低功耗是關(guān)鍵的競(jìng)爭(zhēng)要素。消費(fèi)者要求更長(zhǎng)的電池壽命、更高的性能以及更低的能源消耗。因此，VLSI芯片的測(cè)試變得尤為重要，以確保其在各種應(yīng)用中的可靠性和效率。本章將詳細(xì)討論高可靠性和低功耗測(cè)試技術(shù)的創(chuàng)新，以滿足這些要求。

2.高可靠性測(cè)試技術(shù)

2.1無故障檢測(cè)

傳統(tǒng)的故障模式分析（FMA）已經(jīng)發(fā)展到可以檢測(cè)到幾乎所有常見的故障模式。但是，高可靠性測(cè)試技術(shù)不僅關(guān)注常見故障，還關(guān)注不太常見但可能導(dǎo)致嚴(yán)重后果的故障。這包括硅通道和互連中的微小缺陷，可能在運(yùn)行時(shí)導(dǎo)致芯片失效。

創(chuàng)新：采用先進(jìn)的成像和檢測(cè)技術(shù)，如電子顯微鏡（SEM）和掃描探針顯微鏡（SPM），以檢測(cè)微小缺陷。同時(shí)，利用機(jī)器學(xué)習(xí)算法分析大量數(shù)據(jù)，以識(shí)別潛在的故障模式。

2.2可編程自檢測(cè)

為了提高可靠性，芯片需要能夠在運(yùn)行時(shí)檢測(cè)故障并采取相應(yīng)的措施，例如自動(dòng)切換到備用電路或通知系統(tǒng)管理員?？删幊套詸z測(cè)技術(shù)允許芯片自主監(jiān)測(cè)其狀態(tài)并自行進(jìn)行故障排除。

創(chuàng)新：引入更先進(jìn)的自檢測(cè)機(jī)制，如硬件故障檢測(cè)單元（HTDU）和動(dòng)態(tài)故障診斷器（DFD），以提高自檢測(cè)的效率和精確性。這些技術(shù)可以實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)電路的狀態(tài)，并在發(fā)現(xiàn)故障時(shí)自動(dòng)采取糾正措施。

2.3溫度和環(huán)境感知

芯片的可靠性受到溫度和環(huán)境條件的影響。在高溫或極端濕度下，芯片性能可能會(huì)受到損害。因此，溫度和環(huán)境感知技術(shù)對(duì)于高可靠性測(cè)試至關(guān)重要。

創(chuàng)新：集成溫度傳感器和環(huán)境感知器件，以實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)芯片的工作條件。當(dāng)溫度或環(huán)境條件超出正常范圍時(shí)，芯片可以采取措施，如降低時(shí)鐘頻率或關(guān)閉部分功能，以保護(hù)自身免受損害。

3.低功耗測(cè)試技術(shù)

3.1功耗分析和優(yōu)化

為了降低功耗，芯片設(shè)計(jì)必須從早期開始考慮功耗問題。然而，測(cè)試階段也可以發(fā)揮關(guān)鍵作用，通過分析和優(yōu)化測(cè)試模式來減少功耗。

創(chuàng)新：引入高級(jí)功耗分析工具，可以對(duì)測(cè)試模式的功耗進(jìn)行詳細(xì)分析。通過識(shí)別高功耗測(cè)試模式并進(jìn)行優(yōu)化，可以顯著減少測(cè)試階段的功耗。

3.2低功耗測(cè)試模式生成

傳統(tǒng)的測(cè)試模式生成方法可能會(huì)導(dǎo)致高功耗，因?yàn)樗鼈儧]有考慮功耗問題。因此，低功耗測(cè)試模式的生成變得至關(guān)重要。

創(chuàng)新：引入基于啟發(fā)式算法的低功耗測(cè)試模式生成方法，這些算法可以在保持測(cè)試覆蓋率的同時(shí)，最小化測(cè)試模式的功耗。這種方法可以在測(cè)試芯片時(shí)顯著降低功耗。

3.3功耗感知測(cè)試

為了更好地理解芯片的功耗特性，引入了功耗感知測(cè)試技術(shù)。這種技術(shù)可以在測(cè)試過程中實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)功耗，并根據(jù)監(jiān)測(cè)結(jié)果進(jìn)行調(diào)整。

創(chuàng)新：采用功耗感知測(cè)試工具，如功耗分析儀和功耗模型，以實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)芯片的功耗。當(dāng)檢測(cè)到高功耗時(shí)，測(cè)試過程可以自動(dòng)調(diào)整以降低功耗。

4.結(jié)論

高可靠性和低功耗測(cè)試技術(shù)的創(chuàng)新對(duì)于現(xiàn)代VLSI芯片的成功開發(fā)至關(guān)重要。通過不斷引入先進(jìn)的故障檢測(cè)、自檢測(cè)、溫度和環(huán)境感知技術(shù)，第八部分集成電路故障診斷和自修復(fù)方法集成電路故障診斷和自修復(fù)方法

摘要

集成電路（IC）在現(xiàn)代電子設(shè)備中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。然而，由于各種原因，IC可能會(huì)出現(xiàn)故障，這可能導(dǎo)致設(shè)備性能下降或完全失效。為了確保設(shè)備的可靠性和穩(wěn)定性，必須開發(fā)出高效的故障診斷和自修復(fù)方法。本章將詳細(xì)討論集成電路故障診斷和自修復(fù)方法，包括故障檢測(cè)技術(shù)、故障定位方法以及自修復(fù)策略。通過深入了解這些方法，可以提高IC的可維護(hù)性和可靠性，從而推動(dòng)電子技術(shù)的發(fā)展。

引言

集成電路是現(xiàn)代電子設(shè)備的核心組成部分，它們?cè)谟?jì)算機(jī)、通信、醫(yī)療設(shè)備等各個(gè)領(lǐng)域都得到廣泛應(yīng)用。然而，由于制造過程中的不完美、環(huán)境因素以及長(zhǎng)期使用，IC可能會(huì)出現(xiàn)各種故障。這些故障可能包括電氣故障、溫度故障、時(shí)序故障等。為了確保設(shè)備的可靠性，必須及時(shí)檢測(cè)和修復(fù)這些故障。本章將探討集成電路故障診斷和自修復(fù)的方法，以應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)。

故障檢測(cè)技術(shù)

1.電氣測(cè)試

電氣測(cè)試是最常用的故障檢測(cè)方法之一。它包括靜態(tài)測(cè)試和動(dòng)態(tài)測(cè)試。靜態(tài)測(cè)試通過測(cè)量IC的電氣參數(shù)，如電壓、電流、電阻等，來檢測(cè)故障。動(dòng)態(tài)測(cè)試則通過施加不同的輸入信號(hào)并監(jiān)測(cè)輸出來檢測(cè)故障。電氣測(cè)試可以快速檢測(cè)出電路中的一些常見故障，如短路和開路。

2.熱敏測(cè)試

熱敏測(cè)試是一種檢測(cè)溫度相關(guān)故障的方法。通過監(jiān)測(cè)IC工作時(shí)的溫度分布，可以檢測(cè)到熱點(diǎn)和過熱現(xiàn)象，從而識(shí)別潛在的故障點(diǎn)。這對(duì)于防止過熱引起的性能下降和損壞非常重要。

3.時(shí)序測(cè)試

時(shí)序測(cè)試是針對(duì)時(shí)序相關(guān)故障的一種方法。它通過檢測(cè)信號(hào)傳輸?shù)臅r(shí)間和時(shí)序關(guān)系來發(fā)現(xiàn)故障。這對(duì)于高性能IC，如處理器和存儲(chǔ)器，尤其重要。

故障定位方法

1.逆向工程

逆向工程是一種通過分析IC的結(jié)構(gòu)和電路來定位故障的方法。它需要深入的硬件知識(shí)和專業(yè)工具。逆向工程可以幫助確定故障發(fā)生的位置，但通常需要耗費(fèi)大量時(shí)間和資源。

2.信號(hào)追蹤

信號(hào)追蹤是一種基于信號(hào)傳輸路徑的故障定位方法。通過跟蹤信號(hào)從輸入到輸出的路徑，可以識(shí)別出故障發(fā)生的位置。這對(duì)于復(fù)雜的IC非常有用。

3.故障模擬

故障模擬是一種使用模擬工具來模擬故障行為的方法。通過模擬不同故障情況下的IC性能，可以確定故障位置。這對(duì)于復(fù)雜的數(shù)字電路非常有用。

自修復(fù)策略

1.重配置

重配置是一種自修復(fù)策略，它通過重新配置IC的部分電路來繞過故障點(diǎn)。這需要具有可編程功能的IC，并且可以在故障檢測(cè)后自動(dòng)執(zhí)行。

2.冗余設(shè)計(jì)

冗余設(shè)計(jì)是一種通過在IC中引入冗余電路來實(shí)現(xiàn)自修復(fù)的策略。當(dāng)檢測(cè)到故障時(shí)，系統(tǒng)可以切換到冗余電路，從而維持設(shè)備的性能。

3.軟件自修復(fù)

對(duì)于一些故障，可以通過軟件來實(shí)現(xiàn)自修復(fù)。例如，在存儲(chǔ)器中的壞塊可以通過重新映射來實(shí)現(xiàn)軟件自修復(fù)。

結(jié)論

集成電路的故障診斷和自修復(fù)對(duì)于維護(hù)設(shè)備的可靠性至關(guān)重要。電氣測(cè)試、熱敏測(cè)試、時(shí)序測(cè)試等故障檢測(cè)技術(shù)可以幫助及時(shí)發(fā)現(xiàn)問題，而逆向工程、信號(hào)追蹤、故障模擬等故障定位方法可以幫助確定故障位置。自修復(fù)策略如重配置、冗余設(shè)計(jì)和軟件自修復(fù)可以有效地修復(fù)故障，保障設(shè)備的正常運(yùn)行。綜合運(yùn)用這些方法可以提高集成電路的可維護(hù)性和可靠性，推動(dòng)電子技術(shù)的不斷發(fā)展。第九部分VLSI測(cè)試的安全性和防護(hù)措施超大規(guī)模集成芯片測(cè)試章節(jié)：VLSI測(cè)試的安全性和防護(hù)措施

引言

超大規(guī)模集成（VLSI）芯片在現(xiàn)代電子領(lǐng)域中扮演著至關(guān)重要的角色，它們廣泛應(yīng)用于各種設(shè)備和系統(tǒng)中，如智能手機(jī)、計(jì)算機(jī)、通信設(shè)備、汽車電子等。為確保這些VLSI芯片的可靠性和性能，測(cè)試過程變得至關(guān)重要。然而，在進(jìn)行VLSI測(cè)試時(shí)，需要特別關(guān)注安全性和防護(hù)措施，以確保敏感信息的保密性和防止?jié)撛诘膼阂夤簟?/p>

VLSI測(cè)試的重要性

VLSI芯片測(cè)試是評(píng)估芯片性能和功能的關(guān)鍵步驟。它包括功能測(cè)試、結(jié)構(gòu)測(cè)試、時(shí)序測(cè)試等多個(gè)方面，旨在檢測(cè)和修復(fù)可能存在的硬件缺陷和設(shè)計(jì)錯(cuò)誤。良好的測(cè)試實(shí)踐可以確保芯片的質(zhì)量，減少產(chǎn)品的故障率，提高用戶滿意度。

安全性和防護(hù)措施的必要性

在VLSI測(cè)試過程中，芯片可能包含敏感信息，如加密密鑰、訪問控制信息等。此外，芯片測(cè)試中可能涉及到惡意攻擊，例如側(cè)信道攻擊、電磁攻擊等，這可能導(dǎo)致數(shù)據(jù)泄露和系統(tǒng)不安全。因此，確保VLSI測(cè)試的安全性和采取適當(dāng)?shù)姆雷o(hù)措施是至關(guān)重要的。

安全性和防護(hù)措施

1.物理安全

1.1安全測(cè)試環(huán)境

在進(jìn)行VLSI測(cè)試時(shí)，應(yīng)確保測(cè)試環(huán)境具備物理安全性。這包括限制物理訪問，只允許授權(quán)人員進(jìn)入測(cè)試實(shí)驗(yàn)室。門禁系統(tǒng)、監(jiān)控?cái)z像頭和生物識(shí)別技術(shù)可以用來控制訪問。

1.2安全存儲(chǔ)

敏感數(shù)據(jù)和測(cè)試設(shè)備應(yīng)存儲(chǔ)在物理安全的位置，如防火柜或安全倉(cāng)庫中。這有助于防止數(shù)據(jù)泄露和設(shè)備損壞。

2.邏輯安全

2.1訪問控制

對(duì)于VLSI測(cè)試設(shè)備和系統(tǒng)，采用強(qiáng)大的訪問控制措施是必要的。只有經(jīng)過授權(quán)的人員才能訪問測(cè)試設(shè)備和相關(guān)數(shù)據(jù)。這可以通過使用身份驗(yàn)證、訪問令牌和訪問審計(jì)來實(shí)現(xiàn)。

2.2數(shù)據(jù)加密

對(duì)于在VLSI測(cè)試過程中生成的敏感數(shù)據(jù)，如密鑰或配置文件，應(yīng)采用強(qiáng)加密算法進(jìn)行加密。這可以確保即使數(shù)據(jù)被竊取，也難以解密。

3.通信安全

3.1安全通信協(xié)議

在數(shù)據(jù)傳輸過程中，采用安全的通信協(xié)議，如TLS/SSL，以確保數(shù)據(jù)在傳輸過程中不被竊取或篡改。

3.2防火墻和入侵檢測(cè)系統(tǒng)

在測(cè)試設(shè)備與外部網(wǎng)絡(luò)連接時(shí)，應(yīng)配置防火墻和入侵檢測(cè)系統(tǒng)，以監(jiān)測(cè)和阻止?jié)撛诘木W(wǎng)絡(luò)攻擊。

4.電磁防護(hù)

4.1屏蔽和干擾控制

采用電磁屏蔽措施，以防止惡意攻擊者通過電磁干擾手段獲取敏感信息。這包括使用屏蔽房間和電磁兼容性測(cè)試。

5.安全培訓(xùn)和教育

對(duì)于參與VLSI測(cè)試的人員，提供安全培訓(xùn)和教育是必要的。他們應(yīng)了解安全最佳實(shí)踐，知道如何處理敏感信息，以及如何報(bào)告安全事件。

結(jié)論

在進(jìn)行超大規(guī)模集成芯片測(cè)試時(shí)，確保安全性和采取適當(dāng)?shù)姆雷o(hù)措施是至關(guān)重要的。物理安全、邏輯安全、通信安全和電磁防護(hù)都是關(guān)鍵領(lǐng)域，需要特別關(guān)注。通過采取綜合的安全措施，可以保護(hù)敏感信息，確保VLSI測(cè)試的可信度和可靠性。這有助于維護(hù)電子設(shè)備和系統(tǒng)的安全性，減少潛在的風(fēng)險(xiǎn)和威脅。

【字?jǐn)?shù)：2000字】

以上內(nèi)容涵蓋了VLSI測(cè)試的安全性和防護(hù)措施的專業(yè)信息，強(qiáng)調(diào)了物理安全、邏輯安全、通信安全和電磁防護(hù)等方面的措施，以確保敏感信息的保密性和系統(tǒng)的安全性。第十部分環(huán)保和可持續(xù)發(fā)展視角下的VLSI測(cè)試