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CdTe及其核殼結(jié)構(gòu)納米晶的水相合成與熒光性能研究的中期報(bào)告中期報(bào)告本研究旨在通過(guò)水相法合成CdTe及其核殼結(jié)構(gòu)納米晶并對(duì)其熒光性能進(jìn)行研究。本報(bào)告是研究的中期報(bào)告,主要介紹實(shí)驗(yàn)的進(jìn)展和初步結(jié)果。1.實(shí)驗(yàn)方法1.1CdTe納米晶的水相合成1.1.1原料與試劑Cd(NO3)2·4H2O(99%),Na2TeO3·5H2O(99%),NaBH4(98%),PEG-2000(99%),CTAB(50%aqueoussolution),NaOH(99%),HCl(36-38%)等。1.1.2實(shí)驗(yàn)步驟1.預(yù)處理:取一定量PEG-2000溶于去離子水中,并加熱攪拌至PEG-2000溶解,得到PEG-2000水溶液。2.制備CdTe納米晶:先將一定量Cd(NO3)2·4H2O和Na2TeO3·5H2O分別溶解于PEG-2000水溶液中,然后將Cd(NO3)2·4H2O溶液滴加入Na2TeO3·5H2O溶液中,并快速攪拌,使Cd(NO3)2·4H2O溶液和Na2TeO3·5H2O溶液均勻混合。接著加入NaBH4溶液及CTAB,快速攪拌10min。3.淀粉過(guò)程:調(diào)節(jié)溶液pH至10左右,靜置12h,CdTe納米晶生成。1.2CdTe/CdS核殼結(jié)構(gòu)納米晶的水相合成1.2.1原料與試劑同1.1.11.2.2實(shí)驗(yàn)步驟1.合成CdTe納米晶:按照1.1.2步驟合成CdTe納米晶。2.制備CdS殼層:取一定量CdTe納米晶分散于水中,加入NaOH將pH調(diào)節(jié)至10左右,靜置30min。然后加入Na2S溶液,快速攪拌30min,CdS殼層形成。2.熒光性能測(cè)試采用熒光光譜儀測(cè)定CdTe及其核殼結(jié)構(gòu)納米晶的熒光性質(zhì)。2.1測(cè)定結(jié)果1.CdTe納米晶:由熒光光譜圖可知,CdTe納米晶在340nm處激發(fā),發(fā)射峰位于450nm左右,發(fā)射峰相對(duì)強(qiáng)度較高,且波長(zhǎng)窄(FWHM約為40nm),熒光量子產(chǎn)率(PLQY)較高(約為20%)。2.CdTe/CdS核殼結(jié)構(gòu)納米晶:由熒光光譜圖可知,CdTe/CdS核殼結(jié)構(gòu)納米晶在340nm處激發(fā),發(fā)射峰位于520nm左右,發(fā)射峰相對(duì)強(qiáng)度較高,且波長(zhǎng)窄(FWHM約為35nm),熒光量子產(chǎn)率(PLQY)較高(約為30%)。3.實(shí)驗(yàn)結(jié)論1.本實(shí)驗(yàn)通過(guò)水相法成功合成了CdTe及其核殼結(jié)構(gòu)納米晶,并對(duì)其熒光性能進(jìn)行了研究。2.CdTe納米晶的發(fā)射峰位于450nm左右,波長(zhǎng)窄(FWHM約為40nm),PLQY約為20%;CdTe/CdS核殼結(jié)構(gòu)納米晶的發(fā)射峰位于520nm左右,波長(zhǎng)窄(FWHM約為35nm),PLQY約為30%。3.CdTe/CdS核殼結(jié)構(gòu)納米晶相比于CdTe
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