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第六節(jié)雙晶一雙晶的概念二雙晶要素三雙晶的類型與雙晶率四雙晶的形成方式一雙晶的概念雙晶(孿晶)指兩個(gè)(或兩個(gè)以上)空間取向互不一致的同種晶體,彼此間按一定的對(duì)稱關(guān)系,相互取向而組成的規(guī)則連生晶體。
正長(zhǎng)石卡氏雙晶6.1雙晶的概念二雙晶要素
雙晶中相鄰單體之間存在的對(duì)稱要素。
1雙晶面:
假想的平面,若雙晶中的一個(gè)單體經(jīng)過它的反映能夠與另一個(gè)單體重合或者平行
6.2雙晶要素2雙晶軸:若雙晶中的單體圍繞此軸旋轉(zhuǎn)180°,可與另外一個(gè)單晶平行或者重合;
一般來說雙晶軸都是二次軸.3雙晶中心:假想的點(diǎn),雙晶的單體通過它的反伸操作可與另一個(gè)單體重合;(在實(shí)際的雙晶分析中很少用到)4雙晶結(jié)合面:雙晶相鄰并相互接觸的單晶體之間的分界面。例1例26.2雙晶要素三雙晶的結(jié)合類型與雙晶律
A簡(jiǎn)單雙晶——由兩個(gè)單體構(gòu)成的雙晶。
(1)接觸雙晶例:錫石的膝狀雙晶(2)貫穿雙晶例:正長(zhǎng)石的卡氏雙晶、十字石的十字雙晶依據(jù)雙晶單體間的結(jié)合方式:a.兩個(gè)單體以平直接合面接觸形成。6.3雙晶結(jié)合類型與雙晶律金紅石接觸雙晶水晶—日本雙晶十字石穿插雙晶正長(zhǎng)石的兩個(gè)單體貫穿形成多個(gè)單體以相同的雙晶律貫穿形成十字石多個(gè)單體以不同的雙晶律貫穿形成。貫穿雙晶獨(dú)居石的貫穿雙晶石膏的貫穿雙晶黃鐵礦五角十二面體的貫穿雙晶三雙晶的結(jié)合類型與雙晶律B反復(fù)雙晶——由若干個(gè)單體構(gòu)成的雙晶
(1)聚片雙晶(若干個(gè)單體按同一雙晶律所組成)例:斜長(zhǎng)石的鈉長(zhǎng)石律聚片雙晶
(2)輪式雙晶(環(huán)狀雙晶)例:金紅石的六連晶、白鉛礦的三連晶。6.3雙晶結(jié)合類型與雙晶律斜長(zhǎng)石的聚片雙晶:
雙晶軸(010)(只針對(duì)長(zhǎng)石)角閃石斜長(zhǎng)石聚片雙晶正長(zhǎng)石卡氏雙晶堇青石礦物的輪式雙晶(六連晶);4×(+)白鉛礦的輪式雙晶錫石的輪式雙晶金綠寶石的輪式雙晶三雙晶的結(jié)合類型與雙晶律C復(fù)合雙晶——由兩個(gè)以上的單體按不同雙晶律組成。
例:十字石的復(fù)合雙晶6.3雙晶結(jié)合類型與雙晶律四雙晶的形成方式A-按雙晶的形成機(jī)理可以分:
1)生長(zhǎng)雙晶:在晶體生長(zhǎng)過程中形成的雙晶。例如:文石的文石律接觸雙晶
2)轉(zhuǎn)變雙晶:在同質(zhì)多象轉(zhuǎn)變過程中,在高溫下穩(wěn)定的變體轉(zhuǎn)變?yōu)榈蜏叵路€(wěn)定而對(duì)稱程度較低的變體時(shí)所產(chǎn)生的雙晶。例如:石英的道芬雙晶
3)機(jī)械雙晶:在機(jī)械力作用下,晶體的一部分沿著一定的面網(wǎng)發(fā)生滑動(dòng)形成雙晶。
例如:方解石的聚片雙晶6.4雙晶的形成方式四雙晶的形成方式B-按雙晶的形成時(shí)間可以分為:
1)原生雙晶——在晶體的生長(zhǎng)過程中同時(shí)形成的雙晶。例,生長(zhǎng)雙晶
2)次生雙晶——在晶體已經(jīng)形成后才產(chǎn)生的雙晶。例,機(jī)械雙晶、轉(zhuǎn)變雙晶6.4雙晶的形成方式雙晶的研究意義
大約20%的礦物都有雙晶存在
雙晶可以作為礦物鑒定的特征之一,可提供一定的礦物形成時(shí)的信息,但對(duì)于晶體材料來說,雙晶的存在會(huì)影響晶體的性能利用。如,錫石、石英、斜長(zhǎng)石。6.4雙晶的形成方式本章重點(diǎn)總結(jié)晶體的對(duì)稱晶體定向各晶系晶軸選擇的原則及晶體常數(shù)特征理解晶面符號(hào)、單形符號(hào)理解雙晶課下作業(yè):1,以4-6人建立小組。2,請(qǐng)每組中至少3位同學(xué)的誕生石(不同)為例完成下列作業(yè)。月份一月二月三月四月五月六月誕生石石榴子石紫水晶海藍(lán)寶石鉆石祖母綠月光石晶系
對(duì)稱型
雙晶月份七月八月九月十月十一月臘月誕生石紅寶石橄欖石藍(lán)寶石蛋白石黃玉鋯石晶系三方
對(duì)稱型
雙晶聚片雙晶第三章晶體化學(xué)基礎(chǔ)第一節(jié)最緊密堆積原理第二節(jié)配為數(shù)和配位多面體第三節(jié)類質(zhì)同像第四節(jié)同質(zhì)多像第一節(jié)最緊密堆積原理3.1最緊密堆積原理
在晶體結(jié)構(gòu)中,呈格子狀排列的原子或離子的中心之間常保持一定的距離,這一現(xiàn)象表明:結(jié)構(gòu)中的每個(gè)原子或離子各自都有一個(gè)確定的磁場(chǎng)作用范圍,通常把這個(gè)作用范圍看作是球形的,并把它的半徑作為原子或離子的有效半徑來看待。晶體結(jié)構(gòu)中,質(zhì)點(diǎn)的規(guī)則排列是質(zhì)點(diǎn)間的引力和斥力達(dá)到平衡的結(jié)果。這表明:質(zhì)點(diǎn)之間趨向于盡可能的相互靠近、形成最緊密堆積以達(dá)到內(nèi)能最小,使晶體處于最穩(wěn)定狀態(tài)。因此,礦物晶體就可為一近似地看成球體的堆積。可以利用球體密堆積原理加以討論。
一球體最緊密堆積原理3.1最緊密堆積原理一球體最緊密堆積原理等大球體緊密堆積不等大球體緊密堆積類型3.1最緊密堆積原理等大球體緊密堆積1)堆積方式;2)球體空隙
3)空隙數(shù)與球體數(shù)的關(guān)系內(nèi)容3.1最緊密堆積原理等大球體的最緊密堆積第一層球排列(A):等大球體在平面內(nèi)作最緊密排列時(shí),只能構(gòu)成下列的形式:尖角向上尖角向下3.1最緊密堆積原理第二層分布:
為了能最緊密堆積,在繼續(xù)堆積第二層球時(shí),球必須放在前一層產(chǎn)生的空隙上??梢苑旁贐處,也可以放在C處。但是,二者只要旋轉(zhuǎn)180°后,則完全相同。因此,只有一種堆積形式。3.1最緊密堆積原理C第1種情況:
第三層球與第一層球重復(fù),之后,第四層球與第二層球重復(fù),即ABAB……堆積。
此時(shí)球體在空間的分布恰好與空間格子中的六方格子一致,稱為六方最緊密堆積。密排層平行(0001)。
第三層分布:當(dāng)堆積第三層時(shí),有兩種情況。3.1最緊密堆積原理第2種情況:
第三層球與前兩層球都不重復(fù),如第二層球位于B處,則第三層球位于C處,而第四層球與第一層球重復(fù),第二層球與第五層球、第三層球與第六層球重復(fù),即ABCABC……堆積,此時(shí)球體在空間的分布恰好與空間格子中的立方面心格子一致,稱為立方最緊密堆積。
第三層分布:第二種情況。3.1最緊密堆積原理球體空隙:第二層球排列堆積在第一層之上時(shí),每球只有與第一層的三個(gè)球同時(shí)接觸才算是最穩(wěn)定的。即位于三角形空隙的位置。八面體空隙四面體空隙3.1最緊密堆積原理兩層球作最緊密堆積,出現(xiàn)了兩種不同的空隙:一是由六個(gè)球圍成的空隙,稱為八面體空隙。另一種是由四個(gè)球圍成的空隙,稱為四面體空隙。第三層球的排列(C):①第一種堆積方式是在四面體空隙上進(jìn)行的。即將第三層球堆放在第一層與第二層球體所形成的四面體空隙的位置上…...3.1最緊密堆積原理②第二種堆積是在由六個(gè)球圍成的八面體空隙上進(jìn)行的,即第三層球堆在第一層與第二層球形成的八面體空隙之上……
發(fā)現(xiàn)第四層與第一層重復(fù)(中心投影位置重合),第五層與第二層重復(fù),第六層與第三層重復(fù),如此堆積下去,出現(xiàn)了:ABC、ABC、ABC……的周期重復(fù)。3.1最緊密堆積原理
因等同點(diǎn)是按立方面心格子分布的,故稱之為立方(面心)最緊密堆積,其最緊密堆積的球?qū)悠叫杏诹⒎矫嫘母褡拥模?11)面網(wǎng).3.1最緊密堆積原理密排面(0001)
在兩種最基本的最緊密堆積方式中,每個(gè)球體所接觸到的同徑球體個(gè)數(shù)為12(即配位數(shù)等于12)。CN=12
等大球體的最緊密堆積方式,最基本的就是六方最緊密堆積和立方最緊密堆積兩種。當(dāng)然,還可出現(xiàn)更多層重復(fù)的周期性堆積,如ABAC、ABAC、ABAC……四層重復(fù);ABCACB、ABCACB、ABCACB……六層重復(fù)等。3.1最緊密堆積原理
等大球的最緊密堆積中,球體間仍有空隙存在。據(jù)計(jì)算,空隙占整個(gè)晶體空間的25.95%,即,球的總體積占晶體單位空間的74.05%(該數(shù)值稱為空間堆積系數(shù)—K)。K值的計(jì)算:
〔1〕在六方密堆積中,共有三層球體,中間一層球體所占位置恰好在上下兩層球體的三角形凹坑處,因此,三層球體的堆壘高度H=由四個(gè)球所構(gòu)成的四面體高度的2倍。3.1最緊密堆積原理設(shè)球的半徑為R,則H=4√2÷√3×R整個(gè)小晶胞的體積=H×2√3R2=8√2R3六方密堆積中每個(gè)小晶胞中共有兩個(gè)球體,占有體積=2×4/3πR3故球體所占空間分?jǐn)?shù)(空間堆積系數(shù))K=(2×4/3πR3)/(8√2R3)=0.7405=74.05%〔2〕在立方密堆積中,第三層球堆積在八面體空隙的位置上,形成了ABC.ABC……ABC的規(guī)律重復(fù)。立方體的邊長(zhǎng)=a四面體的邊長(zhǎng)=√2a∴√2a=4r即a=2√2r每個(gè)單位立方面心中有四個(gè)球,球所占的體積=4×(4/3πr3)立方單位體積=a3=(2√2r)3
因此,K=四個(gè)球的體積/立方單位體積=74.05%空隙的數(shù)目與球的數(shù)目之間的關(guān)系可以看出:每一個(gè)球的周圍有六個(gè)八面體空隙和八個(gè)四面體空隙。如果晶胞為n個(gè)球組成,則四面體空隙的總數(shù)應(yīng)為8×n∕4=2n個(gè);而八面體空隙的總數(shù)為6×n∕6=n個(gè)。所以,當(dāng)有n個(gè)等大的球體作最緊密堆積時(shí),就會(huì)有2n個(gè)四面體空隙和n個(gè)八面體空隙。球的數(shù)目:八面體數(shù)目:四面體數(shù)目=1:1:23.1最緊密堆積原理八面體空隙四面體空隙3.1最緊密堆積原理1243A56金屬晶格的晶體結(jié)構(gòu)可看作是等大的金屬陽離子球體的最緊密堆積。
自然金、自然銅、自然鉑等礦物的晶體結(jié)構(gòu)即是按立方最緊密堆積的方式構(gòu)成。實(shí)例:
鋨銥礦以及金屬鋅等晶體的結(jié)構(gòu)則屬六方最緊密堆積。實(shí)例:2不等大球體的最緊密堆積
在離子晶格中,陰、陽離子半徑大小不等,此時(shí)可視為半徑較大的陰離子作等大球體的最緊密堆積,陽離子則按其本身半徑的大小等而充填到八面體空隙或四面體空隙中。陽離子充填空隙的類型與其半徑等因素有關(guān)。
由于陰、陽離子半徑的比值不可能恰好等于球體半徑與空隙半徑之比,因此,不可能保證在陰離子保持相互直接接觸的情況下,使陽離子恰好無空隙地充填在空隙中。一般情況下往往是陽離子稍大于空隙,而將陰離子略微“撐開”,所以,在離子晶格中,陰離子通常只是近似地作最緊密堆積,有的還可能有某種程度的變形。3.1最緊密堆積原理2配位數(shù)和配位多面體配位數(shù):指每個(gè)原子或離子周圍與之相接觸的原子個(gè)數(shù)或異 號(hào)離子的個(gè)數(shù)。配位多面體:各配位離子或原子的中心連線所構(gòu)成的多面體影響配位的因素:
質(zhì)點(diǎn)的相對(duì)大??;堆積的緊密程度;質(zhì)點(diǎn)間化學(xué)鍵性質(zhì)。(1)質(zhì)點(diǎn)(正負(fù)離子)的相對(duì)大小—離子半徑比在離子不發(fā)生變形或者變形很小的情況下,離子的配位數(shù)取決于正負(fù)離子的半徑比。以配位數(shù)為六的情況說明:位于配位多面體中心的陽離子充填于被分布在八面體頂角上的六個(gè)陰離子圍成的八面體空隙中,并且恰好與周圍的六個(gè)陰離子均緊密接觸。取八面體中包含兩個(gè)四次軸的平面。3.2配位數(shù)和配位多面體圖中直角三角形ABC可以算出:Rk∕Ra
=-1=0.414。此值是陽離子作為六次配位的下限值。Rk∕Ra
<0.414時(shí),表明陽離子過小,不能同時(shí)與周圍的六個(gè)陰離子都緊密接觸,離子可在其中移動(dòng),結(jié)構(gòu)是不穩(wěn)定的。3.2配位數(shù)和配位多面體離子化合物中,大多數(shù)陽離子的配位數(shù)為6和4,其次是8。某些晶體結(jié)構(gòu)中,可能有5、7、9和10的配位數(shù)。作為配位原則:就是正離子總是力圖與盡可能多的負(fù)離子相接觸,這樣晶體才會(huì)穩(wěn)定。在晶體或玻璃體中,某些正離子的配位數(shù)往往不止一種。例:Al—O之間的配位數(shù)有4和6兩種,
B—O之間有〔BO3〕和〔BO4〕兩種(硼反常)。作為六次配位下限值的0.414也是四次配位的上限值。
當(dāng)Rk∕Ra的值等于或接近于0.414時(shí),陽離子有成為四次和六次兩種配位的可能。陽離子呈六次配位時(shí)的穩(wěn)定界限是在Rk∕Ra的值為0.414-0.732之間,硅酸鹽中常見陽離子與氧結(jié)合時(shí)的配位數(shù)配位數(shù)
陽離子
3466-88-12B3+,C4+,N5+Be2+,B3+,Al3+,Si4+,P5+,S6+,Cl7+,V6+,Cr5+,Mn7+,Zn2+,Ge,4+Ga3+Li+,Mg2+,Al3+,Sc3+,Ti4+,Cr3+,Mn2+,Fe2+,Co2+,Ni2+,Cu2+,Zn2+Na+,Ca2+,Sr2+,Y3+,Zr4+,Cd3+,Ba2+,Ce4+,Lu3+,Hf4+,Th4+Na+,K+,Ca2+,Rb+,Sr2+,Cs+,Ba2+,La3+,Ce3+,Pb2+3.2配位數(shù)和配位多面體第三節(jié)礦物的類質(zhì)同像
3.3礦物的類質(zhì)同像
礦物晶體在結(jié)晶過程中,結(jié)晶格子中的某種質(zhì)點(diǎn)(原子、離子和分子)的位置被性質(zhì)相似的質(zhì)點(diǎn)所代替,代替后除晶格常數(shù)略有變化外,晶體結(jié)構(gòu)類型并不改變的現(xiàn)象,稱為類質(zhì)同象。(isomorphism)。
1、類質(zhì)同像的概念
3.3礦物的類質(zhì)同像
例:Mg2[SiO4](鎂橄欖石)與Fe2[SiO4](鐵橄欖石),形成(Mg,F(xiàn)e)2[SiO4](橄欖石,是一個(gè)類質(zhì)同像系列的名稱)。例:ZnS(閃鋅礦)中的Zn可以被Fe部分(少于40%)替代,形成(Zn,F(xiàn)e)S,(Fe的替代可使閃鋅礦的晶胞參數(shù)(a0)增大。)
例:Mg[CO3](菱鎂礦)與Fe[CO3](菱鐵礦)中的Mg2+和Fe2+可以任意比例替代,形成一個(gè)完全類質(zhì)同象系列(彼此間形態(tài)一致,結(jié)構(gòu)型式一致,但陽離子種類和數(shù)量比不同):
Mg[CO3]—(Mg,F(xiàn)e)[CO3](鐵菱鎂礦)—(Fe,Mg)[CO3](鎂菱鐵礦)—Fe[CO3]3.3礦物的類質(zhì)同像1).根據(jù)不同組分在晶格中所替代的范圍分為:完全類質(zhì)同像與不完全類質(zhì)同像:(1)完全類質(zhì)同像系列——類質(zhì)同象混晶中,兩種組分能以任意比例進(jìn)行替代:例:MnWO4
(鎢錳礦)-(Mn,Fe)WO4
(黑鎢礦)-FeWO4(鎢鐵礦)
在該系列中,其兩端的純組分稱“端員組分”,主要端員形成的礦物稱“端員礦物”,端員礦物在自然界極少存在。2、類質(zhì)同像的類型
3.3礦物的類質(zhì)同像2、類質(zhì)同像的類型(2)不完全類質(zhì)同像系列——兩種組分不能以任意比例替代,限定在某個(gè)有限的范圍內(nèi)。
例:ZnS-FeS-(Zn,Fe)S,其中Fe2+在ZnS中的替代Zn2+的量不能超過陽離子數(shù)的約40%。3.3礦物的類質(zhì)同像2、類質(zhì)同像的類型2).根據(jù)晶格相互替代的離子電價(jià)是否相等,分為:等價(jià)類質(zhì)同像與異價(jià)類質(zhì)同像
(1)等價(jià)類質(zhì)同像——相互替代的離子電價(jià)相等
例:紅寶石(剛玉)中Cr3+→Al3+,因Al3+的離子半徑是0.57?,Cr3+的離子半徑是0.64?,置換前純Al2O3的a0=4.75?,c0=12.97?;置換后含4%Cr2O3的(Al,Cr)2O3的a0=4.93?,c0=13.51?,結(jié)構(gòu)無根本的變化。3.3礦物的類質(zhì)同像
(2)異價(jià)類質(zhì)同像——相互替代的離子為異價(jià)離子,由于異價(jià)替代將引起電荷不平衡(電中性被破壞),必須采用成對(duì)替代(等額替代)以保持電價(jià)平衡,這種替代方式又稱“耦合替代”。
2、類質(zhì)同像的類型3.3礦物的類質(zhì)同像①兩對(duì)異價(jià)離子同時(shí)替代:如,斜長(zhǎng)石:
Na[(AlSi3)O8]——Na1-xCax[(Al1+xSi3-x)O8]——Ca[(Al2Si2)O8]
其中:Na++Si4+→Ca2++Al3+②電價(jià)較高的離子與數(shù)量較多的低價(jià)離子相互替代:如,
云母——3Mg2+→2Al3+;霞石——2Na+→Ca2+;綠柱石——Li++Cs+→Be2+;③陽離子替代后產(chǎn)生的過剩正電荷被陰離子替代產(chǎn)生的多余的負(fù)電荷所中和:如,
磷灰石:Ce3+→Ca2+;O2-→F-;即Ce3++O2-→Ca2++F-;3.3礦物的類質(zhì)同像3、類質(zhì)同象代替的條件內(nèi)因:互相代替的離子或原子半徑大小相等或相近由于每個(gè)離子或原子在晶體中都占有一定的容積,因此,要求互相代替的離子或原子的半徑大小必須相等或盡可能接近,這樣,才不會(huì)由于類質(zhì)同象代替而引起晶體結(jié)構(gòu)的破壞。3.3礦物的類質(zhì)同像1)互相代替的離子或原子半徑大小相等或相近研究證明,在電價(jià)和離子類型相同的條件下,離子在結(jié)晶格子中的類質(zhì)同象代替能力隨離子半徑大小差別的增大而減小。設(shè)r1和r2分別代表較大離子和較小離子的半徑值。當(dāng)r1-r2/r2小于10-15%時(shí),一般形成完全類質(zhì)同象;當(dāng)r1-r2/r2在15-25%時(shí),高溫條件下形成完全類質(zhì)同象,在溫度降低時(shí)固熔體就發(fā)生離熔成為不完全類質(zhì)同象;當(dāng)r1-r2/r2大于25-40%時(shí),在高溫條件下形成不完全類質(zhì)同象,在低溫條件下不形成類質(zhì)同象。3.3礦物的類質(zhì)同像3、類質(zhì)同象代替的條件內(nèi)因:2)互相代替的離子總電價(jià)應(yīng)該相等在形成類質(zhì)同象代替時(shí),不論是等價(jià)還是異價(jià)類質(zhì)同象代替,互相代替的離子的總電價(jià)必須相等。否則,就會(huì)使混合晶體失去靜電平衡,導(dǎo)致晶體結(jié)構(gòu)的破壞。這樣,類質(zhì)同象也就難以形成。當(dāng)形成異價(jià)類質(zhì)同象時(shí),還遵循對(duì)角線法則。即元素周期表中,從左上方到右下方的對(duì)角線方向上的元素的離子容易生成異價(jià)類質(zhì)同象,通常是右下方的高價(jià)陽離子代替左上方的低價(jià)陽離子。3.3礦物的類質(zhì)同像3、類質(zhì)同象代替的條件內(nèi)因:3)離子類型相同離子類型相同的離子才能形成類質(zhì)同象代替。因?yàn)殡x子類型不同的離子外電子層結(jié)構(gòu)不一樣,因此,化學(xué)鍵的性質(zhì)也有較大差別,而化學(xué)鍵性質(zhì)差別較大的離子是不能形成類質(zhì)同象代替的。例如Na+的半徑是0.98埃,Cu+的半徑是0.96埃,兩種離子的電價(jià)相等,離子半徑也非常接近,但沒有發(fā)現(xiàn)它們成類質(zhì)同象代替的現(xiàn)象。這是因?yàn)镹a+是惰性氣體型離子,而Cu+是銅型離子,所以兩者不能互相代替。
3、類質(zhì)同象代替的條件外因:1)溫度
一般說來,溫度升高可以使類質(zhì)同象代替的能力增強(qiáng),溫度降低會(huì)使類質(zhì)同象代替的能力減弱,甚至使已經(jīng)形成的混合晶體產(chǎn)生分離。
例如:在鉀長(zhǎng)石K[AlSi3O8]和鈉長(zhǎng)石Na[AlSi3O8]類質(zhì)同象系列中,K+和Na+的離子半徑雖然差別較大,但在900℃以上能形成完全類質(zhì)同象。當(dāng)溫度下降時(shí),已經(jīng)形成的混合晶體會(huì)發(fā)生分離,形成鈉長(zhǎng)石在鉀長(zhǎng)石中呈片狀定向排列的條紋長(zhǎng)石,或鉀長(zhǎng)石在鈉長(zhǎng)石中呈片狀定向排列的反條紋長(zhǎng)石。3、類質(zhì)同象代替的條件2)壓力壓力對(duì)類質(zhì)同象代替所起的作用,目前還不很清楚,尚待進(jìn)一步研究。一般認(rèn)為,壓力增加可能促進(jìn)類質(zhì)同象的分離而不利于類質(zhì)同象的形成。3、類質(zhì)同象代替的條件3)組分濃度組分濃度大小對(duì)類質(zhì)同象代替有一定影響例如當(dāng)磷灰石Ca5[PO4](F,Cl)結(jié)晶時(shí),如果溶液中有過量的Ca2+,通常沒有其它離子代替Ca2+的現(xiàn)象發(fā)生。但當(dāng)溶液中Ca2+的含量少時(shí),溶波中的Sr2+或Na+可以類質(zhì)同象混入物的方式進(jìn)入磷灰石的晶體中。上述諸因素是決定類質(zhì)同象代替主要的內(nèi)部因素和外部因素。此外,晶格能量、結(jié)構(gòu)單位堆積緊密程度、氧化電位等對(duì)類質(zhì)同象替代也有影響。第四節(jié)礦物的同質(zhì)多像同質(zhì)多象的概念同質(zhì)多象轉(zhuǎn)變
重建型轉(zhuǎn)變位移式轉(zhuǎn)變第四節(jié)
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