
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正文目錄第三方模廠:瞄準(zhǔn)廣泛細(xì)場(chǎng) 5長(zhǎng)尾效應(yīng)催生第方獨(dú)立模組廠商 5內(nèi)存模組與閃存組結(jié)構(gòu)拆分 7海外寡頭斷國(guó)內(nèi)廠商快速長(zhǎng) 10IDM廠商主導(dǎo)全球內(nèi)存條市場(chǎng)、國(guó)內(nèi)廠商份額逐步提升 10IDM原廠主導(dǎo)NAND模組市場(chǎng)、國(guó)內(nèi)廠商把握細(xì)分市場(chǎng)機(jī)遇 12公司介紹 15江波龍:國(guó)內(nèi)領(lǐng)的多品類存儲(chǔ)廠商,雙品牌+四產(chǎn)線雙輪驅(qū)動(dòng)成長(zhǎng) 15佰維存儲(chǔ):國(guó)內(nèi)入式存儲(chǔ)龍頭,打造研發(fā)封測(cè)一體化 18德明利:國(guó)內(nèi)SSD主控芯片龍頭,產(chǎn)品覆蓋全類型閃存 20朗科科技:全球存盤發(fā)明者,乘風(fēng)數(shù)據(jù)中心建設(shè) 23風(fēng)險(xiǎn)提示 26圖表目錄圖1存儲(chǔ)芯片制造全產(chǎn)業(yè)鏈圖 5圖2存儲(chǔ)模組下游產(chǎn)品需求 6圖3DRAM模組產(chǎn)業(yè)鏈 6圖4NAND模組產(chǎn)業(yè)鏈 6圖52020-2022年DRAM應(yīng)用分布情況(%) 7圖62020-2022年NANDFlash應(yīng)用分布情況(%) 7圖7接口固態(tài)硬盤內(nèi)部構(gòu)造圖 7圖8PCIe接口固態(tài)硬盤內(nèi)部構(gòu)造圖 7圖9固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)(JEDEC)定義三種DRAM標(biāo)準(zhǔn)類別 8圖10DDR5內(nèi)存拆解 9圖DDR5內(nèi)存接口及模組配套芯片 9圖122021-2022年全球存儲(chǔ)市場(chǎng)結(jié)構(gòu)(%) 10圖132021-2027年全球存儲(chǔ)市場(chǎng)預(yù)測(cè) 10圖14第三方內(nèi)存條市場(chǎng)規(guī)模及占比(億美元,%) 10圖152022-2028年全球內(nèi)存條出貨量預(yù)測(cè)(百萬(wàn)條) 10圖162021-2028年全球DRAM模組競(jìng)爭(zhēng)格局(%) 圖172022年全球第三方DRAM模組廠占比(%) 圖18全球內(nèi)存接口芯片及配套芯片市場(chǎng)規(guī)模(億美元) 12圖19全球內(nèi)存接口芯片及配套芯片市場(chǎng)占比情況(%) 12圖202021年eMMC&UFS的供應(yīng)商市場(chǎng)占比(%) 13圖21全球固態(tài)硬盤出貨量及預(yù)測(cè)(百萬(wàn)塊) 13圖222022年全球SSD出貨量占比情況(%) 13圖232022年全球SSD第三方模組廠市場(chǎng)占比(%) 14圖242022年全球SSD主控芯片市占率(%) 14圖252022年全球第三方SSD主控芯片市占率(%) 14圖26江波龍發(fā)展歷程 15圖27江波龍產(chǎn)品發(fā)展歷程 15圖28江波龍四大產(chǎn)品線 16圖29江波龍兩大品牌產(chǎn)品矩陣 16圖302018-2023Q1-3江波龍營(yíng)收及增速(億元,%) 16圖312018-2023Q1-3江波龍利潤(rùn)端情況(億元,%) 16圖322018-2023Q1-3江波龍毛利率情況(%) 17圖332018-2023Q1-3江波龍費(fèi)用率情況(%) 17圖342017-2022年江波龍營(yíng)收結(jié)構(gòu)(億元) 17圖352022年江波龍業(yè)務(wù)占比情況(%) 17圖36佰維存儲(chǔ)產(chǎn)品經(jīng)營(yíng)模式 18圖372018-2023Q1-3佰維存儲(chǔ)營(yíng)收情況(億元,%) 19圖382018-2023Q1-3佰維存儲(chǔ)利潤(rùn)情況(億元,%) 19圖392018-2023Q1-3佰維存儲(chǔ)毛利率情況(%) 19圖402018-2023Q1-3佰維存儲(chǔ)費(fèi)用率情況(%) 19圖412020-2023H1佰維存儲(chǔ)營(yíng)收結(jié)構(gòu)(億元) 20圖422022年佰維存儲(chǔ)業(yè)務(wù)占比情況(%) 20圖43德明利發(fā)展歷程 21圖44德明利產(chǎn)品體系 21圖452018-2023Q1-3德明利營(yíng)收及增速(億元,%) 22圖462018-2023Q1-3德明利利潤(rùn)端情況(億元,%) 22圖472018-2023Q1-3德明利毛利率情況(%) 22圖482018-2023Q1-3德明利費(fèi)用率情況(%) 22圖492018-2021年德明利營(yíng)收結(jié)構(gòu)(億元) 23圖502022年德明利業(yè)務(wù)占比情況(%) 23圖51東數(shù)西算8大樞紐主要承載業(yè)務(wù)類型 23圖52東數(shù)西算戰(zhàn)略10大集群分布 23圖532018-2023Q1-3朗科科技營(yíng)收情況(億元,%) 24圖542018-2023Q1-3朗科科技利潤(rùn)情況(億元,%) 24圖552018-2023Q1-3朗科科技毛利率情況(%) 24圖562018-2023Q1-3朗科科技費(fèi)用率情況(%) 24圖572020-2023H1朗科科技營(yíng)收結(jié)構(gòu)(億元) 25圖582022年朗科科技業(yè)務(wù)占比情況(%) 25表1內(nèi)存條類型對(duì)比 8表2內(nèi)存接口芯片的發(fā)展演變情況 12第三方模組廠商:瞄準(zhǔn)廣泛細(xì)分市場(chǎng)長(zhǎng)尾效應(yīng)催生第三方獨(dú)立模組廠商存儲(chǔ)模組廠商分為IDM廠商和第三方模組供應(yīng)商。存儲(chǔ)原廠完成晶圓制造后,仍需開發(fā)大量應(yīng)用技術(shù)以實(shí)現(xiàn)從標(biāo)準(zhǔn)化存儲(chǔ)晶圓到具體存儲(chǔ)產(chǎn)品的轉(zhuǎn)化,部分存儲(chǔ)原廠(IDM廠商)憑借晶圓優(yōu)勢(shì)向下游存儲(chǔ)產(chǎn)品領(lǐng)域滲透,同時(shí)獨(dú)立的存儲(chǔ)器供應(yīng)商(第三方模組廠商)應(yīng)運(yùn)而生。根據(jù)市場(chǎng)需求確定存儲(chǔ)產(chǎn)品方案后,模組廠商開發(fā)存儲(chǔ)芯片固件,匹配存儲(chǔ)晶圓并定制主控芯片等主輔料,委托專業(yè)的封裝測(cè)試企業(yè)按照公司設(shè)計(jì)的封裝測(cè)試方案進(jìn)行封裝測(cè)試,完成模組集成后最終銷售給OEM客戶或直接通過現(xiàn)貨市場(chǎng)銷往渠道商。模組廠商的存在,拓寬了存儲(chǔ)芯片的應(yīng)用場(chǎng)景,提升了半導(dǎo)體存儲(chǔ)器在各類應(yīng)用場(chǎng)景的適用性,推動(dòng)實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)晶圓的產(chǎn)品化,是存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)中承上啟下的重要環(huán)節(jié)。圖1存儲(chǔ)芯片制造全產(chǎn)業(yè)鏈圖資料來(lái)源:兆易創(chuàng)新招股說明書,公開資料,IDM廠商主要覆蓋大宗市場(chǎng),第三方模組廠商錨定廣泛細(xì)分市場(chǎng)需求。存儲(chǔ)原廠IC設(shè)計(jì)與提升晶圓制程,在產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域,囿于產(chǎn)品化成本等要素限制,原廠僅能聚焦具有大宗數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求的行業(yè)和客戶,如智能手機(jī)、個(gè)人電腦及服務(wù)器行業(yè)的頭部客戶。傳統(tǒng)主流市場(chǎng)外仍然存在極為廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景和市場(chǎng)需求,包括工業(yè)控制、商用設(shè)備、汽車電子、網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備、家用電器、影像監(jiān)控、物聯(lián)網(wǎng)硬件等細(xì)分行業(yè)存儲(chǔ)需求,以及主流應(yīng)用市場(chǎng)中小客戶的需求,第三方獨(dú)立模組廠商則主要聚焦于這部分長(zhǎng)尾市場(chǎng)需求。圖2存儲(chǔ)模組下游產(chǎn)品需求資料來(lái)源:江波龍招股說明書,面向下游細(xì)分行業(yè)客戶的客制化需求,存儲(chǔ)模組廠商進(jìn)行晶圓分析、主控芯片選型與定制、固件開發(fā)、封裝設(shè)計(jì)、芯片測(cè)試、提供后端的技術(shù)支持等。存儲(chǔ)產(chǎn)品的核心原材料為存儲(chǔ)晶圓,其它原材料包括主控芯片(NAND中使用、內(nèi)存接口芯片(DRAM中使用)以及各類輔料,存儲(chǔ)模組廠位于原廠下游,向存儲(chǔ)原廠購(gòu)買存儲(chǔ)顆?;蚓A,采購(gòu)存儲(chǔ)顆粒或晶圓的成本是模組廠主要成本;與應(yīng)用芯片廠商合作,定制主控芯片等配件完成模組集成工序;存儲(chǔ)產(chǎn)品的封裝測(cè)試主要通過委外方式實(shí)現(xiàn),部分廠商自建封測(cè)廠。圖3DRAM模組產(chǎn)業(yè)鏈 圖4NAND模組產(chǎn)業(yè)鏈 資料來(lái)源:江波龍招股說明書, 資料來(lái)源:江波龍招股說明書,存儲(chǔ)產(chǎn)品下游應(yīng)用廣泛,主要以消費(fèi)電子和服務(wù)器為主。存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)下游不同應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)存儲(chǔ)器的參數(shù)要求復(fù)雜多樣,涉及容量、讀寫速度、功耗、尺寸、穩(wěn)定性、兼容性等多項(xiàng)內(nèi)容,由此也形成了不同的產(chǎn)品形態(tài)。DRAM中,LPDDR主要與嵌入式存儲(chǔ)配合應(yīng)用于智能手機(jī)、平板等消費(fèi)電子產(chǎn)品,近年來(lái)亦應(yīng)用于功耗限制嚴(yán)格的個(gè)人電腦產(chǎn)品,DDR主要應(yīng)用于服務(wù)器、個(gè)人電腦等,DRAM市場(chǎng)需求主要以手機(jī)、PC和服務(wù)器為主,202235%、16%33%。NANDFlash包括嵌入式存儲(chǔ)、固態(tài)硬盤和移動(dòng)存儲(chǔ)等,其中嵌入式存儲(chǔ)市場(chǎng)主要受智能手機(jī)、平板等消費(fèi)電子行業(yè)驅(qū)動(dòng),固態(tài)硬盤下游市場(chǎng)包括服務(wù)器、個(gè)人電腦,移動(dòng)存儲(chǔ)廣泛應(yīng)用于各類消費(fèi)者領(lǐng)域,2022Mobile端的嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品、應(yīng)用于PC端的cSSDeSSD34%、22%26%。圖52020-2022年DRAM應(yīng)用分布情況(%) 圖62020-2022年NANDFlash應(yīng)用分布情況(%)100%
手機(jī) PC 服務(wù)器 其他
嵌入式存儲(chǔ) cSSD eSSD 存儲(chǔ)卡/UFD 其他100%80% 80%60% 60%40% 40%20% 20%0%2020
2021
2022
0%2020 2021 2022資料來(lái)源:CFM, 資料來(lái)源:CFM,內(nèi)存模組與閃存模組結(jié)構(gòu)拆分NANDFlash模組應(yīng)用于嵌入式存儲(chǔ)(用于電子移動(dòng)終端低功耗場(chǎng)景、固態(tài)硬盤(大容量存儲(chǔ)場(chǎng)景)和移動(dòng)存儲(chǔ)(便攜式存儲(chǔ)場(chǎng)景)等領(lǐng)域。閃存模組內(nèi)部組成包括主控芯片、DRAMNAND閃存顆粒,具體來(lái)看:主控芯片,是閃存模組的核心器件,可以提供多種接口,如、PCIe、NVMe等,負(fù)責(zé)與整機(jī)CPU進(jìn)行數(shù)據(jù)通信以及數(shù)據(jù)管理、壞塊管理、數(shù)據(jù)糾錯(cuò)、壽命均衡、垃圾回收以及數(shù)據(jù)加解密等功能。DRAM顆粒,是中高端NANDFlash模組的重要組成部分,可臨時(shí)保存已從閃存讀取的數(shù)據(jù)、要寫入閃存的數(shù)據(jù)或地址映射表,以免對(duì)主機(jī)內(nèi)存的占用進(jìn)一步提高數(shù)據(jù)的讀寫速度。NAND顆粒,閃存芯片是閃存模組的存儲(chǔ)介質(zhì),采用非易失性存儲(chǔ)技術(shù),可以長(zhǎng)期保存數(shù)據(jù)。按存儲(chǔ)單元密度來(lái)分,NANDFlash可分為SLC、MLC、TLC、QLC四種,以實(shí)現(xiàn)高密度的數(shù)據(jù)存儲(chǔ);按堆疊方式又分為平面式和垂直堆疊式兩種結(jié)構(gòu),平面式2DNAND將多個(gè)存儲(chǔ)單元排列在同一層面上,堆疊式3DNAND采用垂直堆疊的方式,將多個(gè)存儲(chǔ)單元垂直放置在同一芯片內(nèi),因此存儲(chǔ)密度相對(duì)較高。圖7接口固態(tài)硬盤內(nèi)部構(gòu)造圖 圖8PCIe接口固態(tài)硬盤內(nèi)部構(gòu)造圖資料來(lái)源:聯(lián)蕓科技招股說明書, 資料來(lái)源:聯(lián)蕓科技招股說明書,與NAND主要以模組形式出貨不同,DRAM主要以顆粒和模組(內(nèi)存條)的形式出貨給終端廠商。DRAM按照產(chǎn)品分類主要分為DDR、LPDDR(低功耗)GDDR(顯卡,其中DR主要應(yīng)用于C和服務(wù)器端、DR主要應(yīng)用于手機(jī)端、GDR的主要應(yīng)用于顯卡端。DRAM產(chǎn)品中一部分以DRAM顆粒出貨,比如智能手機(jī)中使用的LPDDRGDDR、HBMDRAM以模組形式出貨,主要是應(yīng)用PC、服務(wù)器上內(nèi)存條。圖9固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)(JEDEC)定義三種DRAM標(biāo)準(zhǔn)類別資料來(lái)源:CSDN,目前主流的內(nèi)存條均采用DIMM形態(tài),主要分為SODIMM、UDIMM、RDIMM和LRDIMM。其中SODIMM主要用于筆記本電腦,UDIMM主要用于臺(tái)式電腦,RDIMM、LRDIMM主要用于服務(wù)器。在數(shù)據(jù)中心作為新型基礎(chǔ)設(shè)施加快建設(shè)的背景下,數(shù)據(jù)規(guī)模持續(xù)增長(zhǎng),對(duì)內(nèi)存的需求也將大幅增加。表1內(nèi)存條類型對(duì)比OMM(lOutlineM,即小型雙列直插內(nèi)存模塊,定位于筆記本市場(chǎng),類似DIMM,但它的體積更小,大約是常規(guī)DIMM的一半。M(nbuffdIMM,即無(wú)緩沖雙列直插內(nèi)存模塊,指地址和控制信號(hào)不經(jīng)緩沖器,無(wú)需時(shí)序調(diào)整,直接到達(dá)DRAM芯片。UDIMM的價(jià)格低,容量和頻率較低,容量最大支持4GB,頻率最大支持2133MT/s。此外,由于UDIMM只能在Unbuffered模式工作,不支持服務(wù)器內(nèi)存滿配,無(wú)法最大程度發(fā)揮服務(wù)器性能。M(irdMM,即帶寄存器的雙列直插內(nèi)存模塊,支持Bfered模式和高性能的Registered模式,較UDIMM更為穩(wěn)定,同時(shí)支持服務(wù)器內(nèi)存容量最高容量。此外,RDIMM支持更高的容量和頻率,容量支持32GB3200MT/s,RDIMM主要用于服務(wù)器市場(chǎng)。LM(LoducdM,即低負(fù)載雙列直插內(nèi)存模塊,將MM內(nèi)存上的Register芯片改為iMB內(nèi)存隔離緩沖芯片,降低了內(nèi)存總線負(fù)載,進(jìn)一步提升內(nèi)存支持容量。其最高頻率和RDIMM一樣,均為3200MT/s,但在容量上提高到64GB,LRDIMM也同樣運(yùn)用于服務(wù)器領(lǐng)域,但其價(jià)格,較RDIMM也更貴些。類型 頻率類型 頻率MT/s 容量 性能 價(jià)格 應(yīng)用領(lǐng)域SODIMM 333-1866 64MB-8GB 低 低 筆記本、工控機(jī)、微控器UDIMM 266-2133 32MB-4GB 較低 較低 臺(tái)式機(jī)、服務(wù)RDIMM 333-3200 512MB-32GB 較高 較高 服務(wù)器LRDIMM 1333-3200 16GB-64GB 高 高 服務(wù)器資料來(lái)源:CSDN,與非網(wǎng),內(nèi)存條主要由DRAM顆粒、內(nèi)存接口及配套芯片組成。DRAMPC和服務(wù)器等終端設(shè)備中的關(guān)鍵內(nèi)存組件,主要負(fù)責(zé)存儲(chǔ)和讀寫數(shù)據(jù)。內(nèi)存模組由多個(gè)部分組成,核心部分是DRAM(RCD)和數(shù)據(jù)緩沖器(DB);配套芯片包括串行檢測(cè)集線器(SPDHub)、溫度傳感器(TS)以及電源管理芯片(PMIC)。DRAM顆粒、SPD是消費(fèi)級(jí)SODIMM、UDIMM內(nèi)存條的主要組成,企業(yè)級(jí)RDIMM、LRDIMM內(nèi)存條還需要增加內(nèi)存接口芯片和溫度傳感器。具體來(lái)看:DRAM顆粒,占據(jù)了模組成本的絕大部分,負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)。Dub(串行檢測(cè)集線器,負(fù)責(zé)存儲(chǔ)內(nèi)存模組的相關(guān)信息和參數(shù)配置,管理對(duì)外部控制器的訪問,并將內(nèi)部總線的內(nèi)存負(fù)載與外部分離,實(shí)現(xiàn)有效處理外部訪問請(qǐng)求,確保內(nèi)存的穩(wěn)定運(yùn)行。MIC(電源管理芯片,前幾代內(nèi)存條將MIC位于主板之上,DDR5內(nèi)存條將PMI集成在內(nèi)存條上,能夠有效降低主板的復(fù)雜性、提升電源轉(zhuǎn)換的效率。內(nèi)存接口芯片(寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器RCD、數(shù)據(jù)緩沖器DB,是服務(wù)器內(nèi)存模組的核心邏輯器件,其主要作用是提升內(nèi)存數(shù)據(jù)訪問的速度及穩(wěn)定性,滿足服務(wù)器CPU對(duì)內(nèi)存模組日益增長(zhǎng)的高性能及大容量需求。溫度傳感器(T,應(yīng)用于DDR5,用于監(jiān)測(cè)整個(gè)IMM長(zhǎng)度上的熱狀況,從而更精細(xì)地控制系統(tǒng)散熱,不會(huì)像DDR4一樣因高溫造成性能瓶頸。圖10DDR5內(nèi)存拆解 圖11DDR5內(nèi)存接口及模組配套芯片資料來(lái)源:金士頓官網(wǎng), 資料來(lái)源:瀾起科技官網(wǎng),海外寡頭壟斷、國(guó)內(nèi)廠商快速成長(zhǎng)IDM廠商主導(dǎo)全球內(nèi)存條市場(chǎng)、國(guó)內(nèi)廠商份額逐步提升DRAM和NAND占2022年存儲(chǔ)市場(chǎng)的96%左右,是模組廠業(yè)務(wù)的核心部分。根據(jù)Group數(shù)據(jù)顯示,2022年存儲(chǔ)芯片整體市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到了1440億美元,其中DRAM79755.3%,較上年-1.0pct;NAND實(shí)現(xiàn)收入58740.8%,較上年+0.8pct;NOR322.2%,較上年+0.1pct202120278%的20272630DRAMNAND依然占據(jù)絕對(duì)主導(dǎo)地位,預(yù)2027DRAM96.6%。DRAMNAND市場(chǎng)空間廣闊,也是模組業(yè)務(wù)的核心導(dǎo)向。圖122021-2022年全球存儲(chǔ)市場(chǎng)結(jié)構(gòu)(%) 圖132021-2027年全球存儲(chǔ)市場(chǎng)預(yù)測(cè)DRAM NANDFlash NORFlash Other100%80%60%40%20%0%2021
2022資料來(lái)源:Yole, 資料來(lái)源:Yole,第三方內(nèi)存條市場(chǎng)呈穩(wěn)健增長(zhǎng)態(tài)勢(shì),DDR5內(nèi)存條正逐步放量。TrendForce數(shù)據(jù)來(lái)看,DRAM20172022172.81億美8.1%,主要是由于下游需求持續(xù)增長(zhǎng)尤其是服務(wù)器模組的需求增數(shù)據(jù),2022DDR4為主,預(yù)計(jì)到20286.5億條,2022-20284%。預(yù)計(jì)DDR5202220286.42億支,2022-2028年97%,DDR5內(nèi)存條或是未來(lái)幾年內(nèi)推動(dòng)內(nèi)存市場(chǎng)增長(zhǎng)的核心驅(qū)動(dòng)力。圖14第三方內(nèi)存條市場(chǎng)規(guī)模及占比(億美元,%) 圖152022-2028年全球內(nèi)存條出貨量預(yù)測(cè)(百萬(wàn)條)第三方內(nèi)存條市場(chǎng)規(guī)模(億美元)DRAM市場(chǎng)規(guī)模(億美元)占比(右軸)0
2017 2018 2019 2020 2021
30%25%20%15%10%5%0%資料來(lái)源:TrendForce,ICInsights,CFM, 資料來(lái)源:Yole,IDM廠商主導(dǎo)全球DRAM模組市場(chǎng),市占率將近90%。DRAM模組廠商分為IDM廠商和第三方模組廠,前者如三星電子、SK海力士、美光科技、南亞科技等,利用其芯片制造能力銷售自有品牌模塊(或自有模塊專用品牌DRAMIDMDRAMDRAM芯片,并將模塊出售給包括OEM、大規(guī)模提供商和渠道分銷商在內(nèi)的最終客戶。目前IDM廠商主PC(筆記本電腦、臺(tái)式機(jī)和工作站)市場(chǎng),由于需求疲LPDDR預(yù)計(jì)第三方模組廠市場(chǎng)份202117%20289%。圖162021-2028年全球DRAM模組競(jìng)爭(zhēng)格局(%)IDM廠商 第三方模組廠17%13%17%13%12%10%10%9%9%9%83%87%88%91%90%90%80%60%40%20%0%2021 2022 2023E 2024E 2025E 2026E 2027E 2028E資料來(lái)源:Yole,金士頓主導(dǎo)全球第三方內(nèi)存條市場(chǎng),國(guó)內(nèi)廠商正加速崛起。根據(jù)TrendForce數(shù)據(jù),從2022年內(nèi)存模組廠收入排名來(lái)看,全球第三方內(nèi)存條供應(yīng)商主要來(lái)自美國(guó)、中國(guó)大陸以及中國(guó)臺(tái)灣,其中金士頓以78.12%的占比位列第一,海外龍頭模組廠商地位穩(wěn)固;中國(guó)臺(tái)灣廠商威剛科技、宜鼎國(guó)際、宇瞻科技市占率分別為3.33%、0.78%、0.70%;中國(guó)大陸廠商記憶科技、嘉合勁威、金泰克分別以3.78%、2.88%、2.33%的市場(chǎng)份額位列第2、4、5位,合計(jì)市場(chǎng)份額為8.99%。中國(guó)是全球最大的半導(dǎo)體市場(chǎng)之一,自主開發(fā)空間廣闊,隨著存儲(chǔ)芯片逐漸自主研發(fā)進(jìn)程,國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)模組廠商有望持續(xù)提升市場(chǎng)份額。圖172022年全球第三方DRAM模組廠占比(%)4.15% 金士頓2.23%2.33%2.88%3.33%3.78%資料來(lái)源:TrendForce,
78.12%
記憶科技威剛科技嘉合勁威金泰克世邁科技博帝科技宜鼎國(guó)際十銓科技宇瞻科技其他隨著DDR5滲透率的提升,內(nèi)存接口及配套芯片的市場(chǎng)規(guī)模也在持續(xù)增長(zhǎng)DDR在容量、數(shù)據(jù)速率和功耗方面都有所改進(jìn),以更高的速度實(shí)現(xiàn)更高的模組容量變得更加困難,為了解決這些問題,需要特定的內(nèi)存接口及配套芯片,包括寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器()、電源管理芯片(MIC、串行檢測(cè)集線器(DHb、數(shù)據(jù)緩沖器(D)以及溫度傳感器(TS。作為內(nèi)存條的核心組件,隨著最近幾代DDR的推出,每個(gè)模組的內(nèi)存接口及配套芯片數(shù)量有所增加,根據(jù)數(shù)據(jù),2022年全球內(nèi)存接口及配套芯片市場(chǎng)規(guī)模約為54.9%202840億美元。此外,隨著DDR5RCD、DB、SPDPMIC、TS需求,2028年,RCD、PMIC、SPDHub、TS38%、28%、24%、10%。圖18全球內(nèi)存接口芯片及配套芯片市場(chǎng)規(guī)模(億美元) 圖19全球內(nèi)存接口芯片及配套芯片市場(chǎng)占比情況(%)寄存時(shí)鐘驅(qū)器(RCD) 電源管理芯(PMIC)串行檢測(cè)集線器(SPDHub)數(shù)據(jù)緩沖器(DB)溫度傳感器(TS)
溫度傳感器(TS) 數(shù)據(jù)緩沖器(DB)串行檢測(cè)集線器(SPDHub)電源管理芯片(PMIC)寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器(RCD).206.326.38.206.326.384.00200.210.070.442.111284
100%89%58%89%58%38%60%40%20%02021
2022
2028E
0%2021
2022
2028E資料來(lái)源:Yole, 資料來(lái)源:Yole,內(nèi)存接口芯片正處于高速增長(zhǎng)期,國(guó)內(nèi)廠商瀾起科技有望充分受益快速成長(zhǎng)。2016年開始,DDR4DDR5內(nèi)DDR4內(nèi)存技術(shù)的更新和替代。DDR5內(nèi)存接口芯片的競(jìng)爭(zhēng)格局與DDR4DDR5商瀾起科技、日本廠商瑞薩電子和美國(guó)廠商Rambus,瀾起在內(nèi)存接口芯片的市場(chǎng)份額保持穩(wěn)定。在配套芯片上,SPD和TS主要的兩家供應(yīng)商是瀾起科技和瑞薩電子;PMIC的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手更多,競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)更復(fù)雜。表2內(nèi)存接口芯片的發(fā)展演變情況內(nèi)存接口芯片世代 技術(shù)特點(diǎn) 主要廠商 研發(fā)時(shí)間跨度內(nèi)存接口芯片世代 技術(shù)特點(diǎn) 主要廠商 研發(fā)時(shí)間跨度Inphi、瀾起科技、IDT等DDR31.25V工作電壓,最I(lǐng)nphi、IDT、瀾起科技、Inphi、瀾起科技、IDT等DDR31.25V工作電壓,最I(lǐng)nphi、IDT、瀾起科技、Rambus、TI(德1866MT/s的運(yùn)行速率州儀器)等2008年-2014年
2004年-2008年1.2V工作電壓,最3200MT/s3200MT/s的運(yùn)行速率1.1V工作電壓,可DDR54800MT/s在此產(chǎn)品基礎(chǔ)上,繼續(xù)研發(fā)5600MT/s、6400MT/s等產(chǎn)品瀾起科技、瑞薩電子(原IDT、amb2017年至今
瀾起科技、IDT、Rambus 2013年-2017年資料來(lái)源:瀾起科技公司公告,IDM原廠主導(dǎo)NAND機(jī)遇存儲(chǔ)原廠主導(dǎo)全球eMMc及UFS市場(chǎng),國(guó)內(nèi)廠商占據(jù)第三方市場(chǎng)領(lǐng)先地位。嵌60%以上的份額,在嵌入式存儲(chǔ)領(lǐng)域,三星、SK海力士、鎧俠、西部數(shù)據(jù)和美光等原廠主要供應(yīng)手機(jī)、汽車、平板等市場(chǎng),而在智能電視、智能手表以及部分低端手機(jī)、部分國(guó)產(chǎn)汽車等市場(chǎng)由其他的存儲(chǔ)模組品牌廠來(lái)供應(yīng)。根據(jù)CFM閃存市場(chǎng)數(shù)據(jù),2021eMMcUFS市場(chǎng)中,SK海力士、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、40.7%、14.2%、、9.2%7.7%的市占率位列前五,CR583.3%,均為IDMeMMCUFS6.5%2.4%,68,占據(jù)第三方市場(chǎng)領(lǐng)先地位。圖202021年eMMC&UFS的供應(yīng)商市場(chǎng)占比(%)2.4%2.5%5.3%6.5%7.7%40.7%9.2%2.4%2.5%5.3%6.5%7.7%40.7%9.2%11.5%14.2%美光江波龍金士頓其他資料來(lái)源:CFM閃存市場(chǎng),全球固態(tài)硬盤出貨量穩(wěn)健增長(zhǎng),主要以消費(fèi)級(jí)為主。固態(tài)硬盤(SSD)固態(tài)電子存儲(chǔ)芯片陣列構(gòu)成的存儲(chǔ)設(shè)備,由控制單元和存儲(chǔ)單元組合而成,主要分為企業(yè)SSDSSDSSD主要用于數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器等高負(fù)載場(chǎng)景,具備高可SSD具備高速、穩(wěn)定、輕薄等特點(diǎn)。根據(jù)SSD2022290億美3.5220286704.72億塊,2022-202815%20223.52億塊SSD中,大5500SSD16%SSD84%。圖21全球固態(tài)硬盤出貨量及預(yù)測(cè)(百萬(wàn)塊) 圖222022年全球SSD出貨量占比情況(%)企業(yè)級(jí)SSD 消費(fèi)級(jí)SSD16%84%16%84%資料來(lái)源:Yole, 資料來(lái)源:Yole,全球第三方固態(tài)硬盤市場(chǎng)龍頭廠商為金士頓,國(guó)內(nèi)廠商合計(jì)占比達(dá)27%。根據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)顯示,202228%的市場(chǎng)份額位列第一,中國(guó)臺(tái)灣廠商威剛科技、創(chuàng)見、技嘉科技和臺(tái)電市占率分別為9%、3%、3%、3%,中國(guó)大陸廠商雷克沙(江波龍收購(gòu)、金泰克、朗科、七彩虹市占率分別為8%、8%、6%、5%27%,國(guó)內(nèi)廠商占據(jù)全球較高的市場(chǎng)份額。圖232022年全球SSD第三方模組廠市場(chǎng)占比(%)3資料來(lái)源:TrendForce,
金士頓雷克沙金泰克朗科24%28%%3%9%3%5%6%8%8%24%28%%3%9%3%5%6%8%8%創(chuàng)見其他NAND原廠占據(jù)SSD主控芯片主要地位,國(guó)內(nèi)廠商在第三方市場(chǎng)占有率逐步提升。根據(jù)CFM閃存市場(chǎng)數(shù)據(jù),2022年NAND原廠SSD1.946億顆,51.34%1.40637.11%,其余一些非NAND原廠得SSD主控芯片廠商(群聯(lián)股份等)出貨量預(yù)計(jì)0.438億顆,占比約。2022年全球第三方主控芯片市場(chǎng)市占率前三為慧榮科技、聯(lián)蕓科技、得一微,市場(chǎng)份額分56.34%、17.88%、11.73%SSD29.61%。圖242022年全球SSD主控芯片市占率(%) 圖252022年全球第三方SSD主控芯片市占率(%)11.55%37.11%51.34%14.22%11.73%56.17%17.88%原廠 第三方主控商 其他 慧榮科技 聯(lián)蕓科技 得一微 其他11.55%37.11%51.34%14.22%11.73%56.17%17.88%資料來(lái)源:CFM閃存市場(chǎng), 資料來(lái)源:CFM閃存市場(chǎng),公司介紹江波龍:國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的多品類存儲(chǔ)廠商,雙品牌輪驅(qū)動(dòng)成長(zhǎng)聚焦于存儲(chǔ)產(chǎn)品和應(yīng)用,收購(gòu)Lexar進(jìn)一步開拓海外市場(chǎng)。江波龍電子成立于1999FORESEE品牌并在存儲(chǔ)行業(yè)擁有良好的口FORESEEeMMC,SSD存儲(chǔ)產(chǎn)品。2017Lexar,Lexar199627年歷史的國(guó)際高端消費(fèi)類存儲(chǔ)品牌,業(yè)務(wù)涉及攝影、影音、高端移動(dòng)存儲(chǔ)場(chǎng)景領(lǐng)域,在存儲(chǔ)領(lǐng)域擁有全球化、全產(chǎn)品、全鏈路布局。根據(jù)Omdia數(shù)據(jù),2021年,Lexar存儲(chǔ)卡全球市場(chǎng)份額位列第二名,Lexar閃存盤全球市場(chǎng)份額位列第三名,根據(jù)TrendForce2021SSD模組企業(yè)自有品牌渠道市場(chǎng)出貨量排名,Lexar品牌出貨量位列該市場(chǎng)全球第四名。202285日,公司成功登陸深交SSDSSD圖26江波龍發(fā)展歷程資料來(lái)源:江波龍公司官網(wǎng),深耕存儲(chǔ)行業(yè)20余年,逐步完善產(chǎn)品布局。NANDFlash主控芯片定制,成功開UUDPSSDSDP,有效簡(jiǎn)化產(chǎn)品后端組裝工藝,實(shí)現(xiàn)規(guī)?;?、高品質(zhì)量產(chǎn),率先在行業(yè)中推廣應(yīng)用,為公司帶來(lái)業(yè)務(wù)規(guī)模和市場(chǎng)價(jià)值。eMMC存儲(chǔ)器,2019eMMC存儲(chǔ)器,在國(guó)產(chǎn)eMMC存儲(chǔ)器領(lǐng)域具有市場(chǎng)領(lǐng)先地位。2020eMMCAEC-Q100可靠性驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn)。圖27江波龍產(chǎn)品發(fā)展歷程資料來(lái)源:江波龍招股說明書,產(chǎn)品+品牌雙輪驅(qū)動(dòng),加快產(chǎn)業(yè)布局。FlashDRAM發(fā)、設(shè)計(jì)和銷售,提供消費(fèi)級(jí)、工規(guī)級(jí)、車規(guī)級(jí)存儲(chǔ)器以及行業(yè)存儲(chǔ)軟硬件應(yīng)用解決方案。公司面向消費(fèi)電子、工業(yè)、通信、汽車、安防、監(jiān)控等行業(yè)應(yīng)用市場(chǎng)和消費(fèi)者市場(chǎng),為客戶提供高性能、高品質(zhì)、創(chuàng)新領(lǐng)先的存儲(chǔ)芯片與產(chǎn)品。按產(chǎn)品劃分,公司目前擁有嵌入式存儲(chǔ)、固態(tài)硬盤、移動(dòng)存儲(chǔ)和內(nèi)存條四大產(chǎn)品線,按品牌劃分,公司已經(jīng)形成了面向工業(yè)市場(chǎng)B)FORESEE品牌產(chǎn)品矩陣及面向消費(fèi)者個(gè)人市場(chǎng)C)Lexar(雷克沙)品牌產(chǎn)品矩陣。圖28江波龍四大產(chǎn)品線 圖29江波龍兩大品牌產(chǎn)品矩陣資料來(lái)源:江波龍招股說明書, 資料來(lái)源:江波龍公司公告,收入持續(xù)穩(wěn)健增長(zhǎng),受行業(yè)景氣下行利潤(rùn)端短期下滑。收入端來(lái)看,公司營(yíng)業(yè)收201842.28202283.3018.48%。2022年,公司業(yè)績(jī)出現(xiàn)明顯下滑,一是受宏觀不利因素影響,全球經(jīng)濟(jì)下行風(fēng)險(xiǎn)加劇,市場(chǎng)需20212022年同比基數(shù)較高。利潤(rùn)端來(lái)看,2018-2021年,公司歸母凈利潤(rùn)保持高速增長(zhǎng),202110.13億元,2022年由于存儲(chǔ)芯片行業(yè)整體承壓公司利潤(rùn)出現(xiàn)下滑,較上92.81。圖302018-2023Q1-3江波龍營(yíng)收及增速(億元,%) 圖312018-2023Q1-3江波龍利潤(rùn)端情況(億元,%)97.4983.3097.4983.3072.7665.7957.2142.2810080604020
營(yíng)業(yè)收入(元) 增速(右軸
40123020 810 40-10 0-20-4-8
歸母凈利潤(rùn)億元) 增速(右軸)10.132.761.280.7340010.132.761.280.732000-200-600資料來(lái)源:, 資料來(lái)源:,盈利水平穩(wěn)健,費(fèi)用端管控良好。毛利率方面,2018-2021年,公司毛利率一直保持穩(wěn)定增長(zhǎng)趨勢(shì),2022年受宏觀環(huán)境影響,疊加消費(fèi)市場(chǎng)的低迷,毛利率有所波動(dòng),在原廠減產(chǎn)效應(yīng)以及宏觀經(jīng)濟(jì)修復(fù)的雙重驅(qū)動(dòng)之下,存儲(chǔ)市場(chǎng)有望在下半年進(jìn)入企穩(wěn)的階段,公司凈利率有望得到恢復(fù)。費(fèi)用端來(lái)看,隨著公司業(yè)務(wù)規(guī)模的不斷擴(kuò)大,人員數(shù)量有所增長(zhǎng),同時(shí)公司經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)逐年提升,人員績(jī)效薪酬相應(yīng)有所增長(zhǎng),從而使得銷售/管理費(fèi)率2022年有所增長(zhǎng),此外,公司一直持續(xù)加大研發(fā)投入,2022年公司研發(fā)費(fèi)用達(dá)到3.56億元,公司的研發(fā)投入更多集中于企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)產(chǎn)品、自研小容量存儲(chǔ)芯片等未來(lái)高增長(zhǎng)潛力的領(lǐng)域,這些新領(lǐng)域都還需要持續(xù)的技術(shù)投入和資源投入。圖322018-2023Q1-3江波龍毛利率情況(%) 圖332018-2023Q1-3江波龍費(fèi)用率情況(%)19.97%10.71%11.96%10.39%19.97%10.71%11.96%10.39%12.40%7.62%2.23%3.80%2.62%-1.38%0.87%2018 2019 2020 2021 20222023Q1-320%15%10%5%0%-5%-10%-15%-20%
毛利率(%) 凈利率(%)
銷售費(fèi)率(%) 管理費(fèi)率(%)研發(fā)費(fèi)率(%)6.08%研發(fā)費(fèi)率(%)6.08%4.27%3.02%3.31%1.86%1.57%6%4%2%0%2018 2019 2020 2021 20222023Q1-3資料來(lái)源:, 資料來(lái)源:,各項(xiàng)業(yè)務(wù)保持穩(wěn)定增長(zhǎng),嵌入式存儲(chǔ)營(yíng)收貢獻(xiàn)最大。從業(yè)務(wù)收入情況來(lái)看,公司各項(xiàng)業(yè)務(wù)整體上均保持穩(wěn)定增長(zhǎng)態(tài)勢(shì),公司主營(yíng)業(yè)務(wù)收入主要來(lái)源于嵌入式存儲(chǔ)、移動(dòng)存2020年新推出的產(chǎn)品,尚處于市場(chǎng)推廣期,收入貢獻(xiàn)較小,但增長(zhǎng)速度較快。嵌入式存儲(chǔ)和固態(tài)硬盤是公司重點(diǎn)產(chǎn)品,近年來(lái)銷售規(guī)模和占比呈逐年上升趨勢(shì),移動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)品主要包括U盤、存儲(chǔ)卡及個(gè)人便攜移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備等,收入規(guī)模較為穩(wěn)定,但隨著公司整體收入規(guī)模的增長(zhǎng),銷售占比顯著下降。圖342017-2022年江波龍營(yíng)收結(jié)構(gòu)(億元) 圖352022年江波龍業(yè)務(wù)占比情況(%)4.17,5%嵌入式存儲(chǔ)億元) 移動(dòng)存儲(chǔ)(嵌入式存儲(chǔ)億元) 移動(dòng)存儲(chǔ)(元)固態(tài)硬盤(元) 內(nèi)存條(億其他(億元)40 15.04,18%30
43.66,52%2020.38,25%1002017 2018 2020 2021 2022
嵌入式存儲(chǔ)億元) 移動(dòng)存儲(chǔ)(元固態(tài)硬盤(元) 內(nèi)存條(億)其他(億元)資料來(lái)源:, 資料來(lái)源:,公司主要關(guān)注要素:1)嵌入式存儲(chǔ)方面eMMC5.1UFS2.2LPDDR4、LPDDR4X之外,成規(guī)模送FORESEELPDDR5SLCNANDFlash存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品:512Mbit、1Gbit、2Gbit、4Gbit512MbSLCNANDFlash小容量存儲(chǔ)芯片。2)固態(tài)硬盤方面,持續(xù)拓展企業(yè)級(jí)和高端消費(fèi)級(jí)SSDSSDPCIeSSD最高可實(shí)現(xiàn)7,500MBps/6,500MBpsSSD550MBps/500MBps的讀/寫速度。3)移動(dòng)存儲(chǔ)方面,2TBCFexpress1TBMicroSD1900MB/s1700MB/sCFexpressnanoSIM卡同尺寸NMCard產(chǎn)品。4)內(nèi)存條方面DDR4DDR5系列規(guī)格,產(chǎn)4GB64GBDDR5RDIMM產(chǎn)品,不斷豐富公司RDIMM產(chǎn)品線。佰維存儲(chǔ):國(guó)內(nèi)嵌入式存儲(chǔ)龍頭,打造研發(fā)封測(cè)一體化研發(fā)封測(cè)一體化經(jīng)營(yíng)模式,有效保障產(chǎn)品創(chuàng)新及開發(fā)效率、產(chǎn)能及品質(zhì)。佰維存儲(chǔ)圍繞存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè),構(gòu)筑研發(fā)封測(cè)一體化的經(jīng)營(yíng)模式,在存儲(chǔ)介質(zhì)特性研究、固件算法開發(fā)、存儲(chǔ)芯片封裝、測(cè)試方案研發(fā)、全球品牌運(yùn)營(yíng)等方面具有核心競(jìng)爭(zhēng)力,并積極布局ICNANDFlash晶圓及芯片、DRAM晶圓及芯片、主控晶圓及芯片等主要原材料,對(duì)存儲(chǔ)介質(zhì)開展特性研究與匹配,通過固件/軟件/硬件和測(cè)試方案開發(fā)適配各類客戶典型應(yīng)用場(chǎng)景,并進(jìn)行IC封測(cè)或模組制造,將原材料生產(chǎn)成半導(dǎo)體存儲(chǔ)器產(chǎn)品,銷售給下游客戶。圖36佰維存儲(chǔ)產(chǎn)品經(jīng)營(yíng)模式資料來(lái)源:佰維存儲(chǔ)公司公告,行業(yè)整體下行,公司業(yè)績(jī)短期承壓。201812.75億202229.8623.71%,主要是受到全球宏觀經(jīng)濟(jì)環(huán)境、行業(yè)整體下行等因素的影響,市場(chǎng)需求下滑,產(chǎn)品銷售價(jià)格大幅下降。利潤(rùn)端,公司2018年-1.3620220.71億元,受行業(yè)周期性低迷的影響,手機(jī)、平板和PC等下游存儲(chǔ)客戶需求出現(xiàn)下降,公司業(yè)績(jī)出現(xiàn)波動(dòng)。在市場(chǎng)方面,通過積極開拓一線客戶,深挖細(xì)分市場(chǎng)需求,擴(kuò)大市場(chǎng)份額;在技術(shù)方面,持續(xù)深化研發(fā)封測(cè)一體化布局,提升技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力,增加產(chǎn)品附加值;在運(yùn)營(yíng)方面,通過精益管理來(lái)降低成本,提升經(jīng)營(yíng)效率,公司經(jīng)營(yíng)情況有望實(shí)現(xiàn)好轉(zhuǎn)。圖372018-2023Q1-3佰維存儲(chǔ)營(yíng)收情況(億元,%) 圖382018-2023Q1-3佰維存儲(chǔ)利潤(rùn)情況(億元,%)營(yíng)業(yè)收入(億元)增速(右軸)26.0929.86營(yíng)業(yè)收入(億元)增速(右軸)26.0929.8621.2212.7516.4211.7460 25040 40 130 02020 10 -10 -2-10 -30 -20
歸母凈利潤(rùn)億元) 增速(右軸)1.170.710.19 0.27-1.361.170.710.19 0.27-1.362000-200-400-600-4.84 -800資料來(lái)源:, 資料來(lái)源:,持續(xù)加大研發(fā)投入,盈利能力有望持續(xù)提升。毛利率方面,2022年以來(lái),受全球貿(mào)易關(guān)系持續(xù)緊張、國(guó)際局部地緣政治沖突升級(jí)、歐美高通貨膨脹等因素影響,消費(fèi)市場(chǎng)增長(zhǎng)乏力,市場(chǎng)需求疲軟,存儲(chǔ)市場(chǎng)供需關(guān)系惡化,產(chǎn)品單價(jià)下降,公司各類產(chǎn)品毛利率均呈現(xiàn)不同幅度的下降。費(fèi)用端數(shù)據(jù)來(lái)看,公司持續(xù)推動(dòng)客戶與渠道開拓,導(dǎo)致銷售費(fèi)用同比增加,此外,公司持續(xù)加大芯片設(shè)計(jì)、固件設(shè)計(jì)、新產(chǎn)品開發(fā)及先進(jìn)封測(cè)的研發(fā)投入力度,引進(jìn)行業(yè)優(yōu)秀人才,研發(fā)費(fèi)用逐年增加。圖392018-2023Q1-3佰維存儲(chǔ)毛利率情況(%) 圖402018-2023Q1-3佰維存儲(chǔ)費(fèi)用率情況(%)15.62%17.55%11.21%13.73%15.62%17.55%11.21%13.73%6.62%-3.48%2018 2019 2020 2021 20222023Q1-310%0%-10%
毛利率(%) 凈利率(%)
銷售費(fèi)率(%銷售費(fèi)率(%)研發(fā)費(fèi)率(%)管理費(fèi)率(%)7.14%4.03%4.76%3.87%4.10% 4.23%3.50%3.95%3.33%2.13%2.40% 2.35%8%6%4%-20%-30%
2%0%2018 2019 2020 2021 20222023Q1-3資料來(lái)源:, 資料來(lái)源:,深耕存儲(chǔ)芯片賽道,嵌入式、消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)產(chǎn)品筑牢基本盤。圍繞存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè),公司產(chǎn)品覆蓋嵌入式存儲(chǔ)、消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)、工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)以及先進(jìn)封測(cè)服務(wù)四大板塊,產(chǎn)品應(yīng)用于移動(dòng)智能終端、PC、行業(yè)終端、數(shù)據(jù)中心、智能汽車、移動(dòng)存儲(chǔ)等六大應(yīng)用領(lǐng)域。細(xì)分來(lái)看,公司嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品類型涵蓋ePOP、eMCP、eMMC、UFS、BGASSD、LPDDR等,廣泛應(yīng)用于手機(jī)、平板、智能穿戴、無(wú)人機(jī)等領(lǐng)域;消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)包括固態(tài)硬盤、內(nèi)存條和移動(dòng)存儲(chǔ)器產(chǎn)品,主要應(yīng)用于消費(fèi)電子領(lǐng)域;工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)包括工規(guī)級(jí)SSD、車載SSD及工業(yè)級(jí)內(nèi)存模組等,主要面向工業(yè)類細(xì)分市場(chǎng);公司以子公司惠州佰維作為先進(jìn)封測(cè)及存儲(chǔ)器制造基地,惠州佰維專精于存儲(chǔ)器封測(cè)及SiP封測(cè),目前主要服務(wù)于母公司的封測(cè)需求。從業(yè)務(wù)收入情況來(lái)看,公司各項(xiàng)業(yè)務(wù)整體上均保持穩(wěn)定增長(zhǎng)態(tài)勢(shì),其中嵌入式存儲(chǔ)和消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)模組占據(jù)主要份額,202272.9%、20.72%。圖412020-2023H1佰維存儲(chǔ)營(yíng)收結(jié)構(gòu)(億元) 圖422022年佰維存儲(chǔ)業(yè)務(wù)占比情況(%)2.37%3.23% 0.78%20.72%72.90%嵌入式存儲(chǔ)億元) 消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)組(億工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)組(億) 其他業(yè)務(wù)(元)2.37%3.23% 0.78%20.72%72.90%25 (2015
16.76
21.77107.785
5.80
7.55
5.40
嵌入式存儲(chǔ)(億元) 消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)模組(億元)02018 2019 2020 2021 2022 2023H1
工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)模組(億元)其他業(yè)務(wù)(億元)先進(jìn)封裝及測(cè)試(億元)資料來(lái)源:, 資料來(lái)源:,(5)公司主要關(guān)注要素:1)公司是行業(yè)少數(shù)的研發(fā)封測(cè)一體化存儲(chǔ)廠商。公司圍繞存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)鏈,構(gòu)筑了研發(fā)封測(cè)一體化的經(jīng)營(yíng)模式,在存儲(chǔ)介質(zhì)特性研究、固件算法開發(fā)、存儲(chǔ)芯片封測(cè)、測(cè)試研發(fā)、全球品牌運(yùn)營(yíng)等方面具有核心競(jìng)爭(zhēng)力,并積極布局芯片IC設(shè)計(jì)、先進(jìn)封測(cè)、芯片測(cè)試設(shè)備研發(fā)等技術(shù)領(lǐng)域,更好保障產(chǎn)品技術(shù)及開發(fā)、產(chǎn)品質(zhì)量、產(chǎn)能優(yōu)勢(shì)。2)與產(chǎn)業(yè)鏈廠商合作建立良好合作關(guān)系。公司與國(guó)際主流存儲(chǔ)晶圓原廠建立了長(zhǎng)達(dá)10余年的密切合作關(guān)系,與慧榮科技、聯(lián)蕓科技、英韌科技等行業(yè)內(nèi)主流主控芯片供應(yīng)商亦建立了長(zhǎng)期穩(wěn)定的合作關(guān)系,持續(xù)為下游客戶提供品質(zhì)穩(wěn)定、高性能的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器產(chǎn)品。3)完整的產(chǎn)品線矩陣,涵蓋NANDFlash和DRAM存儲(chǔ)器的各個(gè)主要類別。公司專精于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器領(lǐng)域,布局了嵌入式存儲(chǔ)(UFS、eMMC、LPDDR、eMCP、GASD等、固態(tài)硬盤(/Ie、內(nèi)存模組(SO-M、U-IMM、R-IMM存儲(chǔ)卡(SD卡、CF卡、CFast卡、CFexpress卡、NM卡)等,擁有完整的通用型存儲(chǔ)器產(chǎn)品線以滿足終端客戶對(duì)標(biāo)準(zhǔn)化、規(guī)?;鎯?chǔ)器產(chǎn)品的需求。,德明利:國(guó)內(nèi)SSD主控芯片龍頭,產(chǎn)品覆蓋全類型閃存深耕閃存芯片賽道,自主研發(fā)核心主控芯片。2008年,自成立以來(lái),一直專注于存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)、研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用,設(shè)立初期,公司主要從移動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)品銷售進(jìn)行市場(chǎng)切入;20152016年公司自主研發(fā)的首顆閃存主控芯片成功量產(chǎn),其后,公司持續(xù)投片并量產(chǎn)了多顆閃NANDFlash10余年的發(fā)展,2022年7月,公司成功在深交所主板上市。公司通過自主研發(fā)存儲(chǔ)器產(chǎn)品核心主控芯片,凝聚與上游存儲(chǔ)晶圓原廠的依存關(guān)系,從而形成國(guó)產(chǎn)自主可控的、符合市場(chǎng)需求的高性價(jià)比存儲(chǔ)產(chǎn)品。圖43德明利發(fā)展歷程資料來(lái)源:德明利公司官網(wǎng),聚焦閃存主控芯片+固件方案,建立完整的閃存產(chǎn)品矩陣。公司的主營(yíng)業(yè)務(wù)主要集中于閃存主控芯片設(shè)計(jì)、研發(fā),存儲(chǔ)模組產(chǎn)品應(yīng)用方案的開發(fā)、優(yōu)化,以及存儲(chǔ)模組產(chǎn)品的銷售,經(jīng)過多年積累逐漸形成自主可控的主控芯片與固件方案兩大核心技術(shù)平臺(tái),結(jié)合產(chǎn)品方案設(shè)計(jì)及量產(chǎn)工具開發(fā)、存儲(chǔ)模組測(cè)試等形成完善的存儲(chǔ)管理應(yīng)用方案,高效實(shí)現(xiàn)對(duì)NANDFlash存儲(chǔ)顆粒進(jìn)行數(shù)據(jù)管理和應(yīng)用性能提升。公司研發(fā)量產(chǎn)了多款存儲(chǔ)主控芯片,最終通過存儲(chǔ)模組產(chǎn)品形式實(shí)現(xiàn)銷售,下游領(lǐng)域涵蓋消費(fèi)電子、工控設(shè)備、家用電器、汽車電子、智能家居、物聯(lián)網(wǎng)、服務(wù)器及數(shù)據(jù)中心等。圖44德明利產(chǎn)品體系資料來(lái)源:德明利公司公告,營(yíng)收實(shí)現(xiàn)逆勢(shì)增長(zhǎng),利潤(rùn)端短期下滑。20187.5億202212.26%,2022年,在全球經(jīng)濟(jì)局勢(shì)動(dòng)蕩、通脹率提升、流動(dòng)性收緊和經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)乏力背景下,集成電路市場(chǎng)從芯片供不應(yīng)求到去庫(kù)存的下行周期,公司開始布局嵌入式存儲(chǔ)業(yè)務(wù),最終公司營(yíng)業(yè)收入實(shí)現(xiàn)逆勢(shì)增長(zhǎng)。利潤(rùn)端,公司歸母凈利潤(rùn)從2018年0.3億元增長(zhǎng)至2022年0.67億元,近五年復(fù)合增長(zhǎng)率為22.25%,公司持續(xù)加大技術(shù)研發(fā)和生產(chǎn)設(shè)備投入,受行業(yè)周期下行、存儲(chǔ)行業(yè)產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)走低等因素影響,2022年凈利潤(rùn)有所下滑。圖452018-2023Q1-3德明利營(yíng)收及增速(億元,%) 圖462018-2023Q1-3德明利利潤(rùn)端情況(億元,%)11.9110.809.767.508.356.46營(yíng)業(yè)收入(11.9110.809.767.508.356.46121086420
3001250200150 0100500 -1-50-2
歸母凈利潤(rùn)億元) 增速(右軸)0.980.770.670.300.370.980.770.670.300.37-1.113002001000-100-200-300資料來(lái)源:, 資料來(lái)源:,盈利能力穩(wěn)健,規(guī)模擴(kuò)張導(dǎo)致費(fèi)用有所上升。2018-2022年,公司一直保持良好的盈利水平,20222年主要由于下游消費(fèi)需求疲軟等影響,全球存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模開始出現(xiàn)下滑,NANDFlash存儲(chǔ)晶圓以及存儲(chǔ)模組市場(chǎng)短期價(jià)格下滑所致。費(fèi)用端數(shù)據(jù)來(lái)看,公司擴(kuò)大銷售團(tuán)隊(duì),銷售規(guī)模擴(kuò)大使得結(jié)轉(zhuǎn)的銷售成本增加,此外,公司持續(xù)加強(qiáng)技術(shù)與產(chǎn)品研發(fā)投入,保證公司產(chǎn)品的技術(shù)先進(jìn)性,20226692.82萬(wàn)元,同比增加萬(wàn)元,同比增幅達(dá)46.19%,2023年前三季度研發(fā)費(fèi)用占收入比重達(dá)6.91%。圖472018-2023Q1-3德明利毛利率情況(%) 圖482018-2023Q1-3德明利費(fèi)用率情況(%)30%20%10%0%-10%
毛利率(%) 凈利率(%)
銷售費(fèi)率(%) 管理費(fèi)率(%)研發(fā)費(fèi)率(研發(fā)費(fèi)率(%)6.91%5.74%5.62%4.66%4.24%3.12%4.79%3.66%4.15%3.82%2.61%2.83%2018 2019 2020 2021 20222023Q1-319.69%22.66%20.29%17.19%19.69%22.66%20.29%17.19%14.04%3.64%2018 2019 2020 2021 20222023Q1-3資料來(lái)源:, 資料來(lái)源:,業(yè)務(wù)覆蓋閃存產(chǎn)品全類型,各項(xiàng)業(yè)務(wù)均保持穩(wěn)健增長(zhǎng)。公司目前已經(jīng)建立了完善的閃存存儲(chǔ)產(chǎn)品矩陣,具體包括移動(dòng)存儲(chǔ)、固態(tài)硬盤、嵌入式及行業(yè)存儲(chǔ)三大產(chǎn)品線。在消費(fèi)級(jí)市場(chǎng),公司通過自研主控、自建測(cè)試與生產(chǎn)產(chǎn)線,形成具有較高性價(jià)比的標(biāo)準(zhǔn)化移動(dòng)存儲(chǔ)、固態(tài)硬盤存儲(chǔ)產(chǎn)品;在商規(guī)級(jí)、工規(guī)級(jí)、車規(guī)級(jí)與企業(yè)級(jí)應(yīng)用領(lǐng)域,公司聚焦場(chǎng)景需求,靈活、高效調(diào)整主控與固件方案,通過UDStore行業(yè)存儲(chǔ)產(chǎn)品線為客戶提供以嵌入式產(chǎn)品為主的高品質(zhì)、定制化的存儲(chǔ)解決方案服務(wù)。從業(yè)務(wù)收入情況來(lái)看,公司各項(xiàng)業(yè)務(wù)整體上均保持穩(wěn)定增長(zhǎng)態(tài)勢(shì),其中移動(dòng)存儲(chǔ)業(yè)務(wù)是公司收入的主要來(lái)源,2022年收入占比達(dá)到49.40%。圖492018-2021年德明利營(yíng)收結(jié)構(gòu)(億元) 圖502022年德明利業(yè)務(wù)占比情況(%)SSD套(億元) 晶圓封裝片億元)存儲(chǔ)晶圓銷(億元) 存儲(chǔ)卡模組SSD套(億元) 晶圓封裝片億元)存儲(chǔ)晶圓銷(億元) 存儲(chǔ)卡模組億元)存儲(chǔ)盤模組(億元) 固態(tài)硬盤模(億元0.070.1531.81%49.40%15.57%64202018 2019 2020
2021
移動(dòng)存(億元) 固態(tài)硬(億元)存儲(chǔ)晶及封裝(億元) 其他產(chǎn)(億元)主控(元) 嵌入式儲(chǔ)(億資料來(lái)源:, 資料來(lái)源:,公司主要關(guān)注要素:1)TW2985(SD6.0存儲(chǔ)卡主控芯片)進(jìn)入回片驗(yàn)證階段,驗(yàn)證通過后配合量產(chǎn)工具即可快速導(dǎo)入公司移動(dòng)存儲(chǔ)模組產(chǎn)品中,自SSD主控芯片)已完成網(wǎng)表開發(fā)和流片;2)公司多顆主控芯片立項(xiàng),芯片研發(fā)平臺(tái)及固件研發(fā)平臺(tái)加快建設(shè)與完善,自研主控積極量產(chǎn)與導(dǎo)入;3)設(shè)大浪測(cè)試中心,部分生產(chǎn)環(huán)節(jié)由自有產(chǎn)線承接完成,此外,公司租賃深圳市福田區(qū)八卦6號(hào)綜合廠房,用于建設(shè)智能制造(福田)存儲(chǔ)產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目。朗科科技:全球閃存盤發(fā)明者,乘風(fēng)數(shù)據(jù)中心建設(shè)公司背靠韶關(guān)國(guó)資委,有望充分受益“東數(shù)西算”工程。20215月,國(guó)家發(fā)展改革委、中央網(wǎng)信辦、工業(yè)和信息化部、國(guó)家能源局聯(lián)合印發(fā)《全國(guó)一體化大數(shù)據(jù)中心2022年2月,京津冀、長(zhǎng)三角、粵港澳大灣區(qū)、成渝、810個(gè)國(guó)家數(shù)據(jù)中心集群,依托8大算力樞紐和10大集群。東數(shù)西算戰(zhàn)略聚焦于算力和數(shù)據(jù)存儲(chǔ),預(yù)計(jì)到2025年,韶關(guān)數(shù)據(jù)中心集群將建成50萬(wàn)架標(biāo)準(zhǔn)機(jī)架、500萬(wàn)臺(tái)服務(wù)器規(guī)模,投資超500億元,工程的實(shí)施有望拉動(dòng)服務(wù)器數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的總體市場(chǎng)規(guī)模。公司背靠韶關(guān)國(guó)資委,積極參與韶關(guān)數(shù)據(jù)集群算力中心的建設(shè),SSD固態(tài)硬盤產(chǎn)品可應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心及服務(wù)器,有望進(jìn)一步打開增量空間。圖51東數(shù)西算8大樞紐主要承載業(yè)務(wù)類型 圖52東數(shù)西算戰(zhàn)略10大集群分布 資料來(lái)源:國(guó)家發(fā)展改革委, 資料來(lái)源:國(guó)際科技創(chuàng)新中心,收入整體保持穩(wěn)健增長(zhǎng)態(tài)勢(shì),受存儲(chǔ)行業(yè)景氣度下行公司利潤(rùn)短期下滑。收入端,公司營(yíng)業(yè)收入從20189.67億元增長(zhǎng)至2022年17.7216.35%,受全球經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)放緩,疊加國(guó)外地緣政治沖突、通貨膨脹等宏觀因素影響,下游市場(chǎng)需求明顯回落,存儲(chǔ)市場(chǎng)價(jià)格呈下降趨勢(shì),拉低了公司的營(yíng)收規(guī)模及盈利水平。利潤(rùn)端,公司201820220.6億元以上,2023年前三季度利潤(rùn)出現(xiàn)下滑,主要由于需求疲軟,國(guó)內(nèi)及海外市場(chǎng)均出現(xiàn)不同程度的消費(fèi)下滑。圖532018-2023Q1-3朗科科技營(yíng)收情況(億元,%) 圖542018-2023Q1-3朗科科技利潤(rùn)
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