低頻電子線路

<低頻電子線路>山東大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院劉志軍1/7/20241<低頻電子線路>回想上節(jié)課內(nèi)容雙極型晶體三極管雙極型晶體管的導(dǎo)電原理晶體管電流分配關(guān)系和放大晶體三極管的放大作用1/7/20242<低頻電子線路>本節(jié)課內(nèi)容雙極型晶體管的伏安特性曲線

三極管主要參數(shù)晶體管命名法1/7/20243<低頻電子線路>1.3.3雙極型晶體管的伏安特性曲線

BJT的伏安特性曲線是指其各極電壓與電流的關(guān)系。不同的放大器特性曲線內(nèi)容意義不同。1/7/20244<低頻電子線路>網(wǎng)絡(luò)端口特性將晶體管視為二端口網(wǎng)絡(luò)，那么特性曲線應(yīng)有兩組，即輸入端和輸出端的特性曲線。vBEvCEiBiC+－+－1/7/20245<低頻電子線路>①輸入特性曲線〔圖〕

iBvBE0vCE=01v1/7/20246<低頻電子線路>輸入特性曲線表達(dá)式1/7/20247<低頻電子線路>輸入特性曲線分析VCE增大時，曲線略有右移，到一定程度那么不再變化。這是管子的基調(diào)效應(yīng)。1/7/20248<低頻電子線路>②輸出特性曲線〔圖〕

Ic(mA)vCE(V)0擊穿區(qū)截止區(qū)飽和區(qū)任務(wù)區(qū)1/7/20249<低頻電子線路>輸出特性曲線表達(dá)式1/7/202410<低頻電子線路>輸出特性曲線分析有四個區(qū)飽和區(qū)任務(wù)區(qū)截止區(qū)擊穿區(qū)1/7/202411<低頻電子線路>飽和區(qū)eb結(jié)和cb結(jié)均為正偏。管子完全導(dǎo)通，其正向壓降很小。相當(dāng)一個開關(guān)“閉合〔Turnon〕〞。

1/7/202412<低頻電子線路>任務(wù)區(qū)eb結(jié)正偏，cb結(jié)反偏。這是管子的正常放大形狀。此時具有“恒流特性〞。

1/7/202413<低頻電子線路>截止區(qū)eb結(jié)和cb結(jié)均為反偏。管子不通，相當(dāng)于一個“開關(guān)〞翻開〔Turnoff〕。管子的cb結(jié)接受大的反向電壓。1/7/202414<低頻電子線路>擊穿區(qū)管子被反向電壓〔太大〕擊穿。管子的PN結(jié)特性破壞。

1/7/202415<低頻電子線路>留意厄利電壓〔基調(diào)效應(yīng)〕。截止區(qū)對應(yīng)iB=－ICBO曲線以下區(qū)域。iC電流增大，?略有增大。任務(wù)區(qū)的恒流特性和厄利電壓有關(guān)。

1/7/202416<低頻電子線路>1.3.4三極管主要參數(shù)

管子參數(shù)是衡量晶體管質(zhì)量好壞和選擇管子的主要根據(jù)。1/7/202417<低頻電子線路>1.

電流放大參數(shù)

電流放大參數(shù)用以衡量管子的放大性能。1/7/202418<低頻電子線路>①共基直流電流放大參數(shù)1/7/202419<低頻電子線路>共基交流電流放大參數(shù)1/7/202420<低頻電子線路>②共射直流電流放大參數(shù)

1/7/202421<低頻電子線路>共射交流電流放大參數(shù)1/7/202422<低頻電子線路>管子的?取值放大形狀普通取?=30~60。?太小的管子放大缺乏。?太大的管子任務(wù)不穩(wěn)定。1/7/202423<低頻電子線路>2.極間反向電流

極間反向電流是指管子各電極之間的反向漏電流參數(shù)。1/7/202424<低頻電子線路>①C、B間反向飽和漏電流

1/7/202425<低頻電子線路>②管子C、E間反向飽和漏電流1/7/202426<低頻電子線路>

管子反向飽和漏電流硅管比鍺管小。此值與本征激發(fā)有關(guān)。取決于溫度特性〔少子特性〕。

1/7/202427<低頻電子線路>3.極限參數(shù)運用時不應(yīng)超越管子的極限參數(shù)值。否那么運用時能夠損壞。

1/7/202428<低頻電子線路>①集電極最大允許電流

ICM留有一定的余量。ICM指β下降到額定值的2/3時的IC值。

1/7/202429<低頻電子線路>②集電極最大允許功耗PCM

＝擊穿區(qū)的功率損耗線〔見以下圖〕

1/7/202430<低頻電子線路>集電極最大允許功耗PCM〔圖〕

vCE0擊穿區(qū)iB1/7/202431<低頻電子線路>③反向擊穿電壓

1/7/202432<低頻電子線路>反向擊穿電壓另有VCEO＞VCER＞VCES1/7/202433<低頻電子線路>極限參數(shù)以上引見的三個極限參數(shù)PCMICMV〔BR〕CEO所限定的區(qū)域稱為晶體管平安任務(wù)區(qū)。1/7/202434<低頻電子線路>

§1.8晶體管命名法1、國產(chǎn)半導(dǎo)體分立元件規(guī)范〔國標(biāo)〕2、國產(chǎn)半導(dǎo)體集成電路規(guī)范〔國標(biāo)〕1/7/202435<低頻電子線路>1、國產(chǎn)半導(dǎo)體分立元件規(guī)范〔國標(biāo)〕

中國國家規(guī)范〔GB—249—74〕規(guī)定的中國半導(dǎo)體器件型號命名方法1/7/202436<低頻電子線路>中國半導(dǎo)體器件命名法第一部分：用數(shù)字表示器件的電極數(shù)目第二部分：用漢語拼音字母表示資料和極性第三部分：用漢語拼音字母表示器件的類型第四部分：用數(shù)字表示器件序號第五部分：用漢語拼音字母表示規(guī)格號1/7/202437<低頻電子線路>第一部分用數(shù)字表示器件的電極數(shù)目符號和意義2二極管3三極管1/7/202438<低頻電子線路>第二部分用漢語拼音字母表示資料和極性1/7/202439<低頻電子線路>第二部分〔二極管〕

AN型鍺資料BP型鍺資料CN型硅資料DP型硅資料1/7/202440<低頻電子線路>第二部分〔三極管〕APNP型鍺資料BNPN型鍺資料CPNP型硅資料DNPN型硅資料E化合物材料1/7/202441<低頻電子線路>第三部分用漢語拼音字母表示器件的類型P普通管V微波管W穩(wěn)壓管C參量管1/7/202442<低頻電子線路>第三部分用漢語拼音字母表示器件的類型Z整流管L整流堆S隧道管N阻尼管U光電器件K開關(guān)管1/7/202443<低頻電子線路>第三部分X低頻小功率管〔f<3MHz,Pc<1W〕G高頻小功率管〔f≥3MHz,Pc<1W〕D低頻大功率管〔f<3MHz,Pc≥1W〕A高頻大功率管〔f≥3MHz,Pc≥1W〕1/7/202444<低頻電子線路>第三部分T閘流管〔可控整流器〕Y體效應(yīng)器件B雪崩管J階躍恢復(fù)管CS場效應(yīng)管BT特殊器件FH復(fù)合管PINPIN型管JG激光器件1/7/202445<低頻電子線路>第三部分注：有些半導(dǎo)體器件〔如場效應(yīng)管、特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件等〕的型號第三部分只需其中的三、四、五部分1/7/202446<低頻電子線路>第四部分用數(shù)字表示器件序號1/7/202447<低頻電子線路>第五部分用漢語拼音字母表示規(guī)格號1/7/202448<低頻電子線路>示例鍺PNP型高頻小功率三極管3AG11C

規(guī)格號序號高頻小功率PNP型鍺資料三極管

1/7/202449<低頻電子線路>例如CS2B

規(guī)格號序號場效應(yīng)器件1/7/202450<低頻電子線路>日本半導(dǎo)體型號規(guī)范日本工業(yè)規(guī)范〔JIS-C-7012〕規(guī)定的日本半導(dǎo)體分立器件型號命名方法由五個根本部分組成，這五個根本部分的符號及意義見實驗講義。1/7/202451<低頻電子線路>例如

2SA495

JEIA登記號PNP高頻管JEIA注冊產(chǎn)品三極管1/7/202452<低頻電子線路>例如2SC502A

2SC502改良型JEIA登記號NPN高頻管JEIA注冊產(chǎn)品三極管1/7/202453<低頻電子線路>歐洲半導(dǎo)體器件型號命名法歐洲各國〔德國、法國、意大利、荷蘭等和匈牙利、羅馬尼亞、波蘭等國家〕，大都是用國際電子結(jié)合會的規(guī)范半導(dǎo)體分立器件型號命名法。這種命名法由四個根本部分組成，各部分的符號及意義見實驗講義。1/7/202454<低頻電子線路>例如

BTX64—200

最大反向峰值電壓200伏公用器件登記號大功率可控硅硅資料

1/7/202455<低頻電子線路>美國半導(dǎo)體型號命名方法美國電子工業(yè)協(xié)會(EIA)的半導(dǎo)體分立器件型號命名方法規(guī)定，半導(dǎo)體分立器件型號由五部分組成。第一部分為前綴，第五部分為后綴，中間三部分為型號的根本部分。這五部分的符號及其意義見實驗講義。1/7/202456<低頻電子線路>例如JAN2N3553登記號注冊標(biāo)志三極管軍用品1/7/202457<低頻電子線路>例如2N1050C2N1050的C檔EIA登記號EIA注冊標(biāo)志非軍用品1/7/202458<低頻電子線路>

2、國產(chǎn)半導(dǎo)體集成電路規(guī)范第一部分：用字母表示器件符號〔國標(biāo)〕

第二部分：用字母表示器件類型

第三部分：用阿拉伯?dāng)?shù)字表示器件系列和種類代號

第四部分：用字母表示器件的任務(wù)溫度范圍

第五部分：用字母表示器件的封裝

1/7/202459<低頻電子線路>

第一部分C〔中國制造〕1/7/202460<低頻電子線路>第二部分

用字母表示器件類型TTTLHHTLEECLCCMOS1/7/202461<低頻電子線路>第二部分〔續(xù)〕F線性放大器D音響電視電路W穩(wěn)壓器J接口電路B非線性電路M存儲器μ微機電路

1/7/202462<低頻電子線路>第三部分第三部分：用阿拉伯?dāng)?shù)字表示器件系列1/7/202463<低頻電子線路>第四部分用字母表示器件的任務(wù)溫度范圍C0～70oC

E－40～85oC

R－55～85oC

M－55～125oC

1/7/202464<低頻電子線路>第五部分

用字母表示器件的封裝W陶管扁平

B塑料扁平

F全密封扁平

D陶瓷直插

P塑料直插

J黑陶瓷直插

K金屬菱形

T金屬圓形------------

1/7/202465<低頻電子線路>實例CF0741CT線性通用運放0～70oC金屬圓形封裝1/7/202466<低頻電子線路>實例

CC14512MF

CMOS8選一數(shù)據(jù)選擇器－55～125oC

全密封扁平封裝

1/7/202467<低頻電子線路>歐洲集成電路型號命名法歐洲各國消費的集成電路絕大部分按歐洲電子聯(lián)盟規(guī)定命名。1/7/202468<低頻電子線路>歐洲集成電路型號根本規(guī)律型號由三部分組成。1/7/202469<低頻電子線路>第一部分由三個字母組成，第一個字母表示無線電類；第二個字母表示運用范圍，如表示0~70℃，表示—55~125℃，表示—25~70℃。第三個字符沒有特殊規(guī)定。1/7/202470<低頻電子線路>第二部分由阿拉伯?dāng)?shù)字組成，表示器件的序號及類型。1/7/202471<低頻電子線路>第三部分是尾標(biāo)，表示封裝方式。通常有兩種：一種是用一個字母表示。如：表示圓柱型；表示塑料雙列；表示陶瓷雙列；表示四列引線；表示扁平；表示芯片。另一種用兩個字母表示，第一個字母表示封裝方式，如表示柱行；表示雙列引線；表示功率雙列引線