低頻電子線路

<低頻電子線路>山東大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院劉志軍1/7/20241<低頻電子線路>回想上節(jié)課內(nèi)容雙極型晶體三極管雙極型晶體管的導(dǎo)電原理晶體管電流分配關(guān)系和放大晶體三極管的放大作用1/7/20242<低頻電子線路>本節(jié)課內(nèi)容雙極型晶體管的伏安特性曲線

三極管主要參數(shù)晶體管命名法1/7/20243<低頻電子線路>1.3.3雙極型晶體管的伏安特性曲線

BJT的伏安特性曲線是指其各極電壓與電流的關(guān)系。不同的放大器特性曲線內(nèi)容意義不同。1/7/20244<低頻電子線路>網(wǎng)絡(luò)端口特性將晶體管視為二端口網(wǎng)絡(luò)，那么特性曲線應(yīng)有兩組，即輸入端和輸出端的特性曲線。vBEvCEiBiC+－+－1/7/20245<低頻電子線路>①輸入特性曲線〔圖〕

iBvBE0vCE=01v1/7/20246<低頻電子線路>輸入特性曲線表達(dá)式1/7/20247<低頻電子線路>輸入特性曲線分析VCE增大時(shí)，曲線略有右移，到一定程度那么不再變化。這是管子的基調(diào)效應(yīng)。1/7/20248<低頻電子線路>②輸出特性曲線〔圖〕

Ic(mA)vCE(V)0擊穿區(qū)截止區(qū)飽和區(qū)任務(wù)區(qū)1/7/20249<低頻電子線路>輸出特性曲線表達(dá)式1/7/202410<低頻電子線路>輸出特性曲線分析有四個(gè)區(qū)飽和區(qū)任務(wù)區(qū)截止區(qū)擊穿區(qū)1/7/202411<低頻電子線路>飽和區(qū)eb結(jié)和cb結(jié)均為正偏。管子完全導(dǎo)通，其正向壓降很小。相當(dāng)一個(gè)開(kāi)關(guān)“閉合〔Turnon〕〞。

1/7/202412<低頻電子線路>任務(wù)區(qū)eb結(jié)正偏，cb結(jié)反偏。這是管子的正常放大形狀。此時(shí)具有“恒流特性〞。

1/7/202413<低頻電子線路>截止區(qū)eb結(jié)和cb結(jié)均為反偏。管子不通，相當(dāng)于一個(gè)“開(kāi)關(guān)〞翻開(kāi)〔Turnoff〕。管子的cb結(jié)接受大的反向電壓。1/7/202414<低頻電子線路>擊穿區(qū)管子被反向電壓〔太大〕擊穿。管子的PN結(jié)特性破壞。

1/7/202415<低頻電子線路>留意厄利電壓〔基調(diào)效應(yīng)〕。截止區(qū)對(duì)應(yīng)iB=－ICBO曲線以下區(qū)域。iC電流增大，?略有增大。任務(wù)區(qū)的恒流特性和厄利電壓有關(guān)。

1/7/202416<低頻電子線路>1.3.4三極管主要參數(shù)

管子參數(shù)是衡量晶體管質(zhì)量好壞和選擇管子的主要根據(jù)。1/7/202417<低頻電子線路>1.

電流放大參數(shù)

電流放大參數(shù)用以衡量管子的放大性能。1/7/202418<低頻電子線路>①共基直流電流放大參數(shù)1/7/202419<低頻電子線路>共基交流電流放大參數(shù)1/7/202420<低頻電子線路>②共射直流電流放大參數(shù)

1/7/202421<低頻電子線路>共射交流電流放大參數(shù)1/7/202422<低頻電子線路>管子的?取值放大形狀普通取?=30~60。?太小的管子放大缺乏。?太大的管子任務(wù)不穩(wěn)定。1/7/202423<低頻電子線路>2.極間反向電流

極間反向電流是指管子各電極之間的反向漏電流參數(shù)。1/7/202424<低頻電子線路>①C、B間反向飽和漏電流

1/7/202425<低頻電子線路>②管子C、E間反向飽和漏電流1/7/202426<低頻電子線路>

管子反向飽和漏電流硅管比鍺管小。此值與本征激發(fā)有關(guān)。取決于溫度特性〔少子特性〕。

1/7/202427<低頻電子線路>3.極限參數(shù)運(yùn)用時(shí)不應(yīng)超越管子的極限參數(shù)值。否那么運(yùn)用時(shí)能夠損壞。

1/7/202428<低頻電子線路>①集電極最大允許電流

ICM留有一定的余量。ICM指β下降到額定值的2/3時(shí)的IC值。

1/7/202429<低頻電子線路>②集電極最大允許功耗PCM

＝擊穿區(qū)的功率損耗線〔見(jiàn)以下圖〕

1/7/202430<低頻電子線路>集電極最大允許功耗PCM〔圖〕

vCE0擊穿區(qū)iB1/7/202431<低頻電子線路>③反向擊穿電壓

1/7/202432<低頻電子線路>反向擊穿電壓另有VCEO＞VCER＞VCES1/7/202433<低頻電子線路>極限參數(shù)以上引見(jiàn)的三個(gè)極限參數(shù)PCMICMV〔BR〕CEO所限定的區(qū)域稱(chēng)為晶體管平安任務(wù)區(qū)。1/7/202434<低頻電子線路>

§1.8晶體管命名法1、國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體分立元件規(guī)范〔國(guó)標(biāo)〕2、國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體集成電路規(guī)范〔國(guó)標(biāo)〕1/7/202435<低頻電子線路>1、國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體分立元件規(guī)范〔國(guó)標(biāo)〕

中國(guó)國(guó)家規(guī)范〔GB—249—74〕規(guī)定的中國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法1/7/202436<低頻電子線路>中國(guó)半導(dǎo)體器件命名法第一部分：用數(shù)字表示器件的電極數(shù)目第二部分：用漢語(yǔ)拼音字母表示資料和極性第三部分：用漢語(yǔ)拼音字母表示器件的類(lèi)型第四部分：用數(shù)字表示器件序號(hào)第五部分：用漢語(yǔ)拼音字母表示規(guī)格號(hào)1/7/202437<低頻電子線路>第一部分用數(shù)字表示器件的電極數(shù)目符號(hào)和意義2二極管3三極管1/7/202438<低頻電子線路>第二部分用漢語(yǔ)拼音字母表示資料和極性1/7/202439<低頻電子線路>第二部分〔二極管〕

AN型鍺資料BP型鍺資料CN型硅資料DP型硅資料1/7/202440<低頻電子線路>第二部分〔三極管〕APNP型鍺資料BNPN型鍺資料CPNP型硅資料DNPN型硅資料E化合物材料1/7/202441<低頻電子線路>第三部分用漢語(yǔ)拼音字母表示器件的類(lèi)型P普通管V微波管W穩(wěn)壓管C參量管1/7/202442<低頻電子線路>第三部分用漢語(yǔ)拼音字母表示器件的類(lèi)型Z整流管L整流堆S隧道管N阻尼管U光電器件K開(kāi)關(guān)管1/7/202443<低頻電子線路>第三部分X低頻小功率管〔f<3MHz,Pc<1W〕G高頻小功率管〔f≥3MHz,Pc<1W〕D低頻大功率管〔f<3MHz,Pc≥1W〕A高頻大功率管〔f≥3MHz,Pc≥1W〕1/7/202444<低頻電子線路>第三部分T閘流管〔可控整流器〕Y體效應(yīng)器件B雪崩管J階躍恢復(fù)管CS場(chǎng)效應(yīng)管BT特殊器件FH復(fù)合管PINPIN型管JG激光器件1/7/202445<低頻電子線路>第三部分注：有些半導(dǎo)體器件〔如場(chǎng)效應(yīng)管、特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件等〕的型號(hào)第三部分只需其中的三、四、五部分1/7/202446<低頻電子線路>第四部分用數(shù)字表示器件序號(hào)1/7/202447<低頻電子線路>第五部分用漢語(yǔ)拼音字母表示規(guī)格號(hào)1/7/202448<低頻電子線路>示例鍺PNP型高頻小功率三極管3AG11C

規(guī)格號(hào)序號(hào)高頻小功率PNP型鍺資料三極管

1/7/202449<低頻電子線路>例如CS2B

規(guī)格號(hào)序號(hào)場(chǎng)效應(yīng)器件1/7/202450<低頻電子線路>日本半導(dǎo)體型號(hào)規(guī)范日本工業(yè)規(guī)范〔JIS-C-7012〕規(guī)定的日本半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法由五個(gè)根本部分組成，這五個(gè)根本部分的符號(hào)及意義見(jiàn)實(shí)驗(yàn)講義。1/7/202451<低頻電子線路>例如

2SA495

JEIA登記號(hào)PNP高頻管JEIA注冊(cè)產(chǎn)品三極管1/7/202452<低頻電子線路>例如2SC502A

2SC502改良型JEIA登記號(hào)NPN高頻管JEIA注冊(cè)產(chǎn)品三極管1/7/202453<低頻電子線路>歐洲半導(dǎo)體器件型號(hào)命名法歐洲各國(guó)〔德國(guó)、法國(guó)、意大利、荷蘭等和匈牙利、羅馬尼亞、波蘭等國(guó)家〕，大都是用國(guó)際電子結(jié)合會(huì)的規(guī)范半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名法。這種命名法由四個(gè)根本部分組成，各部分的符號(hào)及意義見(jiàn)實(shí)驗(yàn)講義。1/7/202454<低頻電子線路>例如

BTX64—200

最大反向峰值電壓200伏公用器件登記號(hào)大功率可控硅硅資料

1/7/202455<低頻電子線路>美國(guó)半導(dǎo)體型號(hào)命名方法美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)(EIA)的半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法規(guī)定，半導(dǎo)體分立器件型號(hào)由五部分組成。第一部分為前綴，第五部分為后綴，中間三部分為型號(hào)的根本部分。這五部分的符號(hào)及其意義見(jiàn)實(shí)驗(yàn)講義。1/7/202456<低頻電子線路>例如JAN2N3553登記號(hào)注冊(cè)標(biāo)志三極管軍用品1/7/202457<低頻電子線路>例如2N1050C2N1050的C檔EIA登記號(hào)EIA注冊(cè)標(biāo)志非軍用品1/7/202458<低頻電子線路>

2、國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體集成電路規(guī)范第一部分：用字母表示器件符號(hào)〔國(guó)標(biāo)〕

第二部分：用字母表示器件類(lèi)型

第三部分：用阿拉伯?dāng)?shù)字表示器件系列和種類(lèi)代號(hào)

第四部分：用字母表示器件的任務(wù)溫度范圍

第五部分：用字母表示器件的封裝

1/7/202459<低頻電子線路>

第一部分C〔中國(guó)制造〕1/7/202460<低頻電子線路>第二部分

用字母表示器件類(lèi)型TTTLHHTLEECLCCMOS1/7/202461<低頻電子線路>第二部分〔續(xù)〕F線性放大器D音響電視電路W穩(wěn)壓器J接口電路B非線性電路M存儲(chǔ)器μ微機(jī)電路

1/7/202462<低頻電子線路>第三部分第三部分：用阿拉伯?dāng)?shù)字表示器件系列1/7/202463<低頻電子線路>第四部分用字母表示器件的任務(wù)溫度范圍C0～70oC

E－40～85oC

R－55～85oC

M－55～125oC

1/7/202464<低頻電子線路>第五部分

用字母表示器件的封裝W陶管扁平

B塑料扁平

F全密封扁平

D陶瓷直插

P塑料直插

J黑陶瓷直插

K金屬菱形

T金屬圓形------------

1/7/202465<低頻電子線路>實(shí)例CF0741CT線性通用運(yùn)放0～70oC金屬圓形封裝1/7/202466<低頻電子線路>實(shí)例

CC14512MF

CMOS8選一數(shù)據(jù)選擇器－55～125oC

全密封扁平封裝

1/7/202467<低頻電子線路>歐洲集成電路型號(hào)命名法歐洲各國(guó)消費(fèi)的集成電路絕大部分按歐洲電子聯(lián)盟規(guī)定命名。1/7/202468<低頻電子線路>歐洲集成電路型號(hào)根本規(guī)律型號(hào)由三部分組成。1/7/202469<低頻電子線路>第一部分由三個(gè)字母組成，第一個(gè)字母表示無(wú)線電類(lèi)；第二個(gè)字母表示運(yùn)用范圍，如表示0~70℃，表示—55~125℃，表示—25~70℃。第三個(gè)字符沒(méi)有特殊規(guī)定。1/7/202470<低頻電子線路>第二部分由阿拉伯?dāng)?shù)字組成，表示器件的序號(hào)及類(lèi)型。1/7/202471<低頻電子線路>第三部分是尾標(biāo)，表示封裝方式。通常有兩種：一種是用一個(gè)字母表示。如：表示圓柱型；表示塑料雙列；表示陶瓷雙列；表示四列引線；表示扁平；表示芯片。另一種用兩個(gè)字母表示，第一個(gè)字母表示封裝方式，如表示柱行；表示雙列引線；表示功率雙列引線