TFT-LCD制造技術-Array-工藝

ＴＦＴ－ＬＣＤ基礎知識培訓講座

1精選2021版課件第三章TFT-LCD制造技術第一節(jié)Array工藝第二節(jié)Cell工藝第三節(jié)Module工藝第四節(jié)清洗工藝2精選2021版課件總論:TFT-LCD的基本制造流程在玻璃基板上形成TFT電路、像素電極以及必要的引線和各種標記形成液晶盒，組建完整的光學系統(tǒng)組裝驅動電路和背光源，形成獨立的，標準外部接口的模塊3精選2021版課件

第一節(jié)Array工藝

1.1Sputter 1.2PECVD 1.3Photo 1.4Etch4精選2021版課件沉積清洗PR涂附曝光顯影刻蝕PR剝離檢查WetEtchDryEtchArray概論---Array工藝流程5精選2021版課件GlassGlassGateMetalDepositionGatePatterningSiNxDepositionia-SiDepositionn+a-SiDepositionActivePatterningDataMetalDepositionDataMetalPatterningn+a-SiEtchSiNxDepositionViaHolePatterningITODepositionPixelPatterningPixelDataPassivationSiNxn+a-Siia-SiGateinsulatorSiNxGateViaholeArray概論---5Mask工藝流程6精選2021版課件

1.1Sputter

1.1.1Plasma在Sputter中的應用

1.1.2Sputter設備的主要結構

1.1.3Sputter設備的真空系統(tǒng)1.1.4Sputter的測試標準及不良7精選2021版課件

Sputter和PECVD在Array的5Mask工藝中，共同承擔了各個Mask的第一步主要工序---成膜。

Sputter用于做金屬膜和ITO膜：Sputter概論S/DITOGateGLASSGATEMo)GLASSGATEITO8精選2021版課件

Plasma在電學上為通過放電而形成的陽離子和電子的集合。

Plasma就是所謂的第四種物質(zhì)狀態(tài),眾所周知,宇宙中99%都是Plasma狀態(tài),物質(zhì)中,Energy低的狀態(tài)為固態(tài),當接受Energy時,慢慢的變?yōu)橐后w,然后變成氣體,在氣體狀態(tài)下,接受更大的Energy形成陰陽離子總數(shù)相同并呈中性的Plasma狀態(tài)。固態(tài)液態(tài)氣態(tài)Plasma狀態(tài)轉化Entalpychange1.1.1Plasma在Sputter中的應用9精選2021版課件

Sputtering是通過RFPower或DCPower形成Plasma,具有高能量的GasIon撞擊Target表面,粒子從Target表面射出并貼附到基板表面的工程。1.1.1Plasma在Sputter中的應用10精選2021版課件我們使用的Sputter設備是利用相應的DCPower產(chǎn)生一個如左圖所示的Plasma區(qū)，并相應的產(chǎn)生一個下圖所示的自建電場。對這個電場，我們使用的是陰極一側壓降比較大的區(qū)域作為Plasma的加速區(qū)域。1.1.1Plasma在Sputter中的應用11精選2021版課件在真空室內(nèi)通入一定壓力的ArGas，根據(jù)已設定好的電場，在電場的作用下，電子被加速并使Ar原子ion化形成GlowDischarge。

Ion與Cathode(Target)碰撞生成TargetAtom、2次電子等產(chǎn)物，TargetAtom再沉積到基板上形成THINFILM，2次電子起到維持GlowDischarge的作用。在DCSputtering過程中通過適當調(diào)節(jié)真空室內(nèi)的氣體壓力（PressureControl）可得到理想條件下的最大濺射速率。如果ArGas的壓力過大會減小濺射速率，其原因是參與Sputter的原子的運動受到Gas運動阻礙的結果。相反壓力太低就不會形成Plasma輝光放電現(xiàn)象。1.1.1Plasma在Sputter中的應用12精選2021版課件1.1.2Sputter設備主要結構13精選2021版課件左圖所示就是Sputter設備的L/ULChamber，L/ULChamber是ATM與真空狀態(tài)的一個中介，在正常工作時，該Chamber一側一直處于真空狀態(tài)，一側一直處于大氣壓狀態(tài)，它的作用就是在這兩種狀態(tài)之間實現(xiàn)玻璃基板的傳送。在把Substrate從Cassette送入時，要從大氣壓變到真空狀態(tài)，在把Substrate從T0送出時，要從真空變到大氣壓狀態(tài)。同時L/ULChamber起到把玻璃基板進行預熱和冷卻的作用。1.1.2Sputter設備主要結構14精選2021版課件L/ULChamber的主要構成：HeatPlate：玻璃基板從Cassette進入設備后，首先要在這里進行預熱，預熱使用的是64個紅外燈。CoolingPlate：玻璃基板成膜后的溫度比較高，不可以直接進入低溫的ATM環(huán)境中，所以要進行冷卻。Motor：有可以使HeatPlate升降和使CoolingPlate的Pin升降的Motor。DoorValve:和TransferChamber及ATM之間都有DoorValve來實現(xiàn)ATM和真空的轉換。1.1.2Sputter設備主要結構15精選2021版課件

TransferChamber用于在設備內(nèi)部各個Chamber之間傳送Substrate。它里面有一個兩層的機械手，可以在x軸﹑θ軸和Z軸三個方向上進行運動。其作用就是把L/ULChamber中預熱好的玻璃基板運送到SputterChamber并把SputterChamber中已經(jīng)完成的玻璃基板送到L/ULChamber中。1.1.2Sputter設備主要結構16精選2021版課件TransferChamber的主要構成：機械手：搬送玻璃基板在各個Chamber之間移動的兩層的機械手。玻璃基板有無傳感器：在各個Chamber的入口處，都有一對可以感知玻璃基板邊緣的傳感器，可以感知玻璃基板的有無以及是否發(fā)生破碎。DoorValve:與各個Chamber之間都有一個DoorValve。1.1.2Sputter設備主要結構17精選2021版課件SputterChamber是Substrate最后進行Process的Chamber。1.1.2Sputter設備主要結構18精選2021版課件SputterChamber的主要構成有：放玻璃基板的Platen（Gate有兩個）Cathode（Gate有兩個）：包括Target、Mask、Shield、MagneticBar等構成部分。Motor:有Plate轉動的Motor、Plate升降的Motor、Cathode開關的Motor、MagneticBar運動的Motor等。DoorValve:與TransferChamber之間有DoorValve。1.1.2Sputter設備主要結構19精選2021版課件為了加快成膜的速度，在Target的后面使用MagneticBar，使等離子在該區(qū)域內(nèi)集中，從而加快成膜速度。G5使用的是連在一起的9個MagneticBar。1.1.2Sputter設備主要結構20精選2021版課件GlassTargetBackingPlate共同板MagneticBar

TM值對濺射的影響非常大，而隨著Target的使用，Target會變薄，從而使TM值變小，這就要求MagneticBar在Z方向有一個運動，使MagneticBar在Z軸的位置隨著Target的使用量而進行相應的調(diào)整，而且這個運動的規(guī)律也很重要，這些都可以在GPCS中的MagneticControlRecipe中可以實現(xiàn)。1.1.2Sputter設備主要結構21精選2021版課件Sputter設備的真空系統(tǒng)主要有以下構成部分：DryPump：是一種機械Pump，主要用于對Chamber及CryoPump抽初真空用，延長CryoPump的使用壽命。CryoPump：是一種低溫Pump，靠液氦的氣化來產(chǎn)生低溫，工作時的溫度可達到20K以下，使氣體凝固，達到高真空。Compressor：把He轉化為液態(tài)，提供給CryoPump使用，L/UL的兩個CP公用一個Compressor，其它每個CP一個。真空表：Sputter設備使用的真空表主要有四種，ATMSensor、PIG表、DG表、IG表，他們測量的真空度遞增。其它：各種閥門、管道等。1.1.3Sputter設備的真空系統(tǒng)22精選2021版課件S/Ddep后PI檢測1.1.4Sputter的測試標準及不良ITO沉積后particlesplash23精選2021版課件1.2PECVD

1.2.1PECVD在TFT-LCD生產(chǎn)中的作用

1.2.2PECVD工藝

1.2.3PECVD設備24精選2021版課件GlassGateSiNxa-Si:HSiNxS/DPVXOhmic多層膜(有源層)和PVX(保護層)1.2.1PECVD在TFT-LCD生產(chǎn)中的作用25精選2021版課件(一)CVD介紹1.CVD(ChemicalVaporDeposition)的定義一種利用化學反應方式,將反應物(氣體)生成固態(tài)的產(chǎn)物,并沉積在基片表面的薄膜沉積技術.如可生成:導體:W(鎢)等;半導體:Poly-Si(多晶硅),非晶硅等;絕緣體(介電材質(zhì)):SiO2,Si3N4等.

1.2.2PECVD工藝

PECVD(PlasmaEnhancedCVD)0.1~5.0Torr,200℃

~500℃

優(yōu)點是在低溫下可進行反應,成膜率高缺點是處理反應產(chǎn)物困難26精選2021版課件2.PECVD制膜的優(yōu)點及注意事項優(yōu)點：●均勻性和重復性好，可大面積成膜；●可在較低溫度下成膜；●臺階覆蓋優(yōu)良；●薄膜成分和厚度易于控制；●適用范圍廣，設備簡單，易于產(chǎn)業(yè)化；注意事項：●要求有較高的本底真空；●防止交叉污染；●原料氣體具有腐蝕性、可燃性、爆炸性、易燃性和毒性，應采取必要的防護措施。1.2.2PECVD工藝27精選2021版課件

RFPower:提供能量真空度(與壓力相關)

氣體的種類和混合比溫度

Plasma的密度(通過Spacing來調(diào)節(jié))3.PECVD主要工藝參數(shù)1.2.2PECVD工藝28精選2021版課件Layer名稱膜厚使用氣體描述Multig-SiNx:H3500±10%?SiH4+NH3+N2對Gate信號線進行保護和絕緣的作用g-SiNx:L500±10%?a-Si:L500±15%?SiH4+H2在TFT器件中起到開關作用a-Si:H1300±20%?n+a-Si500±20%?SiH4+PH3+H2減小a-Si層與S/D信號線的電阻PVXp-SiNx2500±10%?SiH4+NH3+N2對S/D信號線進行保護(二)PECVD所做各層膜概要1.2.2PECVD工藝29精選2021版課件2.幾種膜的性能要求(1)a-Si:H

低隙態(tài)密度、深能級雜質(zhì)少、高遷移率、暗態(tài)電阻率高(2)SiNxi.作為介質(zhì)層和絕緣層，介電常數(shù)適中，耐壓能力強，電阻率 高，固定電荷少，穩(wěn)定性好，含富氮材料，針孔少，厚度均勻。

ii.作為鈍化層，密度較高，針孔少。(3)n+a-Si

具有較高的電導率，較低的電導激活能，較高的參雜效率，形成微晶薄膜。1.2.2PECVD工藝30精選2021版課件1.Dep前P/TDep前P/T的辨別主要根據(jù)P/T的周圍有無Discolor,區(qū)分為在Gate和

S/D線上(A)和在像素區(qū)上(B)Spec:<=30ea/glassDep前Dep后2.Dep后P/T

一般Dep后P/T在清洗之后會去除

Spec:<=100ea/glass1.2.2PECVD工藝(三)工藝不良在Multi和PVX工程中的產(chǎn)品不良主要是P/T,Thickness不均勻,Etch后的Remain等,對工藝不良的分析與解決是生產(chǎn)中關鍵的一環(huán).

31精選2021版課件3.Wall性P/TWall性P/T為沉積產(chǎn)物落在基板上,Wall性P/T經(jīng)常會引起DGS或I/O等不良

Spec:<=5ea/glassWall性P/TBubble4.BubbleSiH4的流量不穩(wěn)時或a-Si/N+進行Redep時,Bubble容易產(chǎn)生

Bubble會引起PixelDefect,Bubble發(fā)生時對Glass進行Scrap處理

1.2.2PECVD工藝32精選2021版課件1.2.3PECVD設備

PECVD設備主要由主設備和輔助設備構成,它是立體布局,主設備和輔助設備不在同一層.33精選2021版課件(一)ACLS

ACLS(AutomaticCassetteLoadStation)是主要放置Cassette的地方.1.2.3PECVD設備

3個CassetteStageLaminarFlowHood：

Class10LightCurtain(紅外線)

設備狀態(tài)指示器

Atm機器手:34精選2021版課件真空狀態(tài)的設備內(nèi)部與外面的大氣壓間進行轉換的Chamber,通過Cassette向LoadlockCh.傳送時,首先使用N2氣使其由真空轉變?yōu)榇髿鈮?傳送結束后,使用Dry泵使其由大氣壓轉變?yōu)檎婵?而且對沉積完成的熱的Glass進行冷卻,為減少P/T(Particle)的產(chǎn)生,在進行抽真空/Vent時使用Slow方式(二)LoadlockChamber1.2.3PECVD設備基礎真空:500mTorr以下兩個LoadlockCh.公用一個

Pump

升降臺:由導軌和絲杠構成,通過直流步進電機進行驅動35精選2021版課件(三)X-FerChamber1.2.3PECVD設備X-FerChamber又稱TransferChamber,主要起傳輸?shù)淖饔没A真空:500mTorr以下

Slit閥(共7個)

真空機器手(VacuumRobot):

為3軸(R,T,Z)

各Chamber前有判斷基板有/無的Sensor(共7個)

36精選2021版課件(四)HeatChamber在HeatCh.中對Glass進行Preheating處理后傳送到ProcessChamber

基礎真空:500mTorr以下溫度控制:最大可加熱到400℃

由8個Shelf構成,并通過各Shelf對溫度進行控制,Shelf上的電阻是通過印刷方式完成的,均勻性要比電阻絲方式好

Body為不銹鋼1.2.3PECVD設備37精選2021版課件(五)ProcessChamber1.2.3PECVD設備GASINPlasmaGASOUTGlass~RFPower13.56MHzSiH4,NH3PH3等4EAGNDDiffuserSusceptor~38精選2021版課件(六)MainFrameControlRack設備的控制器

Electrical&Signal的分配

MainframeACPower的分配提供DC(±5V,±12V,±15V,±24V)電源

X-Fer,Heat,Loadlock,ACLS的VME控制器

1.2.3PECVD設備39精選2021版課件GASGASGasCabinet(Bottle)2次RegulatorChamberMFCManualValveBDACGasPanel有毒/危險氣體無毒/危險氣體SiH4(Silane)N2PH3(Phosphine)CDANH3(Ammonia)HeNF3H2ToxicRoom中央供給1次Regulator

Gas的種類(七)氣體供應系統(tǒng)氣體供應示意圖1.2.3PECVD設備40精選2021版課件

在成膜過程中,不僅會沉積到Glass上而且會沉積到Chamber的內(nèi)壁,因此需對Chamber進行定期的Dry清洗,否則會對沉積進行污染

PECVDP/Chamber內(nèi)部清洗使用DryCleaning方式,把從外面形成的F-

通入Chamber內(nèi)并通過F與Chamber內(nèi)的Film物質(zhì)反應使其由固體變成氣體.(八)RPSC系統(tǒng)1.2.3PECVD設備41精選2021版課件

DryClean的原理

DryClean主要采用RemoteClean方式進行清洗NF3→FF+Si,SiNx,SiO2,..SiF4(↑)+OtherGases(↑)PumpingOut--1.2.3PECVD設備42精選2021版課件CHAMBERThrottleValveDryPumpScrubberTrapFilterExhaustLineConvectronManometerVacuumValve(九)真空系統(tǒng)

真空系統(tǒng)示意圖1.2.3PECVD設備讀取Chamber內(nèi)的真空值

.Convectron(100mTorr~760Torr).Manometer(1mTorr~10Torr)

為防止Powder堵塞在Foreline處使用

HeatJacket,在Exhaustline使用

Filter/Trap.

被排出的氣體在Scrubber處進行處理43精選2021版課件(十)Utility的供給PECVD設備中使用的各種Utility如下:

工作氣體

SiH4,PH3,NH3,NF3,H2,N2(ProcessN2:99.999%),Ar

壓縮空氣(氣缸&電磁閥中使用)

CDA

(CleanDryAir)≥100psi

一般Purge用

GN2(GeneralN2:99.99%)

冷卻水

PCW

(ProcessCoolingWater:Min2.8kg/?,50slm,18℃~25℃)

DI

(De_IonizedWater:18℃~38℃)

電源

208VAC,500A,5線(3相,Neutral,接地)1.2.3PECVD設備44精選2021版課件1.3Photo 1.3.1光刻概述

1.3.2TRACK設備

1.3.3ALIGNER（曝光機）45精選2021版課件1.什么是光刻?Coat&ExposureDevelopmentGlassTFTPanel光刻就是以光刻膠為材料在玻璃基板表面形成TFTpattern，這個TFTpattern的作用就是保護在它下面的金屬或者其他的薄膜，使其在下一道刻蝕工序中不被刻蝕掉，從而最終形成我們所需要的TFTpattern。1.3.1光刻概述46精選2021版課件(1)涂膠Coater：將光刻膠通過涂膠這個步驟，均勻的涂在玻璃基板上。2.如何實現(xiàn)？Coat三個主要步驟：他們是涂膠Coater，曝光Exposure，顯影Development此過程通過Track機的COAT&ER單元來實現(xiàn)。1.3.1光刻概述47精選2021版課件(2)曝光ExposureExposuremask通過Mask的遮光作用，有選擇性的將光刻膠感光。此過程通過曝光機來實現(xiàn)。1.3.1光刻概述48精選2021版課件(3)顯影DevelopmentDEV此過程通過Track機的DEV單元來實現(xiàn)。通過化學作用將感光的光刻膠溶解去掉，將未感光的光刻膠固化。1.3.1光刻概述49精選2021版課件光刻具體的流程圖1.3.1光刻概述50精選2021版課件（1）光刻工序在整個陣列工序中起著承上啟下的作用，它和其他兩個陣列工序一樣，光刻工序使用5MASK工藝處理玻璃基板，具體的說，就是將最終要在玻璃基板上形成的TFTpattern分成GATE,ACTIVE,S/D,VIA,ITO（2）5個層，每次曝光形成一個層，最后疊加形成最終的TFTpattern。

Photo

Etching

ThinfilmTFT陣列基板玻璃基板5mask3.光刻與整個陣列的關系1.3.1光刻概述51精選2021版課件在PHOTO工序，除了曝光機以外的設備通稱為TRACK機，包括---清洗設備：AdvancedScrubber;涂膠設備：Coater&ER;顯影設備：Developer;烘烤設備：前烘SoftBake、后烘HardBake設備；冷卻Cooling設備等。1.3.2TRACK設備52精選2021版課件

Coater1.3.2TRACK設備53精選2021版課件

ER--Edgeremove1.3.2TRACK設備54精選2021版課件Exposure&Development1.3.2TRACK設備55精選2021版課件在PHOTO工序，除了曝光機以外的設備通稱為TRACK機，包括---清洗設備：AdvancedScrubber;涂膠設備：Coater&ER;顯影設備：Developer;烘烤設備：前烘SoftBake、后烘HardBake設備；冷卻Cooling設備等。1.3.2TRACK設備56精選2021版課件UV部分作用：用于除去玻璃基板表面的有機物質(zhì)原理：通過紫外光(UV)照射使O2電離生成O3，進而將有機物氧化關鍵點：紫外光的強度，均勻度，燈與玻璃基板的距離。1.3.2TRACK設備57精選2021版課件A.SCR部分和DHP烘烤及烘烤后冷卻設備A.SCR:涂膠前對玻璃基板進行的清洗。清洗方法：

Brush：除去大的particle.MegaSonic：超聲波清洗，除去較小particle.LineShower：噴出高壓DIW除去較小particle.TMAH：化學清洗，除去表面氧化物。DHP：A.SCR后使用，除去玻璃基板上的水份.

StepCoolExtension：對加熱的玻璃進行冷卻處理.

StepCool：對加熱過的玻璃進行冷卻處理.1.3.2TRACK設備58精選2021版課件Coater&ER部分Coater原理：在玻璃基板上以旋轉的方式涂上光刻膠，然后在ER部分將玻璃基板周圍的PR膠去除，以免滴落污染設備，光刻膠是見光后性質(zhì)就發(fā)生改變的物質(zhì)，曝光后再顯影便形成與MASK一樣的圖形（正性光刻膠）1.3.2TRACK設備59精選2021版課件SoftBake：CT&ER后使用，除去PR中的有機溶劑和水份。StepCoolExtension(NOTEMP.)：此處為玻璃基板的接送處，兼起冷卻作用。SoftBake及冷卻部分1.3.2TRACK設備60精選2021版課件Develop顯影和HardBake及冷卻部分Develop原理：曝光后，被光照射過的PR膠性質(zhì)發(fā)生變化而溶于顯影液。此處就是將已經(jīng)曝光的光刻膠溶解掉，使PR形成據(jù)有TFT形狀的薄膜。HardBake：除去PR中的水份并硬化PR。StepCoolExtension：將玻璃基板溫度冷卻至室溫。1.3.2TRACK設備61精選2021版課件曝光機的基本工作原理：曝光機的全稱是MIRRORPROJETIONMASKALIGNER(鏡像投影MASK對位儀)他的作用是對涂好光刻膠的玻璃基板進行曝光，他所采用的方式就是利用光刻膠的光敏性將MASK上的圖像格式投影到玻璃基板上.1.3.3ALIGNER（曝光機）62精選2021版課件1.3.3ALIGNER（曝光機）曝光機的原理63精選2021版課件C/DBOXLAMPHOUSE空調(diào)控制臺MASK儲存箱MASK傳送道Mainbody導光系統(tǒng)曝光機按功能可以劃分為以下幾部分：1.空調(diào)系統(tǒng)：負責保持整個曝光機內(nèi)部恒溫在22度左右。2.Console：控制臺，主要由一臺裝有

MPA5000控制軟件的工作站構成，它的作用是將人的指令程序輸入曝光機，并反饋機器運行狀況。3.Mainbody:集成maskstage和platestage,這里是進行曝光的地方。4.illuminationsystem:提供曝光光源,燈房,導光系統(tǒng)，光轉換系統(tǒng)。5.Mask儲存箱:儲備常用mask，A-I9

個.I一般為中轉用。6.C/Dbox:集成了電源以及主機的機電控制電路。7.Maskchanger:更換mask。曝光機結構概述：1.3.3ALIGNER（曝光機）64精選2021版課件現(xiàn)在的曝光機的工作方式是，SCAN方式，這兩種曝光機的工作方式如下圖所示：SCAN：SCAN工作方式的基本原理就是：使玻璃基板和MASK在一個光束下同時移動，光束掃描過的部分就算完成了曝光。光學系統(tǒng)光maskplate同步移動scan1.3.3ALIGNER（曝光機）65精選2021版課件maskMSplatePS光源系統(tǒng)aligner功能示意(動畫)1.3.3ALIGNER（曝光機）66精選2021版課件曝光光帶PS搭載glass進行曝光動畫演示1.3.3ALIGNER（曝光機）67精選2021版課件1.3.3ALIGNER（曝光機）五代線曝光機MPA78005510(W)×6091(L)×3349(H)

Weight:26970kg

68精選2021版課件1.4Etch

1.4.1干法刻蝕概述

1.4.2干法刻蝕應用的工序

1.4.3濕法刻蝕概要

1.4.4濕法剝離概要

69精選2021版課件1.4.1干法刻蝕概述Dry

Etch？

利用真空氣體和RFPower生成的GasPlasma反應產(chǎn)生原子和原子團，該原子和原子團與淀積在基板上的物質(zhì)反應生成揮發(fā)性物質(zhì)。利用該原理可進行干法刻蝕。CDBiasProfileSelectivityUniformityEtchRate

RequirementItemsofDryEtch70精選2021版課件

PlasmaEtch

利用通過Plasma形成的ReactiveIon和Radical進行Etch。1.4.1干法刻蝕概述71精選2021版課件

ReactiveIonEtch

由Plasma形成的Ion在下部電極電場的作用下，與下部電極沖撞進行刻蝕反應。1.4.1干法刻蝕概述72精選2021版課件

ActiveEtch

形成TFTCHANNEL的ActiveLayer（包括n+a-Si,a-Si)的刻蝕工序。

GlassGateG-SiNx:H(3500?)a-Si:H(1300?)G-SiNx:L(500?)n+a-Si(500?)a-Si:L(500?)DepositionMaskEtchStrip1.4.２干法刻蝕應用的工序73精選2021版課件

N+Etch

在TFT－LCD中形成Channel的Active層的N+層（500A）、a-Si層的刻蝕過程。N+EtchDepositionMaskEtchStripGlassGatea-Si:HS/DMo/Al/Mo(900/1100/700?)G-SiNx:H(3500?)G-SiNx:L(500?)a-Si:L(500?)n+a-Si(500?)1.4.２干法刻蝕應用的工序74精選2021版課件

VIAHoleEtch

刻蝕象素電極（ITO）和TFT連接部分及PAD部分的Gate、S/D間絕緣層的工序。

PVXDepMaskStripEtchGlassGateG-SiNxS/DP-SiNx(2500?)n+a-Sia-SiViahole1.4.２干法刻蝕應用的工序75精選2021版課件

VIAHoleEtch干法刻蝕方式

VIAHoleEtchTarget刻蝕深度：6000A過刻蝕率：70％1.4.２干法刻蝕應用的工序76精選2021版課件①PRMask后，利用化學藥劑去除薄膜形成Pattern,主要適于金屬膜或ITOPATTERN的形成。②有利于選擇比和大面積刻蝕的均勻度,生產(chǎn)性的提高,成本的降低。濕法刻蝕？1.4.３濕法刻蝕概要77精選2021版課件GATEETCHS/DETCHITOETCH1.4.３濕法刻蝕概要濕法刻蝕各工序刻蝕后圖形78精選2021版課件Etch中的各向同性:在各個方向上具有相同的刻蝕速率.Features擴大。WetEtch及部分PlasmaEthc屬于各向同性。SubstrateOxideOxideResi