室分合路干擾測(cè)試及解決方案課件

一、LTE無(wú)源器件原理及產(chǎn)品

二、電信/聯(lián)通LTE室分合路方案

三、存在問題排查測(cè)試及解決方案

室分合路干擾測(cè)試及解決方案一LTE無(wú)源器件原理及產(chǎn)品1、無(wú)源器件原理及產(chǎn)品室分合路干擾測(cè)試及解決方案一LTE無(wú)源器件原理及產(chǎn)品1、無(wú)源器件原理及產(chǎn)品

室內(nèi)分布系統(tǒng)建設(shè)

分常規(guī)集采與高性能類型，滿足不同場(chǎng)景需求工程無(wú)源器件多系統(tǒng)接入平臺(tái)定制射頻模塊網(wǎng)絡(luò)干擾優(yōu)化特殊需求OEM定制模塊

有源一體化模塊2G、3G、LTE多系統(tǒng)合路定制，有效，可靠系統(tǒng)合路器共天饋室分高效覆蓋

多頻、寬頻同步解決

多運(yùn)營(yíng)商“共建共享”室分合路干擾測(cè)試及解決方案1.1射頻器件原理_功分器功分器是將一路輸入信號(hào)能量分成兩路或多路輸出能量的器件；反過(guò)來(lái)將多路上行信號(hào)能量合成一路輸出；

室內(nèi)分布系統(tǒng)必不可少的等功率分配原件。

腔體功分器通過(guò)阻抗逐級(jí)變換實(shí)現(xiàn)功率分配

微帶功分器通過(guò)微帶線路對(duì)稱性實(shí)現(xiàn)平均分配一LTE無(wú)源器件原理及產(chǎn)品室分合路干擾測(cè)試及解決方案一LTE無(wú)源器件原理及產(chǎn)品1.1射頻器件原理_功分器室分合路干擾測(cè)試及解決方案一LTE無(wú)源器件原理及產(chǎn)品1.1射頻器件原理_功分器功分器測(cè)試圖室分合路干擾測(cè)試及解決方案1.2射頻器件原理_耦合器耦合器平行耦合線與主線靠近程度，耦合端口獲得不同的電平輸出的器件；

5、6、7、10、15、20、25、30、40dB等不同耦合度；

室內(nèi)分布系統(tǒng)必不可少的不等分功率原件。

IN耦合端OUT50

耦合線主線主通道

腔體耦合器通過(guò)調(diào)整耦合線與主線的靠近程度一LTE無(wú)源器件原理及產(chǎn)品室分合路干擾測(cè)試及解決方案1.2射頻器件原理_耦合器一LTE無(wú)源器件原理及產(chǎn)品室分合路干擾測(cè)試及解決方案1.2射頻器件原理_耦合器一LTE無(wú)源器件原理及產(chǎn)品耦合器測(cè)試圖室分合路干擾測(cè)試及解決方案1.3射頻器件原理_電橋電橋平行定向耦合器，耦合度為3dB四端口；

作為功率合成器使用時(shí)，兩路輸入信號(hào)接入互為隔離端口，而耦合輸出和直通輸出端口互易；

如作為兩路輸出，不考慮損耗，則輸入信號(hào)功率之和平分于兩輸出口。

腔體電橋特殊的四端口3dB耦合器一LTE無(wú)源器件原理及產(chǎn)品室分合路干擾測(cè)試及解決方案1.3射頻器件原理_電橋一LTE無(wú)源器件原理及產(chǎn)品室分合路干擾測(cè)試及解決方案1.3射頻器件原理_電橋一LTE無(wú)源器件原理及產(chǎn)品電橋測(cè)試圖同頻合路隔離23dB防止信號(hào)串?dāng)_；等幅等相信號(hào)疊加能量增大1倍，損耗=10*LOG102室分合路干擾測(cè)試及解決方案1.4射頻器件原理_濾波器濾波器能夠有效地對(duì)電磁信號(hào)進(jìn)行頻率選擇通過(guò)的裝置；讓通頻帶內(nèi)的電磁信號(hào)頻率選擇通過(guò)，阻止阻帶內(nèi)的電磁信號(hào)通過(guò)。入射反射傳輸類似光波通過(guò)透鏡

腔體濾波器諧振子的選頻功能一LTE無(wú)源器件原理及產(chǎn)品室分合路干擾測(cè)試及解決方案1.4射頻器件原理_濾波器濾波器主要有低通、高通、帶通和帶阻四類。

一LTE無(wú)源器件原理及產(chǎn)品室分合路干擾測(cè)試及解決方案1.4射頻器件原理_濾波器濾波器電氣性能指標(biāo)頻率范圍(MHz)1893-1910帶寬(MHz)17插入損耗(dB)常溫≤1.1極限溫度≤1.3回波損耗(dB)常溫≥20極限溫度≥18帶內(nèi)波動(dòng)(dB)≤0.5帶外抑制(dB)≥65@DC-1700MHz≥45@1800-1883MHz≥45@1920-2170MHz≥65@2200-3000MHz平均功率(W)200一LTE無(wú)源器件原理及產(chǎn)品室分合路干擾測(cè)試及解決方案1.5射頻器件原理_合路器合路器多個(gè)濾波器組成的多端口網(wǎng)絡(luò)單元；頻段合路器的電性能指標(biāo)和濾波器指標(biāo)基本相同；異頻合路，頻率間須有保護(hù)帶寬（防止同頻串?dāng)_沒有抑制比）；插損、波動(dòng)跟體積、成本、頻率間隔有相應(yīng)關(guān)系。濾波器1端口1端口n濾波器2公共端口濾波器n端口2

腔體合路器

多個(gè)系統(tǒng)通道濾波器組合一LTE無(wú)源器件原理及產(chǎn)品△=45MHz1830MHz1875MHz室分合路干擾測(cè)試及解決方案1.5射頻器件原理_合路器一LTE無(wú)源器件原理及產(chǎn)品并非所有的系統(tǒng)合路都能夠?qū)崿F(xiàn)比較高的隔離;頻率間隔一定的情況下,隔離度的指標(biāo)還取決于通帶帶寬;室分合路干擾測(cè)試及解決方案1.5射頻器件原理_合路器合路器電性能指標(biāo)頻率范圍(MHz)885~9601920~2170工作帶寬(MHz)75250插入損耗(dB)≤0.3≤0.3帶內(nèi)波動(dòng)(dB)≤0.2≤0.2帶外抑制(dB)≥80@CH2≥80@CH1端口隔離(dB)≥80@CH2≥80@CH1回波損耗(dB)≥20阻抗(Ω)50三階互調(diào)(dBc)≤-140@+43dBm×2接口類型N-F功率容量(W)200一LTE無(wú)源器件原理及產(chǎn)品室分合路干擾測(cè)試及解決方案1.5射頻器件原理_合路器一LTE無(wú)源器件原理及產(chǎn)品CM-BDW2-OD1合路器DW口測(cè)試圖CM-BDW2-OD1合路器CG口測(cè)試圖室分合路干擾測(cè)試及解決方案1.6射頻器件原理_POI前級(jí)寬頻合路2級(jí)寬頻合路超寬頻合路及功率分配123合路器1輸出合路器2合路器3合路器4合路器n.POI

由多級(jí)合路器組合而成；實(shí)現(xiàn)移動(dòng)、聯(lián)通、電信多系統(tǒng)接入共天饋系統(tǒng)覆蓋。一LTE無(wú)源器件原理及產(chǎn)品室分合路干擾測(cè)試及解決方案大型室內(nèi)分布系統(tǒng)高鐵地鐵共纜覆蓋1.6射頻器件原理_POI一LTE無(wú)源器件原理及產(chǎn)品室分合路干擾測(cè)試及解決方案指標(biāo)參考值關(guān)鍵性插入損耗5.5dB（兩路輸出）A2.0dB（一路輸出）帶內(nèi)波動(dòng)--B駐波比1.25A隔離度25dB（同系統(tǒng)）A90dB（異系統(tǒng)）三階互調(diào)-140dBcA混合互調(diào)-150dBcA功率容量200W/端口A注：頻率相隔較近（1MHz）以內(nèi)合路隔離度需要特殊考慮。1.6射頻器件原理_POI一LTE無(wú)源器件原理及產(chǎn)品室分合路干擾測(cè)試及解決方案室分承載話務(wù)增多，數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)增多，容量變大單系統(tǒng)變多系統(tǒng)，多網(wǎng)多系統(tǒng)合路網(wǎng)絡(luò)的重要組成部分室分系統(tǒng)發(fā)展迅速，是網(wǎng)絡(luò)的重要組成部分系統(tǒng)擴(kuò)容，室分系統(tǒng)承載的功率變大在原有的室分系統(tǒng)中進(jìn)行擴(kuò)容，超出器件所能承受的界限大部分室分系統(tǒng)建設(shè)年限較長(zhǎng)，較多設(shè)備已經(jīng)老化，指標(biāo)惡化嚴(yán)重，極大影響網(wǎng)絡(luò)KPI指標(biāo)部分原有的室分系統(tǒng)設(shè)備無(wú)法滿足要求，部分設(shè)備已經(jīng)老化設(shè)備性能系統(tǒng)擴(kuò)容GSMDCSFDD-LTETD-LTEWCDMA…擴(kuò)容升級(jí)網(wǎng)絡(luò)現(xiàn)狀一LTE無(wú)源器件原理及產(chǎn)品2、高性能無(wú)源器件應(yīng)用室分合路干擾測(cè)試及解決方案室分系統(tǒng)中無(wú)源器件主要包括3dB電橋、合路器、耦合器、功分器及負(fù)載等關(guān)鍵指標(biāo)含義理論分析涉及器件網(wǎng)絡(luò)質(zhì)量互調(diào)抑制互調(diào)產(chǎn)物的抑制能力，質(zhì)量控制的綜合體現(xiàn)互調(diào)信號(hào)落入上行頻段導(dǎo)致上行干擾全部干擾功率容量所能承受的最大輸入功率局部微放電，造成頻譜擴(kuò)張，寬帶干擾全部干擾隔離度任意端口有輸入時(shí)反應(yīng)到對(duì)方端口的該信號(hào)輸出衰減程度隔離度偏低會(huì)使信號(hào)通過(guò)合路器串入其它系統(tǒng)電橋合路器耦合器干擾插損接入而產(chǎn)生的功率損耗插損過(guò)大使功率損耗增大，影響覆蓋電平除負(fù)載外覆蓋駐波比輸出端口反射信號(hào)電壓與輸入信號(hào)電壓的比駐波比偏高使反射功率增大，影響覆蓋電平強(qiáng)度全部覆蓋帶內(nèi)波動(dòng)最大和最小電平差值覆蓋區(qū)域內(nèi)電平波動(dòng)程度功分器電橋合路器覆蓋一LTE無(wú)源器件原理及產(chǎn)品2、高性能無(wú)源器件應(yīng)用室分合路干擾測(cè)試及解決方案無(wú)源器件材質(zhì)工藝控制功率容量指標(biāo)控制無(wú)源互調(diào)指標(biāo)控制無(wú)源器件研究無(wú)源互調(diào)對(duì)網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)生直接的干擾影響，對(duì)無(wú)源互調(diào)從三階、五階進(jìn)行分別要求：

功率容量是網(wǎng)絡(luò)干擾的直接體現(xiàn)，對(duì)網(wǎng)絡(luò)的可靠性有直接影響，提出多載波測(cè)試要求；

材質(zhì)工藝要求是器件的生產(chǎn)源頭把控標(biāo)準(zhǔn)，也是對(duì)器件可靠運(yùn)行的重要參考標(biāo)準(zhǔn)要求。無(wú)源器件從互調(diào)、功率與材質(zhì)工藝等三方面進(jìn)行控制，用以提升網(wǎng)絡(luò)指標(biāo)一LTE無(wú)源器件原理及產(chǎn)品2、高性能無(wú)源器件應(yīng)用室分合路干擾測(cè)試及解決方案無(wú)源互調(diào)對(duì)網(wǎng)絡(luò)指標(biāo)的影響三階互調(diào)（dBc）干擾電平值（dBm）五階互調(diào)（dBc）干擾電平值（dBm）-120-77-135-92-140-97-155-112-150-107-165-122室分器件只要為反射互調(diào)干擾，干擾信號(hào)直接落入上行通帶，無(wú)法通過(guò)濾波器進(jìn)行抑制，對(duì)網(wǎng)絡(luò)干擾產(chǎn)生直接的影響，干擾電平值隨輸入功率變化而變化載波數(shù)較多的場(chǎng)景中，將出現(xiàn)群互調(diào)干擾，連續(xù)多個(gè)頻點(diǎn)將受到干擾一LTE無(wú)源器件原理及產(chǎn)品2、高性能無(wú)源器件應(yīng)用室分合路干擾測(cè)試及解決方案功率容量表現(xiàn)為輸入信號(hào)超出器件承受值后，會(huì)產(chǎn)生上行寬頻的脈沖噪聲（飛弧噪聲），對(duì)系統(tǒng)產(chǎn)生寬帶的上行干擾，嚴(yán)重情況下器件直接打火燒壞輸入信號(hào)的平均功率超出器件平均功率容量，將提升網(wǎng)絡(luò)底噪，產(chǎn)生上行干擾輸入信號(hào)峰值功率超出器件峰值功率容量：嚴(yán)重情況易發(fā)生器件大火擊穿導(dǎo)致?lián)p壞長(zhǎng)期高負(fù)荷運(yùn)行易產(chǎn)生上行干擾平均功率容量峰值功率容量無(wú)源器件平均功率峰值功率輸入信號(hào)均值瞬時(shí)值峰均比功率

平均功率指信號(hào)持續(xù)不斷加到器件上的功率，它引起器件發(fā)熱，導(dǎo)致器件老化、變形等損壞

峰值功率指由于多載波工作時(shí)，產(chǎn)生極高的瞬間電磁場(chǎng)導(dǎo)致電壓飛弧現(xiàn)象，使器件損壞

平均功率容量和峰值功率容量指不產(chǎn)生上述損壞所容許通過(guò)的功率，對(duì)器件功率容量的要求分平均功率和峰值功率一LTE無(wú)源器件原理及產(chǎn)品2、高性能無(wú)源器件應(yīng)用室分合路干擾測(cè)試及解決方案功率容量對(duì)網(wǎng)絡(luò)指標(biāo)的影響載波數(shù)量增多，峰值功率變大，器件燒壞的幾率上升：器件打火擊穿導(dǎo)致?lián)p壞網(wǎng)絡(luò)駐波告警，通信中斷多載波大功率輸入，導(dǎo)致上行頻段“飛弧干擾”現(xiàn)象產(chǎn)生：隨話務(wù)的增大，信源載頻發(fā)射增多，總功率變大，干擾越嚴(yán)重對(duì)上行頻段所有載頻產(chǎn)生直接影響重點(diǎn)解決基站發(fā)射載頻、制式越來(lái)越多，器件的功率容量要求嚴(yán)峻功率容量一LTE無(wú)源器件原理及產(chǎn)品2、高性能無(wú)源器件應(yīng)用室分合路干擾測(cè)試及解決方案無(wú)源器件功率容量指標(biāo)控制現(xiàn)網(wǎng)信源BTS均是多載頻配置的，通過(guò)實(shí)驗(yàn)?zāi)M四個(gè)EDGE載頻50W總功率200W發(fā)射，更結(jié)合現(xiàn)網(wǎng)實(shí)際需求；

提高產(chǎn)品出廠多載波大功率容量測(cè)試實(shí)驗(yàn)要求，從源頭提高出廠產(chǎn)品性能，通過(guò)多載波大功率容量測(cè)試，更能摸清到貨產(chǎn)品的性能優(yōu)異。合路器設(shè)計(jì)單端口功率容限需要200W甚至300w，器件承受功率容限,防止打火。一LTE無(wú)源器件原理及產(chǎn)品2、高性能無(wú)源器件應(yīng)用室分合路干擾測(cè)試及解決方案高性能無(wú)源器件材質(zhì)工藝控制接頭：外導(dǎo)體材質(zhì)要求黃銅，鍍?nèi)辖穑瑑?nèi)導(dǎo)體錫青銅，鍍銀

內(nèi)導(dǎo)體：材質(zhì)黃銅，鍍銀（銅5銀3）

腔體：材質(zhì)鋁材，鍍銀（銅5銀3）

氣密性及防泄漏要求研究質(zhì)差器件的排查定位方法普通器件一LTE無(wú)源器件原理及產(chǎn)品2、高性能無(wú)源器件應(yīng)用室分合路干擾測(cè)試及解決方案普通無(wú)源器件接頭外導(dǎo)體多采用鋅合金，內(nèi)導(dǎo)體采用黃銅材質(zhì)；

鋅合金外導(dǎo)體價(jià)格低，易脆易變形，易受氧化；黃銅內(nèi)導(dǎo)體膨脹性較低，多次連接易失效，互調(diào)性能較差。接頭是無(wú)源器件與饋線進(jìn)行連接的部件，其優(yōu)劣對(duì)互調(diào)性能有直接影響高性能無(wú)源器件：外導(dǎo)體材質(zhì)黃銅，鍍?nèi)辖?，?nèi)導(dǎo)體錫青銅，鍍銀；黃銅外導(dǎo)體材質(zhì)較硬，可多次進(jìn)行與饋線連接，不變形，指標(biāo)不受影響；內(nèi)導(dǎo)體錫青銅延展性優(yōu)，可靠性高，表面鍍銀互調(diào)指標(biāo)更有保證。

鋅合金接頭表面暗淡，黃銅內(nèi)導(dǎo)體延展性低易受氧化，可靠性低優(yōu)選較差一LTE無(wú)源器件原理及產(chǎn)品2、高性能無(wú)源器件應(yīng)用室分合路干擾測(cè)試及解決方案高性能無(wú)源器件內(nèi)導(dǎo)體：高可靠性腔體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方案；內(nèi)導(dǎo)體材質(zhì)選銅材，表面鍍銀處理；

普通器件多采用微帶方式內(nèi)導(dǎo)體以降低實(shí)現(xiàn)成本，微帶內(nèi)導(dǎo)體功率容量承受低，可靠性差內(nèi)導(dǎo)體是無(wú)源器件內(nèi)部信號(hào)傳輸?shù)慕橘|(zhì)，是器件的重要組成部分

腔體方式普通器件內(nèi)導(dǎo)體選材差（鋼），表面也不做鍍銀工藝處理較差一般優(yōu)選腔體內(nèi)導(dǎo)體設(shè)計(jì)優(yōu)選微帶方案性能較差選材差，處理工藝水平低一LTE無(wú)源器件原理及產(chǎn)品2、高性能無(wú)源器件應(yīng)用室分合路干擾測(cè)試及解決方案

普通器件腔體加工粗糙，表面無(wú)任何電鍍處理，發(fā)黑，性能指標(biāo)差；

削切鋼耦合器腔體成本低廉，可靠性更低。腔體是無(wú)源器件實(shí)現(xiàn)屏蔽外部信號(hào)入侵，內(nèi)部信號(hào)外泄的部件

腔體光滑明亮，無(wú)間隙，信號(hào)傳輸損耗極低，互調(diào)性能指標(biāo)優(yōu)秀，承受功率高。

高性能器件選用行業(yè)優(yōu)質(zhì)鋁材精密加工，表面采用先鍍銅后鍍銀處理工藝。優(yōu)選較差一般加工精度低表面無(wú)電鍍，發(fā)黑削切鋼腔體，成本低廉性能差，可靠性低一LTE無(wú)源器件原理及產(chǎn)品2、高性能無(wú)源器件應(yīng)用室分合路干擾測(cè)試及解決方案高/普通性能無(wú)源器件成本對(duì)比分析電氣性能指標(biāo)對(duì)比材質(zhì)分析對(duì)比功率容量與三階互調(diào)問題為重要影響因素高性能器件普通器件功率容量500/300W200W三階互調(diào)-140dBc-120dBc高性能器件普通器件接頭外導(dǎo)體銅材/內(nèi)導(dǎo)體錫磷青銅外導(dǎo)體鋅合金/內(nèi)導(dǎo)體黃銅腔體鋁材/鍍銀鋁材/導(dǎo)電氧化內(nèi)導(dǎo)體銅材/鍍銀鋁材/導(dǎo)電氧化整體結(jié)構(gòu)氣密性高、屏蔽性好普通結(jié)構(gòu)指標(biāo)要求提高，產(chǎn)品報(bào)廢率高；材質(zhì)工藝要求提升，對(duì)應(yīng)實(shí)現(xiàn)成本提高；高性能器件相比對(duì)普通器件采購(gòu)成本有一定幅度增加!結(jié)論優(yōu)選一LTE無(wú)源器件原理及產(chǎn)品2、高性能無(wú)源器件應(yīng)用室分合路干擾測(cè)試及解決方案“單系統(tǒng)總功率≥43dBm”應(yīng)用DIN型高性能器件，主要用在靠近信源位置一級(jí)主干；“33dBm≤單系統(tǒng)總功率≤43dBm”應(yīng)用N型高性能器件，用在靠近信源位置二級(jí)主干；“單系統(tǒng)總功率≤33dBm”節(jié)點(diǎn)靠近室分天線位置三級(jí)分支干線用普通集采器件。一LTE無(wú)源器件原理及產(chǎn)品2、高性能無(wú)源器件應(yīng)用通信制式CCDF0.01%典型平均功率峰值功率GSM1.1620W23WEDGE3.3420W67WCDMA1X1載波9.720W194WCDMA1X6載波12.6680W1013WEVDO1載波9.720W194WEVDO3載波10.860W648WWCDMA1載波10.120W202WWCDMA3載波11.9460W716WLTE(8*8)920W180W以C+G+D+W為例Pmax超過(guò)1500W，現(xiàn)有測(cè)試儀器最大功率也為1500W室分合路干擾測(cè)試及解決方案

一、LTE無(wú)源器件原理及產(chǎn)品

二、電信/聯(lián)通LTE室分合路方案

三、存在問題排查測(cè)試及解決方案

室分合路干擾測(cè)試及解決方案二

LTE室分合路方案運(yùn)營(yíng)商2G/3G頻段（MHz）LTE頻段（MHz）GSM900：909-915/954-960DCS：1735-1740/1830-1840WCDMA：1940-1980/2130-2170LTE1800：1745-1765/1840-1860LTE2300：2300-2320LTE2600：2555-2575CDMA800：825-835/870-880CDMA2000：1920-1940/2110-2130LTE1800：1765-1780/1860-1875LTE2300：2370-2390LTE2600：2635-2655運(yùn)營(yíng)商移動(dòng)系統(tǒng)頻率規(guī)劃緊張，部分系統(tǒng)頻點(diǎn)重合；系統(tǒng)合路隔離度需滿足，系統(tǒng)互調(diào)需估算；T-CDMA和U-GSM端口分開；U-DCS和U-LTE1.8合并端口，后續(xù)采用雙模方式開通DCS及LTE；WCDMA頻寬加寬，方便聯(lián)通可能的多載波擴(kuò)容。室分合路系統(tǒng)頻率分析室分合路干擾測(cè)試及解決方案電信聯(lián)通系統(tǒng)合路方式1_分級(jí)合路同時(shí)考慮電信LTE1.8、LTE2.1功率損耗二

LTE室分合路方案利用原有庫(kù)存產(chǎn)品，增加安裝套件，快速擴(kuò)容布署LTE網(wǎng)絡(luò)，解決安裝、運(yùn)維問題，操作性強(qiáng);一路輸出C、G網(wǎng)功率不變；L、W因單路輸出功率損耗增加3dB；電橋分配損耗3.5dB，兩路輸出；合路器損耗0.5dB，合路總損耗4.5dB；原網(wǎng)合路損耗，兩路輸出實(shí)際上功率損耗相當(dāng)室分合路干擾測(cè)試及解決方案電信聯(lián)通系統(tǒng)合路方式2_單獨(dú)考慮電信LTE1.8、LTE2.1共建電信CDMA、LTE，聯(lián)通GSM、DCS、LTE、WCDMA多系統(tǒng)合路，常規(guī)合路器引來(lái)干擾難實(shí)現(xiàn)；需要退頻5M通過(guò)多級(jí)合路器進(jìn)行多級(jí)合路實(shí)現(xiàn)；要求合路單元插入損耗低、隔離度高、接入無(wú)干擾。電信LTE2.1合路單元：二

LTE室分合路方案電信LTE1.8室分合路干擾測(cè)試及解決方案多系統(tǒng)合路擴(kuò)容單元_原來(lái)POI基礎(chǔ)上擴(kuò)容LTE1.8頻率損耗二

LTE室分合路方案利用原有POI輸出實(shí)現(xiàn)快速擴(kuò)容，應(yīng)用于機(jī)場(chǎng)、地鐵、會(huì)展中心等大型室分合路損耗1.5dB，兩路輸出損耗5dB項(xiàng)目指標(biāo)插入損耗PORT1→ANT＜1.5dBLTE1800→ANT＜1.5dB帶外抑制LTE1800≥90dB@806-960MHz≥30dB@1710-1765MHz≥30dB@1805-1855MHz≥65dB@1880-1900MHz≥80dB@1900-2170MHz≥90dB@2300-2690MHz隔離度（POI/LTE）≥90dB@806-960MHz≥30dB@1710-1765MHz≥30dB@1805-1855MHz≥65dB@1880-1900MHz≥80dB@1900-2170MHz≥90dB@2300-2690MHz≥30dB@1755-1775MHz≥30dB@1850-1870MHz功率容量200W輸入駐波比＜1.3互調(diào)抑制(2×43dBm)≤-143dBc室分合路干擾測(cè)試及解決方案電信聯(lián)通系統(tǒng)合路方式3_各退2.5M同時(shí)考慮電信LTE1.8、LTE2.1頻率腔體犧牲2.5M頻率，插損小，影響容量陶瓷介質(zhì)1M外大于30dB頻率資源不可再生退頻方案不可取損耗合路器損耗1.5dB，造價(jià)便宜陶瓷介質(zhì)1.6dB，造價(jià)=2*POI價(jià)格二

LTE室分合路方案室分合路干擾測(cè)試及解決方案電信聯(lián)通系統(tǒng)合路方式4_POI同時(shí)考慮電信LTE1.8、LTE2.1造價(jià)POI實(shí)現(xiàn)原理跟合路器組合產(chǎn)品相當(dāng)訂單定制產(chǎn)品數(shù)量級(jí)少，價(jià)格比合路器組合高50%損耗電橋分配損耗3.5dB，兩路輸出合路器損耗0.8dB二

LTE室分合路方案室分合路干擾測(cè)試及解決方案4種擴(kuò)容方案比較二

LTE室分合路方案擴(kuò)容方案名稱輸出（路）頻率退頻插損成本優(yōu)缺點(diǎn)分級(jí)合路1路---4.5dB已有采購(gòu)體系成本低功率浪費(fèi)實(shí)施快捷通用性強(qiáng)2路---4.5dB已有采購(gòu)體系成本低設(shè)計(jì)改造充分利用通用性強(qiáng)擴(kuò)容任一系統(tǒng)1路資產(chǎn)方退5M或各退2.5M退2/3/5M插損2.8/2.4/1.5dB需重新采購(gòu)訂單定制數(shù)量少價(jià)格中增加系統(tǒng)退頻5M影響容量六系統(tǒng)合路器1路資產(chǎn)方退5M或各退2.5M1.2dB需重新采購(gòu)價(jià)格低抑制比30dBPOI1路或2路---5dB需重新采購(gòu)訂單定制數(shù)量少價(jià)格高分級(jí)合路相當(dāng)，加多外殼價(jià)格高推薦：分級(jí)合路2路輸出方案，能量充分利用；加多安裝套件，解決方案和運(yùn)維問題；有現(xiàn)成采購(gòu)庫(kù)存，啟動(dòng)快捷，操作方便室分合路干擾測(cè)試及解決方案利用庫(kù)存合路器快速實(shí)現(xiàn)擴(kuò)容，增加聯(lián)通1.8G、2.1G，電信2.1G,接入聯(lián)通GSM共6系統(tǒng)；更換雙頻合路器，雙路輸出覆蓋；兩路分別覆蓋28~35樓節(jié)點(diǎn)，最小改動(dòng)原有覆蓋布線；不影響原系統(tǒng)CDMA覆蓋；原系統(tǒng)沒有聯(lián)通網(wǎng)絡(luò)不會(huì)造成影響；二路輸出改造案例2二

LTE室分合路方案室分合路干擾測(cè)試及解決方案二

LTE室分合路方案室分合路干擾測(cè)試及解決方案

一、LTE無(wú)源器件原理及產(chǎn)品

二、電信/聯(lián)通LTE室分合路方案

三、存在問題排查測(cè)試及解決方案

室分合路干擾測(cè)試及解決方案三存在問題排查測(cè)試及解決方案室分施工系統(tǒng)擴(kuò)容存在問題1合路器頻段不支持LTE，開通后駐波高，衰減LTE功率影響覆蓋電信LTE1.8G頻段1860-1875；電信LTE2.1G頻段2110-2125；2華為L(zhǎng)TE設(shè)備駐波告警:華為L(zhǎng)TE設(shè)備掃描中心頻率參數(shù)超過(guò)合路器工作帶寬3LTE擴(kuò)容器件使用不規(guī)范，合路后信號(hào)衰減大,影響覆蓋效果合路器頻段不支持后臺(tái)調(diào)整掃描中心頻率修正參數(shù)施工擴(kuò)容后器件使用不規(guī)范室分合路干擾測(cè)試及解決方案三存在問題排查測(cè)試及解決方案合路系統(tǒng)干擾分析1電信CDMA聯(lián)通GSM、DCS、LTE三系統(tǒng)合路產(chǎn)生的三階互調(diào)落入LTE2.1G頻段2二次諧波2f1/2f2:為有源設(shè)備產(chǎn)生，CDMA系統(tǒng)二次諧波頻率1740-1760MHz二階互調(diào)f1+f2:為無(wú)源器件產(chǎn)生，CDMA系統(tǒng)二階互調(diào)頻率1740-1760MHz3LTE高峰均比信號(hào)導(dǎo)致無(wú)源器件產(chǎn)生飛弧雜散干擾信號(hào)離LTE下行頻段較近的電信LTE1.8、聯(lián)通WCDMA系統(tǒng)干擾較為突出三階互調(diào)干擾二次諧波/二階互調(diào)干擾無(wú)源器件功率飛弧雜散干擾4RRU帶通1875對(duì)1880帶外抑制13dB雜散阻塞干擾信號(hào)離LTE下行頻段較近的電信LTE1.8系統(tǒng)受室外天線阻塞干擾較為突出RRU帶外雜散干擾室分合路干擾測(cè)試及解決方案多系統(tǒng)合路互調(diào)干擾分析下行頻段：電信CDMA：870-880MHz聯(lián)通GSM：954-960MHz聯(lián)通LTE：1840-1860MHz組合一：1860+954-870=1944MHz