2023電磁兼容實驗室場地確認技術指南

電磁兼容實驗室場地確認技術指南第PAGE第10頁共54頁實施日期：2022實施日期：20221115目錄前 言 5適用范圍 6引用文件 6術語、定義和符號 6術語、定義 6通用符號 9針對不同產(chǎn)品領域的EMC場地確認項目 9概述 9民標產(chǎn)品場地確認項目 9汽車產(chǎn)品場地確認項目 10專用電子、電氣和機電設備及系統(tǒng)場地確認項目 通信產(chǎn)品場地確認項目 民標產(chǎn)品EMC場地確認項目和要求 12屏蔽室 12屏蔽效能 12接地電阻 12絕緣電阻 12環(huán)境噪聲電平 13半電波暗室 13屏蔽效能 13接地電阻 14絕緣電阻 14歸一化場地衰減 14場地電壓駐波比 15場均勻性 15輻射發(fā)射測試桌的影響評估 16環(huán)境噪聲電平 16全電波暗室 17屏蔽效能 17接地電阻 17絕緣電阻 17歸一化場地衰減 17場地電壓駐波比 17場均勻性 17輻射發(fā)射測試桌的影響評估 17環(huán)境噪聲電平 17開闊試驗場 17歸一化場地衰減 17環(huán)境噪聲電平 18混波室 19場均勻性 19品質(zhì)因數(shù)（Q值） 20時間常數(shù) 20混波室加載系數(shù)（CLF） 21橫電磁波室 215.6.1 阻抗 21輸入端電壓駐波比 22場均勻性 22TEM模的驗證 22屏蔽效能 23GTEM小室 235.7.1 阻抗 23輸入端電壓駐波比 23場均勻性 24TEM模的驗證 24屏蔽效能 24汽車產(chǎn)品EMC場地確認項目和要求 24屏蔽室 24屏蔽效能 24接地電阻 24絕緣電阻 24環(huán)境噪聲電平 25半電波暗室（整車） 25屏蔽效能 25接地電阻 26絕緣電阻 26歸一化場地衰減 26場地電壓駐波比 27場均勻性 27環(huán)境噪聲電平 27半電波暗室（零部件） 28屏蔽效能 28接地電阻 28絕緣電阻 28環(huán)境噪聲電平 28長線天線法或參考測量法ALSE性能確認 28測試桌接地電阻 29開闊試驗場 29歸一化場地衰減 29環(huán)境噪聲電平 30混波室 31場均勻性 31混波室校準系數(shù)（CCF） 31混波室加載系數(shù)（CLF） 31橫電磁波室 326.6.1 阻抗 32輸入端電壓駐波比 32場均勻性 33TEM模的驗證 33屏蔽效能 34帶狀線 346.7.1 阻抗 346.7.2 場均勻性 35專用電子、電氣和機電設備及系統(tǒng)EMC場地確認項目和要求 35屏蔽室 35屏蔽效能 35接地電阻 35絕緣電阻 35電磁環(huán)境電平 36半電波暗室 36屏蔽效能 36接地電阻 37絕緣電阻 37電磁環(huán)境電平 37全電波暗室 37屏蔽效能 37接地電阻 37絕緣電阻 37電磁環(huán)境電平 37開闊試驗場 37平坦度 37電磁環(huán)境電平 38混響室（混波室） 38場均勻性 38品質(zhì)因數(shù)（Q值） 39時間常數(shù) 39混波室加載系數(shù)（CLF） 40橫電磁波室 407.6.1 阻抗 40輸入端電壓駐波比 40場均勻性 41TEM模的驗證 41傳輸損耗 41屏蔽效能 42GTEM小室 427.7.1 阻抗 42輸入端電壓駐波比 42場均勻性 42TEM模的驗證 42屏蔽效能 42平行板傳輸線 427.8.1 阻抗 427.8.2 場均勻性 42通信產(chǎn)品EMC場地確認項目和要求 43屏蔽室 43屏蔽效能 43接地電阻 43絕緣電阻 43環(huán)境噪聲電平 44半電波暗室 44屏蔽效能 44接地電阻 45絕緣電阻 45歸一化場地衰減 45場地電壓駐波比 45場均勻性 46輻射發(fā)射測試桌的影響評估 46環(huán)境噪聲電平 47全電波暗室 48屏蔽效能 48接地電阻 48絕緣電阻 48歸一化場地衰減 48場地電壓駐波比 48場均勻性 48輻射發(fā)射測試桌的影響評估 48環(huán)境噪聲電平 48開闊試驗場 48歸一化場地衰減 48環(huán)境噪聲電平 49混波室 50場均勻性 50品質(zhì)因數(shù)（Q值） 50時間常數(shù) 51混波室加載系數(shù)（CLF） 51橫電磁波室 528.6.1 阻抗 52輸入端電壓駐波比 52場均勻性 53TEM模的驗證 53屏蔽效能 54前 言本文件是對AS-1-A《檢測和校準實驗室能力認可準則EMC增加其他的要求。本文件為首次制定的第一版文件。電磁兼容實驗室場地確認技術指南適用范圍本文件適用于申請認可和已獲認可的實驗室從事電磁兼容EMC測量活動的場地確認要求，也適用于指導評審員對被評審機構EMC場地確認要求的評估和報告。引用文件CNAS-CL01:2018《實驗室認可領域分類》CNAS-CL01-A008：2018《檢測和校準實驗室能力認可準則在電磁兼容檢測領域的應用說明》GB/T6113.1041-4部分:GB/T6113.2032-3GB/T12190GB/T17626.3GB/T17626.20《電磁兼容試驗和測量技術橫電磁波（TEM）波導中的發(fā)射和抗擾度試驗》GB/T17626.21術語、定義和符號術語、定義為便于理解，給出幾個重要的術語定義如下：siteattenuation；SAAS當一副天線在規(guī)定的高度范圍內(nèi)垂直移動，另外一副天線架設在固定高度時，位于試驗場地上的這兩幅極化匹配的天線之間測得的最小場地插入損耗。[GB/T6113.104-2021，術語3.1.25]fullyanechoicroom；FAR六個內(nèi)表面裝有射頻吸波材料（即射頻吸收體）的屏蔽室，該吸波材料能夠吸收所關注頻率范圍內(nèi)的電磁能量。[GB/T6113.104-2021，術語3.1.11]semi-anechoicchamber;SAC6個內(nèi)表面中的5面安裝有能夠吸收所關注頻率范圍內(nèi)的電磁能量的吸波材料（即射頻吸收體）的屏蔽室、底部的水平面鋪設有OATS試驗布置中所使用的導電接地平板的屏蔽室。[GB/T6113.104-2021，術語3.1.23]open-areatestsite；OATS用來測量和校準的設施，其利用大的平坦的導電接地平面實現(xiàn)地面發(fā)射的可復現(xiàn)性。注OATS（CALTS）注2：OATS為無覆蓋物的室外場地，其遠離建筑物、電力線、籬笆、樹木、地下電纜、管道和其他潛在的反射物體，以使得這些物體的影響可以忽略不計。OATS的結構參見GB/T6113.104-2016。[GB/T6113.203-2020，術語3.1.20]shieldingenclosure使內(nèi)部不受外界電場、磁場的影響或使外部不受其內(nèi)部電場、磁場影響的一種結構。[GB/T12190-2021，術語3.6]stripline兩個或更多的平行板構成的帶終端負載的傳輸線，電磁波在平行板之間以TEM模傳輸以產(chǎn)生滿足試驗要求的特定場。注：帶狀線的側面通常是開放的，以便EUT進出和監(jiān)視。[GB/T17626.20-2014，術語3.1.6]transverseelectromagneticcell;TEMcell封閉的TEM波導，通常是一個矩形同軸線。電磁波在其中以TEM模傳輸以產(chǎn)生滿足試驗需要的特定場，外導體完全包含內(nèi)導體。[GB/T17626.20-2014，術語3.1.3]gigahertztransverseelectromagneticcell;GTEMcell上限頻率范圍擴展至GHz的TEM波導室。混波室（混響室）reverberationchamber專門設計的具有相當長混波時間的小室。專門設計成具有較長混波時間，以便讓場盡量擴散的（混波室）小室。注1：該小室一般由安裝機械調(diào)諧器/攪拌器的屏蔽室構成，調(diào)諧器/攪拌器改變屏蔽室內(nèi)電磁場的邊界條件，進而改變電磁場分布。注2：混波室尤其適用于測量材料的吸收系數(shù)及有意和無意輻射源的輻射功率。注3：機械調(diào)諧器/攪拌器“攪拌”混波室中的“模式”，在混波室中的試驗可描述為一個隨機過程。因此，這樣的小室也可稱為攪拌模式小室或者模式調(diào)諧小室。[GB/T17626.21-2014，術語3.1.6]（混波室的）qualityfactor；Q（品質(zhì)因數(shù)）對于諧振頻率下的諧振電路，最大儲存能量與一周期內(nèi)消耗能量之比的2π倍。衡量混波室儲能的能力。注：對于一個給定的混波室，Q值是頻率的函數(shù)，按式（1）計算：式中：

Q=ηη??λ

??

….(1)V ——m* （m）;PAveRec/PInput——接收功率與輸入功率的比值，其為在整個調(diào)諧器/攪拌器序列上的平均值；<>n ——；ηTx （Tx）0.750.9；ηRx ——（Rx）0.750.9；n ——求Q[GB/T17626.21-2014，術語3.1.7]屏蔽效能（SE）shieldingeffectiveness(SE)沒有屏蔽體時接收到的信號值與在屏蔽體內(nèi)接收到的信號值的比值，即發(fā)射天線與接收天線之間存在屏蔽體以后所造成的插入損耗。[GB/T12190-2021，術語3.5]uniformfieldarea;UFA場校準的假想垂直平面，在該平面內(nèi)場強的變化足夠小。場校準的目的在于確保試驗結果的有效性。[GB/T17626.3-2016，術語3.27]通用符號NSAAF：天線系數(shù)SVSWRAN：環(huán)境本底噪聲SE：屏蔽效能SAC：半電波暗室FAR：全電波暗室SR：屏蔽室OATS：開闊試驗場EMC場地確認項目概述參照CNAS-AL062022CNAS-CL01-A0082018《檢測4.1~4.4民標產(chǎn)品場地確認項目民標產(chǎn)品的場地確認項目見表4.1。表4.1-民標產(chǎn)品場地確認項目產(chǎn)品類別產(chǎn)品代碼涉及場地場地確認項目民標產(chǎn)品信息技術設備（1201&1202）音視頻設備（1203&1204）（1205&1206）醫(yī)療設備（1207&1208）工業(yè)、科學和醫(yī)療設備（1209&1210）（1215）屏蔽室屏蔽效能、接地電阻、絕緣電阻、環(huán)境噪聲電平半電波暗室屏蔽效能、接地電阻、絕緣電阻、歸一化場地衰減、場地電壓駐波比、場均勻性、輻射發(fā)射測試桌的影響評估、環(huán)境噪聲電平全電波暗室屏蔽效能、接地電阻、絕緣電阻、歸一化場地衰減、場地電壓駐波比、場均勻性、輻射發(fā)射測試桌的影響評估、環(huán)境噪聲電平開闊試驗場歸一化場地衰減、環(huán)境噪聲電平混波室場均勻性、品質(zhì)因數(shù)（Q值）、時間常數(shù)、混波室加載系數(shù)（CLF）橫電磁波室阻抗、輸入端電壓駐波比、場均勻性、TEM模的驗證、屏蔽效能GTEM小室阻抗、輸入端電壓駐波比、場均勻性、TEM模的驗證、屏蔽效能汽車產(chǎn)品場地確認項目汽車產(chǎn)品的場地確認項目見表4.2。表4.2-汽車產(chǎn)品場地確認項目產(chǎn)品類別產(chǎn)品代碼涉及場地場地確認項目汽車產(chǎn)品汽車、摩托車（1211&1212）屏蔽室屏蔽效能、接地電阻、絕緣電阻、環(huán)境噪聲電平半電波暗室（整車）屏蔽效能、接地電阻、絕緣電阻、歸一化場地衰減、場地電壓駐波比、場均勻性、環(huán)境噪聲電平（件）屏蔽效能、接地電阻、絕緣電阻、環(huán)境噪聲電ALSE測試桌接地電阻開闊試驗場歸一化場地衰減、環(huán)境噪聲電平混波室載系數(shù)（CLF）橫電磁波室阻抗、輸入端電壓駐波比、場均勻性、TEM模的驗證、屏蔽效能帶狀線阻抗、場均勻性專用電子、電氣和機電設備及系統(tǒng)場地確認項目專用電子、電氣和機電設備及系統(tǒng)的場地確認項目見表4.3。表4.3-專用電子、電氣和機電設備及系統(tǒng)場地確認項目產(chǎn)品類別產(chǎn)品代碼涉及場地場地確認項目專用電子、電氣和機電設備及系統(tǒng)軍用設備和分系統(tǒng)（1216&1217）屏蔽室屏蔽效能、接地電阻、絕緣電阻、電磁環(huán)境電平半電波暗室屏蔽效能、接地電阻、絕緣電阻、電磁環(huán)境電平全電波暗室屏蔽效能、接地電阻、絕緣電阻、電磁環(huán)境電平開闊試驗場平坦度、電磁環(huán)境電平混波室場均勻性、品質(zhì)因數(shù)（Q值）、時間常數(shù)、混波室加載系數(shù)（CLF）橫電磁波室阻抗、輸入端電壓駐波比、場均勻性、TEM模的驗證、傳輸損耗、屏蔽效能GTEM小室阻抗、輸入端電壓駐波比、場均勻性、TEM模的驗證、屏蔽效能平行板傳輸線阻抗、場均勻性3m10m或30m若測量距離按照3m、10m或30m設計的開闊試驗場，其歸一化場地衰減應符合要求。通信產(chǎn)品場地確認項目通信產(chǎn)品的場地確認項目見表4.4。表4.4-通信產(chǎn)品場地確認項目產(chǎn)品類別產(chǎn)品代碼涉及場地場地確認項目通信產(chǎn)品通信設備（1221）屏蔽室屏蔽效能、接地電阻、絕緣電阻、環(huán)境噪聲電平半電波暗室屏蔽效能、接地電阻、絕緣電阻、歸一化場地衰減、場地電壓駐波比、場均勻性、輻射發(fā)射測試桌的影響評估、環(huán)境噪聲電平全電波暗室屏蔽效能、接地電阻、絕緣電阻、歸一化場地衰減、場地電壓駐波比、場均勻性、輻射發(fā)射測試桌的影響評估、環(huán)境噪聲電平開闊試驗場歸一化場地衰減、輻射發(fā)射環(huán)境本底噪聲產(chǎn)品類別產(chǎn)品代碼涉及場地場地確認項目混響室場均勻性、品質(zhì)因數(shù)（Q值）、時間常數(shù)、混波室加載系數(shù)（CLF）橫電磁波室阻抗、輸入端電壓駐波比、場均勻性、TEM模的驗證、屏蔽效能EMC場地確認項目和要求屏蔽室屏蔽效能依據(jù)標準/規(guī)范：GB/T12190EN50147-1Anechoicchambers-Part1.Shieldattenuationmeasurement性能要求：屏蔽室的屏蔽效能至少應滿足CNAS-CL01-A008的要求：14kHz-1MHz ＞60dB2) 1MHz-1000MHz ＞90dB備注：常規(guī)屏蔽效能測試到1GHz，特殊情況下依據(jù)使用情況測試到1GHz以上。3~5報告要求：應由CNASCNAS-CL01-A008的要求。接地電阻依據(jù)標準/規(guī)范：GB/T16895.236CNAS-CL01-A008Ω。3~5報告要求：應由CNASCNAS-CL01-A008的要求。絕緣電阻依據(jù)標準/規(guī)范：GB/T16895.236性能要求：屏蔽室的絕緣電阻至少應滿足CNAS-CL01-A008的要求：電源進線對屏蔽室金屬壁的絕緣電阻及導線與導線之間的絕緣電阻應大于2MΩ。3~5報告要求：應由CNAS容符合CNAS-CL01-A008的要求。環(huán)境噪聲電平依據(jù)標準/規(guī)范：GB/T6113.2012-1 CISPR16-2-1Specificationforradiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatusandmethods–Part2-1:Methodsofmeasurementofdisturbancesandimmunity–ConducteddisturbancemeasurementsEN55016-2-1Specificationforradiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatusandmethods–Part2-1:Methodsofmeasurementofdisturbancesandimmunity–Conducteddisturbancemeasurements相關標準等性能要求：屏蔽室的環(huán)境噪聲電平應比相應適用標準規(guī)定的限值至少低20dB。認CNAS半電波暗室屏蔽效能依據(jù)標準/規(guī)范：GB/T12190EN50147-1Anechoicchambers-Part1.Shieldattenuationmeasurement備注：進行復測時，由于吸波材料已布置好，此時僅在天線能按照標準布置的部位進行屏蔽效能的測試。性能要求：半電波暗室的屏蔽效能應至少滿足CNAS-CL01-A008的要求：14kHz-1MHz ＞602) 1MHz-1000MHz ＞90dB3) 1GHz-18GHz ＞80dB3~5報告要求：應由CNASCNAS-CL01-A008的要求。接地電阻同5.1.2要求絕緣電阻同5.1.3要求歸一化場地衰減依據(jù)標準/規(guī)范：CISPR16-1-4Specificationforradiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatusandmethods-Part1-4:Radiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatus-AntennasandtestsitesforradiateddisturbancemeasurementsGB/T6113.1041-4部分:EN55016-1-4Specificationforradiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatusandmethods-Part1-4:Radiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatus-AntennasandtestsitesforradiateddisturbancemeasurementsANSIC63.4AmericanNationalStandardforMethodsofMeasurementofRadioNoiseEmissionsfromLow-VoltageElectricalandElectronicEquipmentintheRangeof9kHzto40GHzANSIC63.4aAmericanNationalStandardforMethodsofMeasurementofRadioNoiseEmissionsfromLow-VoltageElectricalandElectronicEquipmentintheRangeof9kHzto40GHzAmendment1:TestSiteValidation性能要求：半電波暗室的歸一化場地衰減（NSA）滿足CNAS-CL01-A008的要求：±4dB場地可接受原則。3~5報告要求：應由CNAS合CNAS-CL01-A008的要求。場地電壓駐波比依據(jù)標準/規(guī)范：CISPR16-1-4Specificationforradiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatusandmethods-Part1-4:Radiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatus-AntennasandtestsitesforradiateddisturbancemeasurementsGB/T6113.1041-4部分:EN55016-1-4Specificationforradiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatusandmethods-Part1-4:Radiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatus-Antennasandtestsitesforradiateddisturbancemeasurements性能要求：半電波暗室的場地電壓駐波比（SVSWR）滿足CNAS-CL01-A008的要求：≤6.0dB。3~5報告要求：應由CNAS合CNAS-CL01-A008的要求。場均勻性依據(jù)標準/規(guī)范：IEC61000-4-3Electromagneticcompatibility(EMC)-Part4-3:Testingandmeasurementtechniques-Radiated,radio-frequency,electromagneticfieldimmunitytestEN61000-4-3Electromagneticcompatibility(EMC)-Part4-3:Testingandmeasurementtechniques-Radiated,radio-frequency,electromagneticfieldimmunitytestGB/T17626.3性能要求：電波暗室的場均勻域滿足相關標準要求，如GB/T17626.3-2016或IEC61000-4-3:2020等。3~5報告要求：應由CNAS輻射發(fā)射測試桌的影響評估依據(jù)標準/規(guī)范：CISPR16-1-4Specificationforradiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatusandmethods-Part1-4:Radiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatus-AntennasandtestsitesforradiateddisturbancemeasurementsGB/T6113.1041-4部分:EN55016-1-4Specificationforradiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatusandmethods-Part1-4:Radiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatus-AntennasandtestsitesforradiateddisturbancemeasurementsANSIC63.4AmericanNationalStandardforMethodsofMeasurementofRadioNoiseEmissionsfromLow-VoltageElectricalandElectronicEquipmentintheRangeof9kHzto40GHz性能要求：輻射發(fā)射測試桌的影響評估結果需引入到輻射發(fā)射測量不確定評估的貢獻值中。報告要求：應由CNAS環(huán)境噪聲電平依據(jù)標準/規(guī)范：GB/T6113.2032-3 CISPR16-2-3Specificationforradiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatusandmethods–Part2-3:Methodsofmeasurementofdisturbancesandimmunity–RadiateddisturbancemeasurementsEN55016-2-3Specificationforradiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatusandmethods–Part2-3:Methodsofmeasurementofdisturbancesandimmunity–Radiateddisturbancemeasurements相關標準等性能要求：半電波暗室的環(huán)境噪聲電平應比規(guī)定的限值低20dB，但至少要低6dB。認。CNAS全電波暗室屏蔽效能同5.2.1要求接地電阻同5.1.2要求絕緣電阻同5.1.3要求歸一化場地衰減同5.2.4要求場地電壓駐波比同5.2.5要求場均勻性同5.2.6要求輻射發(fā)射測試桌的影響評估同5.2.7要求環(huán)境噪聲電平同5.2.8要求開闊試驗場歸一化場地衰減依據(jù)標準/規(guī)范：CISPR16-1-4Specificationforradiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatusandmethods-Part1-4:Radiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatus-AntennasandtestsitesforradiateddisturbancemeasurementsGB/T6113.1041-4部分:EN55016-1-4Specificationforradiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatusandmethods-Part1-4:Radiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatus-AntennasandtestsitesforradiateddisturbancemeasurementsANSIC63.4aAmericanNationalStandardforMethodsofMeasurementofRadioNoiseEmissionsfromLow-VoltageElectricalandElectronicEquipmentintheRangeof9kHzto40GHzANSIC63.4aAmericanNationalStandardforMethodsofMeasurementofRadioNoiseEmissionsfromLow-VoltageElectricalandElectronicEquipmentintheRangeof9kHzto40GHzAmendment1:TestSiteValidation性能要求：開闊試驗場的歸一化場地衰減（NSA）滿足CNAS-CL01-A008的要求：±4dB場地可接受原則。報告要求：應由CNAS合CNAS-CL01-A008的要求。環(huán)境噪聲電平依據(jù)標準/規(guī)范：GB/T6113.2032-3 CISPR16-2-3Specificationforradiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatusandmethods–Part2-3:Methodsofmeasurementofdisturbancesandimmunity–RadiateddisturbancemeasurementsEN55016-2-3Specificationforradiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatusandmethods–Part2-3:Methodsofmeasurementofdisturbancesandimmunity–Radiateddisturbancemeasurements相關標準等性能要求：開闊試驗場周圍的電磁環(huán)境電平與相應限值相比應足夠低，試驗場地的質(zhì)量按下述四級給予評估：6dB；6dB；（即相對測試來說這些發(fā)射之間的間隔是足夠長），也可能是連續(xù)的，但只在有限的可識別頻率上；現(xiàn)；其中，第四級場地不符合要求。評審報告中應注明場地級別。認。CNAS混波室場均勻性依據(jù)標準/規(guī)范：IEC61000-4-21Electromagneticcompatibility(EMC)-Part4-21:Testingandmeasurementtechniques-ReverberationchambertestmethodsEN61000-4-21Electromagneticcompatibility(EMC)-Part4-21:Testingandmeasurementtechniques-ReverberationchambertestmethodsGB/T17626.21 性能要求：頻率范圍標準差限值要求80MHz~100MHz4dBa100MHz~400MHz100MHz時為4dB，線性減小至400MHza時的3dB400MHz以上3dBaa每8個頻點最多可有3個頻點超過允許的標準差，但不能超過限值要求1dB。3~5報告要求：應由CNAS）（模擬平常負載量的大小AVF。品質(zhì)因數(shù)（Q值）依據(jù)標準/規(guī)范：IEC61000-4-21Electromagneticcompatibility(EMC)-Part4-21:Testingandmeasurementtechniques-ReverberationchambertestmethodsEN61000-4-21Electromagneticcompatibility(EMC)-Part4-21:Testingandmeasurementtechniques-ReverberationchambertestmethodsGB/T17626.21 無CNASEUT和支撐裝置裝在混波室的情況下進行測量。時間常數(shù)依據(jù)標準/規(guī)范：IEC61000-4-21Electromagneticcompatibility(EMC)-Part4-21:Testingandmeasurementtechniques-ReverberationchambertestmethodsEN61000-4-21Electromagneticcompatibility(EMC)-Part4-21:Testingandmeasurementtechniques-ReverberationchambertestmethodsGB/T17626.21 性能要求：在至少90%的測試頻率上，混波室的時間常數(shù)應不大于任何試驗波形的脈沖寬度的0.4。如果大于0.4，那么應向混波室內(nèi)加入吸波材料或應增加脈沖寬度。如果加入吸波材料，則在滿足時間常數(shù)要求的情況下，盡可能少地加入吸波材料。如果用吸波材料，應重新測量，得一新的CLF。如果吸波材料的加載量大于混波室的加載確認的加載量，則混波室應重新確認。CNASEUT和支撐裝置裝在混波室的情況下進行測量。混波室加載系數(shù)（CLF）依據(jù)標準/規(guī)范：IEC61000-4-21Electromagneticcompatibility(EMC)-Part4-21:Testingandmeasurementtechniques-ReverberationchambertestmethodsEN61000-4-21Electromagneticcompatibility(EMC)-Part4-21:Testingandmeasurementtechniques-ReverberationchambertestmethodsGB/T17626.21 性能要求：CLF的倒數(shù)≤AVF/AVFEUTCLF倒數(shù)>AVF空載/AVFEUTCNASEUT和支撐裝置裝在混波室的情況下進行測量。橫電磁波室阻抗依據(jù)標準/規(guī)范：IEC61000-4-20Electromagneticcompatibility(EMC)-Part4-20:Testingandmeasurementtechniques-Emissionandimmunitytestingintrasverseelectromagnetic(TEM)waveguideEN61000-4-20Electromagneticcompatibility(EMC)-Part4-20:Testingandmeasurementtechniques-Emissionandimmunitytestingintrasverseelectromagnetic(TEM)waveguideGB/T17626.20 抗擾度試驗性能要求：橫電磁波室的阻抗應至少滿足CNAS-CL01-A008的要求：橫電磁波室的特性阻抗應為50Ω。3~5報告要求：報告應由CNAS輸入端電壓駐波比依據(jù)標準/規(guī)范：IEC61000-4-20Electromagneticcompatibility(EMC)-Part4-20:Testingandmeasurementtechniques-Emissionandimmunitytestingintrasverseelectromagnetic(TEM)waveguideEN61000-4-20Electromagneticcompatibility(EMC)-Part4-20:Testingandmeasurementtechniques-Emissionandimmunitytestingintrasverseelectromagnetic(TEM)waveguideGB/T17626.20（TEM）性能要求：橫電磁波室的阻抗應至少滿足CNAS-CL01-A008的要求：橫電磁波室的輸入電壓駐波比應≤1.5。3~5報告要求：報告應由CNAS場均勻性依據(jù)標準/規(guī)范：IEC61000-4-20Electromagneticcompatibility(EMC)-Part4-20:Testingandmeasurementtechniques-Emissionandimmunitytestingintrasverseelectromagnetic(TEM)waveguideEN61000-4-20Electromagneticcompatibility(EMC)-Part4-20:Testingandmeasurementtechniques-Emissionandimmunitytestingintrasverseelectromagnetic(TEM)waveguideGB/T17626.20（TEM）性能要求：TEM小室的場均勻域滿足相關標準要求，如GB/T17626.20-2014或IEC61000-4-20:2022等。3~5報告要求：報告應由CNASTEM模的驗證依據(jù)標準/規(guī)范：IEC61000-4-20Electromagneticcompatibility(EMC)-Part4-20:Testingandmeasurementtechniques-Emissionandimmunitytestingintrasverseelectromagnetic(TEM)waveguideEN61000-4-20Electromagneticcompatibility(EMC)-Part4-20:Testingandmeasurementtechniques-Emissionandimmunitytestingintrasverseelectromagnetic(TEM)waveguideGB/T17626.20（TEM）性能要求：采用抗擾度試驗的場均勻區(qū)確認步驟，在波導橫截面上（垂直于傳輸方向）規(guī)定的測量點中，應至少在75%的測量點上次場分量（不需要的）小于主場分量6dB以上。3~5報告要求：報告應由CNAS屏蔽效能依據(jù)標準/規(guī)范：IEC61000-4-20Electromagneticcompatibility(EMC)-Part4-20:Testingandmeasurementtechniques-Emissionandimmunitytestingintrasverseelectromagnetic(TEM)waveguideEN61000-4-20Electromagneticcompatibility(EMC)-Part4-20:Testingandmeasurementtechniques-Emissionandimmunitytestingintrasverseelectromagnetic(TEM)waveguideGB/T17626.20（TEM）性能要求：記錄橫電磁波室的屏蔽效能值。3~5報告要求：報告應由CNASGTEM小室阻抗同5.6.1要求輸入端電壓駐波比同5.6.2要求場均勻性同5.6.3要求TEM模的驗證同5.6.4要求屏蔽效能同5.6.5要求EMC場地確認項目和要求屏蔽室屏蔽效能依據(jù)標準/規(guī)范：GB/T12190EN50147-1Anechoicchambers-Part1.Shieldattenuationmeasurement性能要求：屏蔽室的屏蔽效能至少應滿足CNAS-CL01-A008的要求：14kHz-1MHz ＞602) 1MHz-1000MHz ＞90dB備注：常規(guī)屏蔽效能測試到1GHz，特殊情況下依據(jù)使用情況測試到1GHz以上。3~5報告要求：應由CNASCNAS-CL01-A008的要求。接地電阻依據(jù)標準/規(guī)范：GB/T16895.236CNAS-CL01-A0083~5報告要求：應由CNASCNAS-CL01-A008的要求。絕緣電阻依據(jù)標準/規(guī)范：GB/T16895.236性能要求：屏蔽室的絕緣電阻至少應滿足CNAS-CL01-A008的要求：電源進線對屏蔽室金屬壁的絕緣電阻及導線與導線之間的絕緣電阻應大于2MΩ。3~5報告要求：應由CNAS容符合CNAS-CL01-A008的要求。環(huán)境噪聲電平依據(jù)標準/規(guī)范：GB/T18655CISPR25Vehicles,boatsandinternalcombustionengines–Radiodisturbancecharacteristics–Limitsandmethodsofmeasurementfortheprotectionofon-boardreceivers相關標準等性能要求：屏蔽室的環(huán)境噪聲電平應比規(guī)定的限值至少低6dB。認。CNAS半電波暗室（整車）屏蔽效能依據(jù)標準/規(guī)范：GB/T12190EN50147-1Anechoicchambers-Part1.Shieldattenuationmeasurement備注：進行復測時，由于吸波材料已布置好，此時僅在天線能按照標準布置的部位進行屏蔽效能的測試。性能要求：半電波暗室的屏蔽效能應至少滿足CNAS-CL01-A008的要求：14kHz-1MHz ＞602) 1MHz-1000MHz ＞90dB3) 1GHz-18GHz ＞80dB3~5報告要求：應由CNASCNAS-CL01-A008的要求。接地電阻同6.1.2要求絕緣電阻同6.1.3要求歸一化場地衰減依據(jù)標準/規(guī)范：CISPR16-1-4Specificationforradiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatusandmethods-Part1-4:Radiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatus-AntennasandtestsitesforradiateddisturbancemeasurementsGB/T6113.1041-4:EN55016-1-4Specificationforradiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatusandmethods-Part1-4:Radiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatus-AntennasandtestsitesforradiateddisturbancemeasurementsANSIC63.4AmericanNationalStandardforMethodsofMeasurementofRadioNoiseEmissionsfromElectricalandElectronicEquipmentintheRangeof9kHzto40GHzANSIC63.4aAmericanNationalStandardforMethodsofMeasurementofRadioNoiseEmissionsfromElectricalandElectronicEquipmentintheRangeof9kHzto40GHzAmendment1:Site性能要求：滿足CNAS-CL01-A008dB場地可接受原則。3~5報告要求：應由CNAS合CNAS-CL01-A008的要求。場地電壓駐波比依據(jù)標準/規(guī)范：CISPR16-1-4Specificationforradiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatusandmethods-Part1-4:Radiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatus-AntennasandtestsitesforradiateddisturbancemeasurementsGB/T6113.1041-4部分:無線電EN55016-1-4Specificationforradiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatusandmethods-Part1-4:Radiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatus-Antennasandtestsitesforradiateddisturbancemeasurements性能要求：半電波暗室的場地電壓駐波比（SVSWR）滿足CNAS-CL01-A008的要求：≤6.0dB。3~5報告要求：應由CNAS合CNAS-CL01-A008的要求。場均勻性依據(jù)標準/規(guī)范：ISO11451-2Roadvehicles—Vehicletestmethodsforelectricaldisturbancesfromnarrowbandradiatedelectromagneticenergy—Part2:Off-vehicleradiationsourcesGB/T33012.22部分：車外輻射源法性能要求：頻率在200MHz以上時場均勻性應滿足：參考點兩邊0.5m處位置的場強在至少80%試驗頻點下位于參考點場強的-6dB-~0dB范圍內(nèi)。3~5報告要求：報告應由CNAS環(huán)境噪聲電平依據(jù)標準/規(guī)范：GB34660道路車輛電磁兼容性要求和試驗方法限值要求：半電波暗室的環(huán)境噪聲電平應比規(guī)定的限值至少低6dB。認。CNAS半電波暗室（零部件）屏蔽效能同6.2.1要求接地電阻同6.1.2要求絕緣電阻同6.1.3要求環(huán)境噪聲電平依據(jù)標準/規(guī)范：GB/T18655測量方法CISPR25Vehicles,boatsandinternalcombustionengines–Radiodisturbancecharacteristics–Limitsandmethodsofmeasurementfortheprotectionofon-boardreceivers相關標準等性能要求：半電波暗室的環(huán)境噪聲電平應比規(guī)定的限值至少低6dB。認。CNASALSE性能確認依據(jù)標準/規(guī)范：GB/T18655測量方法CISPR25Vehicles,boatsandinternalcombustionengines–Radiodisturbancecharacteristics–Limitsandmethodsofmeasurementfortheprotectionofon-boardreceivers限值要求：半電波暗室的ALSE性能確認測試數(shù)據(jù)在標準附錄J要求的最低范圍內(nèi)。3~5報告要求：報告應由CNAS確認的方法等信息。測試桌接地電阻依據(jù)標準/規(guī)范：GB/T18655測量方法CISPR25Vehicles,boatsandinternalcombustionengines–Radiodisturbancecharacteristics–Limitsandmethodsofmeasurementfortheprotectionofon-boardreceivers相關標準等限值要求：參考接地平面和參考試驗場地接地平面之間的搭接電阻應小于2.5mΩ。3~5報告要求：報告應由CNAS開闊試驗場歸一化場地衰減依據(jù)標準/規(guī)范：CISPR16-1-4Specificationforradiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatusandmethods-Part1-4:Radiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatus-AntennasandtestsitesforradiateddisturbancemeasurementsGB/T6113.1041-4:EN55016-1-4Specificationforradiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatusandmethods-Part1-4:Radiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatus-AntennasandtestsitesforradiateddisturbancemeasurementsANSIC63.4AmericanNationalStandardforMethodsofMeasurementofRadioNoiseEmissionsfromElectricalandElectronicEquipmentintheRangeof9kHzto40GHzANSIC63.4aAmericanNationalStandardforMethodsofMeasurementofRadioNoiseEmissionsfromLow-VoltageElectricalandElectronicEquipmentintheRangeof9kHzto40GHzAmendment1:TestSiteValidation限值要求：滿足CNAS-CL01-A008dB場地可接受原則。報告要求：應由CNAS合CNAS-CL01-A008的要求。環(huán)境噪聲電平依據(jù)標準/規(guī)范：GB/T18655測量方法CISPR25Vehicles,boatsandinternalcombustionengines–Radiodisturbancecharacteristics–Limitsandmethodsofmeasurementfortheprotectionofon-boardreceivers相關標準等性能要求：開闊試驗場周圍的電磁環(huán)境電平與相應限值相比應足夠低，試驗場地的質(zhì)量按下述四級給予評估：6dB；6dB；（即相對測試來說這些發(fā)射之間的間隔是足夠長），也可能是連續(xù)的，但只在有限的可識別頻率上；現(xiàn)；其中，第四級場地不符合要求。評審報告中應注明場地級別。認。CNAS混波室場均勻性依據(jù)標準/規(guī)范：ISO11452-11Roadvehicles–Componenttestmethodsforelectricaldisturbancesfromnarrowbandradiatedelectromagneticenergy–Part11:Reverberationchambber性能要求：頻率范圍標準差限值要求a100MHz以下6dB100MHz~400MHz100MHz時為6dB，線性減小至400MHz時的3dB400MHz以上3dBa每倍頻程最多可有3個頻點超過允許的標準差，但不能超過限值要求1dB。3~5報告要求：應由CNAS輔助設備（）混波室校準系數(shù)（CCF）依據(jù)標準/規(guī)范：ISO11452-11Roadvehicles–Componenttestmethodsforelectricaldisturbancesfromnarrowbandradiatedelectromagneticenergy–Part11:Reverberationchambber無CNAS應在EUT混波室加載系數(shù)（CLF）依據(jù)標準/規(guī)范：ISO11452-11Roadvehicles–Componenttestmethodsforelectricaldisturbancesfromnarrowbandradiatedelectromagneticenergy–Part11:Reverberationchambber性能要求：CLF的倒數(shù)≤AVF/AVFEUTCLF倒數(shù)>AVF空載/AVFEUTCNASEUT和支撐裝置裝在混波室的情況下進行測量。橫電磁波室阻抗依據(jù)標準/規(guī)范：IEC61000-4-20Electromagneticcompatibility(EMC)-Part4-20:Testingandmeasurementtechniques-Emissionandimmunitytestingintrasverseelectromagnetic(TEM)waveguideEN61000-4-20Electromagneticcompatibility(EMC)-Part4-20:Testingandmeasurementtechniques-Emissionandimmunitytestingintrasverseelectromagnetic(TEM)waveguideGB/T17626.20（TEM）性能要求：橫電磁波室的阻抗應至少滿足CNAS-CL01-A008的要求：橫電磁波室的特性阻抗應為50Ω。3~5報告要求：報告應由CNAS輸入端電壓駐波比依據(jù)標準/規(guī)范：IEC61000-4-20Electromagneticcompatibility(EMC)-Part4-20:Testingandmeasurementtechniques-Emissionandimmunitytestingintrasverseelectromagnetic(TEM)waveguideEN61000-4-20Electromagneticcompatibility(EMC)-Part4-20:Testingandmeasurementtechniques-Emissionandimmunitytestingintrasverseelectromagnetic(TEM)waveguideGB/T17626.20（TEM）抗擾度試驗性能要求：橫電磁波室的阻抗應至少滿足CNAS-CL01-A008的要求：橫電磁波室的輸入電壓駐波比應≤1.5。3~5報告要求：報告應由CNAS場均勻性依據(jù)標準/規(guī)范：IEC61000-4-20Electromagneticcompatibility(EMC)-Part4-20:Testingandmeasurementtechniques-Emissionandimmunitytestingintrasverseelectromagnetic(TEM)waveguideEN61000-4-20Electromagneticcompatibility(EMC)-Part4-20:Testingandmeasurementtechniques-Emissionandimmunitytestingintrasverseelectromagnetic(TEM)waveguideGB/T17626.20（TEM）性能要求：TEM小室的場均勻域滿足相關標準要求，如GB/T17626.20-2014或IEC61000-4-20:2022等。3~5報告要求：報告應由CNASTEM模的驗證依據(jù)標準/規(guī)范：IEC61000-4-20Electromagneticcompatibility(EMC)-Part4-20:Testingandmeasurementtechniques-Emissionandimmunitytestingintrasverseelectromagnetic(TEM)waveguideEN61000-4-20Electromagneticcompatibility(EMC)-Part4-20:Testingandmeasurementtechniques-Emissionandimmunitytestingintrasverseelectromagnetic(TEM)waveguideGB/T17626.20（TEM）性能要求：（）規(guī)定（不需要的6以上。3~5報告要求：報告應由CNAS屏蔽效能依據(jù)標準/規(guī)范：IEC61000-4-20Electromagneticcompatibility(EMC)-Part4-20:Testingandmeasurementtechniques-Emissionandimmunitytestingintrasverseelectromagnetic(TEM)waveguideEN61000-4-20Electromagneticcompatibility(EMC)-Part4-20:Testingandmeasurementtechniques-Emissionandimmunitytestingintrasverseelectromagnetic(TEM)waveguideGB/T17626.20 抗擾度試驗性能要求：記錄橫電磁波室的屏蔽效能值。3~5報告要求：報告應由CNAS帶狀線阻抗依據(jù)標準/規(guī)范：GB/T18655測量方法CISPR25Vehicles,boatsandinternalcombustionengines–Radiodisturbancecharacteristics–Limitsandmethodsofmeasurementfortheprotectionofon-boardreceivers限值要求：帶狀線的特征阻抗為50Ω或90Ω，但應歸一化到50Ω。3~5報告要求：報告應由CNAS場均勻性同6.6.3要求EMC場地確認項目和要求屏蔽室屏蔽效能依據(jù)標準/規(guī)范：GB/T12190GJB5792GJB2926性能要求：屏蔽室的屏蔽效能至少應滿足CNAS-CL01-A008的要求：14kHz-1MHz ＞602) 1MHz-1000MHz ＞90dB3) 1GHz-18GHz ＞80dB3~5報告要求：應由CNASCNAS-CL01-A008的要求。接地電阻依據(jù)標準/規(guī)范：GB/T16895.236性能要求：屏蔽室的接地電阻至少應滿足CNAS-CL01-A008的要求：接地電阻小于4Ω。3~5報告要求：應由CNASCNAS-CL01-A008的要求。絕緣電阻依據(jù)標準/規(guī)范：GB/T16895.236性能要求：屏蔽室的絕緣電阻至少應滿足CNAS-CL01-A008的要求：電源進線對屏蔽室金屬壁的絕緣電阻及導線與導線之間的絕緣電阻應大于2MΩ。3~5報告要求：應由CNAS容符合CNAS-CL01-A008的要求。電磁環(huán)境電平依據(jù)標準/規(guī)范：GJB151BGJB152A相關標準等性能要求：屏蔽室的電磁環(huán)境電平應比規(guī)定的限值至少低6dB（可根據(jù)屏蔽室實際開展的測試項目評估電磁環(huán)境電平，如對于進行傳導發(fā)射測試的屏蔽室，考慮影響傳導發(fā)射試驗結果的環(huán)境電平）。認。CNAS半電波暗室屏蔽效能依據(jù)標準/規(guī)范：GB/T12190GJB5792GJB2926備注：進行復測時，由于吸波材料已布置好，此時僅在天線能按照標準布置的部位進行屏蔽效能的測試。性能要求：半電波暗室的屏蔽效能應至少滿足CNAS-CL01-A008的要求：14kHz-1MHz ＞602) 1MHz-1000MHz ＞90dB3) 1GHz-18GHz ＞80dB3~5報告要求：應由CNASCNAS-CL01-A008的要求。接地電阻同7.1.2要求絕緣電阻同7.1.3要求電磁環(huán)境電平依據(jù)標準/規(guī)范：GJB151BGJB152A相關標準等限值要求：半電波暗室的電磁環(huán)境電平應比規(guī)定的限值至少低6dB。認。CNAS全電波暗室屏蔽效能同7.2.1要求接地電阻同7.2.2要求絕緣電阻同7.2.3要求電磁環(huán)境電平同7.2.7要求開闊試驗場平坦度依據(jù)標準/規(guī)范：GB/T6113.104無線電騷擾和抗擾度測量設備和測量方法規(guī)范第1-4部分:無線電騷擾和抗擾度測量設備輻射騷擾測量用天線和試驗場地性能要求：4.5cm。3~5報告要求：應由CNAS電磁環(huán)境電平依據(jù)標準/規(guī)范：GJB151BGJB152A相關標準等性能要求：開闊試驗場周圍的電磁環(huán)境電平與相應限值相比應足夠低，試驗場地的質(zhì)量按下述四級給予評估：6dB；6dB；（即相對測試來說這些發(fā)射之間的間隔是足夠長），也可能是連續(xù)的，但只在有限的可識別頻率上；現(xiàn)；其中，第四級場地不符合要求。評審報告中應注明場地級別。認。CNAS混響室（混波室）場均勻性依據(jù)標準/規(guī)范：GB/T17626.21 性能要求：頻率范圍標準差限值要求80MHz~100MHz4dBa100MHz~400MHz100MHz時為4dB，線性減小至400MHza時的3dB400MHz以上3dBaa每8個頻點最多可有3個頻點超過允許的標準差，但不能超過限值要求1dB。3~5報告要求：應由CNAS）（模擬平常負載量的大小AVF。品質(zhì)因數(shù)（Q值）依據(jù)標準/規(guī)范：GB/T17626.21 無CNASEUT和支撐裝置裝在混波室的情況下進行測量。時間常數(shù)依據(jù)標準/規(guī)范：GB/T17626.21 性能要求：在至少90%0.4如果大于0.4，那么應向混波室內(nèi)加入吸波材料或應增加脈沖寬度。如果加入吸波材料，CNASEUT和支撐裝置裝在混波室的情況下進行測量?；觳ㄊ壹虞d系數(shù)（CLF）依據(jù)標準/規(guī)范：GB/T17626.21 性能要求：CLF的倒數(shù)≤AVF/AVFEUTCLF倒數(shù)>AVF空載/AVFEUTCNASEUT和支撐裝置裝在混波室的情況下進行測量。橫電磁波室阻抗依據(jù)標準/規(guī)范：GB/T17626.20 抗擾度試驗GJB2117性能要求：橫電磁波室的阻抗應至少滿足CNAS-CL01-A008的要求：橫電磁波室的特性阻抗應為50Ω。3~5報告要求：報告應由CNAS輸入端電壓駐波比依據(jù)標準/規(guī)范：GB/T17626.20 抗擾度試驗GJB2117性能要求：橫電磁波室的阻抗應至少滿足CNAS-CL01-A008的要求：橫電磁波室的輸入端電壓駐波比應≤1.5。3~5報告要求：報告應由CNAS場均勻性依據(jù)標準/規(guī)范：GB/T17626.20 抗擾度試驗GJB2117限值要求：TEM小室的場均勻域滿足相關標準要求，如GB/T17626.20-2014或GJB2117等。3~5報告要求：報告應由CNASTEM模的驗證依據(jù)標準/規(guī)范：GB/T17626.20 （TEM）度試驗性能要求：采用抗擾度試驗的場均勻區(qū)確認步驟，在波導橫截面上（垂直于傳輸方向）規(guī)定的測量點中，應至少在75%的測量點上次場分量（不需要的）小于主場分量6dB以上。3~5報告要求：報告應由CNAS傳輸損耗依據(jù)標準/規(guī)范：GJB2117橫電磁波室性能測試方法性能要求：未裝入吸波材料時，應測量橫電磁波室的傳輸損耗，最低諧振頻率以下，橫電磁波室的傳輸損耗應小于1dB。在橫電磁波室內(nèi)裝入吸波材料后，應再次測量其傳輸損耗。3~5報告要求：報告應由CNAS--屏蔽效能依據(jù)標準/規(guī)范：GJB2117橫電磁波室性能測試方法限值要求：推薦測量頻率點為30MHz、300MHz及1000MHz，記錄屏蔽效能值。3~5報告要求：應由CNASCNAS-CL01-A008的要求。GTEM小室阻抗同7.6.1要求輸入端電壓駐波比同7.6.2要求場均勻性同7.6.3要求TEM模的驗證同7.6.4要求屏蔽效能同7.6.6要求平行板傳輸線阻抗依據(jù)標準/規(guī)范：GJB2117性能要求：特征阻抗為50Ω和90Ω；3~5報告要求：報告應由CNAS場均勻性同7.6.3要求EMC場地確認項目和要求屏蔽室屏蔽效能依據(jù)標準/規(guī)范：GB/T12190EN50147-1Anechoicchambers-Part1.Shieldattenuationmeasurement性能要求：屏蔽室的屏蔽效能至少應滿足CNAS-CL01-A008的要求：14kHz-1MHz ＞60dB2) 1MHz-1000MHz ＞90dB備注：常規(guī)屏蔽效能測試到1GHz，特殊情況下依據(jù)使用情況測試到1GHz以上。3~5報告要求：應由CNASCNAS-CL01-A008的要求。接地電阻依據(jù)標準/規(guī)范：GB/T16895.236性能要求：屏蔽室的接地電阻至少應滿足CNAS-CL01-A008的要求：接地電阻小于4Ω。3~5報告要求：應由CNASCNAS-CL01-A008的要求。絕緣電阻依據(jù)標準/規(guī)范：GB/T16895.236性能要求：屏蔽室的絕緣電阻至少應滿足CNAS-CL01-A008的要求：電源進線對屏蔽室金屬壁的絕緣電阻及導線與導線之間的絕緣電阻應大于2MΩ。3~5報告要求：應由CNAS容符合CNAS-CL01-A008的要求。環(huán)境噪聲電平依據(jù)標準/規(guī)范：GB/T6113.2012-1 CISPR16-2-1Specificationforradiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatusandmethods–Part2-1:Methodsofmeasurementofdisturbancesandimmunity–ConducteddisturbancemeasurementsEN55016-2-1Specificationforradiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatusandmethods–Part2-1:Methodsofmeasurementofdisturbancesandimmunity–Conducteddisturbancemeasurements相關標準等性能要求：屏蔽室的環(huán)境噪聲電平應比相應適用標