納米制造 材料規(guī)范 發(fā)光納米材料 第1部分：空白技術(shù)規(guī)范 征求意見稿

1本文件規(guī)定了單分散發(fā)光納米材料的基本光學(xué)性質(zhì)與一些其他性質(zhì)。本文件未明確規(guī)定發(fā)光納米材料的特性指標(biāo)，供需雙方可根據(jù)具體應(yīng)用需求協(xié)商確定。本文件不適用于發(fā)光納米材料混合物或聚集體。2規(guī)范性引用文件下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件。不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。GB/T37664.1納米制造關(guān)鍵控制特性發(fā)光納米材料第1部分：量子效率（GB/T37664.1-2019,IEC62607-3-1:2014,IDT）IEC/TS62607-3-2納米制造關(guān)鍵控制特性第3-2部分發(fā)光納米材料分散液中量子點(diǎn)質(zhì)量的測定（Nanomanufacturing-Keycontrolcharacteristics-Part3-2:Luminescentnanoparticles-Determinationofmassofquantumdotdispersion）3術(shù)語和定義下列術(shù)語和定義適用于本文件.3.1吸收系數(shù)absorptioncoefficient吸光度與通過樣品的光路長度的比值。3.2顏色colour通過色空間中三個坐標(biāo)作為唯一標(biāo)識的發(fā)光納米材料的光學(xué)特征3.3生產(chǎn)日期dateofmanufacture發(fā)光納米材料的最初合成日期。3.4發(fā)射光譜emissionspectrum發(fā)光納米材料在特定激發(fā)下所發(fā)出輻射的譜圖分布。[來源：CIES017/E:2011,ILV:國際發(fā)光詞匯，定義17-380]3.52發(fā)射波長峰值emissionwavelengthpeak[發(fā)射光譜上]最強(qiáng)發(fā)射處對應(yīng)的波長。3.6發(fā)射波長范圍emissionwavelengthrange[發(fā)射光譜上]發(fā)射發(fā)生的波長范圍。注：為避免雜散光的影響，以發(fā)射強(qiáng)度大于5%發(fā)射波長峰值強(qiáng)度的3.7激發(fā)波長excitationwavelength用于激發(fā)發(fā)光納米材料產(chǎn)生光發(fā)射的具體波長。3.8半峰寬FWHMfull-widthathalfmaximum[發(fā)射光譜上]最大發(fā)射強(qiáng)度50%處的發(fā)射波長范圍。3.9制造過程標(biāo)識符（3.1.11），用于確認(rèn)發(fā)光納米材料具體制備程序或配方唯一標(biāo)識。3.10發(fā)光納米材料luminescentnanomaterial用電、光或其他方式激發(fā)時，可發(fā)光的納米材料。3.11制造過程標(biāo)識符manufacturingprocessidentifier標(biāo)識制造過程的唯一方式，代表一組特定的工藝參數(shù)。3.12納米材料nanomaterial任一外部維度、內(nèi)部或表面結(jié)構(gòu)處于納米尺度的材料。[來源：ISO/TS80004-1:2015,2.4]3.13最大吸收波長peakabsorbance發(fā)生最大電磁輻射吸收的波長。3.14偏振各向異性polarizationanisotropy發(fā)射各向異性emissionanisotropyr熒光樣品的偏振靈敏度。注：偏振各向異性由測得的熒光強(qiáng)度來定義，用與入射平面平行方向的熒光強(qiáng)度（I||）和垂直方向的熒光強(qiáng)度（I⊥)之差與總熒光強(qiáng)度（IT）的比值來表示：Ill_ILIⅡ_IL==ITIll+2IL3.15量子效率quantumefficiency發(fā)光納米材料激發(fā)后的光子發(fā)射效率。[來源：IEC62607-3-1:2014,3.13,有修改：將“納米顆?！备臑椤凹{米材料激發(fā)后”]4縮略語下列縮略語適用于本文件。Cpk制造過程能力指數(shù)（manufacturingprocesscapabilityindex）CVD化學(xué)氣相沉積（chemicalvapourdeposition）DLS動態(tài)光散射（dynamiclightscattering）EDX能量色散X射線光譜（energydispersiveX-rayspectroscopy）ICP電感耦合等離子體（inductivelycoupledplasma）IR紅外光譜（infraredspectroscopy）MS質(zhì)譜儀（massspectrometry）NIR近紅外光譜（near-infraredspectroscopy）OES光發(fā)射譜（opticalemissionspectroscopy）PFS偏振熒光光譜（polarizedfluorescencespectroscopy）PL熒光光譜（photoluminescence）PVD物理氣相沉積（physicalvapourdeposition）SAXS小角X射線散射（smallangleX-rayscattering）SEM掃描電子顯微鏡（scanningelectronmicroscopy）TGA熱重分析（thermogravimetricanalysis）TOPO三辛基氧膦（trioctylphosphineoxide）TEM透射電子顯微鏡（transmissionelectronmicroscopy）UV-Vis紫外-可見光譜（ultraviolet-visiblespectroscopy）XRDX射線衍射（X-raydiffraction）XRFX射線熒光（X-rayfluorescence）YAG:Ce鈰摻雜釔鋁石榴石（cerium-dopedyttriumaluminiumgarnet）5測試方法要求本技術(shù)規(guī)范中所列出的發(fā)光納米材料特性參數(shù)，若目前尚未制定測試犯法標(biāo)準(zhǔn)或正在由IEC/TC113和ISO/TC229聯(lián)合工作組進(jìn)行測試方法標(biāo)準(zhǔn)研制，則應(yīng)給出測試方法。為了滿足納米電工產(chǎn)品的實(shí)際工業(yè)應(yīng)用，本文件對每個特性參數(shù)均給出了推薦的測試方法。在產(chǎn)業(yè)適用的標(biāo)準(zhǔn)測試方法尚未建立時，使用者應(yīng)提供的最低文件要求如下：——樣品制備方法；;4——測試程序；——樣品尺寸和統(tǒng)計(jì)顯著性（尺寸分布——原始測試數(shù)據(jù)如何轉(zhuǎn)化為具體材料參數(shù)。應(yīng)根據(jù)產(chǎn)業(yè)實(shí)際應(yīng)用需求，并考慮測試費(fèi)用、穩(wěn)健性（可靠性）和效率，選擇適用的測試方法和測試程序。建議供需雙方共同確認(rèn)測試方法標(biāo)準(zhǔn)的適用性。6基本要求發(fā)光納米材料的生產(chǎn)過程應(yīng)符合常規(guī)工藝（材料生產(chǎn)過程）檢查要求，以確保生產(chǎn)過程處于可控狀態(tài)。根據(jù)行業(yè)慣例，通過統(tǒng)計(jì)過程控制（SPC）實(shí)現(xiàn)可控性展示，例如IATF16949：2016中的規(guī)定。7規(guī)范格式7.1一般采購信息發(fā)光納米材料產(chǎn)品的一般采購信息見表1，建議由生產(chǎn)方或產(chǎn)品供貨方提供。表1一般采購信息表注：一般采購規(guī)范號、修訂版本和分部分號/修訂版本由客戶或57.2發(fā)光納米材料的關(guān)鍵控制特性7.2.1物理化學(xué)關(guān)鍵控制特性發(fā)光納米材料的物理化學(xué)關(guān)鍵控制特性規(guī)格要求見表2。表2物理化學(xué)關(guān)鍵控制特性7.2.2光學(xué)關(guān)鍵控制特性發(fā)光納米材料的光學(xué)關(guān)鍵控制特性規(guī)格要求見表3，光學(xué)控制特性由發(fā)光顏色表示。應(yīng)給出光學(xué)關(guān)鍵控制特性對應(yīng)的激發(fā)波長。注：發(fā)光納米材料也可被電激發(fā)；不過本文件未表3由發(fā)光顏色表示的光學(xué)關(guān)鍵控制特性藍(lán)青綠黃橙紅68測試分析方法概述準(zhǔn)確測試發(fā)光納米材料的各項(xiàng)關(guān)鍵特性參數(shù)以評價材料質(zhì)量，對納米材料在一般照明和顯示應(yīng)用中的持續(xù)增長至關(guān)重要。但不同檢測實(shí)驗(yàn)室在測試方法和測試數(shù)據(jù)分析上始終存在明顯不一致，因此對發(fā)光納米材料質(zhì)量進(jìn)行比對和制定規(guī)范非常困難。盡管目前取得了一些進(jìn)展，但仍需顯著提高對材料質(zhì)量的準(zhǔn)確測試和表征。對于發(fā)光納米材料的測試表征，最廣泛采用的技術(shù)包括UV-Vis光譜、熒光光譜、ICP-MS、TGA、SEM和TEM。熒光光譜技術(shù)也稱為熒光測定技術(shù)，是一類特定類型的發(fā)射光譜技術(shù)。對一些關(guān)鍵控制特性的常用分析技術(shù)在表4中進(jìn)行了總結(jié)。熱重分析技術(shù)可定量測試樣品中的無機(jī)和有機(jī)材料含量，但所需樣品量較大。通過TEM圖像可對測試樣品的質(zhì)量進(jìn)行粗評，用高分辨TEM圖像可檢測單個顆粒的形狀。對發(fā)光納米材料樣品形貌的定性分析，建議采用TEM技術(shù)，在測試方法中應(yīng)具體說明如何對TEM圖像進(jìn)行選擇。對于樣品純度的定量測定，建議聯(lián)用ICP-MS、TGA、IR、Raman和NIR等技術(shù)。對于光學(xué)特性的測定，建議用UV-Vis光譜檢測與光吸收相關(guān)的性質(zhì)，用熒光光譜檢測與激發(fā)和發(fā)射相關(guān)的性質(zhì)。表4測試分析方法匯總表7參考文獻(xiàn)[1]CIES017/E:2011,ILV:InternationalLightingVocabulary,CIECentralBureau,Vienna,Austria[2]IATF16949:2016,Qualitymanagemen