材料分析方法智慧樹知到期末考試答案2024年

材料分析方法智慧樹知到期末考試答案2024年材料分析方法俄歇電子的能量與激發(fā)源能量大小無關(guān)

A:錯(cuò)B:對(duì)答案:對(duì)倒易點(diǎn)陣是衍射波的方向在空間的分布

A:正確B:錯(cuò)誤答案:錯(cuò)誤分子振動(dòng)時(shí)伴有極化率改變者具有紅外活性，伴有偶極矩變化者具有拉曼活性。

A:錯(cuò)誤B:正確答案:錯(cuò)誤核磁共振波譜中對(duì)于OCH3,CCH3和NCH3，NCH3的質(zhì)子的化學(xué)位移最大。

A:對(duì)B:錯(cuò)答案:錯(cuò)成分和價(jià)鍵分析的手段有EDS、XPS和WDS

A:錯(cuò)B:對(duì)答案:對(duì)XPS的信號(hào)比AES的信號(hào)產(chǎn)生的深度大

A:對(duì)B:錯(cuò)答案:對(duì)X光譜的能量分辨率比電子能譜的能量分辨率高

A:正確B:錯(cuò)誤答案:錯(cuò)誤在阿貝成像原理中，不同物點(diǎn)的同級(jí)衍射波在后焦面的衍射形成衍射譜。

A:正確B:錯(cuò)誤答案:錯(cuò)誤在電子衍射花樣中，每一個(gè)衍射斑點(diǎn)是由一系列的衍射波造成的

A:正確B:錯(cuò)誤答案:錯(cuò)誤能譜儀采譜速度慢、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊

A:對(duì)B:錯(cuò)答案:錯(cuò)掃描探針顯微鏡可以在液氮溫區(qū)下工作。

A:正確B:錯(cuò)誤答案:正確成分和價(jià)鍵分析的基本依據(jù)是原子核外電子的躍遷產(chǎn)生的信號(hào)

A:錯(cuò)B:對(duì)答案:對(duì)核磁共振波譜法與紅外吸收光譜法一樣，都是基于吸收電磁輻射的分析法

A:對(duì)B:錯(cuò)答案:對(duì)接觸式原子力顯微鏡中探針與樣品的距離小于0.1nm。

A:錯(cuò)B:對(duì)答案:錯(cuò)常規(guī)碳譜不能定量，其原因與核的NOE效應(yīng)以及弛豫時(shí)間有關(guān)。

A:錯(cuò)誤B:正確答案:正確自旋核的磁旋比γ隨外磁場(chǎng)強(qiáng)度變大而變大

A:錯(cuò)誤B:正確答案:錯(cuò)誤能進(jìn)行選區(qū)電子衍射的電子束是低能電子

A:錯(cuò)誤B:正確答案:錯(cuò)誤碳譜的相對(duì)化學(xué)位移范圍較寬(0~200)，所以碳譜的靈敏度高于氫譜。

A:正確B:錯(cuò)誤答案:錯(cuò)誤XPS的化學(xué)位移要比俄歇電子的化學(xué)位移大得多，更適合于表征化學(xué)環(huán)境的作用

A:對(duì)B:錯(cuò)答案:對(duì)掃描電鏡與（）配合使用，可以分析樣品的元素成分及元素分布

A:X射線能譜儀B:X射線光電子能譜儀C:俄歇電子能譜儀D:二次離子質(zhì)譜儀答案:X射線能譜儀特征X射線的波長(zhǎng)是由（）決定

A:高壓電場(chǎng)B:熱陰極種類C:陽極靶元素D:樣品種類答案:熱陰極種類關(guān)于背散射電子的描述，錯(cuò)誤的是（）

A:成分襯度反映樣品原子序數(shù)差異B:可以顯示形貌襯度和成分襯度C:原子序數(shù)Z越大，發(fā)射系數(shù)越大D:分辨率比二次電子高答案:分辨率比二次電子高掃描電子顯微鏡的分辨率由什么信號(hào)決定（）

A:二次電子B:背散射電子C:吸收電子D:俄歇電子答案:二次電子原子核外的K層電子被激發(fā)，L層電子向K層電子躍遷時(shí)輻射的X射線為（）

A:Lα輻射B:Lβ輻射C:Kα輻射D:Kβ輻射答案:Kα輻射某一個(gè)自旋核,產(chǎn)生核磁共振現(xiàn)象時(shí),吸收電磁輻射的頻率大小取決于

A:外磁場(chǎng)強(qiáng)度大小B:試樣的純度C:在自然界的豐度D:試樣的存在狀態(tài)答案:外磁場(chǎng)強(qiáng)度大小自旋核的磁旋比γ隨外磁場(chǎng)強(qiáng)度變大而

A:不改變B:稍改變C:變大D:變小答案:不改變下列化合物的1HNMR譜，各組峰全是單峰的是

A:CH3-OOC-CH2-COO-CH3B:CH3-OOC-CH2CH3C:(CH3)2CH-O-CH(CH3)2D:CH3CH2-OOC-CH2CH2-COO-CH2CH3答案:CH3-OOC-CH2-COO-CH3下列關(guān)于掃描探針顯微鏡的描述，錯(cuò)誤的是（）

A:分辨率從原子尺度級(jí)到毫米量級(jí)B:可以對(duì)原子分子進(jìn)行操縱C:可以獲得樣品表面的摩擦力、粘附力等信息性D:一種具有非常高的空間分辨率的三維輪廓儀答案:分辨率從原子尺度級(jí)到毫米量級(jí)下列關(guān)于原子力顯微鏡的描述，錯(cuò)誤的是（）

A:記錄微懸臂對(duì)應(yīng)于掃描各點(diǎn)的位置變化，獲得樣品的表面形貌信息B:位敏光探測(cè)器可實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)微懸臂的變化C:位敏光探測(cè)器可檢測(cè)懸臂針尖小于1nm的垂直運(yùn)動(dòng)D:樣品在針尖下做光柵式運(yùn)動(dòng)答案:位敏光探測(cè)器可檢測(cè)懸臂針尖小于1nm的垂直運(yùn)動(dòng)影響光學(xué)顯微鏡分辨率的制約因素是（）

A:光的散射B:光的衍射C:光的干涉D:光的反射答案:光的衍射在核磁共振波譜分析中，當(dāng)質(zhì)子核外的電子云密度增加時(shí)

A:屏蔽效應(yīng)減弱，化學(xué)位移值大，峰在高場(chǎng)出現(xiàn)B:屏蔽效應(yīng)增強(qiáng)，化學(xué)位移值小，峰在高場(chǎng)出現(xiàn)C:屏蔽效應(yīng)增強(qiáng)，化學(xué)位移值大，峰在高場(chǎng)出現(xiàn)D:屏蔽效應(yīng)增強(qiáng)，化學(xué)位移值大，峰在低場(chǎng)出現(xiàn)答案:屏蔽效應(yīng)增強(qiáng)，化學(xué)位移值小，峰在高場(chǎng)出現(xiàn)掃描隧道顯微鏡的工作原理是（）

A:量子隧穿效應(yīng)B:表面效應(yīng)C:原子間相互作用力D:量子尺寸效應(yīng)答案:量子隧穿效應(yīng)特征X射線產(chǎn)生的機(jī)理是（）

A:原子內(nèi)層電子躍遷B:外層電子被打掉C:高速電子受阻答案:原子內(nèi)層電子躍遷電子槍產(chǎn)生的電子是（）

A:入射電子B:背散射電子C:二次電子D:透射電子答案:入射電子若采用X射線物相的定量分析測(cè)定鋼中的奧氏體含量，可采用（）

A:直接比較法B:外標(biāo)法C:K值法D:內(nèi)標(biāo)法答案:直接比較法下列哪種因素不是影響核磁共振譜譜峰位置的影響因素（）

A:誘導(dǎo)效應(yīng)B:共軌效應(yīng)C:磁各向異性效應(yīng)D:分子含量答案:分子含量關(guān)于俄歇電子產(chǎn)生的過程描述，錯(cuò)誤的是（）

A:激發(fā)態(tài)和基態(tài)的能量差轉(zhuǎn)移給原子核外的外層電子B:內(nèi)層電子脫離原子核的束縛，成為自由電子發(fā)射出去C:外層電子脫離原子核的束縛，成為自由電子發(fā)射出去D:激發(fā)態(tài)和基態(tài)的能量差轉(zhuǎn)移給原子核外的內(nèi)層電子答案:激發(fā)態(tài)和基態(tài)的能量差轉(zhuǎn)移給原子核外的內(nèi)層電子;內(nèi)層電子脫離原子核的束縛，成為自由電子發(fā)射出去下列關(guān)于X射線的散射描述，正確的是

A:X射線與內(nèi)層強(qiáng)束縛電子的散射相干散射B:X射線與外層弱束縛電子的散射是非相干散射C:原子核與入射X射線相互作用的結(jié)果D:非相干散射是X射線衍射分析的基礎(chǔ)答案:X射線與內(nèi)層強(qiáng)束縛電子的散射相干散射###X射線與外層弱束縛電子的散射是非相干散射掃描隧道顯微鏡的兩種工作模式是（）

A:恒定電流模式B:恒定掃速模式C:恒定電壓模式D:恒定高度模式答案:恒定電流模式###恒定高度模式關(guān)于非接觸和接觸式原子力顯微鏡的比較，下列說法正確的是（）

A:非接觸原子力顯微鏡信號(hào)較弱B:接觸式比非接觸式原子力顯微鏡更適合測(cè)量軟體樣品C:接觸式原子力顯微鏡會(huì)出現(xiàn)針尖和樣品變質(zhì)的現(xiàn)象D:垂直分辨率都優(yōu)于1nm的答案:非接觸原子力顯微鏡信號(hào)較弱;接觸式原子力顯微鏡會(huì)出現(xiàn)針尖和樣品變質(zhì)的現(xiàn)象1986年的諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)獲得者是（）

A:RohrerB:RuskaC:BinnigD:Charles答案:Rohrer;Ruska;Binnig關(guān)于背散射電子，下列描述正確的是（）

A:對(duì)樣品的表面形貌進(jìn)行分析B:產(chǎn)生范圍在表層10~1000nm內(nèi)C:對(duì)樣品的表面成分進(jìn)行分析D:產(chǎn)額隨原子序數(shù)的增加而增加答案:對(duì)樣品的表面成分進(jìn)行分析;對(duì)樣品的表面形貌進(jìn)行分析;產(chǎn)額隨原子序數(shù)的增加而增加在光電子能譜中，影響化學(xué)位移的因素有（）

A:原子序數(shù)B:結(jié)合原子的電負(fù)性C:原子氧化態(tài)D:入射電子的能量答案:結(jié)合原子的電負(fù)性###原子氧化態(tài)接觸式原子力顯微鏡有哪兩種工作模式（）

A:恒定力模式B:恒定電流模式C:恒定高度模式D:恒定掃速模式答案:恒定高度模式;恒定力模式下列關(guān)于透射電子顯微鏡的描述，正確的是（）

A:觀察細(xì)胞內(nèi)部超微結(jié)構(gòu)B:利用透射電子成像C:景深長(zhǎng)、立體感強(qiáng)D:分辨率高，性能最完善答案:景深長(zhǎng)、立體感強(qiáng)下列關(guān)于阿貝成像原理的描述，正確的是（）

A:不同物點(diǎn)的同級(jí)衍射波在后焦面的干涉，形成衍射譜B:同一物點(diǎn)的各級(jí)衍射波在像面的干涉，形成物像C:物像由透射光和衍射光互相干涉而形成D:參與成像的衍射斑點(diǎn)越多，物像與物體的相似性越好。答案:衍射關(guān)于恒流模式說法正確的是（）

A:適合測(cè)量未知樣品B:掃描速率快C:適合測(cè)量不規(guī)則表面D:精度較低答案:適合測(cè)量不規(guī)則表面;適合測(cè)量未知樣品關(guān)于掃描探針顯微鏡，下列說法描述正確的是（）

A:可以獲得樣品表面的摩擦力信息B:可以獲得樣品表面的電子結(jié)構(gòu)性質(zhì)C:可以對(duì)分子進(jìn)行操縱D:分辨率從原子尺度級(jí)到微米量級(jí)答案:分辨率從原子尺度級(jí)到微米量級(jí);可以對(duì)分子進(jìn)行操縱;可以獲得樣品表面的電子結(jié)構(gòu)性質(zhì);可以獲得樣品表面的摩擦力信息掃描探針顯微鏡是由哪幾部分構(gòu)成（）

A:控制針尖位置的反饋系統(tǒng)B:調(diào)整樣品與針尖間隙的粗調(diào)定位系統(tǒng)C:針尖與壓電掃描器D:計(jì)算機(jī)系統(tǒng)答案:控制針尖位置的反饋系統(tǒng)###調(diào)整樣品與針尖間隙的粗調(diào)定位系統(tǒng)###計(jì)算機(jī)系統(tǒng)###針尖與壓電掃描器體心立方晶體產(chǎn)生系統(tǒng)消光的晶面有（）

A:112B:111C:100D:110答案:112X射線與固體物質(zhì)作用可能產(chǎn)生哪些信號(hào)（）

A:特征X射線是物質(zhì)的固有特性B:俄歇電子C:X光電子D:背散射電子答案:X光電子###俄歇電子###特征X射線是物質(zhì)的固有特性關(guān)于彈性散射的描述，正確的是（）

A:入射電子的動(dòng)能發(fā)生改變B:入射電子的動(dòng)能不發(fā)生改變C:原子核對(duì)入射電子的散射D:入射電子的方向發(fā)生改變答案:入射電子的動(dòng)能不發(fā)生改變利用粉末法材料的樣品形狀為（）

A:任意形狀B:分散粉末狀C:圓柱形D:塊狀答案:圓柱形###任意形狀掃描探針顯微鏡的優(yōu)點(diǎn)有（）

A:可以對(duì)金屬樣品進(jìn)行掃描B:可以在高溫和低溫狀態(tài)下工作C:可以在大氣、真空、溶液環(huán)境下進(jìn)行工作D:橫向分辨率為0.01nm，縱向分辨率為0.01nm答案:可以在大氣、真空、溶液環(huán)境下進(jìn)行工作;可以在高溫和低溫狀態(tài)下工作當(dāng)X射線將原子核外的K層電子打出去后，L層電子躍遷回到K層，多余能量將另一個(gè)L層電子打出核外，這整個(gè)過程將產(chǎn)生（）

A:二次電子B:光電子C:特征X射線D:俄歇電子答案:俄歇電子###光電子下列說法錯(cuò)誤的是（）

A:當(dāng)孔或障礙物比光的波長(zhǎng)小時(shí)，光會(huì)發(fā)生衍射B:當(dāng)孔或障礙物跟光的波長(zhǎng)可比擬時(shí)，光可看成沿直線傳播C:當(dāng)孔或障礙物比光的波長(zhǎng)大很多時(shí)，光可看成沿直線傳播D:當(dāng)孔或障礙物比光的波長(zhǎng)小時(shí)，光會(huì)發(fā)生透射答案:AI參