任務(wù)四 影響沉淀純度的主要因素

項(xiàng)目六稱量分析法和沉淀滴定法任務(wù)一稱量分析法概述任務(wù)二沉淀的溶解度及其影響因素任務(wù)三沉淀的類型和沉淀的形成過程任務(wù)四影響沉淀純度的主要因素任務(wù)五沉淀?xiàng)l件的選擇任務(wù)六稱量分析中的換算因數(shù)及計(jì)算任務(wù)七沉淀滴定法及應(yīng)用任務(wù)四 影響沉淀純度的主要因素在稱量分析中，要求獲得的沉淀是純凈的。但是，沉淀是從溶液中析出的，總會(huì)或多或少地夾雜溶液中的其他組分。因此，必須了解沉淀生成過程中混入雜質(zhì)的各種情況，找出減少雜質(zhì)混入的方法，以獲得符合稱量分析要求的沉淀。在進(jìn)行沉淀反應(yīng)時(shí)，某些可溶性雜質(zhì)同時(shí)沉淀下來的現(xiàn)象,叫做共沉淀現(xiàn)象。產(chǎn)生共沉淀現(xiàn)象的原因是由于表面吸附、生成混晶和吸留所造成。其中主要的是表面吸附。一、共沉淀現(xiàn)象表面吸附是在沉淀的表面上吸附了雜質(zhì)。產(chǎn)生這種現(xiàn)象的原因，是由于晶體表面上離子電荷的不完全等衡所引起的。例如在測(cè)定含有Ba2+、Fe3+溶液中的Ba2+時(shí)，加入沉淀劑稀H2SO4，則生成BaSO4晶形沉淀。從靜電引力的作用來說，在溶液中任何帶相反電荷的離子都同樣有被吸附的可能性。表面吸附是有選擇性的。1.表面吸附

吸附層吸附的選擇性是：構(gòu)晶離子首先被吸附，其次，是與構(gòu)晶離子大小相近，電荷相同的離子容易被吸附。擴(kuò)散層吸附的選擇性是：離子的價(jià)數(shù)越高越容易被吸附,與構(gòu)晶離子生成難溶化合物或離解度較小的化合物的離子也容易被吸附。

吸附雜質(zhì)量的多少，還與下列因素有關(guān)：沉淀的總表面積雜質(zhì)離子的濃度溶液的溫度如果雜質(zhì)離子與構(gòu)晶離子的半徑相近，電子層結(jié)構(gòu)相同，而且所形成的晶體結(jié)構(gòu)也相同，則它們能生成混晶體。常見的混晶有BaSO4和PbSO4，AgC1和AgBr，MgNH4PO4·6H2O和MgNH4AsO4·6H2O等。用洗滌或陳化的方法凈化沉淀，效果不顯著。為避免混晶的生成，最好事先先將這類雜質(zhì)分離除去。2.生成混晶在沉淀過程中，當(dāng)沉淀劑的濃度比較大、加入比較快時(shí)沉淀迅速長(zhǎng)大，則先被吸附在沉淀表面的雜質(zhì)離子來不及離開沉淀，于是就陷入沉淀晶體內(nèi)部，這種現(xiàn)象稱為吸留。如留在沉淀內(nèi)部的是母液，則稱為包夾。這種現(xiàn)象造成的沉淀不純是無法洗去的，因此，在進(jìn)行沉淀時(shí)應(yīng)盡量避免此種現(xiàn)象的發(fā)生。3.吸留和包夾溶液中某些組分析出沉淀之后，另一種本來難以析出沉淀的組分，在該沉淀表面繼續(xù)析出沉淀的現(xiàn)象，稱為后沉淀現(xiàn)象。二、后沉淀現(xiàn)象在含有Cu2+、Zn2+等離子的酸性溶液中，通入H2S時(shí)最初得到的CuS沉淀中并不夾雜ZnS。但是如果沉淀與溶液長(zhǎng)時(shí)間地接觸、則由于CuS沉淀表面上從溶液中吸附了S2-，而使沉淀表面上S2-濃度大大增加，致使S2-濃度與Zn2+濃度的乘積大于ZnS的溶度積常數(shù)，于是在CuS沉淀的表面上，就析出ZnS沉淀。后沉淀所引入的雜質(zhì)量比共沉淀要多，且隨著沉淀放置時(shí)間的延長(zhǎng)而增多。因此為防止后沉淀現(xiàn)象的發(fā)生，某些沉淀的陳化時(shí)間不宜過久。1.選擇適當(dāng)?shù)姆治霾襟E2.選擇適當(dāng)?shù)某恋韯?.改變雜質(zhì)的存在形式以降低其濃度4.改善沉淀?xiàng)l件