高效GaN基陣列式高壓LED器件的研究的開(kāi)題報(bào)告

高效GaN基陣列式高壓LED器件的研究的開(kāi)題報(bào)告題目：高效GaN基陣列式高壓LED器件的研究一、選題背景高效GaN基陣列式高壓LED器件是一種新型的發(fā)光器件，在LED應(yīng)用領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。它以高性能GaN材料為基礎(chǔ)，采用數(shù)組結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，具有高亮度、高效能、長(zhǎng)壽命等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于顯示屏、照明燈具、汽車照明、照相機(jī)等領(lǐng)域。然而，由于其制造過(guò)程較為復(fù)雜，存在著制造成本高、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)不合理、發(fā)光穩(wěn)定度差等問(wèn)題，因此，需要開(kāi)展進(jìn)一步的研究和探索。二、研究目的本研究旨在通過(guò)對(duì)高效GaN基陣列式高壓LED器件的研究，解決制造成本高、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)不合理、發(fā)光穩(wěn)定度差等問(wèn)題，提高該器件的性能和穩(wěn)定度，以進(jìn)一步推廣應(yīng)用該器件。三、研究?jī)?nèi)容本研究將重點(diǎn)研究以下內(nèi)容：1、GaN材料的制備和性能測(cè)試2、陣列式發(fā)光器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和優(yōu)化3、陣列式發(fā)光器件制備工藝優(yōu)化4、陣列式發(fā)光器件性能測(cè)試及分析5、陣列式發(fā)光器件的應(yīng)用研究和推廣四、研究方法和方案本研究將采用理論分析和實(shí)驗(yàn)研究相結(jié)合的方式進(jìn)行。具體方法和方案如下：1、GaN材料的制備：采用MOCVD方法，以氨氣為載氣，實(shí)現(xiàn)GaN材料的高質(zhì)量制備。2、優(yōu)化陣列式發(fā)光器件結(jié)構(gòu)：通過(guò)建立光電結(jié)構(gòu)模型，研究器件結(jié)構(gòu)對(duì)光電性能的影響，并進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)。3、優(yōu)化制備工藝：采用不同的工藝方法，如MBE和PECVD等，對(duì)器件進(jìn)行制備和優(yōu)化。4、性能測(cè)試及分析：對(duì)制備好的陣列式發(fā)光器件進(jìn)行性能測(cè)試，包括L-I-V特性測(cè)試、內(nèi)部量子效率測(cè)試、發(fā)光色坐標(biāo)測(cè)試等，并對(duì)測(cè)試結(jié)果進(jìn)行分析。5、應(yīng)用研究和推廣：分析和評(píng)估研究成果，探討陣列式發(fā)光器件在實(shí)際應(yīng)用中的價(jià)值和前景，以推廣和應(yīng)用該器件。五、研究意義本研究將能夠提高陣列式發(fā)光器件的性能和穩(wěn)定性，降低其制造成本，并推動(dòng)其廣泛應(yīng)用于顯示屏、照明燈具、汽車照明、照相機(jī)等領(lǐng)域。同時(shí)也對(duì)于提高我國(guó)的高發(fā)光效率LED器件的研究水平，促進(jìn)我國(guó)相關(guān)高科技產(chǎn)業(yè)的發(fā)展有著重要意義。六、進(jìn)度安排1、前期調(diào)研和研究設(shè)計(jì)：3個(gè)月；2、GaN材料的制備和性能測(cè)試：6個(gè)月；3、陣列式發(fā)光器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和優(yōu)化：3個(gè)月；4、陣列式發(fā)光器件制備工藝優(yōu)化：6個(gè)月；5、陣列式發(fā)光器件性能測(cè)試及分析：6個(gè)月；6、陣列式發(fā)光器件的應(yīng)用研究和推廣：3個(gè)月。七、參考文獻(xiàn)[1]楊錚,徐麗.高效GaN基超長(zhǎng)壽命LED及其應(yīng)用[C].第九屆全國(guó)發(fā)光材料科技研討會(huì),2017.[2]劉偉,呂鋒,張福坤,等.非晶硅薄膜材料在LED中的應(yīng)用[J].光電子技術(shù),2014,32(2):126-128.[3]YueM,SunX,ZhangX,etal.High-efficiencyGaN-basedverticallightemittingdiodeswithanembeddedreflector[J].JournalofAppliedPhysics,2012,111(5):053102.[4]張培文,劉洋,鄭自濤,等.InGaNLED中p-GaN的n型摻雜技術(shù)[J].半導(dǎo)體技術(shù),2013,38(3):204-207.[5]WangX,HuX,DuC,etal.PerformanceenhancementofGaN-basedverticallightemittingdiodesbysurfacetext