半導體行業(yè)跟蹤報告之十四：利基型存儲市場拐點已現(xiàn)關注兆易創(chuàng)新等存儲設計公司

華邦電子：連續(xù)四個月營收同比增長，2024。2024201.2115%。華邦電4年-3月分別實現(xiàn)營收63.7和1131%和-2-3和+212024174202312737%。Flash5%，單機容量（contentperbox）SLCNAND2024年下半年達到供需平衡，2025DRAMDRAM行業(yè)有望于2024年達到供需平衡，IoT階市場會因為庫存調(diào)整完成及產(chǎn)能控制迎來價格反彈，利基型產(chǎn)品價格有望提AI圖4：華邦電子2017-2024Q1營收及同比增速 圖5：華邦電子2017-2023歸母凈利潤及同比增速資料來源：， 資料來源：，圖6：華邦電子2017-2024年3月月度營收及同環(huán)比增速資料來源：，旺宏：2024年3月營收環(huán)比增長2024Q157.604年-3月分別實現(xiàn)營收433和.3+%-9%和+22%，20243圖7：旺宏2017-2024Q1營收及同比增速 圖8：旺宏2017-2023年歸凈利潤及同比增速資料來源：， 資料來源：，圖9：旺宏2017-2024年3月月度營收及同環(huán)比增速資料來源：，南亞科：24年一季度營收同比大幅提升。202495.0348%-2.9。從月度營收看，南亞科4年-3月營收同比增長分別為35.9%、50.5%、58.02024DRAM圖10：南亞科2017-2024Q1營收及同比增速 圖11：南亞科2017-2024Q1歸母凈利潤及同比增速資料來源：， 資料來源：，2024Q1292024WFE502024Q1202420%。圖12：南亞科2017-2024年3月月度營收及同環(huán)比增速資料來源：，表1：兆易創(chuàng)新產(chǎn)品介紹

2、兆易創(chuàng)新：中國利基型存儲龍頭，積極布局利基型DRAM兆易創(chuàng)新：NORFlash國內(nèi)龍頭，利基型存儲多賽道全面布局。賽道多產(chǎn)品線的組合布局，目前主要是存儲器、微控制器和傳感器三大類。在NORFlash產(chǎn)品，據(jù)We-FeetResearch報告顯示，公司2年SerialNORFlash20SLCNandFlash產(chǎn)品種類產(chǎn)品類型產(chǎn)品種類產(chǎn)品類型產(chǎn)品系列產(chǎn)品介紹存儲產(chǎn)品NorFlash大容量2GbSPINORFlash高性能8SPINORFlash5G低功耗、低電壓池壽命和緊湊型尺寸要求嚴苛的應用提供優(yōu)異的選擇。小封裝LPO6.21.oT和其他緊湊型電池應用帶來優(yōu)異的設計靈活性。高安全性IoTRPMC品，提供了卓越的安全性能。高可靠性公司T/LT系列以及X/LX系列廣泛應用于對可靠性有嚴格要求的車載、工業(yè)等應用領域。汽車應用公司25-Q005的2bSPIORFah車2Mb~2Gb55nm量產(chǎn)，并持續(xù)開展工藝制程迭代。NANDFlash38nm24nm1Gb~8GbSPINANDFlash38nmSLCNANDFlash1Gb~4GbSPIFlashDRAM公司已量產(chǎn)DDR4、DDR3L產(chǎn)品，在網(wǎng)絡通信、電視、機頂盒、工業(yè)、智慧家庭等領域廣泛應用。MCUGD32MCU41500MCUARM?Cortex?-M3、M4、M23M33M7RISC-V32MCU傳感器OOS621英寸~20////流方案商。資料來源：兆易創(chuàng)新公告，業(yè)績有望隨著存儲行業(yè)回暖逐步復蘇。根據(jù)公司2023年業(yè)績預告，預計202357.6629.081.5592.45%；實現(xiàn)歸母扣非凈利潤0.2298.85%。公司20236.12中商譽減值損失預計3.82.3213.710.73%，實現(xiàn)歸母凈利潤-2.79蘇。圖13：兆易創(chuàng)新2019-2023年季度營收及同比增速 圖14：兆易創(chuàng)新2019-2023年季度歸母凈利潤及同比增速資料來源：，注：2023Q4數(shù)據(jù)為業(yè)績預告計算所得 資料來源：，注：2023Q4數(shù)據(jù)為業(yè)績預告計算所得增資長鑫科技，DRAM2021DDR3DRAM20243291.88DRM存儲產(chǎn)品DM龍頭DRAM長鑫科技開放部分產(chǎn)能為兆易創(chuàng)新DRAM業(yè)務提供代工服務。公司與長鑫科技DRAM產(chǎn)品采購代工等業(yè)務，20243281.8DRAM3、 北京君正：車規(guī)工控利基存儲龍頭企業(yè)北京君正全資子公司北京矽成在存儲器領域深耕三十多年，形成完整的技術(shù)體系和工程保障體系。北京矽成能夠面向汽車電子、工業(yè)與醫(yī)療等領域提供高品質(zhì)、高可靠性的各類存儲器產(chǎn)品，同時提供面向通訊產(chǎn)業(yè)和高端消費電子產(chǎn)業(yè)的芯SRAM、DRAMFlashSRAMSRAMSRAM、高速Q(mào)DRSRAMDRAM年，公司進行了不同容量、不同類別的高速DRA、MileDRM等存儲芯片SDRDDR1DDR2LPDDR2DDR3DDR4LPDDR48GLPDDR4DRAMDRAM技DRAMDRAMFlashNORFlashNANDFlash2023Q4202345.3116.285.3731.93%；其中202Q4實現(xiàn)營收11.11億元，同比下降6.85，實現(xiàn)歸母凈利潤9億元，193.572023Q438.380.14pct，環(huán)比1.27pct。圖15：北京君正2019-2023年季度營收及同比增速 圖16：北京君正2019-2023年季度歸母凈利潤及同比增速資料來源：， 資料來源：，4、 東芯股份：國內(nèi)SLCNAND巨頭企業(yè)NANDFlash、NORFlash、DRAM電子、工業(yè)與醫(yī)療等領域。1xnmNANDFlash、48nmNORFlashNORFlashETOX64Mb1Gb公司自主設計的SINORFlash存儲容量覆蓋64Mb至1bSingle/Dal/QadSI和QI四種指令模式、DTR網(wǎng)絡通信、可穿戴設備、移動終端等領域。公司NANDFlashSLCNANDSLCNANDFlash灣地區(qū)的華邦電子、旺宏。公司的SLCNANDFlash制程在國內(nèi)較為領先，該產(chǎn)品可提供3.3V/1.8V兩種電壓，具備WSON、BGA多種封裝形式，公司采用了業(yè)內(nèi)領先的單顆集成技術(shù)，將存儲陣列、ECC模塊與接口模塊統(tǒng)一集成在同一芯片內(nèi)，有效節(jié)約了芯片面積，降低了產(chǎn)品成本，提高了公司產(chǎn)品的市場競爭力。公司SLCNANDFlash產(chǎn)品憑借高可靠性被廣泛應用于通訊設備、安防監(jiān)控、可穿戴設備及移動終端等領域，通過了聯(lián)發(fā)科、瑞芯微、國科微、博通等行業(yè)內(nèi)主流平臺廠商的認證。長期來看，海外大廠可能會會逐步退出SLCNANDFlash市場，加上自主開發(fā)的需求，公司的市場占有率將有較大的提升空間。2023Q4202220235.333.062023Q4實現(xiàn)營收1.6253.54%-1.60億元。圖17：東芯股份產(chǎn)品應用示例資料來源：東芯股份公告圖18：東芯股份NORFlash產(chǎn)品 圖19：東芯股份NAND