23秋國家開放大學(xué)《光伏檢測(cè)與分析》形考任務(wù)1-4參考答案

國家開放大學(xué)《光伏檢測(cè)與分析》形考任務(wù)1-4參考答案形考任務(wù)11.()對(duì)半導(dǎo)體單晶電化學(xué)腐蝕速度的影響最大。2.()是半導(dǎo)體中最主要的缺陷，它屬于線缺陷。3.()是目前國內(nèi)最常用的判斷半導(dǎo)體導(dǎo)電類型的方法。4.()是影響硅器件的成品率的一個(gè)重要因素，也是影響器件性能的穩(wěn)定性和可5.()是最簡(jiǎn)單的點(diǎn)缺陷。A.70%7.半導(dǎo)體器件廠就是用一定型號(hào)的()來生產(chǎn)出所需要的半導(dǎo)體10.冷熱探筆法屬于利用半導(dǎo)體的()來測(cè)量導(dǎo)電類型的方法。11.冷熱探筆法主要適用于室溫電阻率在()的單晶。12.目前國內(nèi)外廣泛采用()測(cè)量半導(dǎo)體硅單晶電阻率。D.兩探針法13.三探針法屬于利用半導(dǎo)體的()來測(cè)量導(dǎo)電類型的方法。A.以上二種皆可B.整流效應(yīng)C.以上二種皆不可14.位錯(cuò)密度通常采用()來表示，可在金相顯微鏡下測(cè)定。A.以上皆不是B.線密度C.體密度D.面密度15.漩渦缺陷的A缺陷比B缺陷()。A.一樣大小D.未知16.漩渦缺陷是晶體中()的局部聚集。A.線缺陷B.微缺陷D.點(diǎn)缺陷17.一般認(rèn)為利用金屬與半導(dǎo)體的點(diǎn)接觸整流原理來測(cè)量導(dǎo)電類型的方法適用于室溫電阻率在()的硅單晶。A.以上皆不是B.小于1000Ω/cmC.1～1000Ω/cmD.大于1000Ω/cm18.用冷熱探筆法測(cè)量()半導(dǎo)體時(shí)，冷端帶負(fù)電，熱端帶正電。C.以上皆不是19.用冷熱探筆法測(cè)量()半導(dǎo)體時(shí)，冷端帶正電，熱端帶負(fù)電。20.用冷熱探筆法測(cè)量導(dǎo)電類型時(shí)，熱探筆的溫度要適當(dāng)，以()為宜。C.50～70℃2.半導(dǎo)體晶體缺陷中的宏觀缺陷主要有()。3.半導(dǎo)體晶體缺陷中的微觀缺陷主要有()。4.半導(dǎo)體晶體缺陷主要包括()。A.微觀缺陷5.半導(dǎo)體中非平衡少子載流子壽命的大小對(duì)半導(dǎo)體器件的()有直接影響。6.測(cè)量少數(shù)載流子壽命時(shí)注入比控制的方法主要有()方面。7.點(diǎn)缺陷主要包括()。8.高頻光電導(dǎo)衰退法的缺點(diǎn)主要有()。9.高頻光電導(dǎo)衰退法的優(yōu)點(diǎn)主要有()。10.構(gòu)成電化學(xué)腐蝕需要具備的條件主要有()。11.國內(nèi)外半導(dǎo)體硅單晶導(dǎo)電類型的測(cè)量具體方法有()。C.要求制備符合一定要求的歐姆接觸20.直流光電導(dǎo)衰退法的優(yōu)點(diǎn)主要有()。三、判斷題1.半導(dǎo)體的陷阱中心數(shù)量是變化的。(×)2.半導(dǎo)體硅在酸堿中所受到的腐蝕都屬于電化學(xué)腐蝕。(√)3.半導(dǎo)體體內(nèi)的缺陷可用金相顯微鏡進(jìn)行觀察和計(jì)數(shù)。(×)4.被腐蝕的半導(dǎo)體電極電位低的是負(fù)極，電極電位高的是正極，正級(jí)被腐蝕溶解。(×)5.測(cè)量半導(dǎo)體硅單晶導(dǎo)電類型時(shí)，通常要對(duì)表面進(jìn)行噴砂處理或進(jìn)行研磨處合中心，另一方面依靠表面能級(jí)作為復(fù)合中心。(√)7.腐蝕液的成分對(duì)腐蝕速度影響最大。(√)8.高頻光電導(dǎo)衰退法測(cè)量非平衡少數(shù)載流子壽命的測(cè)量下限一般為10～2010.可以將小角度晶界看成是層錯(cuò)的排列。(×)12.無論是直流光電導(dǎo)法或高頻光電導(dǎo)法測(cè)量少數(shù)載流子壽命時(shí)應(yīng)滿足小注13.漩渦缺陷的A缺陷比B缺陷大得多，而數(shù)量上少兩個(gè)數(shù)量級(jí)。(√)14.用冷熱探筆法測(cè)量半導(dǎo)體硅單晶導(dǎo)電類型時(shí)，熱探筆的溫度要適當(dāng)，以40～50℃為宜。(×)15.用冷熱探筆法測(cè)量N型半導(dǎo)體時(shí)，冷端帶負(fù)電，熱端帶正電。(√)16.用冷熱探筆法測(cè)量P型半導(dǎo)體時(shí)，冷端帶負(fù)電，熱端帶正電。(×)17.原生晶體中的漩渦缺陷不容易充分顯示，尤其是直拉單晶，經(jīng)過熱處理才變得明顯化。(√)18.在位錯(cuò)密度的兩種表示方法中，通常采用位錯(cuò)的體密度來表示。(×)19.直流四探針筆法測(cè)量電阻率時(shí)，假定半導(dǎo)體樣品的電阻率是均勻的，并假定它是半無限大的樣品。(√)20.直流四探針筆法測(cè)量電阻率時(shí)，首先將樣品測(cè)試面進(jìn)行研磨或噴砂處理，以增大表面復(fù)合，減少少數(shù)載流子注入的影響。(√)1.將下列測(cè)量電阻率方法及公式一一對(duì)應(yīng)2.將下列半導(dǎo)體硅的常用腐蝕劑液體試劑的濃度一一對(duì)應(yīng)。(1)HFA.70%3.將下列半導(dǎo)體硅的常用腐蝕劑液體試劑的濃度一一對(duì)應(yīng)。4.將下列半導(dǎo)體晶體缺陷類型一一對(duì)應(yīng)。(1)宏觀缺陷(2)微觀缺陷(3)表面機(jī)械損傷5.將下列不同電阻率的測(cè)量電流范圍一一對(duì)應(yīng)。(1)樣品電阻率<0.01(2)樣品電阻率0.01～1(3)樣品電阻率1～30A.樣品電流<100B.樣品電流<106.將下列不同電阻率的測(cè)量電流范圍一一對(duì)應(yīng)。(1)樣品電阻率>1000(2)樣品電阻率30～1000(3)樣品電阻率1～30A.樣品電流<1B.樣品電流<0.17.將下列電阻率測(cè)量方法與電阻率值一一對(duì)應(yīng)。答題框中填寫答案對(duì)應(yīng)的選項(xiàng)即可(1)冷熱探筆法A.10-4～104Ω·cm(2)整流法B.1～1000Ω·cm(1)Sirtl腐蝕液A.10～15min(1)Shimmle腐蝕液A.10～15min(1)空位A.晶格點(diǎn)陣上的原子由于熱運(yùn)動(dòng)或輻照離開其平衡位置(2)填隙原子B.占據(jù)晶格空隙處的多余原子(3)絡(luò)合體C.空位與雜質(zhì)原子相結(jié)合而形成的復(fù)合體形考任務(wù)22.光圖定向法結(jié)果直觀，操作(),誤差()。3.硅晶體中，氧的分凝系數(shù)()1,碳的分凝系數(shù)()1。B.小于小于A.40%A.d=a/[(h2+k2+12)]1/2C.d=a/2(h2+k2+12)6.晶面指數(shù)最低的晶面總是具有()的晶面間距。7.拋光時(shí)，拋光液HF與體積比為()。A.1:008.區(qū)熔工藝中，第一次區(qū)熔時(shí)，第一次熔區(qū)停留揮發(fā)時(shí)間()左右。A.5minA.4cm-1C.2cm-110.雙光束光柵紅外分光光度計(jì)，測(cè)碳的分辨率應(yīng)不大于()。A.2cm1D.1cm-111.為防止污染，第一熔區(qū)和最后熔區(qū)要離開上下夾頭()。A.30～50mmB.30～40mmC.20～50mm12.我國政府規(guī)定每天受射線輻射劑量應(yīng)在()r以下。A.0.02C.0.03D.0.0413.樣品對(duì)紅外光的反射率越(),吸收系數(shù)越(),那么紅外光的透射率就越小。14.樣品制備中選擇樣品厚度的原則是使吸收峰處的透射率為()。A.10%-80%C.10%-70%15.以下表示晶面指數(shù)最恰當(dāng)?shù)氖?)。16.直拉單晶中氧含量頭部與尾部相比()。17.K系輻射線可以細(xì)分為及，他們輻射的強(qiáng)度比約為()。A.4:1B.3:1D.2:118.X射線定向法的誤差可以控制在()范圍內(nèi)，準(zhǔn)確度高。19.X射線劑量用倫琴表示，符號(hào)用r,根據(jù)國際放射學(xué)會(huì)議規(guī)定，普通人的安全劑量應(yīng)為每周不超過()r。A.50%20.X射線在醫(yī)療診斷方面得到廣泛應(yīng)用，主要是依賴其()。1.布喇格定律成立需滿足以下()條件。A.入射線反射線和反射晶面的法線在同一平面，且入射線和衍射線處法線兩側(cè)2.對(duì)于金剛石結(jié)構(gòu)和閃鋅礦結(jié)構(gòu)的晶體，只有符合以下()規(guī)則的晶面才有衍射必須能被4整除D.h,k,I必須全為奇數(shù)或全為偶數(shù)3.對(duì)于連續(xù)X射線譜，當(dāng)逐漸增加管壓時(shí)，有如下()規(guī)律。4.關(guān)于晶面指數(shù)，以下說法正確的是()。A.和X,Y軸都平行但與Z軸相交于一個(gè)單位長(zhǎng)度處的密勒指數(shù)為(001)B.與Y軸平行但與X軸和Z軸都相交于一個(gè)單位長(zhǎng)度處的密勒指數(shù)為(010)D.與Y軸平行但與X軸和Z軸都相交于一個(gè)單位長(zhǎng)度處的密勒指數(shù)為(101)5.硅單晶光點(diǎn)定向測(cè)試中運(yùn)用的儀器設(shè)備有以下()。A.X光6.某樣品受到紅外線照射時(shí)，會(huì)產(chǎn)生以下()現(xiàn)象。7.拋光時(shí)對(duì)于樣品表面有()要求。8.硼檢采用快速區(qū)熔法的工藝，對(duì)與以下區(qū)熔條件說法正確的是()。B.熔區(qū)行程以10倍熔區(qū)為宜D.提純次數(shù)：硼檢10次9.碳在硅晶格中紅外吸收峰有兩個(gè)，其振動(dòng)頻率為()。10.通常用來制作靶的金屬材料有()。下適宜的是()。12.樣品加工主要包括以下()步驟。13.以下()選項(xiàng)都需要考慮晶體取向的影響。14.由于硅晶體經(jīng)歷了各種溫度的熱處理，過飽和的間隙氧會(huì)在硅晶體中偏聚和沉淀，形成了()。15.在立方晶系中，主要有如下()性質(zhì)。16.X射線的衍射法精確度高，它受以下()因素影響。17.X射線定向儀主要有以下()部分組成。18.X射線對(duì)人體作用有嚴(yán)重影響，可表現(xiàn)為()。19.X射線主要有以下()性質(zhì)。值超過5,就要檢5.工廠生產(chǎn)的陽離子交換樹脂一般為氯型。(×)有機(jī)混合物的影響的。(×)9.離子交換法是利用離子一次性交換和樹脂一次性交換進(jìn)行的。(×)10.離子交換法制備純水用一種陰樹脂或氧樹脂就可得到酸性水或堿性水。12.氣相色譜法測(cè)定干法H2的組成存在的環(huán)境因素是潛在的氫氣泄露引起13.色譜法基本原理是基于時(shí)間的差別進(jìn)行分離。(√)14.樹脂失效表明離子交換樹脂可供交換的和大為減少。(√)15.為了使氫離子和氫氧根離子完全結(jié)合成水，陰、陽樹脂必須交換出等量16.新樹脂使用前應(yīng)進(jìn)行預(yù)處理：膨脹處理和變形處理。(√)17.只有多介質(zhì)過濾器處于運(yùn)行時(shí)才能對(duì)活性炭過濾器進(jìn)行日常維護(hù)。(√)18.制取高純水時(shí)一般采用強(qiáng)堿型陰離子交換樹脂。(×)19.自動(dòng)軟化系統(tǒng)EBT測(cè)定如未軟化，測(cè)試液呈紅色則需再生。(√)20.RO系統(tǒng)清洗過程應(yīng)密切注意清洗液溫度上升，不得超過35℃。(√)1.將下列利用晶體外觀來判斷晶體生長(zhǎng)方向的關(guān)系一一對(duì)應(yīng)。(1)[111]A)二條軸對(duì)稱的棱線(2)[100]B)三條軸對(duì)稱的棱線2.將以下X射線定向儀主要構(gòu)成部分一一對(duì)應(yīng)。(1)X射線發(fā)生部分(2)X射線檢測(cè)部分(3)樣品臺(tái)A)吸盤B)X射線管C)蓋革計(jì)數(shù)管和計(jì)數(shù)時(shí)率計(jì)3.由于晶胞參數(shù)關(guān)系，在立方晶體中，某些晶面和晶向是相互垂直的，請(qǐng)一一對(duì)(1)[100]晶向A)[111]晶面(2)[111]晶向B)[100]晶面(3)[110]晶向C)[110]晶面4.將下列立方晶系部分晶面間的夾角關(guān)系一一對(duì)應(yīng)5.將以下幾種晶面腐蝕后的特征一一對(duì)應(yīng)6.紅外線通過樣品時(shí)可根據(jù)能量不滅定律表示為8.硅中氧和硅原子之間組成非線性9.硅中氧吸收峰的強(qiáng)弱與波長(zhǎng)關(guān)系，請(qǐng)一一對(duì)應(yīng)。形考任務(wù)31.(題目略)A.12.純水是電阻率達(dá)到()MΩ·cm左右的水。A.113.超純水制水處理系統(tǒng)再生部分選擇()水泵。4.當(dāng)RO系統(tǒng)暫停使用一周以上時(shí)，系統(tǒng)應(yīng)以()浸泡，防止細(xì)菌在膜表面繁殖。A.5%鹽酸B.4%氫氧化鈉5.對(duì)三氯氫硅中痕量雜質(zhì)的分析采用蒸發(fā)法使用微量高純水和SiHCL3作用產(chǎn)生少量()水解物，對(duì)痕量雜質(zhì)元素有吸附作用。D.Si6.對(duì)三氯氫硅中痕量雜質(zhì)的分析主要試劑鹽酸是優(yōu)級(jí)純?cè)俳?jīng)()提純兩次。C.石英亞沸蒸餾器7.多介質(zhì)過濾器制備純水時(shí)，每周要檢測(cè)一次砂濾出水SDI值，若SDI超過(),則檢查原因。A.68.反滲透裝置是超純水治水系統(tǒng)中提純的()部分。A.維護(hù)D.軟化9.放射線同位素的量越多，放出的射線的強(qiáng)度()。B.越小D.隨機(jī)變化10.離子交換床在工作的任何時(shí)候，混床進(jìn)水壓力小于(),否則有機(jī)玻璃交換柱11.離子交換樹脂是一種高分子化合物，是由()和活性基團(tuán)兩部分組成。A.樹脂的骨架12.露點(diǎn)法測(cè)定氣體中的水分職業(yè)中，本崗位存在的危險(xiǎn)源是()。D.潛在氫氣泄露引起的爆炸13.全自動(dòng)軟化過濾器設(shè)計(jì)過濾體材質(zhì)選用()。C.炭鋼14.三氯氫硅中痕量磷的氣相色譜法的基本原則是()法。15.三氯氫硅中硼的分析采用()法。16.樹脂失效表明離子交換樹脂可供交換的()大為減少。A.CL-17.通常把線度小于()cm的缺陷稱為微缺陷。A.10月1日D.10月4日18.以下那一項(xiàng)不是三氯氫硅中痕量磷的氣象色譜測(cè)定步驟中，在溫度680度和石英石的催化作用下，樣品及其含磷雜質(zhì)分別被氫還原產(chǎn)物()。19.制取高純水時(shí)一般采用()交換樹脂和()交換樹脂。20.RO反滲透技術(shù)是利用()為動(dòng)力的膜分離過濾技術(shù)。1.純水制備系統(tǒng)運(yùn)行控制注意事項(xiàng)，以下表述錯(cuò)誤的是()。D.設(shè)備第一次使用時(shí)，所制純水應(yīng)至少排放1h后再收集2.高純水的檢測(cè)時(shí)，測(cè)量方法有()。3.混床的再生中是兩種樹脂充分混合的方法有()。4.混合離子交換器由以下那幾個(gè)裝置組成()。5.離子交換法制備純水時(shí)，新樹脂的預(yù)處理方式是()。6.利用X射線形貌圖來計(jì)算單晶中位錯(cuò)密度常用的方法有()。7.露點(diǎn)法測(cè)定氣體中水分的過程控制表述正確有()。度差約4℃C.測(cè)定流速控制在250—300ml/min趕氣1h8.露點(diǎn)法測(cè)定氣體中職業(yè)健康安全運(yùn)行控制正確的是()。A.備用D.直徑6mm的光譜純(無B)石墨電極10.下列哪三項(xiàng)是天然水的三大雜質(zhì)()。11.一個(gè)氣相色譜系統(tǒng)包括()。12.影響樹脂再生的主要因素有()。等13.質(zhì)譜分析造成其誤差較高的因素有()。14.中子活化分析的特點(diǎn)有()。15.自動(dòng)軟化系統(tǒng)出現(xiàn)下述情況之一()就必須進(jìn)行化學(xué)清洗。A.裝置的純水量比初期投運(yùn)時(shí)或上一次清洗后降低5%-10%B.裝置的單次的濃縮比比初期投運(yùn)時(shí)或上一次清洗后降低10%-20%時(shí)16.自動(dòng)軟化系統(tǒng)反洗的目的是()。觸17.自動(dòng)軟化系統(tǒng)工位由()鹽箱注水組成。據(jù)A.裝置的單次的濃縮比比初期投運(yùn)時(shí)或上一次清洗后降低10%—20%時(shí)C.裝置各段的壓力差值為初期投運(yùn)時(shí)或上一次清洗后的1—2倍D.裝置的純水量比初期投運(yùn)時(shí)或上一次清洗后降低5%—10%時(shí)20.X射線形貌技術(shù)的試驗(yàn)方法有()。三、判斷題有機(jī)混合物的影響的。(×)9.離子交換法是利用離子一次性交換和樹脂一次性交換進(jìn)行的。(×)10.離子交換法制備純水用一種陰樹脂或氧樹脂就可得到酸性水或堿性水。11.露點(diǎn)法檢測(cè)氣體中的水分是通常測(cè)-34℃以下氣體觀察到的是露點(diǎn)。(×)12.氣相色譜法測(cè)定干法H2的組成存在的環(huán)境因素是潛在的氫氣泄露引起13.色譜法基本原理是基于時(shí)間的差別進(jìn)行分離。(√)14.樹脂失效表明離子交換樹脂可供交換的和大為減少。(√)15.為了使氫離子和氫氧根離子完全結(jié)合成水，陰、陽樹脂必須交換出等量16.新樹脂使用前應(yīng)進(jìn)行預(yù)處理：膨脹處理和變形處理。(√)17.只有多介質(zhì)過濾器處于運(yùn)行時(shí)才能對(duì)活性炭過濾器進(jìn)行日常維護(hù)。(√)18.制取高純水時(shí)一般采用強(qiáng)堿型陰離子交換樹脂。(×)19.自動(dòng)軟化系統(tǒng)EBT測(cè)定如未軟化，測(cè)試液呈紅色則需再生。(√)20.RO系統(tǒng)清洗過程應(yīng)密切注意清洗液溫度上升，不得超過35℃。(√)1.將下列混床再生中操作步驟一一對(duì)應(yīng)。(1)逆洗分層A.再生劑為5%的NaOH,用量為樹脂體積的3-5倍，從上口進(jìn)入，控制一定流速，維持液面順流通過(2)強(qiáng)堿性陰離子交換樹脂再生B.水從底部進(jìn)入，上口排出，樹脂均勻地松弛蓬松開來，可加大水流速以沖不出樹脂為原則，洗至出水清高度(3)強(qiáng)酸性陽離子交換樹脂再生C.再生劑為5%鹽酸，用酸量為陽離子交換樹脂體積的2-3倍答案：(1)C;(2)A;(3)B。2.將下列多介質(zhì)過濾器工作原理與內(nèi)容一一對(duì)應(yīng)。(1)反洗A.將原水泵停止，閥門關(guān)閉，讓多介質(zhì)自然下沉，使沙層排列平整(2)靜止B.原水由進(jìn)口進(jìn)入控制閥，從閥芯的上部經(jīng)閥體內(nèi)，并由頂部進(jìn)入罐體(3)正洗C.答案：(1)C;(2)A;(3)B。3.將下列離子交換樹脂的類型與變型用化學(xué)試劑用量濃度一一對(duì)應(yīng)。(1)強(qiáng)酸型離子交換樹脂A.5%-10%鹽酸溶液3000ml(2)強(qiáng)堿型離子交換樹脂B.5%-10%氫氧化鈉溶液2500ml(3)干樹脂C.4%-5%Nacl溶液浸泡答案：(1)A;(2)B;(3)C。4.將下列露點(diǎn)法測(cè)定氣體中的水分時(shí)職業(yè)健康安全進(jìn)行控制一一對(duì)應(yīng)。(1)危險(xiǎn)源A.意把氫氣引出室外(2)分析氫氣露點(diǎn)時(shí)用大氣趕走氣B.液氮低溫凍傷(3)酒精放置答案：(1)B;(2)A;(3)C。5.將下列天然水中雜質(zhì)三大部分情況一一對(duì)應(yīng)。(1)懸浮物質(zhì)A.溶膠、硅膠、鐵、鋁(2)膠體物質(zhì)B.細(xì)菌、泥沙、黏土等其他不容物質(zhì)(3)溶解物質(zhì)C.Ca、Mg、Na、Fe、Mn的酸式碳酸鹽答案：(1)C;(2)A;(3)B。6.將下列質(zhì)譜分析造成其誤差較高的因素與原因一一對(duì)應(yīng)。(1)雜質(zhì)不均勻A.與元素本身性質(zhì)、樣品中元素的選擇及離子源火花條件有關(guān)(2)各元素電離效率B.因?yàn)橘|(zhì)譜分析一次只消耗少量樣品，不能代表整個(gè)樣品雜質(zhì)含量(3)譜線黑度C.受到很多因素，如離子質(zhì)量影響答案：(1)B;(2)A;(3)C。7.將下列自動(dòng)軟化系統(tǒng)工藝過程一一對(duì)應(yīng)。(1)反洗A.再生用鹽液在一定濃度、流量下，流經(jīng)失效的樹脂層，使其恢復(fù)原有的交換能力(2)再生吸鹽+慢洗B.向再生劑箱中注入溶液再生一次所需鹽量的水(3)再生劑箱注水C.樹脂失效后，在進(jìn)行再生之前，先用水自上而下流出答案：(1)B;(2)C;(3)A。8.將下列RO膜污染原因與適應(yīng)藥液一一對(duì)應(yīng)。(1)碳酸鹽結(jié)垢(2)有機(jī)物污染及硫酸鹽結(jié)構(gòu)(3)細(xì)菌污染答案：(1)C;(2)A;(3)B。9.將下列三氯氫硅中痕量雜質(zhì)的化學(xué)光譜測(cè)定的主要試劑與要求一一對(duì)應(yīng)。答案：(1)A;(2)B;(3)C。10.將下列質(zhì)譜分析造成其誤差較高的因素與原因一一對(duì)應(yīng)。答案：(1)C;(2)A;(3)B。形考任務(wù)41.超純水是電阻率達(dá)到()MΩ·cm左右的水。2.測(cè)定的露點(diǎn)是被測(cè)氣體中水蒸氣，隨溫度的降低而凝結(jié)為露的()。3.純水部分所有水泵應(yīng)選用()。4.純水制備系統(tǒng)混床的再生反洗的目的是()。少量()水解物，對(duì)痕量雜質(zhì)元素有吸附作用。A.SiO26.反滲透裝置是超純水治水系統(tǒng)中提純的()部分。D.預(yù)脫鹽7.放射線同位素的量越多，放出的射線的強(qiáng)度()。B.隨機(jī)變化8.工廠生產(chǎn)的陽離子交換樹脂一般是()型，陰離子交換樹脂一般是()型。A.氧氫C.氯納9.離子交換樹脂是一種高分子化合物，是由樹脂的骨架和()兩部分組成。10.露點(diǎn)法測(cè)定氣體中水分的設(shè)備環(huán)境要求是保持工作環(huán)境高純衛(wèi)生，溫度4-40度，相對(duì)濕度小于(),現(xiàn)場(chǎng)整潔，無腐蝕性氣體，不得有電路和火種。A.95%11.氣相色譜法測(cè)定干法H2的組分崗位存在的環(huán)境因素是()。A.液氮低溫凍傷12.全自動(dòng)軟化系統(tǒng)逆洗時(shí)進(jìn)口水壓維持在()bar左右，以利沖洗。A.1.5-2C.1-1.513.人們通常將水分為純水和()。14.三氯氫硅中硼的分析采用()法。15.樹脂失效表明離子交換樹脂可供交換的()大為減少。A.CL-16.下列哪一項(xiàng)不是天然水的三大雜質(zhì)之一()。17.以下那一項(xiàng)不是三氯氫硅中痕量磷的氣象色譜測(cè)定步驟中，在溫度680度和石英石的催化作用下，樣品及其含磷雜質(zhì)分別被氫還原產(chǎn)物()。18.制取高純水時(shí)一般采用()交換樹脂和()交換樹脂。19.質(zhì)譜的定量分析是在質(zhì)譜圖上，譜線的峰值所對(duì)應(yīng)的離子流強(qiáng)度即譜線的黑度代表了()從而進(jìn)行雜質(zhì)分析。20.RO反滲透技術(shù)是利用()為動(dòng)力的膜分離過濾技術(shù)。A.壓力差2.混床的再生具體操作步驟正確的是有()。B.強(qiáng)堿性陰離子交換樹脂再生劑為20%的NAOH,用量為樹脂體積的3-5倍C.強(qiáng)酸性陽離子交換樹脂再生劑為5%鹽酸，用酸量為陽離子交換樹脂體積的2-3倍3.混床的再生中是兩種樹脂充分混合的方法有()。4.離子交換法制備純水時(shí)，新樹脂的預(yù)處理方式是()。5.利用X射線形貌圖來計(jì)算單晶中位錯(cuò)密度常用的方法有()。6.露點(diǎn)法測(cè)定氣體中水分的過程控制表述正確有()。趕氣1h度差約4℃7.氣相色譜法測(cè)定H2的組分時(shí)職業(yè)健康安全運(yùn)行控制正確的是()。8.三氯氫硅中痕量雜質(zhì)的化學(xué)光譜測(cè)定主要試劑表述錯(cuò)誤的有()。C.封閉劑1%聚苯乙烯乙酸乙酯溶液中提純，棄去前后餾分各10%9.樹脂的再生時(shí)混合方法有()。10.下列哪三項(xiàng)是天然水的三大雜質(zhì)()。11.一個(gè)氣相色譜系統(tǒng)包括()。12.以下DUI純水制備系統(tǒng)中多介質(zhì)過濾器注意事項(xiàng)敘述錯(cuò)誤的是()。A.石英砂濾材一般3—5年更換或添加C.每周檢測(cè)一次沙慮出水SDI值，SDI小于5,則有問題13.質(zhì)譜分析造成其誤差較高的因素有()。15.自動(dòng)軟化系統(tǒng)出現(xiàn)下述情況之一()就必須進(jìn)行化學(xué)清洗。A.裝置的單次的濃縮比比初期投運(yùn)時(shí)或上一次清洗后降低10%-20%時(shí)B.裝置的純水量比初期投運(yùn)時(shí)或上一次清洗后降低5%-10%16.自動(dòng)軟化系統(tǒng)反洗的目的是()。觸17.自動(dòng)軟化系統(tǒng)注意事項(xiàng)下述敘述正確的是()。18.RO系統(tǒng)清洗過程中RO膜污染原因與使用藥劑搭配錯(cuò)誤的B.碳酸鹽結(jié)垢用3%檸檬酸溶液C.細(xì)菌污染用3%檸檬酸溶液據(jù)D.清洗時(shí)注意溫度上升情況，務(wù)必保持高于35℃20.X射線形貌技術(shù)的試驗(yàn)方法有()。3.純水制備系統(tǒng)在日常維護(hù)中，每次反洗10.離子交換法制備純水用陰樹脂可以得到高純水。(×)11.露點(diǎn)法檢測(cè)氣體存在的危險(xiǎn)是氫氣泄露引起的燃燒核爆炸。(×)12.氣相色譜法測(cè)定干法H2的組成存在的環(huán)境因素是潛在的液氮低溫凍傷。13.色譜法基本原理是基于時(shí)間的差別進(jìn)行分離。(√)14.樹脂的生交換柱內(nèi)離子交換樹脂失效后，在再生前必須首先對(duì)樹脂進(jìn)行短時(shí)間的強(qiáng)烈反沖。(√)15.樹脂再生混合時(shí)要求注入蒸餾水至高出離子交換樹脂10cm左右，然后混16.為了使氫離子和氫氧根離子完全結(jié)合成水，陰、陽樹脂必須交換出等量17.新樹脂使用前應(yīng)進(jìn)行預(yù)處理：膨脹處理和變形處理。(√)18.只有多介質(zhì)過濾器處于運(yùn)行時(shí)才能對(duì)活性炭過濾器進(jìn)行日常維護(hù)。(√)19.制取高純水時(shí)一般采用強(qiáng)酸型陽離子交換樹脂。(×)20.RO系統(tǒng)清洗過程應(yīng)密切注意清洗液溫度上升，不得超過35℃。(√)四、配伍題1.將下列分析項(xiàng)目與分析方法一一對(duì)應(yīng)。(1)三氯氫硅中硼的分析A.基于時(shí)間的差別進(jìn)行分離(2)三氯氫硅中痕量磷的氣相色譜測(cè)定B.自然揮發(fā)法(3)X射線形貌技術(shù)答案：(1)A;(2)C;(3)B。2.將下列混床樹脂再生步驟與內(nèi)容一一對(duì)應(yīng)。(1)逆流分層A.由入酸口將6%-10%的鹽酸溶液，流入柱內(nèi)，嚴(yán)格控制流過陽離子交換樹脂層的流速，使其在0.5-1h內(nèi)流完(2)堿液再生陰離子交換樹脂B.對(duì)樹脂進(jìn)行短時(shí)間的強(qiáng)烈反沖，使陰陽離子