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文檔簡介
ICS29.045
H83DL
中華人民共和國電力行業(yè)標準
DL/TXXXXX—XXXX
電力系統(tǒng)高壓功率器件用碳化硅外延片使
用條件
Siliconcarbideepitaxialwaferacceptancespecificationforhighvoltagepower
devicesatthegridsystem
（征求意見稿）
XX-XX-XX發(fā)布XXXX-XX-XX實施
國家能源局發(fā)布
DL/TXXXXX—XXXX
II
DL/TXXXXX—XXXX
電力系統(tǒng)高壓功率器件用碳化硅外延片使用條件
1范圍
本標準規(guī)定了電力系統(tǒng)高壓功率器件用碳化硅外延材料的各項技術指標。
本標準適用于高電壓功率器件應用的碳化硅外延材料。
本標準適用于直徑為Φ100mm和Φ150mm的碳化硅外延材料。
2規(guī)范性引用文件
下列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后
所有的修改單（不包括勘誤的內容）或修訂版均不適用于本標準。然而，鼓勵根據(jù)本標準達成協(xié)
議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本
標準。
IEC63068-1Semiconductordevices-Non-destructiverecognitioncriteriaofdefectsinsilicon
carbidehomoepitaxialwaferforpowerdevices-Part1:Classificationofdefects
IEC63068-2Semiconductordevices–Non-destructiverecognitioncriteriaofdefectsinsilicon
carbidehomoepitaxialwaferforpowerdevices-Part2:Testmethodfordefectsusingopticalinspection
GB/T14264半導體材料術語
GB/T30656碳化硅單晶拋光片
GB/T30866碳化硅單晶片直徑測試方法
GB/T30868碳化硅單晶片微管密度的測定化學腐蝕法
GB/T31351碳化硅單晶拋光片微管密度無損檢測方法
GB/T32278碳化硅單晶片平整度測試方法
3術語和定義
GB/T14264界定的以及下列術語和定義適用于本文件。
3.1掉落物downfall
掉落物是一種小顆粒物，一般為從生長室內壁上掉落下來的3C-SiC顆粒，外延生長過程中
被外延層所包裹，通常會以顆粒物所在位置為起點，誘發(fā)三角形缺陷。
[IEC63068-1，定義4.2.12]
3.2三角形triangle
呈現(xiàn)三角形形狀，含有兩條及兩條以上的邊線，具有方向性，第三條邊與主參考邊幾近成90
度。三角形頭部有時有一明顯的小三角形凹痕，內含3C-SiC晶型層。
[IEC63068-1，定義4.2.11]
3.2胡蘿卜carrot
呈胡蘿卜形狀，長條形線狀缺陷，其中一端較粗。胡蘿卜缺陷具有方向性，方向沿水平方向，
與主參考邊幾近平行。
3
DL/TXXXXX—XXXX
[IEC63068-1，定義4.2.10]
3.4長三角形largetriangle
呈三角形形狀，其中第三條邊一般較長，形成大鈍角。長三角型有方向性，第三條邊與主參
考邊幾近垂直。
[IEC63068-1，定義4.2.13]
3.5臺階聚集stepbunching
臺階具有方向性，沿豎直方向，與主參考邊幾近垂直。碳化硅外延生長過程中，表面原子級
臺階容易發(fā)生聚集的現(xiàn)象，嚴重時會在表面形成細長型的三角形凸起，凸起的高度可達數(shù)微米。
另外，在晶片劃傷處臺階聚集現(xiàn)象往往更加嚴重，形成細長型三角形的密集排列。
[IEC63068-1，定義3.18]
4技術要求
4.1規(guī)格
產品按直徑尺寸分為Φ100mm和Φ150mm。
4.2外延片晶向
產品晶向為<0001>±0.5°，偏（<1120>±0.5°）方向4°。
4.3導電類型
產品按導電類型分為n型和p型。
4.4襯底參數(shù)
襯底的電阻率應符合表1的規(guī)定，襯底的晶向、幾何尺寸等參數(shù)應符合GB/T30656的規(guī)定。
表1襯底參數(shù)
晶型導電類型摻雜元素電阻率/ohm-cm直徑/mm翹曲度/um彎曲度/um微管密度/cm-2
4HnN0.012～0.02810040±25小于0.3
15040±40
4.5外延片厚度變化
外延層厚度及其允許偏差應符合表2的規(guī)定，外延層厚度最大相對標準偏差（）按公式
（1）計算，外延層厚度最大相對標準偏差應符合表3的規(guī)定。
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