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文檔簡介

針x

Electron

Probe

Microanalysis

4.

針x射

析電子探針儀

(EPMA)

種微區(qū)成分分析

儀器

?!霾?/p>

被聚

于1

um的高速電子束轟

擊樣品表

面,

利用電子束與

樣品相互

用激發(fā)出

的特

征x射線,測量其

λ和

I,確定

微區(qū)的定

性、定

量的

學(xué)

。SEM-EPMA組

合型儀器,具有掃描放大成

像和微區(qū)成分分析兩方面功能。λ與樣品材料

的Z

關(guān)

,測出

λ,

可確定相應(yīng)元素

的Z。具有足夠能

量的細(xì)電子束轟

,

激發(fā)

征x

,

其波長為:4.1工

理某種元素

的特征x

射線強(qiáng)度與該元

素在

品中

的濃度成比例

,

出x射線I,就

計(jì)算

出該元

的相

量。工

理主要

有柱

(

)

、x

線譜儀

、

紀(jì)錄顯

示系

統(tǒng)

。鏡筒包括電子光學(xué)系統(tǒng)、樣品室、OM

等。EPMA與

TE

M大體相似,增加了檢測特征x

射線

λ和I

的x射線譜儀

—波

儀、能

。4

.

2

構(gòu)

造X-Y記

儀熒光

屏打

印機(jī)信號探測器樣

品oQ放前

放大器信

器多

器大

器WDSEDSX-ray

譜儀(

1

)

WDSWavelength

DispersiveSpectrometer通過衍射分光原理,

量x

射線的

λ分布

及I?!?/p>

已知d的

(分

晶體),

x射線

,在特定位置

。由布拉格

律,從試樣中發(fā)出的特征X射線

,

經(jīng)一定晶面間距的晶體分光,

的特征X

射線將有不同的衍射角。■連

續(xù)

0

,在與X

射線入射方向呈20

的位置上測到不同波長的特征X

射線信號

?!鲇赡R定律可確定被測物質(zhì)所

元素

。工

理專

門用來對x

(

)

晶體,

具有

良好

的衍射性能、強(qiáng)

的反射能力和好的分辨率。晶體展譜

程,對于不

λ的x

射線,

需要選用與其波長相當(dāng)?shù)姆止?/p>

晶體

。為

了提高接

收X射線強(qiáng)度,分光晶體通常

使用彎曲

晶體

。分光晶體彎

約翰型聚焦法:

晶體曲率半徑是聚焦圓半徑的兩倍■約翰遜型聚焦法:

晶體曲率半徑和聚焦圓半徑相等兩種聚焦方法(a)

約翰型聚焦法

(b)

約翰遜型聚焦法(b)(a)約翰型:

當(dāng)

的X射

點(diǎn)

源S外發(fā)出時(shí)

,

內(nèi)

點(diǎn)A、

B、C

接收到的X射線相對于點(diǎn)光源來說,入射

角都相等,

此A

、B

、C各點(diǎn)的衍射線都

在D點(diǎn)附近聚焦

?!?/p>

因A

、B

、C三點(diǎn)的衍射線并不恰在一點(diǎn),

是一

似的聚焦

。約翰遜型

A

、B

、C三

點(diǎn)

的衍射束正好

在D點(diǎn)

,

叫做完全

法兩種聚焦方式波

譜Afnm分

度慢單個(gè)元素測量,

做全分析時(shí)間較長。■分

率高

10eV譜儀分辨率是指分開、識別相鄰兩個(gè)譜峰的能力。

測量精度高,

多用于超輕元素Z<9測量?!?/p>

大背底扣除容易,

數(shù)據(jù)處理簡單。■分析

范圍:

4

Be-92U■

樣品

表面

整、

。WDS

特點(diǎn):(

2

)

EDSEnergy

DispersiveSpectrometer利

用固態(tài)檢測器

(

)

個(gè)x射線光

子的能

量,

按E

大小

。■得到以能

標(biāo)、強(qiáng)

標(biāo)的x射線能

譜,

顯示

。鋰漂移硅半導(dǎo)體探測器,

習(xí)慣記Si(Li)探測器。X射線光子進(jìn)入

Si

晶體內(nèi)

,產(chǎn)生電子

-空穴對,

在100

K左右溫度時(shí),

每產(chǎn)生一個(gè)電子-空穴對消耗的平均能量為3.8eV。

能量為E的X射線光

子所激發(fā)的電子-空穴對數(shù)N為N=E/ε入射X射線光子E不同,

激發(fā)的N

不同,探測器

由N決

。工

理Spectrum1

KLMLabel

StrontiumTitanateVFS:40(

antime

SCursor:

3.781

keV,

86

cts.4000Spectral

DisplayFile

View

Acquire

Display

Process

Analyze

Tools

SchedulesCu0.000

keVDeadtime:SeC

PHADeadtime:10%log

H

i2

排□ounts11.800山NaC1

譜Energy(keV)■

度快■

分辨

較低:

150eV■峰背比小譜峰寬、

易重疊,

背底扣除困難,

數(shù)據(jù)處理復(fù)雜■分析元素范圍:11

Na-92U■進(jìn)行

倍掃

像,

大視

域的元素

布圖

?!鰧?/p>

樣品污染作用小■適于

析不受聚焦圓的限制,樣品的位置可起伏2

3mm■

:探測器須在液氮溫度下使用,維護(hù)費(fèi)用高。EDS

特點(diǎn):WDS與

EDS比

較WDS分析元素范圍廣、分辨率高、適于精確的定量分析,

對樣品表面要求高、分析

速度慢,

易引起樣品和鏡筒的污染

。EDS在分析元素

范圍、分

面略

,分析速

快、對

樣品表

高、可

用較小的束流和細(xì)

微電子束,

與SEM

使用

。強(qiáng)度(計(jì)數(shù)率波長λ/nm強(qiáng)度(計(jì)數(shù)率能

E/keV波

儀NTENSITY(counts)→A

VI

EI

_ENGTHY

(ke'

V)(

)ENERGW波譜

儀的晶體分

特點(diǎn),對

λ的X

射線不僅可以在探

測到n=1

級X

,

同時(shí)可在

0

到n

為不同值的

。波譜定

如能

單、直觀,

就要求

對波

進(jìn)

輯的分析,

錯(cuò)

。SKa(n=1)存

0

.

5

3

7

2nm處

,CoKa(n=

1

)

0

.

1

7

8

9nm處

,CoKa(n=3)的三級衍射在3×0

.

1789nm=0.5367nm

故SKα的一

級線

和CoKa的三級線非

法區(qū)分

。GKα

CoKα具有不同的能

使探

輸I出不同電壓脈沖幅度。CoKα是SKa

的3倍

,根

據(jù)SKa電壓脈沖信號

設(shè)

置窗口電壓,通過

脈沖高度分析器排除CoKα

的脈沖,從

使譜

0

.

5

3

7

2

nm處僅存

在SKα

。例

:比較項(xiàng)

目WDSEDS元

范圍4Be~9?U11Na~g?U/?Be~9?U元

法能

/

e

V

靈敏度檢測效率定

度儀

性分

光晶

個(gè)

析高

(3/

5

10

)低低,隨

化好多

個(gè)

光晶

體固

態(tài)

素同時(shí)

測低

(

160/135)高高,

數(shù)差探

卻EMPA對樣品尺寸大小、導(dǎo)電性、預(yù)處理的要求與TEM相同,

除此之外,

應(yīng)注意:①

定量分析的樣品,表面必須拋光以保證平整、

光滑

。②

光學(xué)觀察進(jìn)行侵蝕的樣品,應(yīng)控制侵蝕程度。③

樣品表面清潔,

防止污染。

(機(jī)械拋光、

化學(xué)

試劑、表面氧化膜和碳化產(chǎn)物、殘存的污染)4

.

3

備定性分析:記

樣品

發(fā)

射的

征x射

λ

。對比單元素特征譜線波長,

確定樣品中的元素。■

量分

:記錄樣品發(fā)射的特征x射線λ和I。每種元素選擇一

根譜線與已知成分純元素標(biāo)

樣的

同根譜線進(jìn)行比較,

確定元素含量。4.4分

法(

1)

定點(diǎn)元

素全

(

定量)■電子束

固定在分析

的某

點(diǎn)

(微

區(qū)),改變晶體的衍射角,記錄該點(diǎn)不同元素的x

射線λ和I?!鲎V線強(qiáng)

度峰的位

長→

微區(qū)

有元

素元素某一譜線的強(qiáng)度→元素

的含量基本工作方式

:微

區(qū)

析200

nmλ/nm合金鋼(0.

62Si,1.11Mn,0.96Cr,0.56Ni,0.26V,0.24Cu)定點(diǎn)分析的譜線圖(2)

描分

析聚

焦電

沿一

描,

時(shí)檢測某一指定特征x射線的瞬時(shí)I,

得到特征x射線I沿試樣掃描線的分布。

(

元素

的濃

度分

)■直

接在

SE

像、

BE

上疊加,顯示掃描軌

和x

線I分布曲線,直觀反映元

度分布與組織結(jié)構(gòu)之間的關(guān)系??梢院芸祜@示濃度與

擴(kuò)

離的關(guān)系曲線

若以微米級逐點(diǎn)分析,

可相當(dāng)精

測定擴(kuò)散系數(shù)和激活能。集與

化是十分有效的。■垂直

擴(kuò)

散界

面的方向上

進(jìn)行

,■對于測

和晶界上的富線

析線

析(3)

描分

析電

進(jìn)行

描,

譜儀只

檢測

素的特

征x

置,

得到由

許多亮點(diǎn)組成的圖像。亮點(diǎn)為元素的所

在處,根據(jù)亮點(diǎn)的疏

度可確定元素

在試樣表面

的分

布情

。準(zhǔn)確顯

不同的夾雜物的

,定性顯示元

素偏

析。面

析亮區(qū)代表元素含

量高,

灰區(qū)代表元素含量較

,

黑色區(qū)域代

。線掃描、面掃描要求樣品表面平整,

否則出現(xiàn)

假象

?!鼍€掃描、面

描只作定

析,

不作定量分析O■定量

析是

。原因是:

譜線強(qiáng)度與元素含量有關(guān)外,

樣的化學(xué)成分

關(guān),通

體效

應(yīng)”

,

譜儀對不

同波長

(或

能量

)

X

效率不

。注

:Energy(kev)CalciumYttriumNickelcouns■

損的

微區(qū)

析,特別

?!?/p>

微區(qū)、

粒、

量的

析元

范圍

廣、

高、

優(yōu)

點(diǎn),

在各領(lǐng)域

應(yīng)

用。

(冶金、材料

、生

物、

醫(yī)學(xué)、

考古

)4

.

5

應(yīng)

用組分

樣的

微區(qū)

析■擴(kuò)散對試樣中成分梯度的測定■

相圖

低溫

面的

定■金

/

半導(dǎo)

應(yīng)

產(chǎn)

物應(yīng)

例其

鏡主要用于表面原子成象

(

導(dǎo)體)STM的橫向分辨率高

達(dá)1

?

,

向分辨率10

?。

子的

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