




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文檔簡介
電
子
探
針x
射
線
顯
微
分
析
Electron
Probe
Microanalysis
4.
電
子
探
針x射
線
顯
微
分
析電子探針儀
(EPMA)
是
一
種微區(qū)成分分析
儀器
?!霾?/p>
用
被聚
焦
成
小
于1
um的高速電子束轟
擊樣品表
面,
利用電子束與
樣品相互
作
用激發(fā)出
的特
征x射線,測量其
λ和
I,確定
微區(qū)的定
性、定
量的
化
學(xué)
成
分
。SEM-EPMA組
合型儀器,具有掃描放大成
像和微區(qū)成分分析兩方面功能。λ與樣品材料
的Z
有
關(guān)
,測出
λ,
即
可確定相應(yīng)元素
的Z。具有足夠能
量的細(xì)電子束轟
擊
試
樣
表
面
,
激發(fā)
特
征x
射
線
,
其波長為:4.1工
作
原
理某種元素
的特征x
射線強(qiáng)度與該元
素在
樣
品中
的濃度成比例
,
測
出x射線I,就
可
計(jì)算
出該元
素
的相
對
含
量。工
作
原
理主要
有柱
體
(
鏡
筒
)
、x
射
線譜儀
、
紀(jì)錄顯
示系
統(tǒng)
。鏡筒包括電子光學(xué)系統(tǒng)、樣品室、OM
等。EPMA與
TE
M大體相似,增加了檢測特征x
射線
λ和I
的x射線譜儀
—
—波
譜
儀、能
譜
儀
。4
.
2
構(gòu)
造X-Y記
錄
儀熒光
屏打
印機(jī)信號探測器樣
品oQ放前
置
放大器信
號
探
測
器多
道
分
析
器大
器WDSEDSX-ray
譜儀(
1
)
波
長
分
散
譜
儀
WDSWavelength
DispersiveSpectrometer通過衍射分光原理,
測
量x
射線的
λ分布
及I?!?/p>
已知d的
晶
體
(分
光
晶體),
反
射
不
同
的
x射線
,在特定位置
檢
測
。由布拉格
定
律,從試樣中發(fā)出的特征X射線
,
經(jīng)一定晶面間距的晶體分光,
波
長
不
同
的特征X
射線將有不同的衍射角。■連
續(xù)
改
變
0
,在與X
射線入射方向呈20
的位置上測到不同波長的特征X
射線信號
?!鲇赡R定律可確定被測物質(zhì)所
含
元素
。工
作
原
理專
門用來對x
射
線
起
色
散
(
分
光
)
作
用
的
晶體,
具有
良好
的衍射性能、強(qiáng)
的反射能力和好的分辨率。晶體展譜
遵
循
布
拉
格
方
程,對于不
同
λ的x
射線,
需要選用與其波長相當(dāng)?shù)姆止?/p>
晶體
。為
了提高接
收X射線強(qiáng)度,分光晶體通常
使用彎曲
晶體
。分光晶體彎
曲
分
光
晶
體
兩
種
聚
焦
方
式
約翰型聚焦法:
晶體曲率半徑是聚焦圓半徑的兩倍■約翰遜型聚焦法:
晶體曲率半徑和聚焦圓半徑相等兩種聚焦方法(a)
約翰型聚焦法
(b)
約翰遜型聚焦法(b)(a)約翰型:
當(dāng)
某
一
波
長
的X射
線
自
點(diǎn)
光
源S外發(fā)出時(shí)
,
晶
體
內(nèi)
表
面
任
意
點(diǎn)A、
B、C
上
接收到的X射線相對于點(diǎn)光源來說,入射
角都相等,
由
此A
、B
、C各點(diǎn)的衍射線都
能
在D點(diǎn)附近聚焦
?!?/p>
因A
、B
、C三點(diǎn)的衍射線并不恰在一點(diǎn),
是一
種
近
似的聚焦
方
式
。約翰遜型
:
A
、B
、C三
點(diǎn)
的衍射束正好
聚
焦
在D點(diǎn)
,
叫做完全
聚
焦
法兩種聚焦方式波
長
色
散
譜Afnm分
析
速
度慢單個(gè)元素測量,
做全分析時(shí)間較長。■分
辨
率高
:
10eV譜儀分辨率是指分開、識別相鄰兩個(gè)譜峰的能力。
測量精度高,
多用于超輕元素Z<9測量?!?/p>
峰
背
比
大背底扣除容易,
數(shù)據(jù)處理簡單。■分析
元
素
范圍:
4
Be-92U■
樣品
表面
要
求
平
整、
光
滑
。WDS
特點(diǎn):(
2
)
能
量
色
散
譜
儀
EDSEnergy
DispersiveSpectrometer利
用固態(tài)檢測器
(
鋰
漂
移
硅
)
測
量
每
個(gè)x射線光
子的能
量,
并
按E
大小
展
譜
。■得到以能
量
為
橫
坐
標(biāo)、強(qiáng)
度
為
縱
坐
標(biāo)的x射線能
量
色
散
譜,
顯示
于
熒
光
屏
上
。鋰漂移硅半導(dǎo)體探測器,
習(xí)慣記Si(Li)探測器。X射線光子進(jìn)入
Si
晶體內(nèi)
,產(chǎn)生電子
-空穴對,
在100
K左右溫度時(shí),
每產(chǎn)生一個(gè)電子-空穴對消耗的平均能量為3.8eV。
能量為E的X射線光
子所激發(fā)的電子-空穴對數(shù)N為N=E/ε入射X射線光子E不同,
激發(fā)的N
不同,探測器
輸
出
電
壓
脈
沖
高
度
由N決
定
。工
作
原
理Spectrum1
KLMLabel
StrontiumTitanateVFS:40(
antime
SCursor:
3.781
keV,
86
cts.4000Spectral
DisplayFile
View
Acquire
Display
Process
Analyze
Tools
SchedulesCu0.000
keVDeadtime:SeC
PHADeadtime:10%log
H
八
i2
排□ounts11.800山NaC1
的
掃
描
形
貌
像
及
其
能
量
色
散
譜Energy(keV)■
分
析
速
度快■
分辨
率
較低:
150eV■峰背比小譜峰寬、
易重疊,
背底扣除困難,
數(shù)據(jù)處理復(fù)雜■分析元素范圍:11
Na-92U■進(jìn)行
低
倍掃
描
成
像,
大視
域的元素
分
布圖
?!鰧?/p>
樣品污染作用小■適于
粗
糙
表
面
成
分
分
析不受聚焦圓的限制,樣品的位置可起伏2
—
3mm■
工
作
條
件
:探測器須在液氮溫度下使用,維護(hù)費(fèi)用高。EDS
特點(diǎn):WDS與
EDS比
較WDS分析元素范圍廣、分辨率高、適于精確的定量分析,
對樣品表面要求高、分析
速度慢,
易引起樣品和鏡筒的污染
。EDS在分析元素
范圍、分
辨
率
方
面略
遜
,分析速
度
快、對
樣品表
面
要
求
不
高、可
用較小的束流和細(xì)
微電子束,
適
于
與SEM
配
合
使用
。強(qiáng)度(計(jì)數(shù)率波長λ/nm強(qiáng)度(計(jì)數(shù)率能
量
E/keV波
譜
儀NTENSITY(counts)→A
VI
EI
_ENGTHY
(ke'
V)(
三
)ENERGW波譜
儀的晶體分
光
特點(diǎn),對
波
長
為
λ的X
射線不僅可以在探
測到n=1
的
一
級X
射
線
,
同時(shí)可在
其
它
0
角
處
探
測
到n
為不同值的
高
級
衍
射
線
。波譜定
性
分
析
不
如能
譜
定
性
分
析
那
么
簡
單、直觀,
就要求
對波
譜
進(jìn)
行
更
合
乎
邏
輯的分析,
以
免
造
成
錯(cuò)
誤
。SKa(n=1)存
在
于
0
.
5
3
7
2nm處
,CoKa(n=
1
)
在
0
.
1
7
8
9nm處
,CoKa(n=3)的三級衍射在3×0
.
1789nm=0.5367nm
處
,
故SKα的一
級線
和CoKa的三級線非
常
近
無
法區(qū)分
。GKα
和
CoKα具有不同的能
量
使探
測
界
輸I出不同電壓脈沖幅度。CoKα是SKa
的3倍
,根
據(jù)SKa電壓脈沖信號
設(shè)
置窗口電壓,通過
脈沖高度分析器排除CoKα
的脈沖,從
而
使譜
中
0
.
5
3
7
2
nm處僅存
在SKα
線
。例
:比較項(xiàng)
目WDSEDS元
素
分
析
范圍4Be~9?U11Na~g?U/?Be~9?U元
素
分
析
方
法能
量
辨
率
/
e
V
靈敏度檢測效率定
量
分
析
精
度儀
器
特
殊
性分
光晶
體
逐
個(gè)
元
素
分
析高
(3/
5
~
10
)低低,隨
波
長
而
變
化好多
個(gè)
分
光晶
體固
態(tài)
檢
測
器
元
素同時(shí)
檢
測低
(
160/135)高高,
一
定
條
件
下
是
常
數(shù)差探
頭
液
氮
冷
卻EMPA對樣品尺寸大小、導(dǎo)電性、預(yù)處理的要求與TEM相同,
除此之外,
應(yīng)注意:①
定量分析的樣品,表面必須拋光以保證平整、
光滑
。②
光學(xué)觀察進(jìn)行侵蝕的樣品,應(yīng)控制侵蝕程度。③
樣品表面清潔,
防止污染。
(機(jī)械拋光、
化學(xué)
試劑、表面氧化膜和碳化產(chǎn)物、殘存的污染)4
.
3
樣
品
制
備定性分析:記
錄
樣品
發(fā)
射的
特
征x射
線
λ
。對比單元素特征譜線波長,
確定樣品中的元素。■
定
量分
析
:記錄樣品發(fā)射的特征x射線λ和I。每種元素選擇一
根譜線與已知成分純元素標(biāo)
樣的
同根譜線進(jìn)行比較,
確定元素含量。4.4分
析
方
法(
1)
定點(diǎn)元
素全
分
析
(
定
性
或
定量)■電子束
固定在分析
的某
一
點(diǎn)
(微
區(qū)),改變晶體的衍射角,記錄該點(diǎn)不同元素的x
射線λ和I?!鲎V線強(qiáng)
度峰的位
置
波
長→
微區(qū)
含
有元
素元素某一譜線的強(qiáng)度→元素
的含量基本工作方式
:微
區(qū)
成
分
分
析200
nmλ/nm合金鋼(0.
62Si,1.11Mn,0.96Cr,0.56Ni,0.26V,0.24Cu)定點(diǎn)分析的譜線圖(2)
線
掃
描分
析聚
焦電
子
束
在
試
樣
沿一
直
線
慢
掃
描,
同
時(shí)檢測某一指定特征x射線的瞬時(shí)I,
得到特征x射線I沿試樣掃描線的分布。
(
元素
的濃
度分
布
)■直
接在
SE
像、
BE
像
上疊加,顯示掃描軌
跡
和x
射
線I分布曲線,直觀反映元
素
濃
度分布與組織結(jié)構(gòu)之間的關(guān)系??梢院芸祜@示濃度與
擴(kuò)
散
距
離的關(guān)系曲線
,
若以微米級逐點(diǎn)分析,
可相當(dāng)精
確
測定擴(kuò)散系數(shù)和激活能。集與
貧
化是十分有效的。■垂直
于
擴(kuò)
散界
面的方向上
進(jìn)行
線
掃
描
,■對于測
定
元
素
在
材
料
相
界
和晶界上的富線
掃
描
分
析線
掃
描
分
析(3)
面
掃
描分
析電
子
束
在
試
樣
表
面
進(jìn)行
面
掃
描,
譜儀只
檢測
某
一
元
素的特
征x
射
線
位
置,
得到由
許多亮點(diǎn)組成的圖像。亮點(diǎn)為元素的所
在處,根據(jù)亮點(diǎn)的疏
密
程
度可確定元素
在試樣表面
的分
布情
況
。準(zhǔn)確顯
示
與
基
體
成
分
不同的夾雜物的
形
狀
,定性顯示元
素偏
析。面
掃
描
分
析亮區(qū)代表元素含
量高,
灰區(qū)代表元素含量較
低
,
黑色區(qū)域代
表
元
素
含
量
很
低
或
不
存
在
。線掃描、面掃描要求樣品表面平整,
否則出現(xiàn)
假象
?!鼍€掃描、面
掃
描只作定
性
分
析,
不作定量分析O■定量
分
析是
一
種
半
定
量
分
析
。原因是:
譜線強(qiáng)度與元素含量有關(guān)外,
還
與
試
樣的化學(xué)成分
有
關(guān),通
常
稱
為
“
基
體效
應(yīng)”
,
譜儀對不
同波長
(或
能量
)
X
射
線
探
測
的
效率不
同
。注
意
:Energy(kev)CalciumYttriumNickelcouns■
一
種
無
損的
微區(qū)
分
析,特別
是
成
分
及
其
分
布
?!?/p>
對
微區(qū)、
微
粒、
微
量的
成
分
分
析
具
有
分
析元
素
范圍
廣、
靈
敏
度
高、
可
定
量
等
優(yōu)
點(diǎn),
在各領(lǐng)域
廣
泛
應(yīng)
用。
(冶金、材料
、生
物、
醫(yī)學(xué)、
考古
等
)4
.
5
應(yīng)
用組分
不
均
勻
合
金
試
樣的
微區(qū)
成
分
分
析■擴(kuò)散對試樣中成分梯度的測定■
相圖
低溫
等
溫
截
面的
測
定■金
屬
/
半導(dǎo)
體
界
面
反
應(yīng)
產(chǎn)
物應(yīng)
用
舉
例其
它
電
子
顯
微
鏡主要用于表面原子成象
(
導(dǎo)體)STM的橫向分辨率高
達(dá)1
?
,
縱
向分辨率10
?。
它
對
原
子的
檢
測
深
溫馨提示
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