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非平衡載流子的壽命

非平衡載流子的壽命非平衡載流子的復(fù)合非平衡載流子的復(fù)合率:單位時(shí)間單位體積凈復(fù)合消失的電子-空穴對(duì)數(shù)

設(shè)單位時(shí)間內(nèi)非平衡載流子的復(fù)合幾率為1/.若t時(shí)刻的非平衡載流子濃度為p(t),則非平衡載流子的復(fù)合率為:非平衡載流子的檢驗(yàn)設(shè)半導(dǎo)體電阻為r,且則通過(guò)回路的電流I近似不隨半導(dǎo)體的電阻r的改變而變化.

當(dāng)加入非平衡作用時(shí),由于半導(dǎo)體的電阻發(fā)生改變,半導(dǎo)體兩端的電壓也發(fā)生改變,由于電壓的改變,可以確定載流子濃度的變化.非平衡載流子5.1非平衡載流子的注入與復(fù)合

5.2非平衡載流子的壽命

5.3準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)

5.4復(fù)合理論

5.5陷阱效應(yīng)

5.6載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)

5.7載流子的漂移運(yùn)動(dòng),愛(ài)因斯坦關(guān)系式

5.8連續(xù)性方程式1/n

和1/

p

分別表示非平衡電子和非平衡空穴的復(fù)合幾率.

對(duì)n型半導(dǎo)體,設(shè)t時(shí)刻單位體積內(nèi)的非平衡載流子濃度為

p(t);t=0時(shí)撤銷注入條件,則有:復(fù)合率=p/

可以證明,在小注入條件下,

為一個(gè)不依賴于非平衡載流子濃度的常數(shù),因此解上述方程得到:同理對(duì)P型有壽命的意義當(dāng)時(shí),,故壽命標(biāo)志著非平衡載流子濃度減小到原值的1/e所經(jīng)歷的時(shí)間;壽命越短,衰減越快因此,個(gè)過(guò)剩載流子的平均可生存時(shí)間為:

也是非平衡載流子的平均生存時(shí)間,即非平衡載流子的平均壽命.衰減過(guò)程中從t到t+dt內(nèi)復(fù)合掉的過(guò)??昭ú煌牧系膲勖町愝^大.鍺比硅容易獲得較高的壽命,而砷化鎵的壽命要短得多.較完整的鍺單晶:較完整的硅單晶:砷化鎵單晶:例:N型硅,室溫下光穩(wěn)定照射后獲得非平衡載流子濃度:突然撤掉光照,經(jīng)過(guò)20微秒,解:非平衡態(tài)和平衡態(tài)穩(wěn)定的非平衡態(tài)產(chǎn)生率等于復(fù)合率,△n

不變非

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