埋層硅外延片

ICS29.045

CCSH82

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/TXXXXX—XXXX

埋層硅外延片

Siliconepitaxialwaferswithburiedlayers

征求意見稿

在提交反饋意見時(shí)，請將您知道的相關(guān)專利連同支持性文件一并附上

XXXX-XX-XX發(fā)布XXXX-XX-XX實(shí)施

GB/TXXXXX—XXXX

埋層硅外延片

1范圍

本文件規(guī)定了埋層硅外延片的術(shù)語和定義、產(chǎn)品分類、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則以及標(biāo)志、

包裝、運(yùn)輸、貯存、隨行文件等。

本文件適用于在埋層襯底上外延生長半導(dǎo)體硅單晶薄膜層獲得的晶片，即埋層硅外延片，其產(chǎn)品主

要被用于制作集成電路芯片或半導(dǎo)體硅器件。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，

僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本

文件。

GB/T1550非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測試方法

GB/T1555半導(dǎo)體單晶晶向測定方法

GB/T2828.1計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第1部分：按接收質(zhì)量限(AQL)檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃

GB/T6617硅片電阻率測定擴(kuò)展電阻探針法

GB/T6624硅拋光片表面質(zhì)量目測檢驗(yàn)方法

GB/T12962硅單晶

GB/T12964硅單晶拋光片

GB/T13389摻硼摻磷硅單晶電阻率和摻雜濃度換算規(guī)程

GB/T14139硅外延片

GB/T14141硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的測定直排四探針法

GB/T14142硅外延層晶體完整性檢測方法腐蝕法

GB/T14146硅外延層載流子濃度測定電容－電壓法

GB/T14264半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14847重?fù)诫s襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法

GB/T19921硅拋光片表面顆粒測試方法

GB/T24578硅片表面金屬沾污的全反射X光熒光光譜測試法

GB/T29507硅片平整度、厚度及總厚度變化測試自動(dòng)非接觸掃描法

GB/T32280硅片翹曲度測試自動(dòng)非接觸掃描法

GB/T35310200mm硅外延片

GB/T39145硅片表面金屬元素含量的測定電感耦合等離子體質(zhì)譜法

YS/T28硅片包裝

3術(shù)語和定義

GB/T14264界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件。

1

GB/TXXXXX—XXXX

3.1埋層硅外延片（epionburiedlayer）

在埋層上外延生長半導(dǎo)體硅單晶薄膜層獲得的晶片。

4產(chǎn)品分類

4.1埋層硅外延片按導(dǎo)電類型分為N型和P型。N型外延層摻雜元素為磷或砷，P型外延層摻雜元素

為硼。

4.2埋層硅外延片按按直徑尺寸分為76.2mm、100mm、125mm、150mm、200mm。

4.3埋層硅外延片按晶向分為〈111〉、〈100〉、<110>等。

5技術(shù)要求

5.1襯底材料

埋層片襯底材料的質(zhì)量要求應(yīng)符合表1的規(guī)定，其他各項(xiàng)參數(shù)應(yīng)符合GB/T12964、GB/T12964、GB/T

35310的規(guī)定。埋層電路片的質(zhì)量由供方保證。

表1埋層片襯底質(zhì)量要求

導(dǎo)氧化層去除情宏觀表背面質(zhì)量微觀表面圖形質(zhì)量

電摻雜元電阻率，況

類素Ω·cm

型

P，As，日光燈下檢驗(yàn)聚光燈下檢驗(yàn)要求表顯微鏡下檢驗(yàn)要求無

N≤20

Sb要求氧化層完面激光標(biāo)號清晰,表劃傷、無色差、圖形

全去除，無黑面/背面無劃傷、大亮清晰，無顯著缺陷（光

點(diǎn)、黑斑等氧點(diǎn)等缺陷，背面無反刻錯(cuò)誤、滑移線、層

化層殘留痕跡應(yīng)圈；錯(cuò)、位錯(cuò)等微觀缺陷）

PB≤100

無（尖峰、缺角、裂

紋、霧、針孔）；

邊緣劃傷≤3mm

5.2外延層

5.2.1圖形規(guī)格參數(shù)

埋層硅外延片的圖形漂移率和圖形畸變率應(yīng)符合表2的規(guī)定。

表2圖形漂移率和圖形畸變率

項(xiàng)目要求

圖形漂移率0.9±0.1

2

GB/TXXXXX—XXXX

圖形畸變率≤1.5

5.2.1.1圖形漂移率Δ1如圖1所示，按式（1）計(jì)算：

Δ1=d/t……（1）

式中：

Δ1——圖形漂移率

d——外延層上圖形寬度與襯底上圖形寬度的偏離，單位為μm；

t——外延層厚度，單位為μm。

5.2.1.2圖形畸變率Δ2如圖2所示，按式（2）計(jì)算：

Δ2=(a-b)/t……（2）

式中：

Δ2——圖形畸變率

a——外延層上的圖形寬度，單位為μm；

b——襯底上的圖形寬度，單位為μm；

t——外延層厚度，單位為μm。

5.2.2電阻率及其徑向變化

埋層硅外延片的外延層電阻率及其徑向電阻率變化應(yīng)符合表3的規(guī)定。

表3外延層電阻率及徑向電阻率變化

3

GB/TXXXXX—XXXX

電阻率

標(biāo)稱電阻率允許偏差徑向電阻率變化RV

Ω·cm

0.01～100±5％≤5％

>100±15％≤15％

5.2.3厚度及其徑向變化

埋層硅外延片的外延層厚度及徑向變化應(yīng)符合表4的規(guī)定。

表4外延層標(biāo)稱厚度及徑向厚度變化

厚度

標(biāo)稱厚度允許偏差徑向厚度變化TV

μm

1～50±5%≤5%

5.2.4縱向電阻率分布及過渡區(qū)寬度

5.2.4.1埋層硅外延片的外延層縱向電阻率分布由供需雙方協(xié)商確定。

5.2.4.2埋層硅外延片的外延層過渡區(qū)寬度應(yīng)小于外延層厚度的15%，或由供需雙方協(xié)商確定。

5.2.5晶體完整性

埋層硅外延片外延層的位錯(cuò)密度和層錯(cuò)密度均應(yīng)不大于10個(gè)/cm2。

5.2.6幾何參數(shù)

埋層硅外延片的幾何參數(shù)應(yīng)符合表5的規(guī)定。

表5幾何參數(shù)

項(xiàng)目要求

總厚度變化TTV，μm≤10

總平整度TIR，μm≤5

局部平整度STIR，μm≤2(20×20)

彎曲度Bow，μm±55

翹曲度Warp，μm≤60

5.2.7表面金屬

埋層硅外延片的外延層表面金屬應(yīng)符合表6的規(guī)定。

表6表面金屬

項(xiàng)目要求，atoms/cm2

10

重金屬包含不限于（鐵、鎳、銅、鋅、鉻等）≤3×10

4

GB/TXXXXX—XXXX

10

輕金屬包含不限于（鈉、鎂、鋁、鉀、鈣等）≤5×10

5.2.8表面質(zhì)量

5.2.8.1正面質(zhì)量

埋層硅外延片的正面質(zhì)量應(yīng)符合表7的規(guī)定。

表7正面質(zhì)量

序號缺陷名稱缺陷限度

1滑移線≤5條，總長≤1/2直徑

≥0.5μm無

2顆粒（局部光散射體，LLSs）≥0.3μm≤20個(gè)/片

≥0.2μm≤30個(gè)/片

3凹坑無

4冠狀邊緣突起應(yīng)不大于15%t

5劃痕<50mm

6橘皮、波紋、裂紋、鴉爪無

7霧無

8崩邊無

9沾污無

5.2.8.2背面質(zhì)量

埋層硅外延片的背面應(yīng)無沾污，無突起物、無劃傷、無破損。

5.2.9邊緣

埋層硅外延片的正背面邊緣應(yīng)光滑、無破損。

5.2.10其他

需方如對埋層硅外延片有其他要求時(shí)，由供需雙方協(xié)商并在訂貨單中注明。

6試驗(yàn)方法

6.1外延片的導(dǎo)電類型檢驗(yàn)按GB/T1550的規(guī)定進(jìn)行。

6.2外延片的晶向檢驗(yàn)按GB/T1555的規(guī)定進(jìn)行。

6.3電阻率和摻雜濃度換算按GB/T13389的規(guī)定進(jìn)行。

6.4外延片的圖形漂移率和圖形畸變率采用臺(tái)階儀測試。

6.5外延層電阻率測試按GB/T14141或GB/T14146的規(guī)定進(jìn)行，或按供需雙方商定的方法進(jìn)行。徑

向電阻率變化按式（3）計(jì)算。

RVMaxMin100%……（3）

MaxMin

5

GB/TXXXXX—XXXX

式中：

ρMax、ρMin-----分別是指中心點(diǎn)以及在平行于與垂直于主參考面的兩條直徑上距周邊6mm±1mm位置處

5點(diǎn)位置處電阻率測量值的最大值和最小值，或中心點(diǎn)以及在平行于和垂直于主參考面的兩條直徑

上1/2半徑以及距周邊6mm±1mm的9點(diǎn)位置處電阻率測量值的最大值和最小值。

徑向電阻率變化的測試方案（如取點(diǎn)方法、計(jì)算公式等）也可由供需雙方商定并在合同中注明。

6.6外延層厚度的檢驗(yàn)按GB/T14847的規(guī)定進(jìn)行，或按供需雙方商定的方法進(jìn)行。徑向厚度變化按式

（4）計(jì)算。

TT

TVMaxMin100%……（4）

TMaxTMin

式中：

TMax、TMin——分別是指中心點(diǎn)以及在平行于與垂直于主參考面的兩條直徑上距周邊6mm±1mm位置處

5點(diǎn)位置處的厚度測量值的最大值和最小值，或中心點(diǎn)以及在平行于和垂直于主參考面的兩條直徑上

1/2半徑以及距周邊6mm±1mm的9點(diǎn)位置處厚度測量值的最大值和最小值。

徑向厚度變化的測試方案（如取點(diǎn)方法、計(jì)算公式等）也可由供需雙方商定并在合同中注明。

6.7外延層縱向電阻率分布與外延層過渡區(qū)寬度的檢驗(yàn)按GB/T6617的規(guī)定進(jìn)行，或按供需雙方商定

的方法進(jìn)行。

過渡區(qū)寬度按式（5）計(jì)算：

W=W1-W2…………………（5）

式中：

W——外延層的過渡區(qū)寬度，單位為微米（μm）；

W1——過渡區(qū)開始時(shí)的厚度，即襯底的載流子濃度平均值的90%對應(yīng)的外延層厚度，單位為微米（μ

m）；

W2——過渡區(qū)結(jié)束時(shí)的厚度，即外延層的平坦區(qū)載流子濃度平均值的110%對應(yīng)的外延層厚度，單位

為微米（μm）。

6.8外延層晶體完整性（位錯(cuò)密度、層錯(cuò)密度）的檢測按GB/T14142的規(guī)定進(jìn)行

6.9外延片總厚度變化、總平整度、局部平整度檢驗(yàn)按GB/T29507的規(guī)定進(jìn)行。

6.10外延片彎曲度、翹曲度檢驗(yàn)按GB/T32280的規(guī)定進(jìn)行。

6.11外延片表面金屬雜質(zhì)沾污檢驗(yàn)按GB/T39145或GB/T24578進(jìn)行測試。

6.12外延片正面質(zhì)量（除顆粒外）、背面質(zhì)量、邊緣檢驗(yàn)按GB/T6624的規(guī)定進(jìn)行，或按供需雙方商

定的辦法進(jìn)行

6.13外延片表面顆粒檢驗(yàn)按GB/T19921的規(guī)定進(jìn)行。

7檢驗(yàn)規(guī)則

7.1檢查與驗(yàn)收

7.1.1每批產(chǎn)品應(yīng)由供方技術(shù)質(zhì)量監(jiān)督部門進(jìn)行檢驗(yàn)，保證產(chǎn)品質(zhì)量符合本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，并填寫產(chǎn)品質(zhì)

量證明書。

7.1.2需方可對收到的產(chǎn)品進(jìn)行檢驗(yàn)。若檢驗(yàn)結(jié)果與本文件規(guī)定不符時(shí)，應(yīng)在收到產(chǎn)品之日起三個(gè)月

內(nèi)向供方提出，由供需雙方協(xié)商解決。

7.2組批

6

GB/TXXXXX—XXXX

產(chǎn)品應(yīng)成批提交驗(yàn)收，每批應(yīng)由供需雙方一致確認(rèn)的相同技術(shù)指標(biāo)的外延片組成。

7.3檢驗(yàn)項(xiàng)目

7.3.1每批埋層硅外延片應(yīng)對導(dǎo)電類型、晶向、電阻率、徑向電阻率變化、厚度、徑向厚度變化、晶

體完整性、幾何參數(shù)、表面金屬、正面質(zhì)量、表面顆粒、背面質(zhì)量、邊緣進(jìn)行檢驗(yàn)。

7.3.2埋層硅外延片的縱向電阻率分布及過渡區(qū)寬度的檢驗(yàn)由供需雙方協(xié)商。

7.4取樣

7.4.1埋層硅外延片非破壞性測量的檢測取樣按GB/T2828.1一般檢查水平Ⅱ，正常檢查一次抽樣方

案進(jìn)行，破壞性測量的項(xiàng)目檢測取樣按GB/T2828.1特殊檢查水平S-2，正常檢查一次抽樣方案進(jìn)行，

上述檢驗(yàn)項(xiàng)目的抽樣方案也可由供需雙方協(xié)商確定的抽樣方案進(jìn)行。

7.4.2埋層硅外延片縱向電阻率分布及過渡區(qū)寬度的取樣由供需雙方協(xié)商確定。

7.5檢驗(yàn)結(jié)果的判定

7.5.1導(dǎo)電類型、晶向檢驗(yàn)若有一片不合格，則該批產(chǎn)品為不合格。

7.5.2外延片縱向電阻率分布及過渡區(qū)寬度檢驗(yàn)結(jié)果的判定由供需雙方協(xié)商確定。

7.5.3其他檢驗(yàn)項(xiàng)目的合格質(zhì)量水平（AQL）應(yīng)符合表8的規(guī)定。

表8

序號檢驗(yàn)項(xiàng)目合格質(zhì)量水平AQL

1圖形漂移率1.0

2圖形畸變率1.0

3外延層電阻率1.0

4外延層徑向電阻率變化1.0

5外延層厚度1.0

6外延層徑向厚度變化1.0

7外延層位錯(cuò)密度1.0

晶體完整性

8外延層層錯(cuò)密度1.0

總厚度變化1.0

總平整度1.0

局部平整度1.0

9幾何參數(shù)

彎曲度1.0

翹曲度1.0

累計(jì)2.5

10表面金屬1.0

滑移線1.0

11正面質(zhì)量

顆粒（局部光散射體）1.0

7

GB/TXXXXX—XXXX

凹坑1.0

冠狀邊緣1.0

劃痕1.0

桔皮、波紋、裂紋、鴉爪1.0

霧1.0

崩邊1.0

沾污1.0

累計(jì)2.5

12背面質(zhì)量1.0

13邊緣1.0

7.5.4非破壞性檢驗(yàn)項(xiàng)目的結(jié)果不合格的產(chǎn)品，供方可對不合格項(xiàng)進(jìn)行逐片檢驗(yàn)，除去不合格品后，

合格品可以重新組批。

8標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存和隨行文件

8.1標(biāo)志

包裝箱外應(yīng)有“小心輕放”、“防腐防潮”、“易碎”字樣或標(biāo)記，并注明：

a)供方名稱；

b)需方名稱；

c)產(chǎn)品規(guī)格；

d)產(chǎn)品數(shù)量。

8.2包裝

8.2.1埋層硅外延片應(yīng)在超凈室內(nèi)裝入專用的硅片裝運(yùn)盒，蓋好盒蓋，片盒接口處貼上專用密封膠帶

外用潔凈的塑料袋密封。是否采用雙層包裝以及每層包裝的方式與材料，由供需雙方協(xié)商確定。

8.2.2放置硅外延片的片盒應(yīng)是專用硅片潔凈片盒，不能夠產(chǎn)生污染與顆粒。

8.2.3每個(gè)外延片片盒應(yīng)貼有產(chǎn)品標(biāo)簽。標(biāo)簽內(nèi)容至少應(yīng)包括：產(chǎn)品名稱，規(guī)格，片數(shù)，批號及日期，

片盒再裝入一定規(guī)格的外包裝箱，采取防震、防潮措施。

8.2.4需方對包裝沒有明確要求的可參照YS/T28執(zhí)行。

8.3運(yùn)輸和貯存

8.3.1產(chǎn)品在運(yùn)輸過程中應(yīng)輕裝輕卸、勿擠勿壓，并有防震措施。

8.3.2產(chǎn)品應(yīng)貯存在潔凈、干燥的環(huán)境中。

8.4隨行文件

每批產(chǎn)品應(yīng)附隨行文件，其上注明：

a)供方名稱；

b)產(chǎn)品名稱和產(chǎn)品規(guī)格；

8

GB/TXXXXX—XXXX

c)產(chǎn)品批號；

d)產(chǎn)品數(shù)量；

e)襯底片生產(chǎn)廠家及主要技術(shù)參數(shù)；

f)各項(xiàng)檢驗(yàn)結(jié)果及檢驗(yàn)部門印記；

g)檢驗(yàn)和審核人員的簽字；

h)生產(chǎn)日期。

8.5其他

需方對產(chǎn)品的標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存和隨行文件要求，可有供需雙方協(xié)商確定。

9訂貨單內(nèi)容

需方可根據(jù)自身的需要，在訂購本文件所列產(chǎn)品的訂貨單內(nèi)，列出以下內(nèi)容：

a)產(chǎn)品名稱；

b)產(chǎn)品規(guī)格；

c)產(chǎn)品數(shù)量；

d)本標(biāo)準(zhǔn)編號；

e)其他需要協(xié)商的內(nèi)容。

_________________________________

9

GB/TXXXXX—XXXX

前??言

本文件按照GB/T1.1—2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定

起草。

本文件由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)（SAC/TC203）與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化

技術(shù)委員會(huì)材料分會(huì)（SAC/TC203/SC2）共同提出并歸口。

本文件起草單位：南京國盛電子有限公司、南京盛鑫半導(dǎo)體材料有限公司。。。。。。

本文件主要起草人：……

I

GB/TXXXXX—XXXX

埋層硅外延片

1范圍

本文件規(guī)定了埋層硅外延片的術(shù)語和定義、產(chǎn)品分類、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則以及標(biāo)志、

包裝、運(yùn)輸、貯存、隨行文件等。

本文件適用于在埋層襯底上外延生長半導(dǎo)體硅單晶薄膜層獲得的晶片，即埋層硅外延片，其產(chǎn)品主

要被用于制作集成電路芯片或半導(dǎo)體硅器件。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，

僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本

文件。

GB/T1550非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測試方法

GB/T1555半導(dǎo)體單晶晶向測定方法

GB/T2828.1計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第1部分：按接收質(zhì)量限(AQL)檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃

GB/T6617硅片電阻率測定擴(kuò)展電阻探針法

GB/T6624硅拋光片表面質(zhì)量目測檢驗(yàn)方法

GB/T12962硅單晶

GB/T12964硅單晶拋光片

GB/T13389摻硼摻磷硅單晶電阻率和摻雜濃度換算規(guī)程

GB/T14139硅外延片

GB/T14141硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的測定直排四探針法

GB/T14142硅外延層晶體完整性檢測方法腐蝕法

GB/T14146硅外延層載流子濃度測定電容－電壓法

GB/T14264半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14847重?fù)诫s襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法

GB/T19921硅拋光片表面顆粒測試方法

GB/T24578硅片表面金屬沾污的全反射X光熒光光譜測試法

GB/T29507硅片平整度、厚度及總厚度變化測試自動(dòng)非接觸掃描法

GB/T32280硅片翹曲度測試自動(dòng)非接觸掃描法

GB/T35310200mm硅外延片

GB/T39145硅片表面金屬元素含量的測定電感耦合等離子體質(zhì)譜法

YS/T28硅片包裝

3術(shù)語和定義

GB/T14264界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件。

1

GB/TXXXXX—XXXX

3.1埋層硅外延片（epionburiedlayer）

在埋層上外延生長半導(dǎo)體硅單晶薄膜層獲得的晶片。

4產(chǎn)品分類

4.1埋層硅外延片按導(dǎo)電類型分為N型和P型。N型外延層摻雜元素為磷或砷，P型外延層摻雜元素

為硼。

4.2埋層硅外延片按按直徑尺寸分為76.2mm、100mm、125mm、150mm、200mm。

4.3埋層硅外延片按晶向分為〈111〉、〈100〉、<110>等。

5技術(shù)要求

5.1襯底材料

埋層片襯底材料的質(zhì)量要求應(yīng)符合表1的規(guī)定，其他各項(xiàng)參數(shù)應(yīng)符合GB/T12964、GB/T12964、GB/T

35310的規(guī)定。埋層電路片的質(zhì)量由供方保證。

表1埋層片襯底質(zhì)量要求

導(dǎo)氧化層去除情宏觀表背面質(zhì)量微觀表面圖形質(zhì)量

電摻雜元電阻率，況

類素Ω·cm

型

P，As，日光燈下檢驗(yàn)聚光燈下檢驗(yàn)要求表顯微鏡下檢驗(yàn)要求無

N≤20

Sb要求氧化層完面激光標(biāo)號清晰,表劃傷、無色差、圖形

全去除，無黑面/背面無劃傷、大亮清晰，無顯著缺陷（光

點(diǎn)、黑斑等氧點(diǎn)等缺陷，背面無反刻錯(cuò)誤、滑移線、層

化層殘留痕跡應(yīng)圈；錯(cuò)、位錯(cuò)等微觀缺陷）

PB≤100

無（尖峰、缺角、裂

紋、霧、針孔）；

邊緣劃傷≤3mm

5.2外延層

5.2.1圖形規(guī)格參數(shù)

埋層硅外延片的圖形漂移率和圖形畸變率應(yīng)符合表2的規(guī)定。

表2圖形漂移率和圖形畸變率

項(xiàng)目要求

圖形漂移率0.9±0.1

2

GB/TXXXXX—XXXX

圖形畸變率≤1.5

5.2.1.1圖形漂移率Δ1如圖1所示，按式（1）計(jì)算：

Δ1=d/t……（1）

式中：

Δ1——圖形漂移率

d——外延層上圖形寬度與襯底上圖形寬度的偏離，單位為μm；

t——外延層厚度，單位為μm。

5.2.1.2圖形畸變率Δ2如圖2所示，按式（2）計(jì)算：

Δ2=(a-b)/t……（2）

式中：

Δ2——圖形畸變率

a——外延層上的圖形寬度，單位為μm；

b——襯底上的圖形寬度，單位為μm；

t——外延層厚度，單位為μm。

5.2.2電阻率及其徑向變化

埋層硅外延片的外延層電阻率及其徑向電阻率變化應(yīng)符合表3的規(guī)定。

表3外延層電阻率及徑向電阻率變化

3

GB/TXXXXX—XXXX

電阻率

標(biāo)稱電阻率允許偏差徑向電阻率變化RV

Ω·cm

0.01～100±5％≤5％

>100±15％≤15％

5.2.3厚度及其徑向變化

埋層硅外延片的外延層厚度及徑向變化應(yīng)符合表4的規(guī)定。

表4外延層標(biāo)稱厚度及徑向厚度變化

厚度

標(biāo)稱厚度允許偏差徑向厚度變化TV

μm

1～50±5%≤5%

5.2.4縱向電阻率分布及過渡區(qū)寬度

5.2.4.1埋層硅外延片的外延層縱向電阻率分布由供需雙方協(xié)商確定。

5.2.4.2埋層硅外延片的外延層過渡區(qū)寬度應(yīng)小于外延層厚度的15%，或由供需雙方協(xié)商確定。

5.2.5晶體完整性

埋層硅外延片外延層的位錯(cuò)密度和層錯(cuò)密度均應(yīng)不大于10個(gè)/cm2。

5.2.6幾何參數(shù)

埋層硅外延片的幾何參數(shù)應(yīng)符合表5的規(guī)定。

表5幾何參數(shù)

項(xiàng)目要求

總厚度變化TTV，μm≤10

總平整度TIR，μm≤5

局部平整度STIR，μm≤2(20×20)

彎曲度Bow，μm±55

翹曲度Warp，μm≤60

5.2.7表面金屬

埋層硅外延片的外延層表面金屬應(yīng)符合表6的規(guī)定。

表6表面金屬

項(xiàng)目要求，ato