柔性直流輸電用絕緣柵雙極晶體管(IGBT)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)規(guī)范

ICS29.200

CCSK46

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/TXXXXX—XXXX

`

柔性直流輸電用絕緣柵雙極晶體管(IGBT)

驅(qū)動(dòng)器技術(shù)規(guī)范

TechnicalspecificationforinsulatedgatebipolartransistordriverofHigh-voltage

directcurrentpowertransmissionusingvoltagesourcedconverters

(點(diǎn)擊此處添加與國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)一致性程度的標(biāo)識(shí))

（征求意見(jiàn)稿）

（本草案完成時(shí)間：2022-7-6）

在提交反饋意見(jiàn)時(shí)，請(qǐng)將您知道的相關(guān)專(zhuān)利連同支持性文件一并附上。

XXXX-XX-XX發(fā)布XXXX-XX-XX實(shí)施

GB/TXXXXX—XXXX

柔性直流輸電用絕緣柵雙極晶體管(IGBT)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)規(guī)范

1范圍

本文件規(guī)定了柔性直流輸電用絕緣柵雙極晶體管驅(qū)動(dòng)器的使用條件、總體要求、主要參數(shù)、技術(shù)要

求、試驗(yàn)、包裝、標(biāo)志、運(yùn)輸和貯存等。

本文件適用于±800kV及以下采用模塊化多電平換流器的柔性直流輸電用IGBT驅(qū)動(dòng)器。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，

僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本

文件。

GB/T191包裝儲(chǔ)運(yùn)圖示標(biāo)志

GB/T4798.2電工電子產(chǎn)品應(yīng)用環(huán)境條件第2部分：運(yùn)輸

GB/T13384機(jī)電產(chǎn)品包裝通用技術(shù)條件

GB/T14598.27度量繼電器和保護(hù)裝置第27部分：產(chǎn)品安全要求

GB/T16935.1低壓系統(tǒng)內(nèi)設(shè)備的絕緣配合第1部分：原理、要求和試驗(yàn)

GB/T17626.2—2018電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)靜電放電抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.3—2016電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.4—2018電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.5—2019電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)浪涌（沖擊）抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.6—2019電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度

GB/T17626.8—2006電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)工頻磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.9—2011電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)脈沖磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.10—2017電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)阻尼振蕩磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.12—2013電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)振鈴波抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.18—2016電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)阻尼振蕩波抗擾度試驗(yàn)

GB/T2423.1—2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)A:低溫

GB/T2423.2—2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)B:高溫

GB/T2423.4—2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)Db:交變濕熱

GB/T2423.7—2018電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Ec:粗率操作造成的沖擊

GB/T2423.10—2019電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)Fc和導(dǎo)則：振動(dòng)（正弦）

GB/T2423.16—2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)J及導(dǎo)則：長(zhǎng)霉

GB/T2423.17—2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)Ka：鹽霧

GB/T2423.22—2012電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)N：溫度變化

GB/T29332—2012半導(dǎo)體器件分立器件第9部分：絕緣柵雙極晶體管（IGBT）

GB/T33348—2016高壓直流輸電用電壓源換流器閥電氣試驗(yàn)

GB/T34118—2017高壓直流系統(tǒng)用電壓源換流器術(shù)語(yǔ)

1

GB/TXXXXX—XXXX

驅(qū)動(dòng)器柵極控制IGBT開(kāi)通關(guān)斷過(guò)程中，輸出的柵極電流尖峰值。

3.8

子模塊最大工作電壓maximumoperatingvoltageofsubmodule

換流閥正常運(yùn)行過(guò)程中，子模塊發(fā)生過(guò)電壓保護(hù)動(dòng)作前，子模塊電容器所承受的最大電壓。

4使用條件

4.1正常使用條件

IGBT驅(qū)動(dòng)器正常使用條件應(yīng)滿(mǎn)足換流閥閥廳環(huán)境要求，具體使用條件如下：

——使用海拔不高于2000m，超出時(shí)應(yīng)根據(jù)GB/T311.1進(jìn)行修正；

——正常運(yùn)行溫度范圍為10℃～65℃；

——正常運(yùn)行相對(duì)濕度范圍為≤60%；

——?dú)鈮罕３治⒄龎?，約為5Pa～10Pa；

——防腐蝕（海上平臺(tái)）：滿(mǎn)足ISO12944-2:2007規(guī)定的C4級(jí)；

——霉菌（海上平臺(tái)）：滿(mǎn)足GB/T2423.16—2008規(guī)定的嚴(yán)酷等級(jí)1，長(zhǎng)霉程度等級(jí)不大于2a

級(jí)。

4.2特殊使用條件

在不符合4.1的規(guī)定時(shí)，由制造商和用戶(hù)協(xié)商確定。

5總體要求

IGBT驅(qū)動(dòng)器應(yīng)滿(mǎn)足柔性直流換流閥工程應(yīng)用的要求，能夠協(xié)調(diào)優(yōu)化IGBT的動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)特性，實(shí)現(xiàn)對(duì)

IGBT的安全保護(hù)，確保在換流閥各種運(yùn)行工況下都應(yīng)正確工作。

IGBT驅(qū)動(dòng)器選用元器件應(yīng)滿(mǎn)足功率裕度要求,降額使用宜按照GJB/Z35-93的規(guī)定執(zhí)行，以達(dá)到延

緩元器件參數(shù)退化，提高使用可靠性的目的。

IGBT驅(qū)動(dòng)器應(yīng)能承受換流閥各種工況下的電氣應(yīng)力，且對(duì)IGBT的控制、保護(hù)功能可靠正確。

IGBT驅(qū)動(dòng)器應(yīng)能夠耐受換流閥運(yùn)行環(huán)境中各類(lèi)型的電磁騷擾，控制、保護(hù)和通信等功能不受影響，

不會(huì)發(fā)生錯(cuò)誤動(dòng)作。

IGBT驅(qū)動(dòng)器檢測(cè)到故障或自身發(fā)生故障情況下，應(yīng)能可靠閉鎖IGBT，正確報(bào)告故障信息，不影響

換流閥整體正常運(yùn)行。

IGBT驅(qū)動(dòng)器應(yīng)保持足夠的機(jī)械應(yīng)力強(qiáng)度，安裝過(guò)程中不應(yīng)發(fā)生機(jī)械性損壞，若IGBT驅(qū)動(dòng)器放置于

機(jī)箱或者金屬殼中，應(yīng)保證具備良好的散熱條件。

6主要參數(shù)

6.1.1供電電源電壓

IGBT驅(qū)動(dòng)器的供電電源電壓宜從下列值中選?。?/p>

15V、24V。

6.1.2額定電壓值

3

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——關(guān)斷過(guò)程中，驅(qū)動(dòng)器柵極應(yīng)為負(fù)電壓，關(guān)鍵關(guān)斷特性參數(shù)（關(guān)斷延時(shí)、關(guān)斷時(shí)間、關(guān)斷過(guò)電

壓和關(guān)斷損耗等）應(yīng)滿(mǎn)足柔性直流輸電換流閥IGBT關(guān)斷性能的整體控制要求，保證IGBT關(guān)

斷可靠；

——應(yīng)設(shè)置合理的柵極開(kāi)通/關(guān)斷電阻，限制IGBT開(kāi)通過(guò)程中的di/dt和關(guān)斷過(guò)程的dv/dt超過(guò)器件

手冊(cè)要求。

7.1.2電源隔離

IGBT驅(qū)動(dòng)器電源輸入端與輸出端之間應(yīng)設(shè)置電氣隔離單元，推薦采用變壓器隔離。

7.1.3信號(hào)隔離

IGBT驅(qū)動(dòng)器信號(hào)輸入和輸出之間應(yīng)設(shè)置電氣隔離單元。推薦采用光隔離、磁隔離或電容隔離方式。

7.1.4輸入信號(hào)濾波（如有）

為防止高頻干擾信號(hào)引起的IGBT驅(qū)動(dòng)器頻繁發(fā)生故障，驅(qū)動(dòng)器應(yīng)能夠?yàn)V除高頻干擾信號(hào)。高頻干

擾信號(hào)脈沖頻率不小于1MHz。

7.1.5故障軟關(guān)斷

當(dāng)IGBT驅(qū)動(dòng)器檢測(cè)到過(guò)流故障、短路故障或存在特定軟關(guān)斷需求時(shí)，應(yīng)通過(guò)軟關(guān)斷的方式降低關(guān)

斷過(guò)電壓、關(guān)斷電壓變化率和電流變化率等，確保關(guān)斷時(shí)刻IGBT器件不會(huì)損壞。

7.1.6故障保持和清除

當(dāng)IGBT驅(qū)動(dòng)器檢測(cè)到故障時(shí)，驅(qū)動(dòng)器向上一級(jí)控制器上傳故障信息，并在收到狀態(tài)報(bào)告前保存該

故障狀態(tài)，直到上一級(jí)控制器下發(fā)故障清除命令或驅(qū)動(dòng)器掉電。

7.1.7過(guò)流保護(hù)（如有）

IGBT觸發(fā)開(kāi)通后，驅(qū)動(dòng)器檢測(cè)IGBT器件集射極電壓，當(dāng)監(jiān)測(cè)電壓值超過(guò)過(guò)流保護(hù)閾值電壓時(shí)，應(yīng)

可靠封鎖IGBT柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)，關(guān)斷IGBT，報(bào)告故障信息。

依據(jù)IGBT手冊(cè)過(guò)電流耐受及柔性直流工程實(shí)踐，IGBT驅(qū)動(dòng)器的過(guò)流保護(hù)值宜設(shè)定為IGBT最高允許

運(yùn)行溫度下，額定電流的2倍。

7.1.8退飽和短路保護(hù)

IGBT觸發(fā)開(kāi)通后，驅(qū)動(dòng)器檢測(cè)IGBT器件集射極電壓，當(dāng)監(jiān)測(cè)電壓超過(guò)短路保護(hù)閾值電壓時(shí)，應(yīng)可

靠封鎖IGBT柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)，關(guān)斷IGBT，報(bào)告故障信息。

IGBT退飽和短路識(shí)別、故障處理以及IGBT關(guān)斷應(yīng)在IGBT器件最大短路耐受時(shí)間內(nèi)完成。

7.1.9di/dt短路保護(hù)（如有）

IGBT開(kāi)通過(guò)程中，電流上升率很大，驅(qū)動(dòng)器通過(guò)判定發(fā)射極回路上的雜散電感電壓，快速的實(shí)現(xiàn)

短路保護(hù)，應(yīng)可靠封鎖IGBT柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)，關(guān)斷IGBT，報(bào)告故障信息。

IGBT驅(qū)動(dòng)器的di/dt短路判定、故障處理以及IGBT關(guān)斷時(shí)間應(yīng)在IGBT器件最大短路耐受時(shí)間內(nèi)完成。

7.1.10欠壓保護(hù)

IGBT驅(qū)動(dòng)器檢測(cè)供電電源隔離變壓器輸出電壓（柵極輸出電壓），當(dāng)被檢測(cè)電壓低于保護(hù)設(shè)定值

時(shí)，驅(qū)動(dòng)器能夠及時(shí)閉鎖IGBT器件，并報(bào)告故障信息。

5

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IGBT驅(qū)動(dòng)器是換流閥的重要組成部件，長(zhǎng)期處于換流閥工作所產(chǎn)生的電場(chǎng)和磁場(chǎng)范圍之內(nèi)（電磁

場(chǎng)強(qiáng)度分析見(jiàn)附錄C），但是IGBT驅(qū)動(dòng)應(yīng)不受干擾，能夠可靠控制和保護(hù)IGBT安全運(yùn)行，其電磁兼容

能力應(yīng)達(dá)到柔性直流輸電換流閥設(shè)計(jì)要求的級(jí)別。

8試驗(yàn)

8.1型式試驗(yàn)

8.1.1型式試驗(yàn)項(xiàng)目

IGBT驅(qū)動(dòng)器的型式試驗(yàn)項(xiàng)目見(jiàn)表1。

表1IGBT驅(qū)動(dòng)器型式試驗(yàn)項(xiàng)目

序號(hào)試驗(yàn)項(xiàng)目對(duì)應(yīng)條款

1功耗測(cè)量8.1.2.4

2柵極輸出電壓測(cè)試8.1.2.5

3開(kāi)拓關(guān)斷測(cè)試8.1.2.6

4隔離耐壓測(cè)試8.1.2.7

5輸入信號(hào)濾波功能測(cè)試8.1.2.8

6故障軟關(guān)斷功能測(cè)試8.1.2.9

7故障保持和清除功能測(cè)試8.1.2.10

8過(guò)流保護(hù)試驗(yàn)8.1.2.11

電氣功能試驗(yàn)

9退飽和短路保護(hù)試驗(yàn)8.1.2.12

10di/dt短路保護(hù)試驗(yàn)8.1.2.13

11欠壓保護(hù)試驗(yàn)8.1.2.14

12過(guò)溫保護(hù)試驗(yàn)8.1.2.15

13脈沖頻率超限保護(hù)試驗(yàn)8.1.2.16

14有源鉗位保護(hù)試驗(yàn)8.1.2.17

15接收通信異常保護(hù)試驗(yàn)8.1.2.18

16光強(qiáng)度測(cè)試8.1.2.19

17高溫試驗(yàn)8.1.3.1

18低溫試驗(yàn)8.1.3.2

19溫度變化試驗(yàn)8.1.3.3

20交變濕熱試驗(yàn)8.1.3.4

21環(huán)境試驗(yàn)振動(dòng)試驗(yàn)8.1.3.5

22自由跌落試驗(yàn)8.1.3.6

23鹽霧試驗(yàn)8.1.3.7

24長(zhǎng)霉試驗(yàn)8.1.3.8

25壽命老化試驗(yàn)8.1.3.9

26靜電放電抗擾度試驗(yàn)8.1.4.1

27射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)8.1.4.2

電磁兼容試驗(yàn)

28電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn)8.1.4.3

29浪涌（沖擊）抗擾度試驗(yàn)8.1.4.4

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圖1IGBT開(kāi)通關(guān)斷特性測(cè)試接線示意圖

具體試驗(yàn)方法如下：

a)隔離開(kāi)關(guān)合閘，直流電源對(duì)母線電容器充電至試驗(yàn)電壓；

b)隔離開(kāi)關(guān)分閘，T2的驅(qū)動(dòng)器2柵極輸出雙脈沖信號(hào)，實(shí)現(xiàn)T2的開(kāi)通和關(guān)斷控制，示波器記錄

T2開(kāi)通關(guān)斷和D1反向恢復(fù)的波形，并測(cè)量動(dòng)態(tài)參數(shù)。

c)試驗(yàn)結(jié)束后，合閘放電開(kāi)關(guān)，對(duì)母線電容器進(jìn)行放電。

試驗(yàn)中需要測(cè)量開(kāi)通關(guān)斷過(guò)程中的特性參數(shù)，所有特性參數(shù)應(yīng)適合所選用的IGBT器件型號(hào)，并滿(mǎn)

足用戶(hù)需求和手冊(cè)規(guī)定，不應(yīng)發(fā)生電壓或電流過(guò)沖損壞器件。其中開(kāi)通關(guān)斷過(guò)程中的特性參數(shù)見(jiàn)表2所

示。

表2開(kāi)通關(guān)斷特性參數(shù)

項(xiàng)目特性參數(shù)

開(kāi)通延時(shí)

上升時(shí)間

開(kāi)通時(shí)間

開(kāi)通特性

開(kāi)通損耗

電流變化率

電流過(guò)沖峰值

關(guān)斷延時(shí)

下降時(shí)間

關(guān)斷時(shí)間

關(guān)斷特性

關(guān)斷損耗

關(guān)斷電壓變化率

關(guān)斷電壓過(guò)沖峰值

反向恢復(fù)電流

反向恢復(fù)電流變化率

二極管反向恢復(fù)特性

反向恢復(fù)損耗

反向恢復(fù)功率

9

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8.1.2.12退飽和短路保護(hù)試驗(yàn)

試驗(yàn)接線如圖1所示，但負(fù)載電抗應(yīng)更換為短接線，具體試驗(yàn)方法如下：

a)隔離開(kāi)關(guān)合閘，直流電源對(duì)母線電容器充電至試驗(yàn)電壓；

b)隔離開(kāi)關(guān)分閘，T2的驅(qū)動(dòng)器2柵極輸出單脈沖信號(hào)，控制T2開(kāi)通和關(guān)斷，示波器記錄T2集

電極電壓、集電極電流及柵極電壓。

c)試驗(yàn)結(jié)束后，合閘放電開(kāi)關(guān)，對(duì)母線電容器進(jìn)行放電。

當(dāng)短路電流超過(guò)IGBT器件手冊(cè)規(guī)定的短路電流值，且持續(xù)時(shí)間達(dá)到規(guī)定的短路判定時(shí)間，驅(qū)動(dòng)器

應(yīng)安全關(guān)斷IGBT器件,IGBT無(wú)損壞，且退飽和短路故障報(bào)告信號(hào)正確。

故障報(bào)告信號(hào)由廠商和用戶(hù)協(xié)商確定，脈沖寬度偏差≤100ns。

8.1.2.13di/dt短路保護(hù)試驗(yàn)

試驗(yàn)接線如圖1所示，但負(fù)載電抗應(yīng)更換為短接線，具體試驗(yàn)方法如下：

a)隔離開(kāi)關(guān)合閘，直流電源對(duì)母線電容器充電至試驗(yàn)電壓；

b)隔離開(kāi)關(guān)分閘，T2的驅(qū)動(dòng)器2柵極輸出單脈沖信號(hào)，控制T2開(kāi)通和關(guān)斷，示波器記錄T2集

電極電壓、集電極電流及柵極電壓。

c)試驗(yàn)結(jié)束后，合閘放電開(kāi)關(guān)，對(duì)母線電容器進(jìn)行放電。

當(dāng)開(kāi)通過(guò)程中di/dt超過(guò)設(shè)定的電流變化率保護(hù)值，且持續(xù)時(shí)間達(dá)到規(guī)定的判定時(shí)間，驅(qū)動(dòng)器應(yīng)安全

關(guān)斷IGBT器件，IGBT無(wú)損壞，且di/dt短路故障報(bào)告信號(hào)正確。

故障報(bào)告信號(hào)由廠商和用戶(hù)協(xié)商確定，脈沖寬度偏差≤100ns。

8.1.2.14欠壓保護(hù)試驗(yàn)

驅(qū)動(dòng)器采用直流可調(diào)節(jié)電源供電，保持IGBT驅(qū)動(dòng)器處于持續(xù)開(kāi)通狀態(tài)，然后向下調(diào)節(jié)直流電源供

電電壓，并示波器監(jiān)測(cè)驅(qū)動(dòng)器隔離變壓器輸出電壓和柵極輸出電壓。

當(dāng)隔離變壓器輸出電壓低于設(shè)定的保護(hù)值時(shí)（推薦值見(jiàn)7.1.10），驅(qū)動(dòng)器關(guān)斷IGBT，并正確報(bào)告故

障信息。故障報(bào)告信號(hào)由廠商和用戶(hù)協(xié)商確定，脈沖寬度偏差≤100ns。

8.1.2.15過(guò)溫保護(hù)試驗(yàn)

驅(qū)動(dòng)器在供電條件下，分別在開(kāi)通狀態(tài)和關(guān)斷狀態(tài)下，短接驅(qū)動(dòng)器上IGBT溫度監(jiān)測(cè)端口，制造過(guò)

溫故障，驅(qū)動(dòng)器應(yīng)產(chǎn)生過(guò)溫告警信號(hào)，并正確報(bào)告，如需關(guān)斷IGBT，應(yīng)可靠關(guān)斷。

8.1.2.16觸發(fā)頻率超限保護(hù)試驗(yàn)

驅(qū)動(dòng)器處于正常關(guān)斷狀態(tài)，信號(hào)發(fā)生器給驅(qū)動(dòng)器提供雙脈沖進(jìn)行觸發(fā)動(dòng)作，逐漸調(diào)節(jié)兩個(gè)脈沖間隔

寬度，示波器監(jiān)測(cè)驅(qū)動(dòng)器柵極輸出電壓波形。

當(dāng)脈沖間隔寬度低于保護(hù)設(shè)定值時(shí)（推薦值見(jiàn)7.1.12），驅(qū)動(dòng)器僅響應(yīng)第一個(gè)觸發(fā)脈沖，柵極輸出

正確的開(kāi)通波形；第二個(gè)觸發(fā)脈沖不響應(yīng)，保持關(guān)斷狀態(tài)。

當(dāng)脈沖間隔寬度高于設(shè)定保護(hù)值時(shí)，驅(qū)動(dòng)器能夠正確響應(yīng)兩個(gè)觸發(fā)脈沖。

8.1.2.17有源鉗位保護(hù)試驗(yàn)

試驗(yàn)接線如圖1所示，具體試驗(yàn)方法如下：

a)隔離開(kāi)關(guān)合閘，直流電源對(duì)母線電容器充電至試驗(yàn)電壓；

b)隔離開(kāi)關(guān)分閘，T2的驅(qū)動(dòng)器2柵極輸出單脈沖信號(hào)，控制T2開(kāi)通和關(guān)斷，示波器記錄T2集

電極電壓、集電極電流及柵極電壓。

11

GB/TXXXXX—XXXX

c)工作環(huán)境溫度-5℃～+70℃，高低溫極限下各停留30min，加電，循環(huán)10次，高低溫極限溫

度是應(yīng)進(jìn)行通信、誤碼等基本功能測(cè)試。

8.1.3.4交變濕熱試驗(yàn)

按照GB/T2423.4—2008中7.3規(guī)定的試驗(yàn)程序執(zhí)行。試驗(yàn)條件如下：

a)溫度變化范圍25℃～60℃；

b)相對(duì)濕度95%±5%，試驗(yàn)最后階段允許濕度降低至90%；

c)高溫度維持12h，低溫度維持12h，每24h一個(gè)循環(huán)，共進(jìn)行10個(gè)循環(huán)；

d)試驗(yàn)結(jié)束后，常溫環(huán)境下恢復(fù)2h，電氣動(dòng)能測(cè)試應(yīng)正常。

8.1.3.5振動(dòng)試驗(yàn)

按照GB/T2423.10—2019中8.2規(guī)定的試驗(yàn)程序執(zhí)行。試驗(yàn)條件如下：

a)頻率范圍5Hz～150Hz，加速度2g；

b)X/Y/Z每個(gè)方向進(jìn)行2h；

c)試驗(yàn)結(jié)束后需要進(jìn)行電性能測(cè)試，要求驅(qū)動(dòng)器功能正常。

8.1.3.6自由跌落試驗(yàn)（適用時(shí)）

按照GB/T2423.7—2018中5.2規(guī)定的自由跌落方法1執(zhí)行。試品預(yù)先在安裝盒之內(nèi)，跌落高度1m，

規(guī)定的姿態(tài)下跌落2次。

要求驅(qū)動(dòng)器外觀應(yīng)無(wú)嚴(yán)重?fù)p傷，各項(xiàng)功能正常。

8.1.3.7鹽霧試驗(yàn)

鹽霧試驗(yàn)分為?；秃Ｉ掀脚_(tái)兩種情形：

a)?；ê＿叄?/p>

按照GB/T2423.17—2008中第6章規(guī)定的試驗(yàn)條件執(zhí)行，并作如下補(bǔ)充：

——鹽霧濃度（5±1）%，溫度（35±2）℃，

——暴露環(huán)境中，霧化沉積溶液用80cm2器皿收集，平均每小時(shí)收集量1mL～2mL,收集

時(shí)間不低于16h，連續(xù)噴霧48h；

——常溫恢復(fù)1h后，進(jìn)行帶電測(cè)試，要求驅(qū)動(dòng)器功能正常。

b)海上平臺(tái)

按照GB/T2423.17－2008中第7章規(guī)定的方法進(jìn)行，并作如下補(bǔ)充：

試驗(yàn)結(jié)果應(yīng)滿(mǎn)足ISO12944-2:2007規(guī)定的C4級(jí)。

超出本文件規(guī)定時(shí)，可由制造廠和用戶(hù)協(xié)商確定。

8.1.3.8長(zhǎng)霉試驗(yàn)

按照GB/T2423.16-2008第5章規(guī)定的試驗(yàn)方法1進(jìn)行，并做如下補(bǔ)充：

——試驗(yàn)溫度：（29±1）°C；

——相對(duì)濕度：90%～100%；

——保持時(shí)間：28天。

8.1.3.9壽命老化試驗(yàn)

70℃環(huán)境溫度下，驅(qū)動(dòng)器在額定工作電壓、額定負(fù)載工況，進(jìn)行IGBT開(kāi)通和關(guān)斷動(dòng)作，開(kāi)關(guān)頻率

為1kHz，試驗(yàn)時(shí)間持續(xù)進(jìn)行1000h。

13

GB/TXXXXX—XXXX

8.1.4.10阻尼振蕩波抗擾度試驗(yàn)

按照GB/T17626.18—2016第8章規(guī)定的方法進(jìn)行，并做如下補(bǔ)充：

——阻尼振蕩波試驗(yàn)等級(jí)強(qiáng)度不低于3級(jí)。

8.1.4.11抗電磁騷擾試驗(yàn)

按照GB/T33348—2016第12章規(guī)定的方法進(jìn)行，試驗(yàn)要求驅(qū)動(dòng)器應(yīng)運(yùn)行正常，能夠正確做出控制及

保護(hù)動(dòng)作，但不應(yīng)出現(xiàn)故障誤報(bào)和控制失效等異常問(wèn)題。

8.2例行試驗(yàn)

8.2.1試驗(yàn)?zāi)康?/p>

例行試驗(yàn)的目的是為了通過(guò)驗(yàn)證下述幾種情況,來(lái)證明IGBT驅(qū)動(dòng)器批量制造的正確性.

——IGBT驅(qū)動(dòng)器所有元器件焊接或安裝正確；

——IGBT驅(qū)動(dòng)器的所有預(yù)期功能和參數(shù)在規(guī)定的設(shè)計(jì)范圍之內(nèi)；

——實(shí)現(xiàn)IGBT驅(qū)動(dòng)器生產(chǎn)制造的一致性。

8.2.2試驗(yàn)對(duì)象

IGBT驅(qū)動(dòng)器

8.2.3例行試驗(yàn)項(xiàng)目

IGBT驅(qū)動(dòng)器的例行試驗(yàn)項(xiàng)目見(jiàn)表3。

表3IGBT驅(qū)動(dòng)器例行試驗(yàn)項(xiàng)目

序號(hào)試驗(yàn)項(xiàng)目對(duì)應(yīng)條款

1外觀檢查8.2.4

2功耗測(cè)量8.2.5

3柵極輸出電壓測(cè)試8.2.6

4開(kāi)通關(guān)斷測(cè)試8.2.7

5故障軟關(guān)斷功能測(cè)試8.2.8

6故障保持和清除功能試驗(yàn)8.2.9

7過(guò)流保護(hù)試驗(yàn)8.2.10

8退飽和短路保護(hù)試驗(yàn)8.2.11

9di/dt短路保護(hù)試驗(yàn)8.2.12

10欠壓保護(hù)試驗(yàn)8.2.13

11過(guò)溫保護(hù)試驗(yàn)8.2.14

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GB/TXXXXX—XXXX

8.2.11退飽和短路保護(hù)試驗(yàn)

IGBT驅(qū)動(dòng)器在無(wú)負(fù)載持續(xù)開(kāi)通狀態(tài)下，在驅(qū)動(dòng)器集電極與發(fā)射極端并聯(lián)可調(diào)節(jié)直流電壓源，示波

器監(jiān)測(cè)驅(qū)動(dòng)器柵極電壓與故障報(bào)告信號(hào)。

調(diào)節(jié)直流電壓源，使得輸出電壓從零逐漸增大，當(dāng)電壓大于退飽和短路保護(hù)值對(duì)應(yīng)的集射極電壓時(shí)，

IGBT驅(qū)動(dòng)器柵極輸出關(guān)斷狀態(tài)的負(fù)電平，并產(chǎn)生對(duì)應(yīng)的短路故障信號(hào)。

8.2.12di/dt短路保護(hù)試驗(yàn)

IGBT驅(qū)動(dòng)器在無(wú)負(fù)載持續(xù)開(kāi)通狀態(tài)下，在IGBT驅(qū)動(dòng)器di/dt短路檢測(cè)端口并聯(lián)可調(diào)節(jié)直流電壓源，

示波器監(jiān)測(cè)驅(qū)動(dòng)器柵極電壓與故障報(bào)告信號(hào)。

調(diào)節(jié)直流電壓源，使得輸出電壓從零逐漸增大，當(dāng)電壓大于di/dt短路保護(hù)值對(duì)應(yīng)電壓時(shí)，IGBT驅(qū)

動(dòng)器柵極輸出關(guān)斷狀態(tài)的負(fù)電平，并產(chǎn)生對(duì)應(yīng)的短路故障信號(hào)

8.2.13欠壓保護(hù)試驗(yàn)

按8.1.2.13的規(guī)定進(jìn)行。

8.2.14過(guò)溫保護(hù)試驗(yàn)

按8.1.2.14的規(guī)定進(jìn)行。

8.2.15觸發(fā)頻率超限保護(hù)試驗(yàn)

按8.1.2.15的規(guī)定進(jìn)行。

8.2.16有源鉗位保護(hù)試驗(yàn)

試驗(yàn)應(yīng)在IGBT驅(qū)動(dòng)器具備本功能的集電極端子與發(fā)射極端子間，采用絕緣耐壓儀器施加直流電壓，

緩慢調(diào)節(jié)儀器輸出電壓，直至達(dá)到有源鉗位保護(hù)動(dòng)作值，漏電流大于1mA，絕緣耐壓儀告警。

8.2.17接收通信異常保護(hù)試驗(yàn)

按8.1.2.17的規(guī)定進(jìn)行

8.2.18光強(qiáng)度測(cè)試（適用時(shí)）

按8.1.2.18的規(guī)定進(jìn)行。

8.2.19高溫試驗(yàn)

按照GB/T2423.2—2008中5.3規(guī)定的試驗(yàn)執(zhí)行。試驗(yàn)分為高溫不帶電過(guò)程和高溫帶電過(guò)程兩個(gè)程

序，帶電過(guò)程中要求控制器板卡帶電運(yùn)行正常、無(wú)任何故障及異常情況的判定為合格：

a)高溫不帶電過(guò)程：溫度為65℃，持續(xù)16h；

b)高溫帶電過(guò)程：溫度65℃，持續(xù)帶電2h。

8.2.20溫度變化試驗(yàn)

按照GB/T2423.22—2012中第8章規(guī)定的試驗(yàn)進(jìn)行，試驗(yàn)結(jié)束后測(cè)試驅(qū)動(dòng)器功能應(yīng)正常。試驗(yàn)條件

如下：

a)溫度變化速率5℃/min；

b)貯存環(huán)境溫度-40℃～+65℃，高低溫極限下各停留30mim，不加電，循環(huán)12次；

17

GB/TXXXXX—XXXX

A

A

附錄A

（資料性）

柔性直流輸電用IGBT驅(qū)動(dòng)器簡(jiǎn)介

IGBT驅(qū)動(dòng)器是對(duì)IGBT進(jìn)行整體調(diào)控和保護(hù)的裝置，不僅直接影響IGBT的動(dòng)態(tài)性能，同時(shí)也影響系

統(tǒng)的成本和可靠性。IGBT驅(qū)動(dòng)器將控制器輸出的控制信號(hào),轉(zhuǎn)換為作用在IGBT柵極-發(fā)射極之間的電壓

信號(hào),從而實(shí)現(xiàn)IGBT開(kāi)通或者關(guān)斷動(dòng)態(tài)控制,當(dāng)發(fā)生過(guò)流、過(guò)壓或短路等故障情況下，也可通過(guò)自身的保

護(hù)功能對(duì)IGBT進(jìn)行可靠有效的保護(hù)，從而保證整個(gè)系統(tǒng)工作的高效性、可靠性和安全性。驅(qū)動(dòng)器的具

體功能、關(guān)鍵設(shè)計(jì)要素及應(yīng)用案例可參見(jiàn)書(shū)籍《IGBTModulesTechnologies,DriverandApplication》。

柔性直流輸電作為新一代的直流輸電技術(shù)，主要以電壓源換流器、可控關(guān)斷器件和脈寬調(diào)制技術(shù)為

基礎(chǔ)，實(shí)現(xiàn)交流-直流-交流變換輸電功能。整體結(jié)構(gòu)上，目前國(guó)外內(nèi)柔性直流輸電多采用模塊化多電平

換流器(MMC)結(jié)構(gòu)，橋臂由幾百個(gè)子模塊串聯(lián)組成，且每個(gè)子模塊單元可進(jìn)行獨(dú)立控制，結(jié)構(gòu)一般采

用全橋或半橋結(jié)構(gòu),見(jiàn)圖A.1所示。IGBT控制方面，閥基控制器通過(guò)系統(tǒng)整體控制要求，向子模塊功率

單元控制器下發(fā)控制命令，IGBT驅(qū)動(dòng)器將控制命令轉(zhuǎn)化為IGBT可響應(yīng)的柵極控制電壓，以實(shí)現(xiàn)閥基控

制器的整體調(diào)控，并對(duì)IGBT進(jìn)行監(jiān)測(cè)與保護(hù)，確保系統(tǒng)運(yùn)行的正確性。子模塊內(nèi)部IGBT驅(qū)動(dòng)器位置及

控制接線關(guān)系如圖A.2所示，圖中所示內(nèi)容如下：

①示出閥基控制器與子模塊控制器采用光通信方式，且獨(dú)立控制；

②示出子模塊控制器與IGBT驅(qū)動(dòng)器采用光通信方式，且獨(dú)立控制；

③示出IGBT驅(qū)動(dòng)器連接集電極，用于檢測(cè)集射極電壓，實(shí)現(xiàn)過(guò)流、退飽和短路和有源鉗位保護(hù)功

能；

④示出IGBT驅(qū)動(dòng)器連接?xùn)艠O，用于提供IGBT開(kāi)關(guān)控制電壓，實(shí)現(xiàn)IGBT的開(kāi)關(guān)控制動(dòng)作；

⑤示出IGBT驅(qū)動(dòng)器連接發(fā)射極，用于檢測(cè)發(fā)射極雜散電感電壓，實(shí)現(xiàn)di/dt短路保護(hù)功能。

圖A.1MMC柔性直流換流閥結(jié)構(gòu)

19

GB/TXXXXX—XXXX

附錄B

（資料性）

柔性直流用典型IGBT驅(qū)動(dòng)器主要參數(shù)

依據(jù)國(guó)內(nèi)廈門(mén)柔性直流工程、渝鄂背靠背柔性直流工程、張北直流電網(wǎng)工程和白鶴灘混合直流工程

使用數(shù)量最多的5SNA1500E33035(ABB)、TIM1500ESM33-PSA(CRRC)、5SNA3000K452300（ABB）和

TG3000SW45ZC-P200（CRRC）型號(hào)IGBT器件為例，給出的3300V/1500A和4500V/3000A器件的典型

IGBT驅(qū)動(dòng)器主要參數(shù)，分別見(jiàn)表B.1和B.2所示。

表B.1IGBT驅(qū)動(dòng)器參數(shù)值(3300V/1500A器件)

序

名稱(chēng)5SNA1500E33035TIM1500ESM33-PSA單位規(guī)定條件

號(hào)

1驅(qū)動(dòng)器供電電壓范圍13～1713～17V/

2驅(qū)動(dòng)器開(kāi)通額定電壓14.8～15.414.8～15.4V/

3驅(qū)動(dòng)器關(guān)斷額定電壓-15.4～-14.8-15.4～-14.8V/

4≤2≤2W無(wú)負(fù)載,無(wú)開(kāi)關(guān)動(dòng)作

驅(qū)動(dòng)器單通道功耗

5≤2.5≤2.5W1kHz開(kāi)關(guān)頻率，帶負(fù)載IGBT

6驅(qū)動(dòng)器觸發(fā)頻率范圍0～20～2kHz/

7驅(qū)動(dòng)器隔離耐受電壓1010kV交流電壓；耐受時(shí)間1min

8集射極耐受電壓值33003300V不低于IGBT集射極電壓

9輸出光強(qiáng)度范圍-14～-8-14～-8dBm/

10柵極開(kāi)通電阻2.22.55Ω

11柵極關(guān)斷電阻4.74.1Ω母線電壓1800V；集電極電

流1500A

12開(kāi)通延遲時(shí)間7001100ns

13關(guān)斷延遲時(shí)間28005400ns

14欠壓保護(hù)值10～1210～12V室溫下

15有源鉗位保護(hù)值2800±1002800±100V/

16退飽和過(guò)流保護(hù)值3000～35003000～3500A結(jié)溫100℃

17di/dt過(guò)流保護(hù)值800～1000800～1000A/μs結(jié)溫100℃

18脈沖間隔過(guò)窄保護(hù)5050μs/

19窄脈沖保護(hù)11μs/

20狀態(tài)報(bào)告光信號(hào)編碼脈沖光信號(hào)編碼脈沖//

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GB/TXXXXX—XXXX

附錄C

（資料性）

柔性直流用IGBT驅(qū)動(dòng)器電磁兼容試驗(yàn)等級(jí)分析

C.1靜電放電騷擾

在換流器系統(tǒng)正常運(yùn)行時(shí)，柔性直流換流器受到靜電放電騷擾的概率極低。在對(duì)柔性直流換流器子

模塊進(jìn)行調(diào)試檢修時(shí)，操作者可能會(huì)對(duì)監(jiān)控電路形成靜電放電。這一放電特性與GB/T17626.2-2018規(guī)

定相同，即放電電流上升時(shí)間0.7ns～1ns，持續(xù)時(shí)間100ns左右，對(duì)應(yīng)頻譜分量可由直流高至1GHz。

鑒于柔性直流輸電工程對(duì)于可靠性的較高要求，對(duì)IGBT驅(qū)動(dòng)器電路宜采用抗擾度等級(jí)不低于4級(jí)的

試驗(yàn)等級(jí)，即接觸放電不低于8kV、空氣放電不低于15kV。

C.2直流電場(chǎng)和磁場(chǎng)騷擾

柔性直流換流站閥廳內(nèi)的直流電場(chǎng)來(lái)自于直流極導(dǎo)線的電壓，換流器監(jiān)控電路位置的直流電場(chǎng)可達(dá)

幾kV/m。一方面，由于金屬架構(gòu)和監(jiān)控電路外殼的屏蔽作用，使得直流電場(chǎng)的作用大為削弱；另一方

面，監(jiān)控電路對(duì)于直流電場(chǎng)不敏感，因此暫不建議將直流電場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)納入檢測(cè)內(nèi)容。

閥廳內(nèi)的直流磁場(chǎng)來(lái)自于直流極導(dǎo)線的電流，設(shè)電流為3000A，則距離導(dǎo)線1m處的磁場(chǎng)強(qiáng)度約

為500A/m（60mT）。直流磁場(chǎng)不會(huì)在監(jiān)控電路上感應(yīng)騷擾信號(hào)，僅可能影響霍爾器件的工作，因此

對(duì)于不含該類(lèi)器件的監(jiān)控電路板，直流磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)不宜納入檢測(cè)內(nèi)容。

C.3工頻電場(chǎng)和磁場(chǎng)騷擾

柔性直流換流站閥廳內(nèi)的工頻電場(chǎng)來(lái)自于交流引線的電壓，IGBT驅(qū)動(dòng)器電路位置的工頻電場(chǎng)具有

與直流電場(chǎng)相近的場(chǎng)強(qiáng)，可達(dá)幾kV/m。同樣由于金屬架構(gòu)和監(jiān)控電路外殼的屏蔽作用，使得工頻電場(chǎng)

的作用大為削弱，因此暫不建議將工頻電場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)納入檢測(cè)內(nèi)容。

閥廳內(nèi)的工頻磁場(chǎng)來(lái)自于交流線的電流，分析表明監(jiān)控電路板處的工頻磁場(chǎng)低于100A/m。工頻磁

場(chǎng)對(duì)于霍爾器件和陰極射線管（CRT）類(lèi)的影響十分明顯，即使不含這類(lèi)器件也會(huì)在電路板上感應(yīng)出感

生電壓和感生電流，因此建議保留工頻磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)。宜采用GB/T17626.8—2006中工頻磁場(chǎng)抗擾性

試驗(yàn)的等級(jí)5，磁場(chǎng)強(qiáng)度500A/m（3s短時(shí)），磁場(chǎng)強(qiáng)度100A/m（持續(xù)）。

C.4無(wú)線電干擾

柔性直流換流器子模塊端口的電壓和電流在IGBT導(dǎo)通和關(guān)斷過(guò)程中快速變化，產(chǎn)生前后沿非常陡

的脈沖，這種高頻分量通過(guò)銅排向空間輻射電磁能量產(chǎn)生輻射電場(chǎng)。高電壓等級(jí)柔性直流換流器與低電

壓等級(jí)的柔性直流換流器相比，換流器總數(shù)更多、閥塔尺寸更大，輻射結(jié)構(gòu)及耦合路徑更復(fù)雜，子模塊

間雜散參數(shù)影響較大且不能忽略。其運(yùn)行時(shí)動(dòng)作子模塊數(shù)更多，電壓電流的上升沿更陡頻帶更寬。宜采

用GB/T17626.3—2016中射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)的等級(jí)4，試驗(yàn)強(qiáng)度不低于30V/m，頻率80MHz～

2000MHz。

C.5瞬態(tài)電流和電壓

C.5.1浪涌沖擊抗擾度

柔性直流換流站中，主要考慮由雷電侵入導(dǎo)致的浪涌沖擊電壓。依據(jù)柔性直流換流站內(nèi)雷擊過(guò)電壓，

考慮橋臂限流電抗器和避雷器的影響，閥廳內(nèi)過(guò)電壓會(huì)大大下降，近似認(rèn)為上述瞬態(tài)過(guò)電壓在功率模組

上均勻分布，再考慮直流支撐電容器對(duì)浪涌電壓的吸收作用，殘留在驅(qū)動(dòng)器電壓輸入端口的沖擊電壓不

23

GB/TXXXXX—XXXX

參考文獻(xiàn)

[1]AndreasVolke，MichaelHornkamp.IGBTModulesTechnologies,DriverandApplication；

[2]國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目《高壓大容量柔性直流電網(wǎng)關(guān)鍵技術(shù)研究與示范》課題技術(shù)報(bào)告。

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GB/TXXXXX—XXXX

目次

前言..................................................................................II

1范圍................................................................................1

2規(guī)范性引用文件......................................................................1

3術(shù)語(yǔ)和定義..........................................................................2

4使用條件............................................................................3

4.1正常使用條件....................................................................3

4.2特殊使用條件....................................................................3

5總體要求............................................................................3

6主要參數(shù)............................................................................3

7技術(shù)要求............................................................................4

7.1功能要求........................................................................4

7.2接口要求........................................................................6

7.3電磁兼容性要求..................................................................6

8試驗(yàn)................................................................................7

8.1型式試驗(yàn)........................................................................7

8.2例行試驗(yàn).......................................................................15

9包裝、標(biāo)志、運(yùn)輸和貯存.............................................................18

9.1包裝...........................................................................18

9.2標(biāo)志...........................................................................18

9.3運(yùn)輸...........................................................................18

9.4貯存...........................................................................18

附錄A（資料性）柔性直流輸電用IGBT驅(qū)動(dòng)器簡(jiǎn)介......................................19

附錄B（資料性）柔性直流用典型IGBT驅(qū)動(dòng)器主要參數(shù)....................................21

附錄C（資料性）柔性直流用IGBT驅(qū)動(dòng)器電磁兼容試驗(yàn)等級(jí)分析...........................23

參考文獻(xiàn)..............................................................................25

I

GB/TXXXXX—XXXX

柔性直流輸電用絕緣柵雙極晶體管(IGBT)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)規(guī)范

1范圍

本文件規(guī)定了柔性直流輸電用絕緣柵雙極晶體管驅(qū)動(dòng)器的使用條件、總體要求、主要參數(shù)、技術(shù)要

求、試驗(yàn)、包裝、標(biāo)志、運(yùn)輸和貯存等。

本文件適用于±800kV及以下采用模塊化多電平換流器的柔性直流輸電用IGBT驅(qū)動(dòng)器。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，

僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本

文件。

GB/T191包裝儲(chǔ)運(yùn)圖示標(biāo)志

GB/T4798.2電工電子產(chǎn)品應(yīng)用環(huán)境條件第2部分：運(yùn)輸

GB/T13384機(jī)電產(chǎn)品包裝通用技術(shù)條件

GB/T14598.27度量繼電器和保護(hù)裝置第27部分：產(chǎn)品安全要求

GB/T16935.1低壓系統(tǒng)內(nèi)設(shè)備的絕緣配合第1部分：原理、要求和試驗(yàn)

GB/T17626.2—2018電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)靜電放電抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.3—2016電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.4—2018電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.5—2019電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)浪涌（沖擊）抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.6—2019電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度

GB/T17626.8—2006電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)工頻磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.9—2011電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)脈沖磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.10—2017電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)阻尼振蕩磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.12—2013電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)振鈴波抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.18—2016電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)阻尼振蕩波抗擾度試驗(yàn)

GB/T2423.1—2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)A:低溫

GB/T2423.2—2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)B:高溫

GB/T2423.4—2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)Db:交變濕熱

GB/T2423.7—2018電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Ec:粗率操作造成的沖擊

GB/T2423.10—2019電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)Fc和導(dǎo)則：振動(dòng)（正弦）

GB/T2423.16—2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)J及導(dǎo)則：長(zhǎng)霉

GB/T2423.17—2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)Ka：鹽霧

GB/T2423.22—2012電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)N：溫度變化

GB/T29332—2012半導(dǎo)體器件分立器件第9部分：絕緣柵雙極晶體管（IGBT）

GB/T33348—2016高壓直流輸電用電壓源換流器閥電氣試驗(yàn)

GB/T34118—2017高壓直流系統(tǒng)用電壓源換流器術(shù)語(yǔ)

1

GB/TXXXXX—XXXX

驅(qū)動(dòng)器柵極控制IGBT開(kāi)通關(guān)斷過(guò)程中，