半導(dǎo)體器件 柔性可拉伸半導(dǎo)體器件 第8部分：柔性電阻存儲(chǔ)器延展性、柔韌性和穩(wěn)定性測(cè)試方法

1半導(dǎo)體器件柔性可拉伸半導(dǎo)體器件第8部分：柔性電阻存儲(chǔ)器延展性、柔韌性和穩(wěn)定性測(cè)試方法柔性電阻存儲(chǔ)器flexibleresisvsetvreset2械形變下保持其主要性能參數(shù)至關(guān)重要。本標(biāo)準(zhǔn)的第1部分描述了詳細(xì)的性能參數(shù)和測(cè)試流程，本文件中的表1匯總了適用于電阻存儲(chǔ)器的性能參數(shù)和測(cè)試流程。本文件著重于測(cè)試延展性、柔韌性和穩(wěn)定性機(jī)械形變會(huì)引發(fā)電阻存儲(chǔ)器性能退化率增加,是電阻存儲(chǔ)器可靠性最顯著的問題之一。這種性能退溫的溫度和特定濕度的環(huán)境下，在展平和彎曲時(shí)的性vset，vreset4.2測(cè)試設(shè)備和工裝在評(píng)價(jià)電阻存儲(chǔ)器時(shí)，應(yīng)使用圖1所示的試驗(yàn)裝置。詳細(xì)的試驗(yàn)裝置和測(cè)試程序見34.3測(cè)試流程4.3.1延展性測(cè)試阻存儲(chǔ)器受到拉伸應(yīng)力后，可能引起電阻率、電壓、遷移率和漏極電流的變化。圖2為延展性測(cè)試的示意圖，并列出了測(cè)試后應(yīng)報(bào)告的關(guān)鍵參數(shù)。應(yīng)注意的是，夾具應(yīng)比基板素?zé)o關(guān)。而且，應(yīng)變易于測(cè)量，無需其他設(shè)備。由于拉伸而產(chǎn)生的應(yīng)變(ε)由公式（1）確定。41——基板厚度（t2——拉伸前基板長度（Lo）；4——拉伸前基板寬度（wo4.3.2柔韌性測(cè)試應(yīng)變易于測(cè)量，無需其他設(shè)備。由于彎曲而產(chǎn)生的應(yīng)變(ε)可由公式（2）和公式（3）確定。公式（2）和（3）分別為拉伸和壓縮情況，對(duì)其更為具54.3.3穩(wěn)定性測(cè)試和相對(duì)濕度的任意組合進(jìn)行穩(wěn)定性測(cè)試。測(cè)試人員應(yīng)設(shè)置環(huán)境條件并將其記錄在測(cè)試報(bào)告儲(chǔ)器所使用的材料、應(yīng)用場景和環(huán)境條件來確定。如4.4中所述，應(yīng)研究并報(bào)告穩(wěn)定性測(cè)試前后的性能參數(shù)，以及穩(wěn)定性試驗(yàn)持續(xù)時(shí)間。柔性電阻存儲(chǔ)器的典型性能參數(shù)參見IEC62951-溫度(℃)√√√√√√√√√√√√√√√√√√√√√√√√√64.4測(cè)試報(bào)告b)樣品識(shí)別（電阻存儲(chǔ)器的種類7A.1彎曲應(yīng)變公式的詳細(xì)推導(dǎo)參考圖A.1，4.3.2中的公式（2）推=(py)dx/p=dxydx/p=y/p8A.2拉伸引發(fā)應(yīng)變的仿真結(jié)果圖A.2為基板受到彎曲時(shí)引發(fā)的應(yīng)變。使用商用的有限元分析示應(yīng)變?nèi)Q于基板的尺寸、材料以及夾具形式。因此，這些參數(shù)應(yīng)在測(cè)試結(jié)果中9andgeneration-Part4:Testandevaluationmethodsforflexiblepiezoelectricenergyandgeneration-Part5:Tes[4]IEC62951-1:2017,Semiconductordevices-Flexibldevices-Part1:Bendingtestmethodfor[5]IEC62951-3:2018,Semiconductordevices-Flexibl[6]IEC62951-7:2019,Semiconductordevices-Flexibl[7]IEC62951-9:2022,Semiconduct