1+X集成電路理論考試模擬題（附答案）

1+X集成電路理論考試模擬題（附答案）一、單選題（共40題，每題1分，共40分）1、轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)設(shè)備進(jìn)行編帶后，進(jìn)入()環(huán)節(jié)。A、上料B、測試C、外觀檢查D、真空包裝正確答案：C答案解析：轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)設(shè)備芯片檢測工藝的操作步驟一般為：上料→測試→編帶→外觀檢查→真空包裝。2、打點(diǎn)時，合格的墨點(diǎn)必須控制在管芯面積的()大小。A、1/4~1/3B、1/3~1/2C、1/4~1/2D、1/5~1/3正確答案：A答案解析：打點(diǎn)時，合格的墨點(diǎn)必須控制在管芯面積的1/4~1/3大小，且墨點(diǎn)不能覆蓋PAD點(diǎn)。3、利用平移式分選機(jī)進(jìn)行芯片分選時，吸嘴從（）上吸取芯片，然后對芯片進(jìn)行分選。A、出料梭B、收料盤C、待測料盤D、入料梭正確答案：A4、若使用串口助手下載程序到單片機(jī)，則需要keil軟件生成（）文件。A、InpB、DspC、HexD、Crf正確答案：C5、晶圓扎針測試在測到一定數(shù)量時，需要檢查扎針情況。若發(fā)現(xiàn)針痕有異常，需如何處理（）。A、繼續(xù)扎針測試B、重新設(shè)置扎針深度或扎針位置C、重新輸入晶圓信息D、記錄測試結(jié)果正確答案：B6、利用平移式分選設(shè)備進(jìn)行芯片檢測時，芯片在該區(qū)域的操作完成后會進(jìn)入（）區(qū)域。A、分選B、測試C、待測D、上料正確答案：A7、在淀積時，反應(yīng)氣體的多少會影響淀積的速率及均勻性，因此需嚴(yán)格控制氣體流量，通常采用（）來實(shí)現(xiàn)精確控制。A、液體流量計B、質(zhì)量流量計C、電磁流量計D、氣體流量計正確答案：B8、（）是芯片制造過程中在元器件表面上淀積金屬薄膜以及隨后刻印圖形以便形成互連線和集成電路填充塞的過程。A、刻蝕B、薄膜制備C、填充D、金屬化正確答案：D答案解析：金屬化是芯片制造過程中在元器件表面上淀積金屬薄膜以及隨后刻印圖形以便形成互連線和集成電路填充塞的過程。9、用平移式分選機(jī)設(shè)備進(jìn)行芯片檢測的第二個環(huán)節(jié)是()。A、分選B、上料C、測試D、外觀檢查正確答案：C答案解析：平移式分選機(jī)設(shè)備芯片檢測工藝的操作步驟一般為：上料→測試→分選→外觀檢查→真空包裝。10、主要使用萬用表、毫伏表、示波器、兆歐表、信號發(fā)生器等測試設(shè)備主要用來測試（）。A、電子成品的幾何性能B、電子產(chǎn)品的物理性能C、電子產(chǎn)品的功能性能D、以上都是正確答案：B11、晶圓檢測工藝中，在進(jìn)行真空入庫之前，需要進(jìn)行的操作是()。A、烘烤B、打點(diǎn)C、外檢D、扎針測試正確答案：C答案解析：晶圓檢測工藝流程：導(dǎo)片→上片→加溫、扎針調(diào)試→扎針測試→打點(diǎn)→烘烤→外檢→真空入庫。12、晶圓進(jìn)行扎針測試時，其操作步驟正確的是（）。A、輸入晶圓信息→檢查扎針情況（無異常）→測試→清零→繼續(xù)測試→記錄測試結(jié)果B、輸入晶圓信息→測試→檢查扎針情況（有異常）→異常情況處理→清零→繼續(xù)測試→記錄測試結(jié)果C、輸入晶圓信息→測試→清零→檢查扎針情況（有異常）→異常情況處理→繼續(xù)測試→記錄測試結(jié)果D、輸入晶圓信息→清零→測試→檢查扎針情況（無異常）→繼續(xù)測試→記錄測試結(jié)果正確答案：D13、減薄工藝的正確流程是（）。A、清洗→上蠟粘片→原始厚度測量→壓片→二次厚度測量→拋光→減薄→去蠟→清洗B、清洗→壓片→原始厚度測量→上蠟粘片→二次厚度測量→拋光→減薄→去蠟→清洗C、清洗→壓片→原始厚度測量→上蠟粘片→二次厚度測量→減薄→拋光→去蠟→清洗D、清洗→原始厚度測量→上蠟粘片→壓片→二次厚度測量→減薄→拋光→去蠟→清洗正確答案：D14、完善的精餾技術(shù)可將雜質(zhì)總量降低到()量級。A、10-2~10-5B、10-5~10-7C、10-7~10-10D、10-17~10-20正確答案：C答案解析：提純四氯化硅通常使用精餾法。完善的精餾技術(shù)可將雜質(zhì)總量降低到10-7~10-10量級。15、元器件的引線直徑與印刷焊盤孔徑應(yīng)有（）的合理間隙。A、0.2~0.4mmB、0.2~0.3mmC、0.1~0.3mmD、0.1~0.4mm正確答案：A16、在版圖設(shè)計過程中，NMOS管的源極接（），漏極接（），PMOS管的源極接（），漏極接（）。A、地、高電位、GND、低電位B、電源、高電位、GND、低電位C、地、高電位、GND、高電位D、地、高電位、電源、低電位正確答案：A17、下列對重力式分選描述錯誤的是（）。A、重力式分選機(jī)為斜背式雙工位或多工位自動測試分選機(jī)B、重力式分選機(jī)的上料機(jī)構(gòu)主要由上料槽、上料夾具和送料軌組成C、測試方式為夾測D、可以分選BGA封裝芯片正確答案：D18、單晶爐中籽晶軸的作用是()。A、保證爐內(nèi)溫度均勻分布及散熱B、帶動籽晶上下移動和旋轉(zhuǎn)C、起支撐作用D、提供一個原子重新排列標(biāo)準(zhǔn)正確答案：B答案解析：籽晶軸的作用是帶動籽晶上下移動和旋轉(zhuǎn)；籽晶的作用是提供一個原子重新排列的標(biāo)準(zhǔn)；坩堝外的高純石墨坩堝托起支撐作用；爐腔可以保證爐內(nèi)溫度均勻分布及散熱。19、共模抑制比定義為放大器（）之比。A、對共模電壓放大倍數(shù)與差模電壓的放大倍數(shù)B、差模電壓的放大倍數(shù)與對共模電壓縮小倍數(shù)C、差模電壓的縮小倍數(shù)與對共模電壓放大倍數(shù)D、差模電壓的放大倍數(shù)與對共模電壓放大倍數(shù)正確答案：D20、下列選項(xiàng)中，（）工序后的合格品進(jìn)入塑封工序。A、引線鍵合B、第二道光檢C、芯片粘接D、第三道光檢正確答案：D答案解析：第三道光檢通過的合格品，進(jìn)入封裝的后段工序，后段工藝包括塑封、激光打字、去飛邊、電鍍、切筋成型、第四道光檢等工序。21、晶圓檢測工藝中，在進(jìn)行上片之前需要進(jìn)行()操作。A、導(dǎo)片B、加溫、扎針調(diào)試C、扎針測試D、打點(diǎn)正確答案：A答案解析：晶圓檢測工藝流程：導(dǎo)片→上片→加溫、扎針調(diào)試→扎針測試→打點(diǎn)→烘烤→外檢→真空入庫。22、單晶爐的開機(jī)順序正確的是()。A、電源開關(guān)→加熱器開關(guān)→坩堝開關(guān)→籽晶開關(guān)B、電源開關(guān)→坩堝開關(guān)→加熱器開關(guān)→籽晶開關(guān)C、電源開關(guān)→籽晶開關(guān)→坩堝開關(guān)→加熱器開關(guān)D、籽晶開關(guān)→坩堝開關(guān)→加熱器開關(guān)→電源開關(guān)正確答案：A答案解析：單晶爐的開機(jī)順序?yàn)椋弘娫撮_關(guān)→加熱器開關(guān)→坩堝開關(guān)→籽晶開關(guān)。23、下列描述正確的是（）。A、DIP和S0P封裝一般為重力式分選B、QFP和SOP封裝一般為重力式分選C、PLCC和LCCC封裝一般為重力式分選D、BGA封裝一般為重力式分選正確答案：A24、單晶硅錠切片后需要進(jìn)行倒角，其目的是()。A、確定定位面B、產(chǎn)生精確的材料直徑C、去除硅錠兩端的不符合直徑要求的部分D、去除硅片邊緣鋒利的棱角正確答案：D答案解析：定位面研磨時為了確定硅錠的定位面。徑向研磨獲得更精確的直徑。切割分段是為了去除硅錠兩端的不符合直徑要求的部分。倒角是為了去除硅片邊緣鋒利的棱角使硅片邊緣獲得平滑的半徑周線。25、料盤進(jìn)行真空包裝時，一般會在內(nèi)盒側(cè)面的空白處貼（）個標(biāo)簽。A、1B、2C、4D、3正確答案：A26、關(guān)于全自動探針臺扎針調(diào)試的步驟，下列說法正確的是（）。A、輸入晶圓信息→調(diào)出檢測MAP圖→自動對焦→扎針調(diào)試B、輸入晶圓信息→自動對焦→調(diào)出檢測MAP圖→扎針調(diào)試C、輸入晶圓信息→自動對焦→扎針調(diào)試→調(diào)出檢測MAP圖D、輸入晶圓信息→調(diào)出檢測MAP圖→扎針調(diào)試→自動對焦正確答案：B27、轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)日常維護(hù)包括（）。A、不易保養(yǎng)的部位進(jìn)行拆卸檢查B、更換磨損部件C、緊固螺絲，電氣電路的檢查D、ABC選項(xiàng)都包括正確答案：D28、下列語句的含義是（）。A、->OUT&=0X00FF;B、->OUT|=0X0F00;C、GPIOB低八位端口，高四位為低，低四位為高D、GPIOB低八位端口，高四位為高，低四位為低E、GPIOB高八位端口，高四位為低，低四位為高F、GPIOB高八位端口，高四位為高，低四位為低正確答案：C29、進(jìn)行芯片檢測工藝中的編帶外觀檢查時，其步驟正確的是（）。A、固定卷盤→歸納放置→檢查外觀→編帶回料→編帶固定B、編帶固定→固定卷盤→歸納放置→檢查外觀→編帶回料C、檢查外觀→歸納放置→固定卷盤→編帶回料→編帶固定D、歸納放置→固定卷盤→檢查外觀→編帶回料→編帶固定正確答案：D30、重力式外觀檢查是在()環(huán)節(jié)之前進(jìn)行的。A、編帶B、測試C、分選D、真空包裝正確答案：D答案解析：重力式分選機(jī)設(shè)備芯片檢測工藝流程：上料→測試→分選→編帶（SOP）→外觀檢查→真空包裝。31、塑封一般采用（）為塑封料。A、熱塑性塑料B、熱固性塑料C、結(jié)晶性塑料D、芳烴類塑料E、人工催化塑料正確答案：B32、真空包裝時，需要在包裝盒外套上()。A、包裝袋B、防靜電鋁箔袋C、不透明塑料袋D、海綿正確答案：B答案解析：在將晶圓放入包裝盒后，一般會在包裝盒外套上防靜電鋁箔袋。33、利用平移式分選設(shè)備進(jìn)行芯片測試時，設(shè)備在測試區(qū)完成測試后，會進(jìn)入（）環(huán)節(jié)。A、外觀檢查B、上料C、真空包裝D、分選正確答案：D34、料盤外觀檢查前期，將料盤從中轉(zhuǎn)箱中取出后，將測試合格的料盤放在()。A、已檢品區(qū)B、待檢品區(qū)C、不合格品區(qū)D、工作臺任意位置正確答案：B答案解析：料盤外觀檢查前期，將料盤從中轉(zhuǎn)箱中取出后，根據(jù)隨件單核對合格品、不合格品的數(shù)量一致后，將合格品和隨件單放在工作臺的右邊，其中不合格品放在工作臺下方的不合格品箱中，合格品放在待檢區(qū)，并且不能超過黃線，這是為了防止檢查時進(jìn)行混合。35、點(diǎn)銀漿時，銀漿的覆蓋范圍需要（）。A、小于50%B、大于50%C、大于75%D、不小于90%正確答案：C答案解析：引線框架被推至點(diǎn)銀漿指定位置后，點(diǎn)膠頭在晶粒座預(yù)定粘著晶粒的位置點(diǎn)上定量的銀漿（銀漿覆蓋范圍>75%）。36、通常情況下，一個編帶盤中芯片的數(shù)量是()。A、4000B、8000C、2000D、1000正確答案：A37、摻雜結(jié)束后，要對硅片進(jìn)行質(zhì)量檢測，造成硅片表面有顆粒污染的原因可能是（）。A、離子束中混入電子B、注入機(jī)未清洗干凈C、注入過程中晶圓的傾斜角度不合適D、離子束電流檢測不夠精確正確答案：B答案解析：離子束中混入電子、離子束電流檢測不夠精確導(dǎo)致的是摻雜劑量不合適。注入過程中晶圓的傾斜角度不合適導(dǎo)致雜質(zhì)再分布。38、脫水烘烤是在（）的氣氛中進(jìn)行烘烤。A、真空B、干燥氮?dú)釩、真空或干燥氮?dú)釪、清潔的空氣正確答案：C答案解析：脫水烘烤是在真空或干燥氮?dú)獾臍夥罩羞M(jìn)行。39、有關(guān)開路測試不正確的是（）。A、管腳正常連接：pin1和地之間會存在一個壓差，其大小為pin1與地之間的ESD二極管的導(dǎo)通壓降，大約在0.6~0.7V左右。如果改變電壓方向，V1電壓的測量結(jié)果大約為-0.6~-0.7V左右B、管腳出現(xiàn)開路：ESD二極管被斷開，pin1和地之間的電阻會無限大，在管腳施加負(fù)電流時，V1的電壓會無限小（負(fù)壓）。在實(shí)際情況中，電壓會受測試源本身存在的鉗位電壓，或者受電壓量程擋位限制達(dá)到一個極限值C、管腳出現(xiàn)短路：ESD二極管被短路，pin1和地之間的電阻接近為0歐姆，此時不管施加多少電流，V1都接近于0VD、測量Pin1和VDD之間的通斷情況，則可以將VDD通過測試源加到0V，利用I2電流和二極管D2的正向?qū)▔航颠M(jìn)行測量和判斷。此時I2的電流方向和I1的電流方向相同，此時V1的電壓為正電壓正確答案：D40、重力式分選設(shè)備進(jìn)行芯片并行測試時，在測試軌道完成芯片測試后，下一環(huán)節(jié)需要進(jìn)行（）操作。A、真空入庫B、上料C、外觀檢查D、分選正確答案：D二、多選題（共20題，每題1分，共20分）1、進(jìn)入風(fēng)淋室之前，要確定（）后，在進(jìn)入。A、風(fēng)淋室內(nèi)部無人B、身上無灰塵C、風(fēng)淋室運(yùn)行正常D、腳上無鞋子正確答案：AC答案解析：進(jìn)入風(fēng)淋室前，確認(rèn)風(fēng)淋室內(nèi)無人且運(yùn)行正常后，打開風(fēng)淋室外門，進(jìn)入其內(nèi)，進(jìn)行風(fēng)淋除塵，此時穿有無塵鞋。2、料盤外觀檢查時，不需要檢查的內(nèi)容有：()。A、管腳B、印章C、壓痕D、脫膠正確答案：CD答案解析：料盤外觀檢查的內(nèi)容有：管腳、印章、塑封體、錫層外觀、電路方向。壓痕和脫膠是變電外觀檢查時需要檢查的內(nèi)容。3、通常情況下，以下()封裝形式的芯片采用重力式分選機(jī)設(shè)備進(jìn)行測試。A、SOP封裝B、QFN封裝C、LGA封裝D、DIP封裝正確答案：AD答案解析：通常情況下，DIP封裝和SOP封裝采用重力式分選機(jī)進(jìn)行測試，LGA封裝采用轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)進(jìn)行測試，QFN封裝采用平移式分選機(jī)進(jìn)行測試。4、平移式分選機(jī)設(shè)備進(jìn)行分選時，可以根據(jù)測試結(jié)果將合格芯片分為()。A、A檔B、B檔C、C檔D、不合格檔正確答案：AB答案解析：平移式分選機(jī)設(shè)備進(jìn)行分選時，可以根據(jù)測試結(jié)果將芯片分為合格品和不合格品，其中合格的芯片根據(jù)測試條件的不同可分為A/B兩檔。5、以下LED流水燈程序少了一部分代碼，燒入到單片機(jī)之后可能會出現(xiàn)什么（）情況。A、沒有現(xiàn)象，單片機(jī)不工作B、8個LED燈全亮C、只有第一個LED燈亮D、8個LED燈以非常快的速度閃爍正確答案：BD6、在晶圓打點(diǎn)過程中，選擇了30MIL規(guī)格的墨盒，這種墨盒適合多大尺寸的晶圓？（）A、5英寸B、12英寸C、6英寸D、8英寸正確答案：BD7、倒角的目的是：()、()、()。A、防止晶圓受到撞擊而導(dǎo)致邊緣破裂B、防止熱應(yīng)力產(chǎn)生的缺陷在邊緣產(chǎn)生并阻止其向內(nèi)部移動C、增加晶圓邊緣的平坦度D、去除晶圓表面微量的損傷層正確答案：ABC答案解析：倒角的目的是①防止晶圓受到撞擊而導(dǎo)致邊緣破裂；②防止高溫產(chǎn)生的熱應(yīng)力[1]導(dǎo)致的缺陷在邊緣產(chǎn)生，并阻止其向內(nèi)部移動；③增加晶圓邊緣的平坦度，為后續(xù)工序做準(zhǔn)備。拋光是為了去除晶圓表面微量的損傷層，獲得更光潔平整的表面。8、屬于濕法刻蝕的優(yōu)點(diǎn)的是（）。A、各向同性B、各向異性C、提高刻蝕的選擇比D、不產(chǎn)生襯底損傷正確答案：CD答案解析：濕法刻蝕可以控制刻蝕液的化學(xué)成分，使得刻蝕液對特定薄膜材料的刻蝕速率遠(yuǎn)大于其他材料的刻蝕速率，從而提高刻蝕的選擇比，同時也不產(chǎn)生襯底損傷。濕法刻蝕的效果是各向同性的，這導(dǎo)致刻蝕后的線寬難以控制，是濕法刻蝕的缺點(diǎn)。9、LK32T102單片機(jī)編寫程序并燒錄的過程中可能會用到的軟件有（）。A、Keil-mdkB、VC++C、串口助手D、Matlab正確答案：AC10、以下屬于抽真空質(zhì)量不合格的情況的有()。A、防靜電鋁箔袋破損B、抽真空過松C、防靜電鋁箔袋外形整齊D、封口沒有壓平正確答案：ABD答案解析：抽真空完成后需要進(jìn)行外觀檢查,檢查料盤是否有彎曲、形或者漏氣等現(xiàn)象，檢查封口是否平整，抽真空是否過松。防靜電鋁箔袋外形整齊是抽真空合格的情況。11、測試機(jī)可以實(shí)現(xiàn)()等功能。A、電性的測試B、測試程序的下載C、施加電壓電流D、采集測試數(shù)據(jù)正確答案：ABCD答案解析：測試機(jī)可以實(shí)現(xiàn)電性的測試、測試程序的下載、施加電壓電流、采集測試數(shù)據(jù)等功能。12、為了做好防靜電和防塵工作。車間內(nèi)（）等都應(yīng)采用防靜電的不發(fā)塵材料。A、設(shè)備儀器B、墻壁C、天花板D、地板E、空調(diào)正確答案：ABCDE答案解析：車間內(nèi)的物品都需要做好防靜電、防塵工作。13、在全自動探針臺上進(jìn)行扎針調(diào)試時，需要根據(jù)晶圓測試隨件單在探針臺輸入界面輸入的信息有()。A、晶圓產(chǎn)品名稱B、晶圓印章批號C、晶圓片號D、晶圓尺寸E、X軸步距尺寸F、Y軸步距尺寸正確答案：ABCDEF答案解析：在全自動探針臺上進(jìn)行扎針調(diào)試時，根據(jù)晶圓測試隨件單，在探針臺操作界面輸入晶圓產(chǎn)品名稱、印章批號、片號等信息，同時設(shè)定晶圓尺寸、X軸和Y軸等步進(jìn)參數(shù)。14、管裝外觀檢查時需檢查()。A、芯片管腳是否彎曲B、印章是否錯誤或損壞C、數(shù)量是否與隨件單一致D、料管內(nèi)電路方向是否正確正確答案：ABCD15、通常情況下，以下()封裝形式的芯片采用重力式分選機(jī)設(shè)備進(jìn)行測試。A、LGAB、DIPC、SOPD、QFN正確答案：BC答案解析：通常情況下，DIP封裝和SOP封裝采用重力式分選機(jī)進(jìn)行測試，LGA封裝采用轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)進(jìn)行測試，QFN封裝采用平移式分選機(jī)進(jìn)行測試。16、下列描述正確的是（）。A、輸入失調(diào)電壓測試方法有輔助運(yùn)放測試法和簡易測試法B、輸入失調(diào)電壓指在差分放大器或差分輸入的運(yùn)算放大器中，為了在輸出端獲得恒定的零電壓輸出，而需在兩個輸入端所加的直流電壓之差，越大越好C、輸入失調(diào)電壓的范圍幾微伏到幾十毫伏D、在測量相關(guān)參數(shù)時需要按照待測芯片數(shù)據(jù)手冊向待測芯片施加電源、輸入等條件。正確答案：ACD17、平移式分選機(jī)的分選機(jī)構(gòu)主要由()組成。A、出料梭B、吸嘴C、料盤D、收料架正確答案：ABCD答案解析：平移式分選機(jī)的分選機(jī)構(gòu)主要由出料梭、吸嘴、料盤、收料架組成。18、在封裝工藝的晶圓貼膜過程中可能出現(xiàn)的不良情況有（）。A、晶圓刮傷B、出現(xiàn)飛邊C、藍(lán)膜起皺D、晶圓盒藍(lán)膜之間存在氣泡正確答案：ACD19、平移式分選機(jī)在芯片進(jìn)入測試環(huán)節(jié)時，下列是不會在測試區(qū)遇到的故障有：()。A、芯片位置放置不正確B、測壓手臂未吸取芯片C、吸嘴未吸起芯片D、待測料盤無芯片正確答案：CD答案解析：平移式分選機(jī)在芯片進(jìn)入測試環(huán)節(jié)時，可能會出現(xiàn)測壓手臂未吸起芯片、芯片位置放置不正確等情況，此時分選機(jī)界面會顯示“異常停止”。平移式分選機(jī)的測試區(qū)沒有吸嘴和待測料盤。20、選擇集成電路的關(guān)鍵因素主要包括（）。A、性能價格比B、芯片原料C、工作條件D、性能指標(biāo)正確答案：ACD三、判斷題（共40題，每題1分，共40分）1、電子產(chǎn)品性能測試包括幾何性能測試、物理性能測試和功能性測試。A、正確B、錯誤正確答案：A2、去膠時，無金屬表面和有金屬表面會進(jìn)行區(qū)分，進(jìn)而采用不同的去膠方法。A、正確B、錯誤正確答案：A答案解析：溶劑去膠一般用于去除金屬表面的光刻膠（MOS器件除外），氧化劑去膠一般用于去除無金屬表面的光刻膠。3、重力式分選機(jī)自動上料時，放入自動篩選機(jī)入料區(qū)的料管方向沒有特殊要求。A、正確B、錯誤正確答案：B答案解析：重力式分選機(jī)自動上料時，放入自動篩選機(jī)入料區(qū)的料管的方向需要保持一致，且藍(lán)色塞釘一端朝向上料夾具的一側(cè)。4、在版圖設(shè)計過程中需要注意，NMOS管和PMOS管的襯底是分開的，NMOS管的襯底接VCC。A、正確B、錯誤正確答案：B5、機(jī)安裝的基本原則是：先輕后重，先小后大、先鉚后裝，先裝后焊、先里后外、先下后上、先平后高、易碎易損件后裝，上道工序不得影響下道工序的安裝。A、正確B、錯誤正確答案：A6、外驗(yàn)和外觀檢查是同一個部門，為了保證外檢的合格率，需要進(jìn)行抽檢。A、正確B、錯誤正確答案：B答案解析：由于外驗(yàn)和外觀檢查是由兩個部門完成的，進(jìn)行外驗(yàn)一是根據(jù)隨件單信息與實(shí)物進(jìn)行核對并進(jìn)行抽檢，二是為了對前面的工序進(jìn)行驗(yàn)證。7、數(shù)?；旌霞呻娐樊a(chǎn)品以Bi-CMOS產(chǎn)品居多。A、正確B、錯誤正確答案：A8、放置晶圓時晶圓需正面朝上放入切割機(jī)承載臺的吸盤上，調(diào)整晶圓貼片環(huán)位置，使定位缺口與定位釘位置一致，保證晶圓能夠平整、穩(wěn)固的吸附在吸盤上。A、正確B、錯誤正確答案：A9、LK32T102單片機(jī)的所有I/O口具有可編程的上下拉、開漏輸出模式、數(shù)字輸入濾波以及輸入反相，具有可編程的兩檔驅(qū)動能力，部分I/O可用作外部中斷輸入，支持邊沿和電平觸發(fā)。A、正確B、錯誤正確答案：B10、導(dǎo)片是在核對晶圓與晶圓測試隨件單上的信息一致后，將同一批次的晶圓按片號依次放入常溫花籃的過程。A、正確B、錯誤正確答案：A11、元器件在印刷板上的分布應(yīng)盡量均勻，疏密一致，排列整齊美觀。不允許斜排、立體交叉和重疊排列。A、正確B、錯誤正確答案：A12、封裝工藝的激光打標(biāo)環(huán)節(jié)，首先需要試片進(jìn)行確認(rèn)，先完成一個框架條的打標(biāo)，若刻寫位置無誤、刻寫線均勻、文字圖案都清晰無誤，打印沒有問題，即可開始批量生產(chǎn)。A、正確B、錯誤正確答案：A13、有加溫測試要求的晶圓不需要再進(jìn)行烘烤。A、正確B、錯誤正確答案：A14、芯片檢測工藝中，對料盤進(jìn)行外觀檢查是采用全檢的方式。A、正確B、錯誤正確答案：A15、編帶完成后，將編帶機(jī)上的卷盤取下并放入對應(yīng)的中轉(zhuǎn)箱即可。A、正確B、錯誤正確答案：B答案解析：詳解:一盤編帶完成后，需要在卷盤上貼標(biāo)簽,便于后期識別，整批芯片全部完成編帶后,還需要核對芯片數(shù)量，核對一致后放入中轉(zhuǎn)箱中。16、等寬線常用于金屬連線。A、正確B、錯誤正確答案：A17、解決鋁互連中肖特基接觸的方法是在電極引出部分進(jìn)行輕摻雜。A、正確B、錯誤正確答案：B答案解析：采用高摻雜來形成歐姆接觸，從而消除鋁硅接觸中的肖特基現(xiàn)象。18、使用編帶機(jī)進(jìn)行編帶操作前，需要進(jìn)行上料，上料時，取下包裹在料管一端的塑料氣泡膜后，需要檢查有無芯片落在氣泡膜內(nèi)。A、正確B、錯誤正確答案：A19、不同尺寸的硅片在切片過程中設(shè)置的厚度是一樣的。A、正確B、錯誤正確答案：B20、封裝工藝中要先進(jìn)行晶圓切割，根據(jù)切割工具的形式，晶圓切割的方式只有機(jī)械切割，一般采用砂輪劃片的方法。A、正確B、錯誤正確答案：B21、“金手指”是對在線元器件的電性能及電氣連接進(jìn)行測試來檢查生產(chǎn)制造缺陷及元器件不良的一種標(biāo)準(zhǔn)測試設(shè)備。（）A、正確B、錯誤正確答案：A22、使用J-link燒入程序時，在魔法棒按鈕的output的選項(xiàng)設(shè)置地址范圍，選擇的地址范圍應(yīng)與所使用單片機(jī)的地址范圍對應(yīng)。A、正確B、錯誤正確答案：B23、由于電源線、地線非常重要，因此可以盡量增加它們的寬度，以避免電壓降和電遷移問題。A、正確B、錯誤正確答案：A24、清點(diǎn)花籃中晶圓的數(shù)量，確保實(shí)物與晶圓測試隨件單上的片數(shù)一致。數(shù)量核對一致后再核對晶圓片號。A、正確B、錯誤正確答案：B答案解析：清點(diǎn)花籃中晶圓的數(shù)量，確保實(shí)物與晶圓測試隨件單上的片數(shù)一致。數(shù)量核對一致后再核對晶圓批號。25、進(jìn)行晶圓盒包裝時，在最后一層tyvek紙上方需放入海綿、干燥劑、晶圓測試隨件單等輔材。A、正確B、錯誤正確答案：A26、離子注入的過程中，摻雜物的濃度是有離子電流與注入時間相乘所決定的。A、正確B、錯誤正確答案：A27、外觀檢查中發(fā)現(xiàn)有不良芯芯片，要對有缺陷的芯片進(jìn)行修復(fù)，若不能修復(fù)則作為外觀不良進(jìn)行處理。對于不合格的芯片可以戴上手套取出，用合格零頭進(jìn)行替換。（）A、正確B、錯誤正確答案：B28、重力式分選機(jī)根據(jù)不同要求，不良品區(qū)可以分為多種檔位。A、正確B、錯誤正確答案：A29、激光打字可以留下永久性標(biāo)記A、正確B