1+X集成電路理論考試模擬題（含答案）

1+X集成電路理論考試模擬題（含答案）一、單選題（共40題，每題1分，共40分）1、扎針測(cè)試時(shí)，完成晶圓信息的輸入后，需要核對(duì)()上的信息，確保三者的信息一致。A、MAP圖、測(cè)試機(jī)操作界面、晶圓測(cè)試隨件單B、MAP圖、探針臺(tái)界面、晶圓測(cè)試隨件單C、MAP圖、軟件檢測(cè)程序、晶圓測(cè)試隨件單D、MAP圖、軟件版本、晶圓測(cè)試隨件單正確答案：A答案解析：扎針測(cè)試時(shí)，完成測(cè)試機(jī)操作界面的晶圓信息輸入后，需要核對(duì)MAP圖、測(cè)試機(jī)操作界面、晶圓測(cè)試隨件單上的信息，確保三者的信息一致。2、重力式分選機(jī)進(jìn)行芯片檢測(cè)時(shí)，如果出現(xiàn)上料槽無(wú)料管，應(yīng)采取()的處理方式。A、人工加待測(cè)料管B、人工換料管C、人工加空料管D、人工將卡料取出正確答案：A答案解析：重力式分選機(jī)進(jìn)行芯片檢測(cè)時(shí)，如果出現(xiàn)上料槽無(wú)料，需要人工加待測(cè)料管。3、使用平移式分選設(shè)備進(jìn)行芯片檢測(cè)時(shí)，測(cè)試環(huán)節(jié)的流程是：（）。A、入料梭轉(zhuǎn)移芯片→搬運(yùn)、吹放芯片→壓測(cè)→記錄測(cè)試結(jié)果→吸取、搬運(yùn)芯片B、吸取、搬運(yùn)芯片→入料梭轉(zhuǎn)移芯片→壓測(cè)→記錄測(cè)試結(jié)果→搬運(yùn)、吹放芯片C、入料梭轉(zhuǎn)移芯片→吸取、搬運(yùn)芯片→壓測(cè)→記錄測(cè)試結(jié)果→搬運(yùn)、吹放芯片D、搬運(yùn)、吹放芯片→入料梭轉(zhuǎn)移芯片→吸取、搬運(yùn)芯片→壓測(cè)→記錄測(cè)試結(jié)果正確答案：C4、下列選項(xiàng)中不屬于芯片外觀不良的是（）。A、塑封體開(kāi)裂B、電源電流過(guò)大C、管腳壓傷D、印章不良正確答案：B5、下列描述錯(cuò)誤的是（）。A、平移式分選機(jī)是在水平面上完成芯片的轉(zhuǎn)移、測(cè)試與分選的設(shè)備B、重力式分選機(jī)為斜背式雙工位或多工位自動(dòng)測(cè)試分選機(jī)C、轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)分選工序依靠主轉(zhuǎn)盤執(zhí)行D、以上描述都不對(duì)正確答案：D6、一般情況下，待編至()顆時(shí)，需更換卷盤，并在完成編帶的卷盤上貼上小標(biāo)簽，便于后期識(shí)別。A、2000B、4000C、6000D、8000正確答案：B答案解析：一般情況下，待編至4000顆左右時(shí)，需要更換卷盤，即一盤編帶一般裝有4000顆的芯片。7、請(qǐng)根據(jù)下列圖片判斷哪幅圖片是合格針跡？（）A、圖片B、圖片C、圖片D、圖片正確答案：B8、通常被用于深紫外光刻膠的準(zhǔn)分子激光器的光源材料是（）。A、KrFB、F2C、ArFD、XeF正確答案：A答案解析：通常被用于深紫外光刻膠的準(zhǔn)分子激光器的光源材料是氟化氪KrF。9、關(guān)于全自動(dòng)探針臺(tái)扎針調(diào)試的步驟，下列說(shuō)法正確的是：（）。A、輸入晶圓信息→調(diào)出檢測(cè)MAP圖→自動(dòng)對(duì)焦→扎針調(diào)試B、輸入晶圓信息→自動(dòng)對(duì)焦→調(diào)出檢測(cè)MAP圖→扎針調(diào)試C、輸入晶圓信息→自動(dòng)對(duì)焦→扎針調(diào)試→調(diào)出檢測(cè)MAP圖D、輸入晶圓信息→調(diào)出檢測(cè)MAP圖→扎針調(diào)試→自動(dòng)對(duì)焦正確答案：B答案解析：全自動(dòng)探針臺(tái)扎針調(diào)試步驟：輸入晶圓信息→自動(dòng)對(duì)焦→調(diào)出檢測(cè)MAP圖→扎針調(diào)試。10、裝片機(jī)上料區(qū)上料時(shí)，是將（）的引線框架傳送到進(jìn)料槽。A、最頂層B、中間層C、任意位置D、最底層正確答案：D11、進(jìn)行芯片檢測(cè)工藝的芯片外觀檢查時(shí)，將工作臺(tái)整理干凈后，根據(jù)物流提供的（）到待檢查品貨架上領(lǐng)取待外檢的芯片。A、晶圓測(cè)試隨件單B、芯片名稱C、芯片測(cè)試隨件單D、中轉(zhuǎn)箱號(hào)正確答案：D12、若想取下藍(lán)膜上的晶圓或晶粒，需要照射適量（），能降低藍(lán)膜的黏著力。A、紅外線B、太陽(yáng)光C、藍(lán)色光源D、紫外線正確答案：D答案解析：對(duì)需要重新貼膜或加工結(jié)束后的晶圓，需要從藍(lán)膜上取下，此時(shí)只需照射適量紫外線，就能瞬間降低藍(lán)膜黏著力，輕松取下晶圓或晶粒。13、雙極型與單極型集成電路在性能上的主要差別是（）。A、雙極型器件工作頻率高、功耗大、溫度特性好、輸入電阻大，而單極型器件正好相反B、雙極型器件工作頻率高、功耗低、溫度特性好、輸入電阻小，而單極型器件正好相反C、雙極型器件工作頻率高、功耗大、溫度特性差、輸入電阻小，而單極型器件正好相反D、雙極型器件工作頻率低、功耗大、溫度特性好、輸入電阻小，而單極型器件正好相反正確答案：C14、轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)設(shè)備的上料步驟正確的是：()。A、待測(cè)芯片上料→芯片篩選→芯片吸取B、芯片篩選→待測(cè)芯片上料→芯片吸取C、待測(cè)芯片上料→芯片吸取→芯片篩選D、芯片篩選→芯片吸取→待測(cè)芯片上料正確答案：A答案解析：轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)設(shè)備的上料步驟為：待測(cè)芯片上料→芯片篩選→芯片吸取。15、封裝工藝中，裝片機(jī)上料區(qū)上料時(shí)，是將（）的引線框架傳送到進(jìn)料槽。A、底層B、頂層C、中間位置D、任意位置正確答案：A16、切割完的晶圓取出后先用氣槍將晶圓表面的（）和硅粉塵進(jìn)行初步的清理。A、不良晶粒B、切割時(shí)產(chǎn)生的火花C、晶圓碎片D、去離子水正確答案：D17、芯片檢測(cè)工藝中，管裝裝內(nèi)盒時(shí)，在內(nèi)盒上貼有（）種類型的標(biāo)簽。A、4B、2C、1D、3正確答案：B18、在用萬(wàn)用表測(cè)量晶體管、電解電容等有極性元件的等效電阻時(shí)，必須注意（）。A、選擇歐姆擋位B、選擇較大量程C、注意兩支筆的極性D、以上都是正確答案：C19、晶圓烘烤時(shí)長(zhǎng)一般為()分鐘。A、1B、5C、10D、20正確答案：B答案解析：晶圓烘烤長(zhǎng)一般為5分鐘。烘烤時(shí)間太長(zhǎng)會(huì)導(dǎo)致墨點(diǎn)開(kāi)裂，時(shí)間太短可能會(huì)使墨點(diǎn)不足以抵抗后續(xù)封裝工藝中的液體沖刷，導(dǎo)致墨點(diǎn)消失。20、若采用全自動(dòng)探針臺(tái)對(duì)晶圓進(jìn)行扎針測(cè)試，需把承載的晶圓花籃放到探針臺(tái)相應(yīng)位置等待檢測(cè)，假如位置放置不正確，會(huì)造成（）后果。A、晶圓撞擊探針測(cè)試卡B、晶圓探針錯(cuò)位、破片C、探針臺(tái)死機(jī)D、位置指示燈異常正確答案：B21、一般情況下，制造晶圓的原材料是()。A、硼B(yǎng)、鍺C、硅D、硒正確答案：C答案解析：晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓。22、引線鍵合機(jī)內(nèi)完成鍵合的框架送至出料口的引線框架盒內(nèi)，引線框架盒每接收完一個(gè)引線框架會(huì)（）。A、保持不動(dòng)B、自動(dòng)上移一定位置C、自動(dòng)下移一定位置D、自動(dòng)后移一定位置正確答案：C答案解析：完成引線鍵合的框架由傳輸裝置送進(jìn)出料口的引線框架盒內(nèi)?？蚣芎忻拷邮胀暌粋€(gè)引線框架，自動(dòng)下移一定位置，等待接收下一個(gè)引線框架。23、利用高溫驅(qū)動(dòng)雜質(zhì)滲透進(jìn)半導(dǎo)體內(nèi)，此工序采用的設(shè)備是（）。A、擴(kuò)散爐B、離子注入機(jī)C、加熱平板D、對(duì)流烘箱正確答案：A答案解析：利用高溫驅(qū)動(dòng)雜質(zhì)滲透進(jìn)半導(dǎo)體內(nèi)的工序?yàn)闊釘U(kuò)散，熱擴(kuò)散采用的設(shè)備為擴(kuò)散爐。24、晶圓貼膜過(guò)程中，需要外加一個(gè)（），它起到支撐的作用。A、晶圓基底圓片B、晶圓貼片環(huán)C、藍(lán)膜支撐架D、固定掛鉤正確答案：B答案解析：在貼膜過(guò)程中，需要外加一個(gè)厚度與晶圓一致但環(huán)內(nèi)徑比晶圓直徑大的金屬環(huán)，也就是晶圓貼片環(huán)。它起到支撐的作用，可以使切割后的晶圓保持原來(lái)的形狀，避免晶粒相互碰撞，便于搬運(yùn)。25、料盤完成外觀檢查后,需要進(jìn)入()環(huán)節(jié)。A、分選B、上料C、測(cè)試D、真空包裝正確答案：D答案解析：平移式分選機(jī)設(shè)備芯片檢測(cè)工藝的操作步驟一般為:上料→測(cè)試一分選一外觀檢查-真空包裝。26、8英寸的晶圓直徑大小為：()。A、125mmB、150mmC、200mmD、300mm正確答案：C答案解析：5英寸：125mm，6英寸：150mm，8英寸：200mm，12英寸：300mm。27、以立式氧化擴(kuò)散爐為例，以下氧化擴(kuò)散方式正確的是（）。①產(chǎn)品放置完成后在電腦終端輸入控制片ID。②在電腦終端輸入操作設(shè)備ID、硅片批號(hào)等。③放置硅片盒后，在設(shè)備上確認(rèn)硅片批號(hào)等信息后按下確認(rèn)按鈕。④將一定數(shù)量的硅片盒放在立式氧化擴(kuò)散爐設(shè)備的loader窗口，確認(rèn)放好后按下按鈕進(jìn)行操作。⑤等待設(shè)備傳片，傳完片后石英舟上升進(jìn)入爐管。⑥按同樣的方法將控制片放置在氧化爐窗口。⑦等待工藝完成后，設(shè)備傳片結(jié)束，此時(shí)設(shè)備黃燈閃爍。A、②④③①⑥⑤⑦B、②①④③⑥⑤⑦C、②④⑥③①⑤⑦D、②⑥⑤④③①⑦正確答案：A28、晶圓進(jìn)行扎針測(cè)試時(shí)，完成晶圓信息的輸入后，需要核對(duì)（）上的信息，確保三者的信息一致。A、MAP圖、測(cè)試機(jī)操作界面、晶圓測(cè)試隨件單B、MAP圖、探針臺(tái)界面、晶圓測(cè)試隨件單C、MAP圖、軟件檢測(cè)程序、晶圓測(cè)試隨件單D、MAP圖、軟件版本、晶圓測(cè)試隨件單正確答案：A29、在電子產(chǎn)品測(cè)試中需保證測(cè)試環(huán)境穩(wěn)定，其中使用環(huán)境穩(wěn)定是指（）。A、軟件的工作參數(shù)穩(wěn)定B、使用人員操作得當(dāng)C、硬件的工作參數(shù)穩(wěn)定D、模擬真實(shí)用戶使用時(shí)的場(chǎng)景正確答案：D30、4英寸的單晶硅錠的切割方式為：()。A、外圓切割B、內(nèi)圓切割C、線鋸切割D、以上均可正確答案：B答案解析：直徑＜300mm時(shí)采用內(nèi)圓切割，直徑≥300mm時(shí)采用外圓切割、線鋸切割。4英寸的單晶硅錠直徑為100mm，切割方式為內(nèi)圓切割。31、管裝包裝時(shí)，將真空包裝的編帶盤放入內(nèi)盒、合上蓋子后，需要在內(nèi)盒的封口邊()處貼上“合格”標(biāo)簽。A、左側(cè)B、右側(cè)C、中央D、任意位置正確答案：C答案解析：管裝包裝時(shí)，將真空包裝的編帶盤放入內(nèi)盒、合上蓋子后，需要在內(nèi)盒的封口邊中央處貼上“合格”標(biāo)簽。32、晶圓切割的作用是（）。A、對(duì)晶圓邊緣進(jìn)行修正B、將完整的晶圓分割成單獨(dú)的晶粒C、在完整的晶圓上劃出切割道的痕跡，方便后續(xù)晶粒的分離D、切除電氣性能不良的晶粒正確答案：B答案解析：晶圓切割將整片晶圓切割成一顆顆獨(dú)立的晶粒，用于后續(xù)集成電路的制造。33、在目檢過(guò)程中，篩選后出現(xiàn)嚴(yán)重失效或篩選淘汰率超過(guò)規(guī)范值，經(jīng)分析屬于批次性質(zhì)量問(wèn)題的，應(yīng)()。A、淘汰超過(guò)規(guī)范值的部分，同時(shí)附上分析報(bào)告B、整批淘汰，同時(shí)附上分析報(bào)告C、留下該批次中的合格品D、不做處理正確答案：B答案解析：在目檢過(guò)程中，篩選后出現(xiàn)嚴(yán)重失效或篩選淘汰率超過(guò)規(guī)范值，經(jīng)分析屬于批次性質(zhì)量問(wèn)題的，應(yīng)整批淘汰，同時(shí)附上分析報(bào)告。34、切筋成型工序中，設(shè)備在完成模具內(nèi)的切筋與成型步驟后，下一步是（）。A、裝料B、下料C、核對(duì)數(shù)量D、人工目檢正確答案：B35、如果焊接面上有（），不能生成兩種金屬材料的合金層。A、阻隔浸潤(rùn)的污垢B、氧化層C、沒(méi)有充分融化的焊料D、以上都是正確答案：D36、封裝按材料分一般可分為塑料封裝、（）和陶瓷封裝等。A、金屬封裝B、橡膠封裝C、泡沫封裝D、DIP封裝正確答案：A37、電子產(chǎn)品的幾何測(cè)試的主要用到的工具是（）。A、鍍層測(cè)厚儀B、千分尺C、量規(guī)D、以上都是正確答案：D38、芯片的耐壓度是指()，主要取決于絕緣間隙和絕緣材料的性能以及絕緣結(jié)構(gòu)。A、所能承受的最大應(yīng)力B、承受電壓的能力C、所能承受的最大壓強(qiáng)D、所能承受的極限載荷正確答案：B答案解析：耐壓度是承受電壓的能力，主要取決于絕緣間隙和絕緣材料的性能以及絕緣結(jié)構(gòu)。39、一般來(lái)說(shuō)，()封裝形式會(huì)采用平移式分選機(jī)進(jìn)行測(cè)試。A、LGA/TOB、LGA/SOPC、DIP/SOPD、QFP/QFN正確答案：D答案解析：一般來(lái)說(shuō)，LGA/TO會(huì)采用轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)進(jìn)行測(cè)試，DIP/SOP會(huì)采用重力式分選機(jī)進(jìn)行測(cè)試，QFP/QFN會(huì)采用平移式分選機(jī)進(jìn)行測(cè)試。40、防靜電點(diǎn)檢的目的是（）。A、檢測(cè)進(jìn)入車間人員的體重與身體狀況B、指紋檢測(cè)C、檢測(cè)人體帶有的靜電是否超出進(jìn)入車間的標(biāo)準(zhǔn)D、防止灰塵或靜電的產(chǎn)生正確答案：C答案解析：防靜電點(diǎn)檢的目的是檢測(cè)人體帶有的靜電是否超出進(jìn)入車間的標(biāo)準(zhǔn)，沒(méi)有A、B、D選項(xiàng)所述的功能；規(guī)范著裝的目的是防止人體灰塵的散落或靜電的產(chǎn)生。二、多選題（共20題，每題1分，共20分）1、在將原理圖導(dǎo)入到目標(biāo)PCB文件的步驟中：?jiǎn)螕鬡alidateChanges按鈕，沒(méi)有錯(cuò)誤，則單擊ExecuteChanges按鈕，將信息發(fā)送到PCB。當(dāng)完成后，被標(biāo)記的有（）。A、DoneB、MessageC、CheckD、Add正確答案：AC2、一般情況下，轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)設(shè)備可以實(shí)現(xiàn)()環(huán)節(jié)。A、光檢B、測(cè)試C、分選D、編帶正確答案：ABCD答案解析：一般情況下，轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)的工作原理是先將待測(cè)芯片上料，然后經(jīng)過(guò)主轉(zhuǎn)盤工位進(jìn)行光檢、測(cè)試、分選等流程，最終將符合條件的合格品放入載帶進(jìn)行編帶包裝。3、電鍍的主要目的是增強(qiáng)暴露在塑封體外面的引線的（）和（）。A、抗氧化性B、耐高溫能力C、防水性D、美觀性E、抗腐蝕性正確答案：AE4、版圖設(shè)計(jì)前需要注意的事項(xiàng)有（）。A、精度B、電流密度C、匹配性D、分辨率正確答案：ABC5、下列屬于晶圓外檢的步驟的是：()。A、從待檢花籃中取出晶圓，核對(duì)晶圓批號(hào)隨件單一致B、檢查晶圓背面有無(wú)沾污、受損等情況C、用油墨筆剔除指紋等印記D、在顯微鏡下檢查晶圓有無(wú)墨點(diǎn)沾污等異常情況正確答案：ABCD答案解析：晶圓外檢步驟為：從待檢測(cè)花籃中取出晶圓，檢查晶圓的批號(hào)是否與晶圓測(cè)試隨件單一致。對(duì)晶圓背面進(jìn)行外觀檢查，檢查是否有沾污、受損等情況。發(fā)現(xiàn)晶圓周邊有指紋等印記時(shí)，用油墨筆進(jìn)行剔除。將晶圓放入顯微鏡下進(jìn)行檢查，移動(dòng)晶圓，檢查是否有墨點(diǎn)沾污、扎針異常等情況，若發(fā)現(xiàn)異常，需用打點(diǎn)器進(jìn)行打點(diǎn)標(biāo)記。6、每盤卷盤完成編帶后，需要在卷盤上()。整批芯片編帶完成后，需要進(jìn)行()。A、熱封B、貼標(biāo)簽C、清料D、切帶正確答案：BC答案解析：每盤卷盤編帶完成后，需要在卷盤上貼上小標(biāo)簽，標(biāo)簽上包含產(chǎn)品名稱、產(chǎn)品批號(hào)等信息，以便后面環(huán)節(jié)的信息核對(duì)。整批芯片編帶完成后，需要核對(duì)芯片的總數(shù)、合格數(shù)與不合格數(shù)與觸摸屏上的計(jì)數(shù)是否一致。核對(duì)一致后將結(jié)果記錄在隨件單上，并在編帶機(jī)顯示界面進(jìn)行結(jié)批。7、當(dāng)花籃的卡槽與承重臺(tái)的上片槽密貼時(shí)，()。A、下降指示燈亮B、前后移動(dòng)花籃，花籃固定不動(dòng)C、下降指示燈滅D、位置指示燈亮正確答案：BD答案解析：當(dāng)花籃的卡槽與承重臺(tái)的上片槽密貼時(shí)，即花籃位置放置正確時(shí)，承重臺(tái)上的位置指示燈亮，此時(shí)前后移動(dòng)花籃，花籃不會(huì)發(fā)生移動(dòng)。8、在LED燈閃爍的任務(wù)中，不是點(diǎn)亮8個(gè)燈的程序語(yǔ)句是（）。A、PB->OUTEN=0xff00;B、PB->OUTEN=0x00ff;C、PB->OUT=0xff00;D、PB->OUT=0x00ff;正確答案：ABD9、下面屬于激光打字時(shí)的注意事項(xiàng)的是（）。A、打標(biāo)之前框架條要先進(jìn)行預(yù)熱B、選擇的打標(biāo)文件必須與該批次產(chǎn)品相對(duì)應(yīng)C、框架條進(jìn)入打標(biāo)區(qū)禁止拉動(dòng)框架條D、激光打開(kāi)后，禁止人體直接接觸激光區(qū)域正確答案：BCD答案解析：塑封時(shí)框架條需要進(jìn)行預(yù)熱，激光打字時(shí)框架條不需要預(yù)熱，故A選項(xiàng)不選。10、下列描述正確的是（）。A、LS系列芯片輸入電流普遍比HC系列大B、LS系列芯片輸入電流普遍比HC系列小C、LS系列速度比HC系列快D、HC系列速度比LS系列快正確答案：AC11、編帶外觀檢查前需要準(zhǔn)備的工具是（）。A、放大鏡B、防靜電鋁箔袋C、保護(hù)帶D、紙膠帶正確答案：ACD12、在設(shè)計(jì)限流電阻版圖時(shí)要考慮以下方面：（）。A、電阻盡量做的寬一些B、電阻兩頭的接觸孔一定要離金屬的邊緣近一些C、電阻盡量做的窄一些D、電阻兩頭的接觸孔一定要離金屬的邊緣遠(yuǎn)一些正確答案：AD13、在繪制總體電路圖的過(guò)程中，對(duì)電路圖的要求是（）。A、反映出電路的工作原理B、表現(xiàn)出各個(gè)信號(hào)的流向C、表現(xiàn)出電路各部分的關(guān)系D、清楚地反映出電路的組成正確答案：ABCD14、以下刻蝕方法中，不屬于各向同性的刻蝕是（）。A、濕法刻蝕B、濺射刻蝕C、等離子體刻蝕D、反應(yīng)離子刻蝕正確答案：BD答案解析：濕法刻蝕和等離子體刻蝕是各向同性的，濺射刻蝕和反應(yīng)離子刻蝕屬于各向異性。15、封裝按材料分一般可分為（）等封裝形式。A、橡膠封裝B、金屬封裝C、塑料封裝D、泡沫封裝E、玻璃封裝F、陶瓷封裝正確答案：BCEF答案解析：按照封裝材料的不同，IC封裝可分為塑料封裝、金屬封裝、陶瓷封裝、和玻璃封裝等，其中塑料封裝為常用的封裝形式，約占IC封裝市場(chǎng)的90%。16、抑制通道效應(yīng)的方法有（）。A、破壞表面硅原子的排列（預(yù)先淺注入）B、將晶圓傾斜一定的角度C、表面鋪一層非結(jié)晶材質(zhì)SiO2D、進(jìn)行快速熱退火正確答案：ABC答案解析：快速熱退火使為了消除晶格損傷。17、LK32T102單片機(jī)的時(shí)鐘系統(tǒng)有（）。A、1~24MHz晶體振蕩器B、內(nèi)置32KHz低頻RCLC、內(nèi)置16MHz高精度RCHD、PLL最高支持72MHz正確答案：ABC18、使用探針臺(tái)進(jìn)行晶圓扎針測(cè)試的上片操作時(shí)，當(dāng)花籃的卡槽與承重臺(tái)的上片槽密貼時(shí)，（）。A、位置指示燈亮B、前后移動(dòng)花籃，花籃固定不動(dòng)C、下降指示燈滅D、下降指示燈亮正確答案：AB19、一般情況下，30mil的墨管適用于直徑為（）的晶圓。A、200mmB、150mmC、300mmD、125mm正確答案：AC20、在使用信號(hào)發(fā)生器的注意事項(xiàng)包括（）。A、注意使用環(huán)境，避免在灰塵過(guò)大環(huán)境使用設(shè)備B、嚴(yán)格限制接入信號(hào)幅度，有大信號(hào)接入示波器時(shí),需要先預(yù)估信號(hào)電平,并選用合適的衰減器對(duì)信號(hào)進(jìn)行衰減,防止大信號(hào)燒毀示波器輸入通道C、示波器探頭接入時(shí)，宜用力接入，避免接插端口松動(dòng)D、注意儀器通道接口靜電防護(hù)正確答案：ABD三、判斷題（共40題，每題1分，共40分）1、編帶外觀檢查的主要內(nèi)容有：載帶是否有破裂、沾污、破損；蓋帶是否有壓定位孔或露出底邊、起皺、壓痕、氣泡、脫膠；編帶中有無(wú)不良品或放反芯片等不合格情況。（）A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A2、調(diào)整扎針位置時(shí)，需利用要搖桿的“粗調(diào)”檔位進(jìn)行位置的確定。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B答案解析：調(diào)整扎針位置時(shí)，需利用要搖桿的“微調(diào)”檔位進(jìn)行位置的確定。3、金線采用的是98%的高純度金。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B答案解析：金線采用的是99.99%的高純度金。4、在設(shè)計(jì)帶隙基準(zhǔn)源版圖時(shí)，必須采用CMOS工藝實(shí)現(xiàn)PNP雙極型晶體管。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A5、電子電路試驗(yàn)的步驟：先局部，后整體。即先對(duì)每個(gè)單元電路進(jìn)行試驗(yàn)，重點(diǎn)是主電路的單元電路試驗(yàn)?？梢韵纫缀箅y，亦可依次進(jìn)行，視具體情況而定。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A6、<100>晶向的單晶硅錠有四根或八根對(duì)稱的棱線。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A答案解析：<100>晶向的單晶硅錠有四根或八根對(duì)稱的棱線。7、PCB文件是所有電路設(shè)計(jì)軟件都可以產(chǎn)生的一種文件格式，在電子組裝行業(yè)又稱為模版文件（stencil.data）,在PCB制造業(yè)又稱為光繪文件。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B8、重力式分選機(jī)常見(jiàn)故障包括：IC定位錯(cuò)誤、IC放置位置不良、機(jī)械組件故障等。（）A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B9、輸入差分對(duì)版圖設(shè)計(jì)過(guò)程中，采用的是二維共質(zhì)心方式設(shè)計(jì)。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A10、切筋成型工藝，在裝料前先對(duì)框架條進(jìn)行檢驗(yàn)，把不合格的芯片進(jìn)行剔除，把合格的鍍錫框架條裝盒并放置于切筋機(jī)的上料區(qū)。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A11、氮化硅薄膜作為集成電路芯片的鈍化保護(hù)層，可以保護(hù)芯片避免劃傷，降低芯片對(duì)外界環(huán)境的敏感性。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A12、LK32T102單片機(jī)的系統(tǒng)內(nèi)核是ARM32位Cortex-M0內(nèi)核。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A13、芯片檢測(cè)工藝中，由于芯片上有印章且蓋帶透明，所以在編帶完成后不需要在編帶盤上貼小標(biāo)簽。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B14、切筋和成型是屬于兩道工序，但一般都是在一個(gè)設(shè)備上一起完成。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A15、風(fēng)淋時(shí)到達(dá)設(shè)定時(shí)間后風(fēng)淋結(jié)束，風(fēng)淋室自動(dòng)解鎖,此時(shí)可打開(kāi)風(fēng)淋室內(nèi)門，進(jìn)入車間。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A答案解析：風(fēng)淋到達(dá)設(shè)定值后,風(fēng)淋室的門]自動(dòng)由關(guān)閉狀態(tài)變?yōu)殚_(kāi)啟，此時(shí)可打開(kāi)風(fēng)淋室的門進(jìn)入車間。16、當(dāng)項(xiàng)目被編譯后，任何錯(cuò)誤都將顯示在Messages面板上，如果電路圖有嚴(yán)重的錯(cuò)誤，Messages面板將自動(dòng)彈出，否則Messages面板不出現(xiàn)。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A17、封裝管理器檢查對(duì)話框的元件列表（ComponeneList）區(qū)域，顯示原理圖內(nèi)的所有元件。用鼠標(biāo)左鍵選擇每一個(gè)元件，當(dāng)選中一個(gè)元件時(shí)，在對(duì)話框的右邊的封裝管理編輯框內(nèi)設(shè)計(jì)者可以添加、刪除、編輯、復(fù)制當(dāng)前選中元件的封裝。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B18、激光打字時(shí)激光聚焦后的面積較大，可以在部件表面打印出清晰的標(biāo)識(shí)A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B答案解析：激光聚焦后的尺寸很小，所以熱影響區(qū)域小，加工精細(xì)。19、LK32T102單片機(jī)的片上存儲(chǔ)器具有32字節(jié)FLASH，數(shù)據(jù)保持時(shí)間大于10年，4K字節(jié)RAM，帶奇偶校驗(yàn)。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A20、電路符號(hào)可以告訴我們電路功能和特性，不能說(shuō)明內(nèi)部結(jié)構(gòu)。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A21、根據(jù)晶圓大小的不同，需要采用不同規(guī)格的墨管。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B答案解析：根據(jù)晶粒大小的不同，需要采用不同規(guī)格的墨管。22、平移式分選機(jī)是采用壓測(cè)的方式進(jìn)行的。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A23、排片機(jī)完成自動(dòng)排片后，工作人員將排完片的模具放置到模具加熱座上進(jìn)行加熱。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B答案解析：排片機(jī)完成自動(dòng)排片后，直接在排片機(jī)上預(yù)熱。24、平移式分選機(jī)上料需要將芯片放在標(biāo)準(zhǔn)容器中。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A25、測(cè)壓手臂的設(shè)置是為了保證引腳完好，使芯片與測(cè)試座的引腳正確接觸。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A26、平移式分選機(jī)進(jìn)行分選時(shí)，吸嘴同時(shí)吸取出料梭上的芯片。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A27、編帶工藝操作時(shí)，用蓋帶進(jìn)行熱封，是為了防止載帶中的芯片掉落。（）A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A28、重力式分選機(jī)測(cè)試過(guò)程中，串行測(cè)試進(jìn)行的是單項(xiàng)測(cè)試。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B答案解析：重力式分選機(jī)測(cè)試過(guò)