內(nèi)存技術(shù)新版

服務(wù)器內(nèi)存冗余技術(shù)內(nèi)存熱備和鏡像信息化的年代離不開網(wǎng)絡(luò)，服務(wù)器是網(wǎng)絡(luò)不可缺少的部件，所以造就了近代服務(wù)器業(yè)的迅速發(fā)展。而在服務(wù)器硬件故障中，內(nèi)存故障列舉首位。內(nèi)存故障導(dǎo)致服務(wù)器數(shù)據(jù)永久丟失或系統(tǒng)宕機(jī)。這樣會(huì)給公司或個(gè)人帶來無法估計(jì)的劫難。所以近來服務(wù)器廠商在采用越來越多的技術(shù)來保障內(nèi)存的穩(wěn)定性。我們所知道的重要有奇偶校驗(yàn)技術(shù)、ECC技術(shù)和IBM的Chipkill-correctECC技術(shù)。現(xiàn)在本人又發(fā)現(xiàn)了兩種內(nèi)存冗余技術(shù):內(nèi)存熱備和內(nèi)存鏡像。這兩種技術(shù)用于浪潮服務(wù)器。這兩種技術(shù)道底是如何的呢?下面為大家介紹一下。內(nèi)存熱備—Sparing進(jìn)行內(nèi)存熱備時(shí)，做熱備份的內(nèi)存在正常情況下是不使用的，也就是說系統(tǒng)是看不到這部分內(nèi)存容量的。每個(gè)內(nèi)存通道中有一個(gè)DIMM不被使用，預(yù)留為熱備內(nèi)存。芯片組中設(shè)立有內(nèi)存校驗(yàn)錯(cuò)誤次數(shù)的閾值,即每單位時(shí)間發(fā)生錯(cuò)誤的次數(shù)。當(dāng)工作內(nèi)存的故障次數(shù)達(dá)成這個(gè)“容錯(cuò)閾值”，系統(tǒng)開始進(jìn)行雙重寫動(dòng)作，一個(gè)寫入主內(nèi)存，一個(gè)寫入熱備內(nèi)存，當(dāng)系統(tǒng)檢測(cè)到兩個(gè)內(nèi)存數(shù)據(jù)一致后，熱備內(nèi)存就代替主內(nèi)存工作，故障內(nèi)存被禁用，這樣就完畢了熱備內(nèi)存接替故障內(nèi)存工作的任務(wù)，有效避免了系統(tǒng)由于內(nèi)存故障而導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失或系統(tǒng)宕機(jī)。這個(gè)做熱備的內(nèi)存容量應(yīng)大于等于所在通道的最大內(nèi)存條的容量，以滿足內(nèi)存數(shù)據(jù)遷移的最大容量需求。內(nèi)存鏡像—Mirroring內(nèi)存鏡像是將內(nèi)存數(shù)據(jù)做兩個(gè)拷貝，分別放在主內(nèi)存和鏡像內(nèi)存中。系統(tǒng)工作時(shí)會(huì)向兩個(gè)內(nèi)存中同時(shí)寫入數(shù)據(jù)，因此使得內(nèi)存數(shù)據(jù)有兩套完整的備份。由于采用通道間交叉鏡像的方式，所以每個(gè)通道都有一套完整的內(nèi)存數(shù)據(jù)拷貝。在系統(tǒng)芯片組中設(shè)立有“容錯(cuò)閾值”。假如任意內(nèi)存達(dá)成了“容錯(cuò)閾值”，其所在通道就被標(biāo)示出來，另一個(gè)通道單獨(dú)工作。但仍然保持雙通道的內(nèi)存帶寬。內(nèi)存鏡像有效避免了由于內(nèi)存故障而導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失。從上圖中可看出，鏡像內(nèi)存和主內(nèi)存互成對(duì)角線分布，假如其中一個(gè)通道出現(xiàn)故障不能繼續(xù)工作，另一個(gè)通道仍然具有故障通道的內(nèi)存數(shù)據(jù)，有效防止了由于內(nèi)存通道故障導(dǎo)致的數(shù)據(jù)丟失，極大提高了服務(wù)器可靠性。鏡像內(nèi)存的容量要大于等于主內(nèi)存容量，當(dāng)系統(tǒng)工作時(shí)，鏡像內(nèi)存不會(huì)被系統(tǒng)辨認(rèn)。因此在投資方面，做內(nèi)存鏡像數(shù)據(jù)保護(hù)的投資是沒有內(nèi)存保護(hù)功能的一倍。SDRAMSDRAM:SynchronousDynamicRandomAccessMemory,同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，同步是指Memory工作需要步時(shí)鐘，內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準(zhǔn)；動(dòng)態(tài)是指存儲(chǔ)陣列需要不斷的刷新來保證數(shù)據(jù)不丟失；隨機(jī)是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲(chǔ)，而是由指定地址進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫。

SDRAM從發(fā)展到現(xiàn)在已經(jīng)經(jīng)歷了四代，分別是：第一代SDRSDRAM，第二代DDRSDRAM，第三代DDR2SDRAM，第四代DDR3SDRAM.

第一代與第二代SDRAM均采用單端（Single-Ended）時(shí)鐘信號(hào),第三代與第四代由于工作頻率比較快，所以采用可減少干擾的差分時(shí)鐘信號(hào)作為同步時(shí)鐘。

SDRSDRAM的時(shí)鐘頻率就是數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的頻率，第一代內(nèi)存用時(shí)鐘頻率命名，如pc100，pc133則表白時(shí)鐘信號(hào)為100或133MHz，數(shù)據(jù)讀寫速率也為100或133MHz。

之后的第二，三，四代DDR（DoubleDataRate）內(nèi)存則采用數(shù)據(jù)讀寫速率作為命名標(biāo)準(zhǔn)，并且在前面加上表達(dá)其DDR代數(shù)的符號(hào)，PC-即DDR，PC2=DDR2，PC3=DDR3。如PC2700是DDR333，其工作頻率是333/2=166MHz，2700表達(dá)帶寬為2.7G。

DDR的讀寫頻率從DDR200到DDR400，DDR2從DDR2-400到DDR2-800，DDR3從DDR3-800到DDR3-1666。

很多人將SDRAM錯(cuò)誤的理解為第一代也就是SDRSDRAM，并且作為名詞解釋，皆屬誤導(dǎo)。

SDR不等于SDRAM。

Pin:模組或芯片與外部電路電路連接用的金屬引腳，而模組的pin就是常說的“金手指”。

SIMM：SingleIn-lineMemoryModule,單列內(nèi)存模組。內(nèi)存模組就是我們常說的內(nèi)存條，所謂單列是指模組電路板與主板插槽的接口只有一列引腳（雖然兩側(cè)都有金手指）。

DIMM：DoubleIn-lineMemoryModule，雙列內(nèi)存模組。是我們常見的模組類型，所謂雙列是指模組電路板與主板插槽的接口有兩列引腳，模組電路板兩側(cè)的金手指相應(yīng)一列引腳。

RDIMM：registeredDIMM，帶寄存器的雙線內(nèi)存模塊

SO-DIMM:筆記本常用的內(nèi)存模組。

工作電壓：

SDR：3.3V

DDR：2.5V

DDR2：1.8V

DDR3：1.5V

SDRAM內(nèi)存條的金手指通常是168線,而DDRSDRAM內(nèi)存條的金手指通常是184線的.ECC,Chipkill開放分類：硬件、技術(shù)、計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、內(nèi)存目錄?【服務(wù)器內(nèi)存概述】?【服務(wù)器內(nèi)存重要技術(shù)】?【服務(wù)器內(nèi)存典型類型】?【SDRAM和DDRSDRAM】【服務(wù)器內(nèi)存概述】[編輯本段]

服務(wù)器內(nèi)存也是內(nèi)存（RAM），它與普通PC（個(gè)人電腦）機(jī)內(nèi)存在外觀和結(jié)構(gòu)上沒有什么明顯實(shí)質(zhì)性的區(qū)別，重要是在內(nèi)存上引入了一些新的特有的技術(shù)，如ECC、ChipKill、熱插拔技術(shù)等，具有極高的穩(wěn)定性和糾錯(cuò)性能。\o"返回頁首"【服務(wù)器內(nèi)存重要技術(shù)】[編輯本段]

（1）ECC

在普通的內(nèi)存上，經(jīng)常使用一種技術(shù)，即Parity，同位檢查碼（Paritycheckcodes）被廣泛地使用在偵錯(cuò)碼（errordetectioncodes）上，它們?cè)鲩L(zhǎng)一個(gè)檢查位給每個(gè)資料的字元（或字節(jié)），并且可以偵測(cè)到一個(gè)字符中所有奇（偶）同位的錯(cuò)誤，但Parity有一個(gè)缺陷，當(dāng)計(jì)算機(jī)查到某個(gè)Byte有錯(cuò)誤時(shí)，并不能擬定錯(cuò)誤在哪一個(gè)位，也就無法修正錯(cuò)誤?；谏鲜銮闆r，產(chǎn)生了一種新的內(nèi)存糾錯(cuò)技術(shù)，那就是ECC，ECC自身并不是一種內(nèi)存型號(hào)，也不是一種內(nèi)存專用技術(shù)，它是一種廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域的計(jì)算機(jī)指令中，是一種指令糾錯(cuò)技術(shù)。ECC的英文全稱是“ErrorCheckingandCorrecting”，相應(yīng)的中文名稱就叫做“錯(cuò)誤檢查和糾正”，從這個(gè)名稱我們就可以看出它的重要功能就是“發(fā)現(xiàn)并糾正錯(cuò)誤”，它比奇偶校正技術(shù)更先進(jìn)的方面重要在于它不僅能發(fā)現(xiàn)錯(cuò)誤，并且能糾正這些錯(cuò)誤，這些錯(cuò)誤糾正之后計(jì)算機(jī)才干對(duì)的執(zhí)行下面的任務(wù)，保證服務(wù)器的正常運(yùn)營。之所以說它并不是一種內(nèi)存型號(hào)，那是由于并不是一種影響內(nèi)存結(jié)構(gòu)和存儲(chǔ)速度的技術(shù)，它可以應(yīng)用到不同的內(nèi)存類型之中，就象前講到的“奇偶校正”內(nèi)存，它也不是一種內(nèi)存，最開始應(yīng)用這種技術(shù)的是EDO內(nèi)存，現(xiàn)在的SD也有應(yīng)用，而ECC內(nèi)存重要是從SD內(nèi)存開始得到廣泛應(yīng)用，而新的DDR、RDRAM也有相應(yīng)的應(yīng)用，目前主流的ECC內(nèi)存其實(shí)是一種SD內(nèi)存。

（2）Chipkill

Chipkill技術(shù)是IBM公司為了解決目前服務(wù)器內(nèi)存中ECC技術(shù)的局限性而開發(fā)的，是一種新的ECC內(nèi)存保護(hù)標(biāo)準(zhǔn)。我們知道ECC內(nèi)存只能同時(shí)檢測(cè)和糾正單一比特錯(cuò)誤，但假如同時(shí)檢測(cè)出兩個(gè)以上比特的數(shù)據(jù)有錯(cuò)誤，則一般無能為力。目前ECC技術(shù)之所以在服務(wù)器內(nèi)存中廣泛采用，一則是由于在這以前其它新的內(nèi)存技術(shù)還不成熟，再則在目前的服務(wù)器中系統(tǒng)速度還是很高，在這種頻率上一般來說同時(shí)出現(xiàn)多比特錯(cuò)誤的現(xiàn)象很少發(fā)生，正由于這樣才使得ECC技術(shù)得到了充足地認(rèn)可和應(yīng)用，使得ECC內(nèi)存技術(shù)成為幾乎所有服務(wù)器上的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。

但隨著基于Intel解決器架構(gòu)的服務(wù)器的CPU性能在以幾何級(jí)的倍數(shù)提高，而硬盤驅(qū)動(dòng)器的性能同期只提高了少數(shù)的倍數(shù)，因此為了獲得足夠的性能，服務(wù)器需要大量的內(nèi)存來臨時(shí)保存CPU上需要讀取的數(shù)據(jù)，這樣大的數(shù)據(jù)訪問量就導(dǎo)致單一內(nèi)存芯片上每次訪問時(shí)通常要提供4（32位）或8（64位）比特以上的數(shù)據(jù)，一次性讀取這么多數(shù)據(jù)，出現(xiàn)多位數(shù)據(jù)錯(cuò)誤的也許性會(huì)大大地提高，而ECC又不能糾正雙比特以上的錯(cuò)誤，這樣就很也許導(dǎo)致所有比特?cái)?shù)據(jù)的丟失，系統(tǒng)就不久崩潰了。IBM的Chipkill技術(shù)是運(yùn)用內(nèi)存的子結(jié)構(gòu)方法來解決這一難題。內(nèi)存子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)原理是這樣的，單一芯片，無論數(shù)據(jù)寬度是多少，只對(duì)于一個(gè)給定的ECC辨認(rèn)碼，它的影響最多為一比特。舉個(gè)例子來說明的就是，假如使用4比特寬的DRAM，4比特中的每一位的奇偶性將分別組成不同的ECC辨認(rèn)碼，這個(gè)ECC辨認(rèn)碼是用單獨(dú)一個(gè)數(shù)據(jù)位來保存的，也就是說保存在不同的內(nèi)存空間地址。因此，即使整個(gè)內(nèi)存芯片出了故障，每個(gè)ECC辨認(rèn)碼也將最多余現(xiàn)一比特壞數(shù)據(jù)，而這種情況完全可以通過ECC邏輯修復(fù)，從而保證內(nèi)存子系統(tǒng)的容錯(cuò)性，保證了服務(wù)器在出現(xiàn)故障時(shí)，有強(qiáng)大的自我恢復(fù)能力。采用這種內(nèi)存技術(shù)的內(nèi)存可以同時(shí)檢查并修復(fù)4個(gè)錯(cuò)誤數(shù)據(jù)位，服務(wù)器的可靠性和穩(wěn)定得到了更加充足的保障。

（3）Register

Register即寄存器或目錄寄存器，在內(nèi)存上的作用我們可以把它理解成書的目錄，有了它，當(dāng)內(nèi)存接到讀寫指令時(shí)，會(huì)先檢索此目錄，然后再進(jìn)行讀寫操作，這將大大提高服務(wù)器內(nèi)存工作效率。帶有Register的內(nèi)存一定帶Buffer（緩沖），并且目前能見到的Register內(nèi)存也都具有ECC功能，其重要應(yīng)用在中高端服務(wù)器及圖形工作站上，如IBMNetfinity5000。\o"返回頁首"【服務(wù)器內(nèi)存典型類型】[編輯本段]

目前服務(wù)器常用的內(nèi)存有SDRAM和DDR兩種內(nèi)存。

1.SDRAM

2.DDRSDRAM

3.DDR2SDRAM\o"返回頁首"【SDRAM和DDRSDRAM】[編輯本段]

由于服務(wù)器內(nèi)存在各種技術(shù)上相對(duì)兼容機(jī)來說要嚴(yán)格得多，它強(qiáng)調(diào)的不僅是內(nèi)存的速度，而是它的內(nèi)在糾錯(cuò)技術(shù)能力和穩(wěn)定性。所以在外頻上目前來說只能是緊跟兼容機(jī)或普通臺(tái)式內(nèi)存之后。目前臺(tái)式機(jī)的外頻一般來說已到了150MHz以上的時(shí)代，但133外頻仍是主流。而服務(wù)器由于受到整個(gè)配件外頻和高穩(wěn)定性的規(guī)定制約，主流外頻還是100MHz，但133MHz外頻已逐步在各檔次服務(wù)器中推行，在選購服務(wù)器時(shí)當(dāng)然最佳選擇133MHz外頻的了！內(nèi)存、其它配件也同樣，要盡量同步進(jìn)行，否則就會(huì)影響整個(gè)服務(wù)器的性能。目前重要的服務(wù)器內(nèi)存品牌重要有Kingmax、kinghorse、現(xiàn)代、三星、kingstone、IBM、VIKING、NEC等，但重要以前面幾種在市面上較為常見，并且質(zhì)量也能得到較好的保障。

\o"返回頁首"RDRAMRDRAM

RDRAM（RambusDRAM）是美國的RAMBUS公司開發(fā)的一種內(nèi)存。與DDR和SDRAM不同，它采用了串行的數(shù)據(jù)傳輸模式。在推出時(shí)，由于其徹底改變了內(nèi)存的傳輸模式，無法保證與原有的制造工藝相兼容，并且內(nèi)存廠商要生產(chǎn)RDRAM還必須要加納一定專利費(fèi)用，再加上其自身制導(dǎo)致本，就導(dǎo)致了RDRAM從一問世就高昂的價(jià)格讓普通用戶無法接受。而同時(shí)期的DDR則能以較低的價(jià)格，不錯(cuò)的性能，逐漸成為主流，雖然RDRAM曾受到英特爾公司的大力支持，但始終沒有成為主流。RDRAM的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)位寬是16位，遠(yuǎn)低于DDR和SDRAM的64位。但在頻率方面則遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于兩者，可以達(dá)成400MHz乃至更高。同樣也是在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù)，可以在時(shí)鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù)，內(nèi)存帶寬能達(dá)成1.6Gbyte/s。普通的DRAM行緩沖器的信息在寫回存儲(chǔ)器后便不再保存，而RDRAM則具有繼續(xù)保持這一信息的特性，于是在進(jìn)行存儲(chǔ)器訪問時(shí)，如行緩沖器中已有目的數(shù)據(jù)，則可運(yùn)用，因而實(shí)現(xiàn)了高速訪問。此外其可把數(shù)據(jù)集中起來以分組的形式傳送，所以只要最初用24個(gè)時(shí)鐘，以后便可每1時(shí)鐘讀出1個(gè)字節(jié)。一次訪問所能讀出的數(shù)據(jù)長(zhǎng)度可以達(dá)成256字節(jié)。

內(nèi)存帶寬的計(jì)算現(xiàn)在的單通道內(nèi)存控制器一般都是64bit的，8個(gè)2進(jìn)制bit相稱于1個(gè)字節(jié)，換算成字節(jié)是64/8=8，再乘以內(nèi)存的運(yùn)營頻率，假如是ddr內(nèi)存就要再乘以2，由于它是以sd內(nèi)存雙倍的速度傳輸數(shù)據(jù)的，所以

ddr266,運(yùn)營頻率為133mhz，帶寬為133*2*64/8=2100mb/s=2.1gb/s

ddr333,運(yùn)營頻率為166mhz，帶寬為166*2*64/8=2700mb/s=2.7gb/s

ddr400,運(yùn)營頻率為200mhz，帶寬為200*2*64/8=3200mb/s=3.2gb/s

所謂雙通道ddr，就是芯片組可以在兩個(gè)不同的數(shù)據(jù)通道上分別尋址、讀取數(shù)據(jù)。這兩個(gè)互相獨(dú)立工作的內(nèi)存通道是依附于兩個(gè)獨(dú)立并行工作的，位寬為64-bit的內(nèi)存控制器下，因此使普通的ddr內(nèi)存可以達(dá)成128-bit的位寬，因此，內(nèi)存帶寬是單通道的兩倍，因此

雙通道ddr266的帶寬為133*2*64/8*2=4200mb/s=4.2gb/s

雙通道ddr333的帶寬為166*2*64/8*2=5400mb/s=5.4gb/s

雙通道ddr400的帶寬為200*2*64/8*2=6400mb/s=6.4gb/s

關(guān)于瓶徑問題：

cpu與北橋芯片之間的數(shù)據(jù)傳輸速率稱前端總線(fsb），對(duì)于intel的主流平臺(tái)，其采用q/p總線技術(shù)，fsb=cpu外頻*4,如賽揚(yáng)4的外頻為100，其fsb為400，數(shù)據(jù)帶寬為3.2gb/s,p4a的外頻為100，其fsb為400，數(shù)據(jù)帶寬為3.2gb/s,p4b的外頻為133，其fsb為533，數(shù)據(jù)帶寬為4.2gb/s,p4c、p4e的外頻為200，其fsb為800，數(shù)據(jù)帶寬為6.4gb/s，對(duì)于amd的主流平臺(tái)，其采用ev6總線技術(shù),fsb=cpu外頻*2，對(duì)于athlonxp，其外頻為133，166，200，相應(yīng)的fsb分別為266，333，400，數(shù)據(jù)帶寬分別為2.1，2.7，3.2gb/s

fsb與內(nèi)存帶寬相等的情況下，則不存在瓶徑問題，假如內(nèi)存帶寬小于fsb則形成內(nèi)存帶寬瓶徑，無法完全發(fā)揮系統(tǒng)的性能。

因此對(duì)于對(duì)于intel的主流平臺(tái)，如賽揚(yáng)4的外頻為100，其fsb為400，數(shù)據(jù)帶寬為3.2gb/s,應(yīng)當(dāng)使用ddr400或雙通道ddr200以上，p4a的外頻為100，其fsb為400，數(shù)據(jù)帶寬為3.2gb/s,應(yīng)當(dāng)使用ddr400或雙通道ddr200以上，p4b和c4d的外頻為133，其fsb為533，數(shù)據(jù)帶寬為4.2gb/s,應(yīng)當(dāng)使用ddr533或雙通道ddr266以上，p4c、p4e的外頻為200，其fsb為800，數(shù)據(jù)帶寬為6.4gb/s，應(yīng)當(dāng)使用雙通道ddr400以上，對(duì)于amd的主流平臺(tái)，athlonxp，其外頻為133，166，200，應(yīng)當(dāng)分別使用ddr266,ddr333,ddr400,在這個(gè)平臺(tái)上沒必要使用雙通道內(nèi)存雙通道DDR時(shí)代：內(nèi)存帶寬與反映時(shí)間許多朋友都知道，時(shí)鐘頻率、內(nèi)存調(diào)速與帶寬是三個(gè)最重要的參數(shù)，時(shí)鐘頻率無須多講，頻率自然越高越高，帶寬也會(huì)隨之增長(zhǎng)。至于內(nèi)存調(diào)速，這是一個(gè)與行地址、列地址存取反映時(shí)間相關(guān)的參數(shù)，那么內(nèi)存調(diào)速與帶寬又有什么關(guān)系？在雙通道的影響下，內(nèi)存調(diào)速對(duì)整體性能又有什么意義？假如以專業(yè)的角度來說，這可要涉及到電子工程的高級(jí)技術(shù)，對(duì)于大多數(shù)讀者來說太難了，并且沒有實(shí)際作用，下文將嘗試用簡(jiǎn)樸的方法來描繪新一代內(nèi)存的性能關(guān)鍵因素，有了大約的概念，我們?cè)谫徺I產(chǎn)品的時(shí)候就更容易選擇了。一、內(nèi)存基礎(chǔ)知識(shí)簡(jiǎn)介1、CPU從何處得到數(shù)據(jù)？

無論是主流的DDR400、還是最先進(jìn)的DDR566，現(xiàn)有我們所指的內(nèi)存都是指RAM（RandomAccessMemory，隨機(jī)存儲(chǔ)器），作為高速電子設(shè)備（CPU）與低速機(jī)械存儲(chǔ)器（硬盤）之間的數(shù)據(jù)緩沖，所有數(shù)據(jù)都要在內(nèi)存中進(jìn)行讀?。瘜懭氩僮?，才也許與CPU的緩存互換資料，得到對(duì)的的計(jì)算結(jié)果。CPU的緩存／寄存器和內(nèi)存都無法永遠(yuǎn)保存數(shù)據(jù)，在斷電時(shí)資料會(huì)丟失，而最終結(jié)果必須存儲(chǔ)到硬盤上，才干保存下來。

CPU工作的過程中，它會(huì)先從內(nèi)存?zhèn)鬏斶^來的程序中找出程序計(jì)數(shù)器，讀取相應(yīng)的指令，進(jìn)行指令解碼后執(zhí)行相應(yīng)操作，然后讀取下一個(gè)指令，此過程經(jīng)常分離為幾步：－讀指令

－找到數(shù)據(jù)A

－找到數(shù)據(jù)B

－把B與A相加

－存儲(chǔ)A到C上期間需要大量的讀／寫操作，為了保持最高效率，數(shù)據(jù)A、B、C最佳能位于緩存中。當(dāng)然，出于成本的考慮，緩存的容量永遠(yuǎn)不也許比內(nèi)存大，而內(nèi)存的容量永遠(yuǎn)不也許比硬盤大。CPU在緩存中無法找到所需數(shù)據(jù)時(shí)，就會(huì)到內(nèi)存中找，再找不到就會(huì)到硬盤找，直到找到為止。由于硬盤的速度很慢，因此，大容量和高速內(nèi)存可加快尋找過程，提高整體性能。

在CPU與內(nèi)存之間的通道是FSB（FrontSideBus，前端總線），內(nèi)存數(shù)據(jù)通過FSB先傳到北橋內(nèi)存控制器，然后再通過傳輸?shù)紺PU。2、雙通道的增強(qiáng)

DDRSDRAM（DoubleDateRate，上下行雙數(shù)據(jù)率SDRAM）是相對(duì)于SDRSDRAM（SingleDateRate，單數(shù)據(jù)率SDRAM）而言的，它們的區(qū)別在于時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)的差異。一個(gè)時(shí)鐘是電壓從0到有信號(hào)（SDR是3.3V，DDR是2.5V）的周期，在SDR內(nèi)存里，它運(yùn)用電壓上升的過程（即上升沿），來控制數(shù)據(jù)的進(jìn)或出，然后內(nèi)存會(huì)等待下一個(gè)上升沿進(jìn)行反復(fù)的操作。DDR則能同時(shí)運(yùn)用上升沿和下降沿（電壓下降的過程）來傳輸數(shù)據(jù)，那么傳輸量就會(huì)變?yōu)閮杀丁?、內(nèi)存如何尋址？

請(qǐng)?jiān)O(shè)想內(nèi)存是一個(gè)Matrix（不是黑客帝國，而是矩陣），它分為行和列，運(yùn)用行和列的號(hào)碼，就可以找到某一個(gè)單元的數(shù)據(jù)。許許多多的內(nèi)存存儲(chǔ)單元組成一個(gè)bank（儲(chǔ)蓄庫），舊的i845Brookdale芯片組僅有4個(gè)bank，只能對(duì)尋址2GB內(nèi)存。新的i865Springdale和i875Canterwood擁有8個(gè)bank，最大可以尋址4GB內(nèi)存。所以說，bank的數(shù)量與容量決定了內(nèi)存的尋址，即是內(nèi)存最大容量。

現(xiàn)在的內(nèi)存條分為單面和雙面，單面占用一個(gè)bank，雙面占用兩個(gè)bank。所以在i845主板上，我們可以使用的最大內(nèi)存條數(shù)量為2條雙面內(nèi)存或四條單面內(nèi)存，i865/i875可以支持4條雙面內(nèi)存或8條單面內(nèi)存。但是，以上只是理論值，實(shí)際的容量按照主板的設(shè)計(jì)而定。以上種種與反映時(shí)間和帶寬有什么關(guān)系？別急，請(qǐng)接著看。二、雙通道/四通道－增長(zhǎng)帶寬的捷徑

除了英特爾和nVidia（nforce2/3）的產(chǎn)品外，主流的芯片組如：VIAKT/PX系列和SiS746/648都沒有雙通道能力，因此它們理論上是比雙通道芯片組慢的。畢竟在相同的總線速度下，總線的傳輸能力越大，可以傳輸?shù)臄?shù)量越多。DDRSDRAM工作于64位總線，增長(zhǎng)了一個(gè)內(nèi)存控制器后，就等于128位總線。假如只使用單獨(dú)的內(nèi)存控制器，性能就會(huì)大受限制，此話怎講？

讓我們來看看P4架構(gòu)，它使用四倍泵總線，設(shè)計(jì)類似DDR，除了上升、下降沿同時(shí)傳輸信號(hào)外，還作了進(jìn)一步改善，把1.5電壓信號(hào)分為兩級(jí)，第一級(jí)是0-0.7V，第二級(jí)是0.7-1.5V，那么，可以傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量就變?yōu)榱怂谋?。在使用i845或僅插入單通道內(nèi)存的i865/875系統(tǒng)上，F(xiàn)SB會(huì)傳輸過多的數(shù)據(jù)給內(nèi)存控制器，內(nèi)存控制器無法解決，必須花時(shí)間來等待，減少了工作效率。

大家稍微明白了一點(diǎn)吧，可是此理論并不合用于所有的系統(tǒng)，在AthlonXP系統(tǒng)上，情況卻恰恰相反。由于Athlon只使用了雙通道總線，總線傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量沒有這么大，第二個(gè)內(nèi)存通道的用處相對(duì)于小一些，這時(shí)，內(nèi)存的反映時(shí)間就變得很重要了。三、反映時(shí)間

從上文我們可以看出，增長(zhǎng)帶寬并不是一件難事，只要增長(zhǎng)內(nèi)存通道和總線寬度即可，讓每個(gè)時(shí)鐘傳輸更多的數(shù)據(jù)，或者，提高數(shù)據(jù)傳輸?shù)乃俣龋瑯涌梢栽鲩L(zhǎng)帶寬。反映時(shí)間就沒那么簡(jiǎn)樸了，它指的是內(nèi)存給出命令和命令實(shí)際執(zhí)行之間的時(shí)間，誰都知道反映時(shí)間越小越好，然而，在內(nèi)存的讀／寫過程中，許多因素都會(huì)讓反映時(shí)間增長(zhǎng)。

一方面，F(xiàn)SB與內(nèi)存控制器不是運(yùn)營在同一速度（1:1）上，任何信號(hào)的傳輸，都會(huì)出現(xiàn)等待同步的情況。比如設(shè)立為5:4這個(gè)常用的比率，F(xiàn)SB通過5個(gè)周期，內(nèi)存才通過4個(gè)周期，這意味著，總線必須通過5個(gè)時(shí)鐘周期才可以互相互換信息。假如一個(gè)命令從CPU發(fā)到內(nèi)存請(qǐng)求數(shù)據(jù)，那么，要等到信號(hào)匹配，至少要等待4個(gè)時(shí)鐘周期，見下圖：-----*****-----*****-----*****（總線頻率）

----****----****----****（內(nèi)存頻率）一般情況下，內(nèi)存與總線同步，可以獲得更佳性能，這也是高性能內(nèi)存，都需要超F(xiàn)SB頻率使用，至少達(dá)成內(nèi)存頻率同級(jí)，才干發(fā)揮更佳性能的因素。第二，內(nèi)存操作自身也需要花費(fèi)許多反映時(shí)間。當(dāng)內(nèi)存控制器發(fā)出某個(gè)地址的請(qǐng)求時(shí)，先發(fā)送一個(gè)激活（ACTIVE）命令，把相應(yīng)的數(shù)據(jù)單元從“預(yù)充電”狀態(tài)變?yōu)椤凹せ睢睜顟B(tài)，在BIOS中，可以調(diào)節(jié)tRP參數(shù)來控制這個(gè)時(shí)間，通?；ㄙM(fèi)2、3或4個(gè)周期。

接著，是tRCD（RowtoCasDelay，行地址到列地址控制器延遲時(shí)間）操作，這是發(fā)送行地址里面的內(nèi)容到內(nèi)存緩沖區(qū)必須占用的時(shí)間，通常有2、3或4個(gè)周期可選。

然后，就是我們很熟悉的tCL，俗稱CAS（ColumnAddressStrobe，列地址控制器）反映時(shí)間，即把指定列地址單元的內(nèi)容發(fā)出所需要的時(shí)間，通常有2、2.5或3個(gè)周期可選。tCL對(duì)于總線忽然的大量數(shù)據(jù)傳輸（突發(fā)操作）很重要，假如下一次的內(nèi)存讀／寫在同一行中，tCL就決定了一個(gè)單元移到另一