材料物理性能復(fù)習(xí)總結(jié)

材料物理性能復(fù)習(xí)總結(jié)-15-第一章電學(xué)性能1.1材料的導(dǎo)電性QUOTE，ρ稱為電阻率或比電阻，只與材料特性有關(guān)，而與導(dǎo)體的幾何尺寸無關(guān)，是評定材料導(dǎo)電性的基本參數(shù)。ρ的倒數(shù)σ稱為電導(dǎo)率。一、金屬導(dǎo)電理論1、經(jīng)典自由電子理論在金屬晶體中，正離子構(gòu)成了晶體點陣，并形成一個均勻的電場，價電子是完全自由的，稱為自由電子，它們彌散分布于整個點陣之中，就像氣體分子充滿整個容器一樣，因此又稱為“電子氣”。它們的運動遵循理想氣體的運動規(guī)律，自由電子之間及它們與正離子之間的相互作用類似于機械碰撞。當(dāng)對金屬施加外電場時，自由電子沿電場方向作定向加速運動，從而形成了電流。在自由電子定向運動過程中，要不斷與正離子發(fā)生碰撞，使電子受阻，這就是產(chǎn)生電阻的原因。2、量子自由電子理論金屬中正離子形成的電場是均勻的，價電子與離子間沒有相互作用，可以在整個金屬中自由運動。但金屬中每個原子的內(nèi)層電子基本保持著單個原子時的能量狀態(tài)，而所有價電子卻按量子化規(guī)律具有不同的能量狀態(tài)，即具有不同的能級。0K時電子所具有最高能態(tài)稱為費密能EF。不是所有的自由電子都參與導(dǎo)電，只有處于高能態(tài)的自由電子才參與導(dǎo)電。另外，電子波在傳播的過程中被離子點陣散射，然后相互干涉而形成電阻。馬基申定則：QUOTE，總的電阻包括金屬的基本電阻和溶質(zhì)（雜質(zhì)）濃度引起的電阻（與溫度無關(guān)）；從馬基申定則可以看出，在高溫時金屬的電阻基本取決于QUOTE，而在低溫時則決定于殘余電阻QUOTE。3、能帶理論能帶：由于電子能級間隙很小，所以能級的分布可看成是準(zhǔn)連續(xù)的，稱為能帶。圖1-1(a)、(b)、(c)，如果允帶內(nèi)的能級未被填滿，允帶之間沒有禁帶或允帶相互重疊，在外電場的作用下電子很容易從一個能級轉(zhuǎn)到另一個能級上去而產(chǎn)生電流，具有這種能帶結(jié)構(gòu)的材料就是導(dǎo)體。圖1-1(d)，若一個滿帶上面相鄰的是一個較寬的禁帶，由于滿帶中的電子沒電學(xué)特性：(1)本征激發(fā)成對地產(chǎn)生自由電子和空穴，所以自由電子濃度與空穴濃度相等，都是等于本征載流子的濃度ni；(2)禁帶寬度Eg越大，載流子濃度ni越?。?3)溫度升高時載流子濃度ni增大；(4)載流子濃度ni與原子密度相比是極小的，所以本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力很微弱。二、雜質(zhì)半導(dǎo)體的電學(xué)性能1、n型半導(dǎo)體概念：在本征半導(dǎo)體中摻入五價元素的雜質(zhì)（磷、砷、銻）的半導(dǎo)體。結(jié)構(gòu)：摻入五價元素后，可以使晶體中的自由電子濃度極大地增加，這是因為五價元素的原子有五個價電子，當(dāng)它頂替晶格中的一個四價元素的原子時，它的四個價電子與周圍的四個硅（或鍺）原子以共價鍵相結(jié)合后，還余下了一個價電子變成多余的。多子：在n型半導(dǎo)體中，自由電子的濃度大（1.5*1014cm-3），故自由電子稱為多數(shù)載流子，簡稱多子。少子：n型半導(dǎo)體中的空穴稱為少數(shù)載流子，簡稱少子。在電場作用下，n型半導(dǎo)體中的電流主要由多數(shù)載流子——自由電子產(chǎn)生，也就是說，它是以電子電導(dǎo)為主。2、p型半導(dǎo)體概念：在本征半導(dǎo)體中摻入三價元素（硼、鋁、鎵、銦）的雜質(zhì)半導(dǎo)體。結(jié)構(gòu)：三價元素的原子只有三個價電子，當(dāng)它頂替晶格中的一個四價元素原子，并與周圍的四個硅（或鍺）原子組成四個共價鍵時，必然缺少一個價電子，形成一個空位置。在電場作用下，p型半導(dǎo)體中的電流主要由多數(shù)載流子——空穴產(chǎn)生，即它是以空穴導(dǎo)電為主。3、雜質(zhì)半導(dǎo)體的特點(1)摻雜濃度與原子密度相比雖然很微小，但是卻能使載流子濃度極大地提高，因而導(dǎo)電能力也顯著地增強，摻雜濃度越大，其導(dǎo)電能力也越強。(2)摻雜只是使一種載流子的濃度增加，因此雜質(zhì)半導(dǎo)體主要靠多子導(dǎo)電。當(dāng)摻入五價元素時，主要靠自由電子導(dǎo)電；當(dāng)摻入三價元素時，主要靠空穴導(dǎo)電。三、金屬和半導(dǎo)體的電阻隨溫度變化規(guī)律不同點陣振動的聲子散射：由于點陣振動使原子間距發(fā)生變化而偏離理想周期排列，引起禁帶寬度的空間起伏，從而使載流子的勢能隨空間變化，導(dǎo)致載流子的散射。顯然，溫度越高振動越激烈，對載流子的散射越強，遷移率下降。電離雜質(zhì)散射：由于隨溫度升高載流子熱運動速度加大，電離雜質(zhì)的散射作用也就相對減弱，導(dǎo)致遷移率增加。1.3絕緣體的電學(xué)性能絕緣體：一般是指電阻率大于1010Ω·m、用來限制電流流動的材料。評價電介質(zhì)的主要電學(xué)性能指標(biāo)有介電常數(shù)、耐電強度、損耗因素、體電阻率和表面電阻率。一、電介質(zhì)的介電常數(shù)當(dāng)極板間為真空時，平板電容器的電容量C與平板的面積S、板間距離d的關(guān)系為QUOTE，C0、QUOTE分別為真空下的電容和介電常數(shù)，QUOTE.當(dāng)極板間存在電介質(zhì)時的介電常數(shù)為靜態(tài)介電常數(shù)。帶有電介質(zhì)的電容C與無電介質(zhì)（真空）的電容C0之比稱為電介質(zhì)的相對介電常數(shù)εr。極化強度QUOTE，不僅隨外電場強度E升高而增加，而且取決于材料的相對介電系數(shù)QUOTE。復(fù)介電常數(shù)QUOTE，實部QUOTE；虛部QUOTE.介電強度：當(dāng)施加于電介質(zhì)上的電場強度或電壓增大到一定程度時，電介質(zhì)就由介電狀態(tài)變?yōu)閷?dǎo)電狀態(tài)，這一突變現(xiàn)象稱為電介質(zhì)的擊穿，發(fā)生擊穿時的電場強度即為介電強度。二、電介質(zhì)的極化電介質(zhì)按其分子中正負(fù)電荷的分布狀況可以分為中性電介質(zhì)、偶極電介質(zhì)和離子型電介質(zhì)。極化：電介質(zhì)在電場的作用下，其內(nèi)部的束縛電荷所發(fā)生的彈性唯一現(xiàn)象和偶極子的取向（正端轉(zhuǎn)向電場負(fù)極、負(fù)端轉(zhuǎn)向電場正極）現(xiàn)象。介質(zhì)極化的基本形式(1)電子式極化：在電場作用下，構(gòu)成介質(zhì)原子的電子云中心與原子核發(fā)生相對位移，形成感應(yīng)電偶極矩而使介質(zhì)極化的現(xiàn)象。電子位移極化的形成過程很快，外電場消失后會立即恢復(fù)原狀，不消耗任何能量。(2)離子式極化：在離子晶體中，除離子中的電子要產(chǎn)生位移極化外，處于點陣結(jié)點上的正負(fù)離子也要在電場作用下發(fā)生相對位移而引起極化。(3)偶極子極化：偶極分子在無外電場時就有一定的電偶極矩p，當(dāng)有外電場時，由于偶極子要受到轉(zhuǎn)矩的作用，有沿外電場方向排列的趨勢，因而呈現(xiàn)宏觀電偶極矩，形成極化。(4)空間電荷極化：在一部分電介質(zhì)中存在著可移動的離子，在外電場作用下，正離子將向負(fù)電極側(cè)移動并積累，而負(fù)離子將向正電極側(cè)移動并積累。三、電介質(zhì)的介電損耗介質(zhì)損耗：電介質(zhì)在電場作用下，在單位時間內(nèi)因發(fā)熱而消耗的能量。漏導(dǎo)電流：在外電場的作用下，總有一些帶電粒子會發(fā)生移動而引起微弱的電流，這種微小電流稱為漏導(dǎo)電流。漏導(dǎo)損耗：漏導(dǎo)電流流經(jīng)介質(zhì)時使介質(zhì)發(fā)熱而消耗了電能，這種因電導(dǎo)而引起的介質(zhì)損耗稱為漏導(dǎo)損耗。極化損耗：除電子、離子彈性位移極化基本上不消耗能量外，其他緩慢極化（例如松弛極化、空間電荷極化等）在極化緩慢建立的過程中都會因客服阻力而引起能量的損耗，這種損耗一般稱為極化損耗。1.4超導(dǎo)電性超導(dǎo)電性：在一定的低溫條件下材料電阻突然失去的現(xiàn)象。材料有電阻的狀態(tài)稱為正常態(tài)，失去電阻的狀態(tài)稱為超導(dǎo)態(tài)，材料由正常狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)槌瑢?dǎo)狀態(tài)的溫度稱為臨界溫度。超導(dǎo)體的三個性能指標(biāo)：完全導(dǎo)電性、完全抗磁性和通量量子化。評價超導(dǎo)體的三個性能指標(biāo)：臨界轉(zhuǎn)變溫度Tc、臨界磁場強度Hc、臨界電流密度Jc。臨界磁場強度：破幻超導(dǎo)態(tài)的最小磁場。臨界電流密度：保持超導(dǎo)態(tài)的最大輸入電流。超導(dǎo)現(xiàn)象的物理本質(zhì)：超導(dǎo)現(xiàn)象產(chǎn)生的原因是由于超導(dǎo)體中的電子在超導(dǎo)態(tài)時電子之間存在著特殊的吸引力，而不是正常態(tài)時電子之間的靜電斥力。這種特殊吸引力使電子雙雙結(jié)成電子對，電子對在材料中規(guī)則地運動時，如果碰到物理缺陷、化學(xué)缺陷或熱缺陷，而這種缺陷所給予電子的能量變化又不足以使“電子對”破壞，則此“電子對”將不損耗能量，即在缺陷處電子不發(fā)生散射而無障礙地通過，這時電子運動的非對稱分布狀態(tài)將繼續(xù)下去。

第二章磁學(xué)性能1.1磁性基本量及磁性分類一、磁化現(xiàn)象和磁性的基本量磁化：任何物質(zhì)處于磁場中，均會使其所占的空間的磁場發(fā)生變化，這是由于磁場的作用使物質(zhì)表現(xiàn)出一定的磁性，這種現(xiàn)象稱為磁化。磁化強度M：單位體積的磁矩。磁化率χ：磁化強度M與磁場強度H之比，表征磁介質(zhì)屬性的物理量。磁導(dǎo)率μ：磁感應(yīng)強度B與磁場強度H之比，表征磁介質(zhì)磁性的物理量。磁感應(yīng)強度B：通過垂直于磁場方向單位面積的磁力線數(shù)稱為磁感應(yīng)強度。二、物質(zhì)磁性的分類圖2-1五類磁體的磁化曲線示意圖(1)抗磁體：磁化率為很小的負(fù)數(shù)，它們在磁場中受微弱斥力，金屬約有一半簡單金屬是抗磁體。(2)順磁體：磁化率為正值，它們在磁場中受微弱吸力。(3)鐵磁體：在較弱的磁場作用下，就能產(chǎn)生很大的磁化強度，磁化率是很大的正數(shù)，且M或B與外磁場強度H呈非線性關(guān)系變化。鐵磁體在溫度高于某臨近溫度后變成順磁體，此臨近溫度稱為居里溫度或居里點。(4)亞鐵磁體：類似于鐵磁體，但磁化率沒有鐵磁體那么大。(5)反鐵磁體：磁化率是很小的正數(shù)，在溫度低于某溫度時，它的磁化率隨溫度升高而增大，高于這個溫度，其行為像順磁體。三、磁化曲線和磁滯回線飽和磁化強度Ms：隨磁化場的增加，磁感應(yīng)強度B開始時增加較緩慢，然后迅速地增加，再緩慢地增加，最后當(dāng)磁場強度達(dá)到Hs時，磁化至飽和，此時的磁化強度稱為飽和磁化強度，對應(yīng)的磁感應(yīng)強度稱為飽和磁感應(yīng)強度Bs圖2-2鐵的磁滯回線磁滯：鐵磁材料從退磁狀態(tài)被磁化至飽和的技術(shù)磁化過程中存在著不可逆過程，即從飽和磁化狀態(tài)降低磁場H時，磁感應(yīng)強度B將不沿著原磁化曲線下降而是沿bc緩慢下降，這種現(xiàn)象稱為“磁滯”。剩余磁感應(yīng)強度：當(dāng)外磁場降為0時，得到不為零的磁感應(yīng)強度Br，稱為剩余磁感應(yīng)強度。矯頑力：要將B減小到0，必須加一反向磁場-Hc，該反向磁場值稱為矯頑力。bc段：退磁曲線；bcdefgb：磁滯回線軟磁材料：矯頑力Hc很小而磁化率χ很大的材料。硬磁材料：Hc大而χ小的材料。矩磁材料：某些磁滯回線趨于矩形的材料。2.2抗磁性和順磁性一、原子本征磁矩原子磁矩包括電子軌道磁矩、電子的自旋磁矩和原子核磁矩三部分。原子中電子的軌道磁矩和電子的自旋磁矩構(gòu)成了原子固有磁矩，即本征磁矩。二、抗磁性在磁場中電子繞中心核的運動只不過是疊加了一個電子進(jìn)動（拉莫爾進(jìn)動），如果繞核的平均電子流起初為零，施加磁場后的拉莫爾進(jìn)動會產(chǎn)生一個不為零的繞核電子流，這個電流等效于一個方向與外加場相反的磁矩，因而產(chǎn)生了抗磁性。物質(zhì)的抗磁性是由外加磁場作用下電子繞核運動所感應(yīng)的附加磁矩造成的。三、順磁性材料的順磁性來源于原子的固有磁矩。產(chǎn)生順磁性的條件：原子的固有磁矩不為零——具有奇數(shù)個電子的原子或點陣缺陷；內(nèi)殼層未被填滿的原子或離子。四、金屬的抗磁性和順磁性金屬的磁性要從以下四個方面考慮：正離子的順磁性、正離子的抗磁性、自由電子的順磁性和自由電子的抗磁性。正離子的抗磁性來源于其電子的軌道運動，正離子的順磁性來源于原子的固有磁矩，自由電子的順磁性來源于電子的自旋磁矩，電子運動都產(chǎn)生抗磁磁矩。2.3鐵磁性的物理本質(zhì)自發(fā)磁化：在鐵磁物質(zhì)內(nèi)部存在著很強的與外磁場無關(guān)的“分子場”，在這種“分子場”的作用下，原子磁矩趨于同向平行排列，即自發(fā)的磁化至飽和。鐵磁性產(chǎn)生的原因當(dāng)原子相互接近形成分子時，電子云要相互重疊，電子要相互交換位置，其本質(zhì)是靜電作用力迫使相鄰原子的電子自旋磁矩有序排列。這種交換作用產(chǎn)生的附加能量稱為交換能Eex（QUOTE）。當(dāng)A為正值時，φ=0時，Eex最大，相鄰自旋磁矩同向平行排列，即自發(fā)磁化，這就是鐵磁性產(chǎn)生的原因。鐵磁性產(chǎn)生的條件：原子內(nèi)部要有未填滿的電子殼層；a/r（原子核之間的距離/參加交換作用的電子距核的距離）大于3使交換積分A為正。前者指的是原子本征磁矩不為零，后者指的是要有一定的晶體點陣結(jié)構(gòu)。2.4相關(guān)概念磁晶各向異性：在單晶體的不同晶向上，磁性能是不同的。磁晶各向異性能：磁化強度矢量沿不同晶軸方向的能量差代表磁晶各向異性能。磁致伸縮：鐵磁體在磁場中被磁化時，其形狀和尺寸都會發(fā)生變化。磁致伸縮產(chǎn)生的原因：磁致伸縮是原子磁矩有序排列時電子間的相互作用導(dǎo)致原子間距調(diào)整而引起的，晶體點陣結(jié)構(gòu)不同，磁化時原子間距的變化情況也不同，因此呈現(xiàn)不同的磁滯伸縮性能。鐵磁體在磁場中的能量為靜磁能，它包括鐵磁體與外磁場的相互作用能和鐵磁體在自身退磁場中的能量。后一種靜磁能常稱為退磁能。磁疇：在居里點以下，鐵磁體自發(fā)磁化成若干個小區(qū)域，這些自發(fā)磁化至飽和的小區(qū)域稱磁疇。相鄰磁疇的界限稱為疇壁。技術(shù)磁化：在外磁場作用下鐵磁體從完全退磁狀態(tài)磁化至飽和狀態(tài)的內(nèi)部變化過程。技術(shù)磁化是通過兩種方式進(jìn)行的，一種是磁疇壁的遷移，另一種是磁疇的旋轉(zhuǎn)。磁心在不可逆交變磁化過程中所消耗的能量，統(tǒng)稱為鐵心損耗，簡稱鐵損。它由磁滯損耗、渦流損耗和剩余損耗三部分組成。磁后效：磁化強度（或磁感應(yīng)強度）跟不上磁場變化的延遲現(xiàn)象。課后習(xí)題在磁場作用下，金屬離子都產(chǎn)生一定的抗磁性，為何只有部分金屬是抗磁金屬？答：抗磁性是電子軌道運動感應(yīng)的，物質(zhì)的抗磁性普遍存在。但原子往往還存在著軌道磁矩和自旋磁矩所組成的順磁磁矩。當(dāng)原子系統(tǒng)的總磁矩等于零時，抗磁性就容易表現(xiàn)出來，如果電子殼層未被填滿，即原子系統(tǒng)具有總磁矩時，只有那些抗磁性大于順磁性的物質(zhì)才成為抗磁體。

第三章光學(xué)性能光通過固體時的現(xiàn)象：透過、吸收、反射和散射。3.1光的反射和折射影響折射率n的因素(1)構(gòu)成材料元素的離子半徑：當(dāng)介質(zhì)材料的離子半徑增大時，其介電常數(shù)ε增大，折射率n也增大。(2)材料的結(jié)構(gòu)、晶型和非晶態(tài)：對于非晶態(tài)和立方晶體這些各項同性的材料，當(dāng)光通過時，光速不因傳播方向改變而改變，材料只有一個折射率，稱為均質(zhì)介質(zhì)；除立方晶體以外的其他晶型都是非均質(zhì)介質(zhì)，光進(jìn)入非均質(zhì)介質(zhì)時，一般都要分為振動方向相互垂直、傳播速度不等的兩個波，它們分別構(gòu)成兩條折射光線，即雙折射。(3)材料所受的內(nèi)應(yīng)力：有內(nèi)應(yīng)力的透明材料，垂直于受拉主應(yīng)力方向的n值大，平行于受拉主應(yīng)力方向的n值小。(4)同質(zhì)異構(gòu)體：在同質(zhì)異構(gòu)材料中，高溫時存在的晶型折射率較低，低溫時的晶型折射率較高。3.2材料對光的吸收和色散朗伯特定律：QUOTEI=I0e-偽lI=I0e-偽l，它表明，光的色散：材料的折射率隨入射光頻率的減?。ɑ虿ㄩL的增加）而減小的性質(zhì)。材料的色散規(guī)律：(1)對于同一種材料，波長越短則折射率越大；(2)波長越短則色散率越大；(3)對于不同材料，在同一波長下，折射率越大者色散率越大；(4)不同材料的色散曲線間沒有簡單的數(shù)量關(guān)系。3.3介質(zhì)的光散射光的散射：光在通過氣體、液體、固體等介質(zhì)時，遇到煙塵、微粒、懸浮液滴或者機構(gòu)成分不均勻的微小區(qū)域，都會有一部分能量偏離原來的傳播方向而向四面八方彌散開來。光強與傳播距離的關(guān)系：QUOTE，αa和αs分別為吸收系數(shù)和散射系數(shù)。一、彈性散射彈性散射：散射前后，光的波長（或光子能量）不發(fā)生變化的散射。1、廷德爾散射當(dāng)散射中心的尺度a0遠(yuǎn)大于光波的波長λ時，σ→0，散射光強與入射光波長無關(guān)。2、米氏散射當(dāng)散射中心尺度a0與入射光波長λ相當(dāng)時，σ在0~4之間，具體數(shù)值與散射中心尺寸有關(guān)。3、瑞利散射當(dāng)散射中心的線度a0遠(yuǎn)小于入射光的波長λ時，σ=4，即散射強度與波長的4次方成反比（QUOTE）為什么晴天早晨的太陽呈鮮紅色而中午卻變成白色？答：在可見光的短波側(cè)λ=400nm處，紫光的散射強度要比長波側(cè)λ=720nm處紅光的散射強度大約大10倍，由于大氣及塵埃對光譜上藍(lán)紫色的散射比紅橙色強，一天內(nèi)不同時刻陽光到達(dá)觀察者所通過的大氣層厚度不同，陽光透過大氣層越厚，藍(lán)紫色成分損失越多，因此到達(dá)觀察者的陽光中藍(lán)紫色的比例就越少。三、非彈性散射非彈性散射：頻率發(fā)生改變的光散射時入射光子與介質(zhì)發(fā)生非彈性碰撞的結(jié)果。3.4材料的光發(fā)射材料的光發(fā)射是材料以某種方式吸收能量之后，將其轉(zhuǎn)化為光能，即發(fā)射光子的過程。光致發(fā)光：通過光的輻照將材料中的電子激發(fā)到高能態(tài)從而導(dǎo)致發(fā)光。陰極射線發(fā)光：利用高能量的電子來轟擊材料，通過電子在材料內(nèi)部的多次散射碰撞，使材料中多種發(fā)光中心被激發(fā)或電離而發(fā)光的過程。電致發(fā)光：通過對絕緣發(fā)光體施加強電場導(dǎo)致發(fā)光，或者從外電路將電子（空穴）注入到半導(dǎo)體的導(dǎo)帶（價帶），導(dǎo)致載流子復(fù)合而發(fā)光。發(fā)射光譜：在一定的激發(fā)條件下發(fā)射光強按波長的分布。激發(fā)光譜：材料發(fā)射某一種特定譜線（或譜帶）的發(fā)光強度隨激發(fā)光的波長而變化的曲線。發(fā)光壽命：發(fā)光體在激發(fā)停止之后持續(xù)發(fā)光的時間稱為發(fā)光壽命（熒光壽命或余輝時間）。發(fā)光效率：通常有三種表示法，即量子效率、功率效率和光度效率。量子效率ηq是指發(fā)射光子數(shù)nout與吸收光子數(shù)（或輸入的電子數(shù)）nin之比；功率效率ηp表示發(fā)光功率Pout與吸收光的功率（或輸入的電功率）Pin之比；光度效率ηl定義為發(fā)射的光通量L與輸入的光功率（或電功率）Pin之比。3.5材料的受激輻射和激光激光：在外來光子的激發(fā)下誘發(fā)電子能態(tài)的轉(zhuǎn)變，從而發(fā)射出與外來光子的頻率、相位、傳輸方向以及偏振態(tài)均相同的相干光波。光的發(fā)射和吸收可經(jīng)由三種基本過程：受激吸收、受激輻射和自發(fā)輻射。受激吸收就是固體吸收一個光子的過程，光子能量QUOTE，固體中粒子的能級由E1躍遷到E2。自發(fā)輻射就是固體發(fā)射一個光子的過程，光子能量QUOTE，固體中粒子的能級由E2躍遷到E1。受激輻射的過程是：當(dāng)一個能量滿足QUOTE的光子趨近高能級E2的原子時，有可能誘導(dǎo)高能級原子發(fā)射一個和自己性質(zhì)完全相同的光子，此受激輻射的光子與入射光子具有相同的頻率、方向和偏振狀態(tài)。因此，受激輻射是一種共振或相干過程，一個入射光子被放大為兩個光子。激活介質(zhì)：實現(xiàn)粒子數(shù)反轉(zhuǎn)的介質(zhì)具有對光的放大作用，它是能產(chǎn)生光的受激輻射并起放大作用的物質(zhì)體系。

第四章熱學(xué)性能4.1熱容與熱焓比熱容：單位質(zhì)量的物體溫度升高1K所需的熱量。熱容：質(zhì)量為m的物體溫度升高1K所需的熱量。在加熱與冷卻過程中外界壓力一定不變，稱為比定壓熱容；在加熱與冷卻過程中物體體積保持不變，則為比定容熱容。4.2熱膨脹熱膨脹：物體在加熱或冷卻時的熱脹冷縮現(xiàn)象。熱膨脹的物理本質(zhì)溫度升高，原子振幅增加，原子的位移和原子間相互作用力呈非線性和非對稱的關(guān)系，導(dǎo)致原子間距增大，因此產(chǎn)生熱膨脹。圖4-43、4-44，自己看書，目測不會考！！線膨脹系數(shù)：單位長度的材料在某一溫度區(qū)間，溫度每升高1K的平均伸長量。體膨脹系數(shù)：單位體積的材料在某一溫度區(qū)間，溫度每升高1K的體積變化量。4.3熱傳導(dǎo)熱傳導(dǎo)：由于材料相鄰部分間的溫差而發(fā)生的能量遷移。單位時間內(nèi)通過單位截面上的熱流密度q正比于該棒的溫度梯度QUOTEdTdxdTdx，即QUOTE。比例系數(shù)λ稱為熱導(dǎo)率。熱擴散率QUOTEa=位蟻cpa=位蟻c熱阻率QUOTE，合金固溶體的熱阻分為基本熱阻（本征熱阻）ω(T)和殘余熱阻ω0兩部分，ω=ω0+ω(T)。熱傳導(dǎo)的物理機制(1)電子導(dǎo)熱和聲子導(dǎo)熱：對純金屬而言，電子導(dǎo)熱時主要機制；在合金中聲子導(dǎo)熱的作用要增強；在半金屬或半導(dǎo)體內(nèi)聲子導(dǎo)熱常常與電子導(dǎo)熱相仿；在絕緣體內(nèi)幾乎只存在聲子導(dǎo)熱一種形式。(2)光子導(dǎo)熱：通?？梢圆豢紤]光子導(dǎo)熱，因為只有在極高溫下才可能有光子導(dǎo)熱存在。4.4熱電性在金屬導(dǎo)線組成的回路中，存在著溫差或通以電流時，