GBT-碳化硅拋光片表面質(zhì)量和微管的測試方法 共焦點(diǎn)微分干涉法編制說明

國家標(biāo)準(zhǔn)《碳化硅拋光片表面質(zhì)量和微管的測試方法共焦點(diǎn)微分干涉法》編制說明（送審稿）一、工作簡況1.立項(xiàng)目的和意義碳化硅材料是在近十年發(fā)展起來的第三代新型寬禁帶半導(dǎo)體材料。該材料具有高出傳統(tǒng)硅數(shù)倍的寬禁帶、漂移速度、擊穿電壓、熱導(dǎo)率、耐高溫等優(yōu)良特性，是典型的新材料?！吨攸c(diǎn)新材料首批次應(yīng)用示范指導(dǎo)目錄（2018版）》中“關(guān)鍵戰(zhàn)略材料”-“三、先進(jìn)半導(dǎo)體材料和新型顯示材料”中“146碳化硅單晶襯底”；《新材料標(biāo)準(zhǔn)領(lǐng)航行動計(jì)劃（2018-2020年）》中的“二（二）4先進(jìn)半導(dǎo)體材料”中“建立碳化硅、氮化鎵、氮化硼等第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料標(biāo)準(zhǔn)……”；《工業(yè)和信息化部、發(fā)展改革委、科技部、財(cái)政部關(guān)于印發(fā)新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展指南的通知》（工信部聯(lián)規(guī)[2016]454號）中“四、重點(diǎn)任務(wù)-（一）突破重點(diǎn)應(yīng)用領(lǐng)域急需的新材料”中“加強(qiáng)大尺寸硅材料、大尺寸碳化硅單晶……生產(chǎn)技術(shù)研發(fā)，解決極大規(guī)模集成電路材料制約”。隨著大數(shù)據(jù)傳輸、云計(jì)算、AI技術(shù)、物聯(lián)網(wǎng)，包括下一步的能源傳輸?shù)鹊牟粩嘟ㄔO(shè)，對網(wǎng)絡(luò)傳輸速度及容量提出了越來越高的要求，而碳化硅作為第三代高功率半導(dǎo)體新材料的代表，碳化硅器件已經(jīng)獲得了業(yè)界極大的期望和關(guān)注。面臨市場的快速普及，對碳化硅拋光片的質(zhì)量提出更高要求，高品質(zhì)的呼聲越發(fā)高漲。因此，快速檢測碳化硅單晶拋光片的表面質(zhì)量及微管密度，準(zhǔn)確統(tǒng)計(jì)各類缺陷的數(shù)量和分布，是改善碳化硅拋光片品質(zhì)、提高碳化硅拋光片產(chǎn)能的必要手段。本標(biāo)準(zhǔn)旨在確定一個(gè)準(zhǔn)確可靠的碳化硅拋光片微管密度及表面質(zhì)量檢測方法和標(biāo)準(zhǔn)化的檢測機(jī)制，這對于碳化硅拋光片的研發(fā)、生產(chǎn)和應(yīng)用過程中產(chǎn)品質(zhì)量的統(tǒng)一控制有重要的意義。2.任務(wù)來源根據(jù)《國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會關(guān)于下達(dá)2021年第一批推薦性國家標(biāo)準(zhǔn)計(jì)劃的通知》（國標(biāo)委發(fā)[2021]12號）的要求，由中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所負(fù)責(zé)制定《碳化硅拋光片表面質(zhì)量和微管的測試方法共焦點(diǎn)微分干涉法》，計(jì)劃編號為20210888-T-469，要求完成時(shí)間2023年4月。經(jīng)過原國標(biāo)委工業(yè)一部、工業(yè)二部認(rèn)可，半導(dǎo)體材料標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會（SAC/TC203）與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會（SAC/TC203/SC2）共同提出并歸口，具體見標(biāo)委工二函[2014]22號。3、主要工作過程3.1起草階段本標(biāo)準(zhǔn)的制定工作由中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所承擔(dān)?！短蓟钂伖馄砻尜|(zhì)量和微管的測試方法共焦點(diǎn)微分干涉法》項(xiàng)目正式立項(xiàng)后，起草單位即組織成立了標(biāo)準(zhǔn)起草工作組，討論并形成了制定工作計(jì)劃及任務(wù)分工。2021年9月，起草工作組完成國家標(biāo)準(zhǔn)《碳化硅拋光片表面質(zhì)量和微管的測試方法共焦點(diǎn)微分干涉法》的討論稿，并提交至全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會秘書處。2021年9月24日，全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會在安徽省蕪湖市組織召開了《碳化硅拋光片表面質(zhì)量和微管的測試方法共焦點(diǎn)微分干涉法》的討論會，北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司、中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所等19家單位的31名專家參加了會議，與會專家對標(biāo)準(zhǔn)的討論稿認(rèn)真地進(jìn)行了逐字逐句的討論，對本標(biāo)準(zhǔn)的技術(shù)要點(diǎn)內(nèi)容和文本質(zhì)量進(jìn)行了充分的討論，會議中專家對標(biāo)準(zhǔn)名稱、適用范圍、術(shù)語、測試環(huán)境、樣品、干擾因素、試驗(yàn)步驟等方面提出了修改意見，根據(jù)蕪湖會議的要求，編制組對討論稿進(jìn)行了修改和補(bǔ)充，于2021年10月完成了征求意見稿及編制說明。3.2、征求意見階段2021年9月編制組將征求意見稿及編制說明，發(fā)函半導(dǎo)體材料的生產(chǎn)、使用、檢測等相關(guān)單位廣泛征求意見。結(jié)合征求的意見，編制組對標(biāo)準(zhǔn)整體進(jìn)行梳理和修改，并于2022年10月再次將征求意見稿和編制說明發(fā)函征求意見。2021年7月～2021年9月，全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會在國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會的“國家標(biāo)準(zhǔn)化業(yè)務(wù)管理平臺”上掛網(wǎng)，向社會公開征求意見，未收到反饋意見。同時(shí)，標(biāo)委會還通過工作群、郵件向委員單位征求意見，并將征求意見資料在網(wǎng)站上掛網(wǎng)征求意見。征求意見的單位包括主要的生產(chǎn)、經(jīng)銷、使用、科研、檢驗(yàn)等，征求意見單位廣泛且具有代表性。征求意見期間，共發(fā)函20家單位，收到回復(fù)的單位為20家，其中有建議或意見的單位為2家，未回復(fù)的有0家。根據(jù)征求意見稿的回函情況，經(jīng)過編制組討論研究，提出具體修改意見及采納情況，填寫了標(biāo)準(zhǔn)征求意見稿意見匯總處理表，并對標(biāo)準(zhǔn)文本進(jìn)行修改，形成了《碳化硅拋光片表面質(zhì)量和微管的測試方法共焦點(diǎn)微分干涉法》標(biāo)準(zhǔn)送審稿。2023年2月，由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會組織，以線上的方式對《碳化硅拋光片表面質(zhì)量和微管的測試方法共焦點(diǎn)微分干涉法》標(biāo)準(zhǔn)第二次工作會議（預(yù)審會），其中有研半導(dǎo)體材料有限公司、中國計(jì)量科學(xué)研究院等19個(gè)單位22位專家參加了本次會議。與會專家對標(biāo)準(zhǔn)資料從標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)內(nèi)容和文本質(zhì)量等方面進(jìn)行了充分的討論，形成19條修改意見，具體見意見匯總表。2023年3月，編制組結(jié)合發(fā)函征求的意見、預(yù)審會會議意見以及巡回測試試驗(yàn)結(jié)果，對預(yù)審稿進(jìn)行了修改及相關(guān)內(nèi)容的補(bǔ)充和完善，形成了送審稿。4.標(biāo)準(zhǔn)承研單位概況及起草人所做的工作牽頭單位中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所是中國主要的半導(dǎo)體材料研發(fā)生產(chǎn)單位，經(jīng)過幾十年的發(fā)展，研究方向幾乎涵蓋全部半導(dǎo)體材料，包括硅、鍺、碳化硅、氮化鎵等，建立了多條主流半導(dǎo)體材料生產(chǎn)線，其中包括硅單晶片、鍺單晶片、GaAs單晶片等。中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所質(zhì)檢中心始建于1988年，現(xiàn)有工作人員41人，本科以上學(xué)歷人員占90%以上，獲得計(jì)量認(rèn)證證書、國家實(shí)驗(yàn)室資質(zhì)授權(quán)證書、實(shí)驗(yàn)室認(rèn)可證書。質(zhì)檢中心長期從事電子材料的物理性能、化學(xué)成分、結(jié)構(gòu)與表面特性的測試工作。在不斷強(qiáng)化技術(shù)實(shí)力和科研工作的基礎(chǔ)上，質(zhì)檢中心也十分重視標(biāo)準(zhǔn)化研究以及國家、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的制修訂工作，積極承擔(dān)標(biāo)準(zhǔn)化項(xiàng)目。質(zhì)檢中心擁有完整的半導(dǎo)體材料測量設(shè)備和儀器，多年來，憑借自身的技術(shù)優(yōu)勢，為國內(nèi)外客戶提供了大量的檢測服務(wù)。同時(shí)擁有一批高素質(zhì)的科研、生產(chǎn)和管理專業(yè)人才，曾制（修）訂了多項(xiàng)硅單晶材料測試標(biāo)準(zhǔn)，填補(bǔ)了多項(xiàng)國內(nèi)相關(guān)測試標(biāo)準(zhǔn)空白，有豐富的制（修）訂標(biāo)準(zhǔn)的經(jīng)驗(yàn)。本文件的主要起草單位為中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所、有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院有限責(zé)任公司等，其中中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所為牽頭單位，組織了標(biāo)準(zhǔn)起草和試驗(yàn)工作，有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院有限責(zé)任公司對標(biāo)準(zhǔn)各環(huán)節(jié)的稿件進(jìn)行了審查修改，確保標(biāo)準(zhǔn)符合GB/T1.1的要求。劉立娜、何烜坤等組織協(xié)調(diào)標(biāo)準(zhǔn)起草，開展試驗(yàn)復(fù)驗(yàn)工作，參與標(biāo)準(zhǔn)文本質(zhì)量的審查、修改和意見反饋等。二、標(biāo)準(zhǔn)編制原則及確定主要內(nèi)容的確定依據(jù)1、編制原則1)本文件編制主要依據(jù)GB/T1.1-2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》、GB/T20001.4-2015《標(biāo)準(zhǔn)編寫規(guī)則第4部分：試驗(yàn)方法標(biāo)準(zhǔn)》的原則進(jìn)行起草。2)考慮用戶的當(dāng)前使用要求及以后技術(shù)發(fā)展的潛在使用要求。3)考慮國內(nèi)生產(chǎn)企業(yè)的生產(chǎn)、測試現(xiàn)狀及技術(shù)發(fā)展趨勢。2、確定標(biāo)準(zhǔn)主要內(nèi)容的依據(jù)2.1、范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了4H及6H碳化硅拋光片表面質(zhì)量和微管密度的無損光學(xué)測量方法，表面質(zhì)量包括劃痕、凹坑、凸起、顆粒等。2.2、規(guī)范性引用文件將本標(biāo)準(zhǔn)中直接引用到的文件GB/T14264《半導(dǎo)體材料術(shù)語》、GB/T30656《碳化硅單晶拋光片》、GB50073《潔凈廠房設(shè)計(jì)規(guī)范》列入了第二章。2.3、術(shù)語和定義本標(biāo)準(zhǔn)中引用了GB/T14264《半導(dǎo)體材料術(shù)語》、GB/T30656《碳化硅單晶拋光片》、GB50073《潔凈廠房設(shè)計(jì)規(guī)范》中關(guān)于半導(dǎo)體材料凹坑、微管、顆粒、潔凈度等級等術(shù)語的定義。2.4、原理采用共焦點(diǎn)微分干涉光學(xué)系統(tǒng)，入射光通過諾馬斯基棱鏡和物鏡后照射到晶片表面，晶片表面反射的光線通過共聚焦光學(xué)系統(tǒng)到達(dá)檢測器（CCD），對待測晶片進(jìn)行全表面掃描，獲得晶片表面各個(gè)位置的真實(shí)圖像，與預(yù)設(shè)的各種缺陷的特征參數(shù)信息相比較，對采集到的缺陷進(jìn)行分類識別并對缺陷的數(shù)量進(jìn)行統(tǒng)計(jì)，可以獲得各類缺陷在晶片表面的分布圖，以及各類缺陷的數(shù)量。2.5、干擾因素本標(biāo)準(zhǔn)中干擾因素包括表面沾污、光源穩(wěn)定性等因素，說明如下：2.5.1晶片表面或者樣品臺上的沾污會對顆粒測試結(jié)果產(chǎn)生影響，可以通過保持環(huán)境潔凈度、清潔樣品表面、清潔樣品臺予以消除。2.5.2光源穩(wěn)定性的影響，可以通過選擇合適的校準(zhǔn)片對光源進(jìn)行校準(zhǔn)。2.5.3環(huán)境震動是缺陷圖片采集的不利因素，進(jìn)而影響劃痕、凹坑、凸起、顆粒、微管的識別。2.5.4樣品的表面粗糙度的影響，可以通過表面粗糙度測試對樣品進(jìn)行篩選。2.5.5參數(shù)設(shè)置影響表面缺陷分類的準(zhǔn)確性，對測試結(jié)果產(chǎn)生誤差。2.6、試驗(yàn)條件由于晶片表面潔凈程度對測試結(jié)果有直接影響，因此本方法要求測試環(huán)境溫度：23℃±3℃，環(huán)境濕度：相對濕度40%～70%，空氣潔凈度等級優(yōu)于ISO6級。2.7、儀器設(shè)備本方法主要采用共焦點(diǎn)微分干涉光學(xué)系統(tǒng)進(jìn)行檢測，該測試系統(tǒng)應(yīng)具備自動機(jī)械手臂、自動對位功能、能夠?qū)M(jìn)行全表面掃描或者對特定區(qū)域掃描，具有可變換的倍數(shù)的物鏡，能夠?qū)θ毕葸M(jìn)行自動識別、分類和計(jì)數(shù)，具備超高效空氣過濾器，檢測腔室內(nèi)空氣潔凈度等級達(dá)到J5級。同時(shí)具備電磁屏蔽、去靜電裝置、良好接地的測試機(jī)臺、工頻電源濾波裝置。2.8、樣品碳化硅拋光片表面粗糙度不超過0.5nm，本方法是將晶片表面缺陷的原始數(shù)字圖像生成一個(gè)彩色圖像，再根據(jù)圖像測量缺陷形狀和尺寸，晶片表面粗糙度過大，可能會造成對缺陷的誤判。樣品應(yīng)經(jīng)過潔凈清洗，確保晶片表面清潔，樣品表面沾污也會被當(dāng)做顆粒等缺陷誤判。2.9、試驗(yàn)步驟2.9.1儀器準(zhǔn)備儀器開機(jī)，光源預(yù)熱1h以上；確保自動裝載系統(tǒng)、共焦點(diǎn)微分干涉光學(xué)系統(tǒng)、數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)均處于正常工作狀態(tài)；選擇對應(yīng)的測試程序，進(jìn)行參數(shù)設(shè)置，其中波長為526nm；選擇合適的校準(zhǔn)片對光源進(jìn)行校準(zhǔn)；2.9.2樣品測試將待測晶片放入指定位置；輸入樣品編號和批次號等信息；對晶片進(jìn)行全表面掃描，按GB/T30656的規(guī)定去除晶片表面邊緣區(qū)域，邊緣去除區(qū)域也可由供需雙方協(xié)商一致。儀器自動取片、對位、聚焦及檢測，自動對各類缺陷進(jìn)行識別和統(tǒng)計(jì)。其中微管是晶體結(jié)晶過程中形成的缺陷，深度各異貫穿晶圓，觀察時(shí)多呈圓形，放大后圓周凹凸不平，見圖A.1。劃痕是加工制程產(chǎn)生的缺陷，呈直線狀，見圖A.2。凹坑在設(shè)備觀察時(shí)呈小圓形，圖像有明暗差，見圖A.3。凸起同樣呈小圓形，圖像有明暗差，但與凹坑存在差異，見圖A.4。顆粒是因空氣中浮游物等異物附著于晶圓表面，其在設(shè)備觀察時(shí)形狀各異，高度較大，見圖A.5。2.10精密度的計(jì)算試驗(yàn)樣品選用4H150.00mm碳化硅單晶片共6片，在不同實(shí)驗(yàn)室按本方法測量表面質(zhì)量和微管密度。三、標(biāo)準(zhǔn)水平分析本方法適用于經(jīng)化學(xué)機(jī)械拋光及最終清洗后的碳化硅拋光片的微管密度及表面質(zhì)量的快速檢測，可以通對整個(gè)拋光片表面掃描獲得不同類型缺陷的數(shù)量，測試方法簡單、快捷、準(zhǔn)確，促進(jìn)碳化硅單晶拋光片這一先進(jìn)半導(dǎo)體材料的發(fā)展，達(dá)到國際先進(jìn)水平。四、與現(xiàn)行法律、法規(guī)及強(qiáng)制性國家標(biāo)準(zhǔn)協(xié)調(diào)配套情況本標(biāo)準(zhǔn)不違反國家現(xiàn)行的有關(guān)法律、法規(guī)，與現(xiàn)行的國家標(biāo)準(zhǔn)、國家軍用標(biāo)準(zhǔn)、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)沒有沖突。五、重大分歧意見的處理經(jīng)過和依據(jù)在本標(biāo)準(zhǔn)編制過程中，沒有出現(xiàn)重大分歧意見。六、作為推薦性或強(qiáng)制性標(biāo)準(zhǔn)的建議建議將本標(biāo)準(zhǔn)作為推薦性國家標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布實(shí)施。七、貫徹標(biāo)準(zhǔn)的要求和措施建議本標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布后，建議由歸口單位、主編單位組織標(biāo)準(zhǔn)宣貫會，對標(biāo)準(zhǔn)文本進(jìn)行解讀，促進(jìn)標(biāo)準(zhǔn)的有效實(shí)施。八、廢止現(xiàn)行有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的建議由于國家標(biāo)準(zhǔn)體系中以前沒有此類標(biāo)準(zhǔn)，所以本標(biāo)準(zhǔn)頒布后，無需廢止任何現(xiàn)行有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。九、其他應(yīng)予說明的事項(xiàng)本標(biāo)準(zhǔn)是測試碳化硅單晶拋光片表面質(zhì)量和微管密度，未涉及專利問題，建議作為推薦性國家標(biāo)準(zhǔn)供大家使用，若對結(jié)果有疑義，以供需雙方商議的測試方法為準(zhǔn)。附件：國標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)《碳化硅拋光片表面質(zhì)量和微管密度的測試方法》試驗(yàn)報(bào)告。標(biāo)準(zhǔn)編制組2023年3月附件：國標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)《碳化硅拋光片表面質(zhì)量和微管密度的測試方法》試驗(yàn)報(bào)告一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康母鶕?jù)《碳化硅拋光片表面質(zhì)量和微管密度的測試方法》標(biāo)準(zhǔn)討論會會議精神，由中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所組織《碳化硅拋光片表面質(zhì)量和微管密度的測試方法》實(shí)驗(yàn)室見比對，評價(jià)碳化硅單晶拋光片表面質(zhì)量和微管密度的測試的重復(fù)性和再現(xiàn)性，作為標(biāo)準(zhǔn)文本中精密度要求。二、比對項(xiàng)目及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)1、比對項(xiàng)目碳化硅單晶拋光片表面質(zhì)量和微管密度的測試的測定。2、執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)《碳化硅拋光片表面質(zhì)量和微管密度的測試方法》2023預(yù)審稿。三、樣片的選取本次實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)選取不同表面質(zhì)量及微管密度的樣品，樣品共6片，均為4H150.00mm碳化硅單晶片，樣品編號為1#~6#，樣品由湖州東尼半導(dǎo)體科技有限公司和山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司提供，樣品編號和測試項(xiàng)目見表1。表1樣品編號編號規(guī)格型號測試項(xiàng)目1#T09903232306劃痕、凹坑、顆粒、微管密度2#T042042323113#T01106232C064#T050032324075#83609815CNF66#81011524CNE2四、測試要求1、樣品測試位置表面質(zhì)量及微管密度均進(jìn)行全面掃描，邊緣去除3mm。2、測試要求填寫表面質(zhì)量及微管密度有關(guān)參數(shù)，包括設(shè)備信息、環(huán)境條件、測量參數(shù)等，重復(fù)測定3次。3、注意事項(xiàng)測試樣品以流轉(zhuǎn)的方式進(jìn)行，為防止樣品被污染，拆封樣品均在超凈間進(jìn)行。五、主要試驗(yàn)（或驗(yàn)證）的分析1、參與單位情況參加碳化硅拋光片表面質(zhì)量和微管密度巡回測試的廠家有3家，分別為湖州東尼半導(dǎo)體科技有限公司、中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所、中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所（以下分別簡稱：東尼、13所、46所）。2、測試樣品情況（1）樣品流轉(zhuǎn)順序：東尼13所46所。（2）1#～6#樣品，參與比對的3家單位均給出了測試結(jié)果，每個(gè)樣品測試3次。3、試驗(yàn)條件匯總各實(shí)驗(yàn)室測試碳化硅拋光片表面質(zhì)量和微管密度時(shí)的試驗(yàn)條件見表2。表2碳化硅拋光片表面質(zhì)量和微管密度的測試條件實(shí)驗(yàn)室設(shè)備型號溫度℃濕度%RH檢測日期46所Sica6X23.023.02023.3.23東尼Sica8822.024.02023.3.313所Sica87plus22.023.02023.3.214、表面質(zhì)量和微管密度測試數(shù)據(jù)匯總各實(shí)驗(yàn)室測試碳化硅拋光片表面質(zhì)量和微管密度的試驗(yàn)數(shù)據(jù)見表3。表3碳化硅拋光片表面質(zhì)量和微管密度的試驗(yàn)數(shù)據(jù)測試單位湖州東尼半導(dǎo)體科技有限公司樣品編號劃痕（個(gè)）凹坑（個(gè)）顆粒（個(gè)）位錯密度(個(gè)/cm2)1#6582160.346622240.357712300.352#263723160.12271813220123#190344379060.03182049377520.04183551381550.044#64391446995.9967421047526.0859419747666.055#0116264810.080111363210.090117865010.096#1833300.031803370.031793510.04測試單位中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所樣品編號劃痕（個(gè)）凹坑（個(gè)）顆粒（個(gè)）位錯密度(個(gè)/cm2)1#5671930.415721970.386732060.382#29192275013302803110.143#218151358060.05216065361020.06220562362080.064#74420748466.2782431249206.4976427949316.365#0128867810.090127469600.090129566100.106#1964010.041864300.041914120.03測試單位中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所樣品編號劃痕（個(gè)）凹坑（個(gè)）顆粒（個(gè)）位錯密度(個(gè)/cm2)1#7811900.427851960.438832170.432#23596243013247882550.173#173560369100.05178974358790.05175669366010.044#76424649126.4778431249786.3676436949696.405#0132065780.090124766120.110128766100.116#1923480.041943500.041943560.035、表面質(zhì)量和微管密度測試數(shù)據(jù)分析（1）計(jì)算單個(gè)實(shí)驗(yàn)室對每個(gè)樣品測試3次表面質(zhì)量和微管密度的平均值，單個(gè)實(shí)驗(yàn)室表面質(zhì)量和微管密度平均值的計(jì)算結(jié)果見表4。表4表面質(zhì)量和微管密度的單個(gè)實(shí)驗(yàn)室平均值測試單位湖州東尼半導(dǎo)體科技有限公司樣品編號劃痕（個(gè)）凹坑（個(gè)）顆粒（個(gè)）位錯密度(個(gè)/cm2)1#6642230.352#271773210.123#185348379380.044#63410747396.045#0115164340.096#1813390.03測試單位中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所樣品編號劃痕（個(gè)）凹坑（個(gè)）顆粒（個(gè)）位錯密度(個(gè)/cm2)1#5711990.392#299872910.133#218259360390.064#77426648996.375#0128667840.096#1914140.04測試單位中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所樣品編號劃痕（個(gè)）凹坑（個(gè)）顆粒（個(gè)）位錯密度(個(gè)/cm2)1#7832010.432#242922500.153#176068364630.054#77430949536.415#0128566000.106#1933510.04（2）計(jì)算單個(gè)實(shí)驗(yàn)室的對每個(gè)樣品測試3次表面質(zhì)量和微管密度的相對標(biāo)準(zhǔn)偏差，單個(gè)實(shí)驗(yàn)室表面質(zhì)量和微管密度的相對標(biāo)準(zhǔn)偏差的計(jì)算結(jié)果見表5。表5表面質(zhì)量和微管密度的單個(gè)實(shí)驗(yàn)室相對標(biāo)準(zhǔn)偏差單位：%測試單位湖州東尼半導(dǎo)體科技有限公司樣品編號劃痕凹坑顆粒位錯密度1#9.1210.463.141.672#2.776.111.434.683#2.397.510.5415.754#6.384.070.750.765#0.002.941.536.666#0.002.583.1515.75測試單位中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所樣品編號劃痕凹坑顆粒位錯密度1#10.834.553.354.442#2.467.056.304.333#1.0312.420.5810.194#5.381.260.941.745#0.000.832.586.196#0.005.493.5317.32測試單位中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所樣品編號劃痕凹坑顆粒位錯密度1#7.872.417.051.352#2.654.382.5014.193#1.5510.481.4512.374#1.511.430.720.875#0.002.850.2911.176#0.001.241.1915.75（3）利用每個(gè)實(shí)驗(yàn)室提供的測試數(shù)據(jù)，計(jì)算單個(gè)實(shí)驗(yàn)室的重復(fù)性以及不同實(shí)驗(yàn)室的再現(xiàn)性。計(jì)算結(jié)果見表6-9。表6劃痕數(shù)據(jù)分析樣品編號實(shí)驗(yàn)數(shù)平均劃痕（個(gè)）最大相對標(biāo)準(zhǔn)偏差%單個(gè)實(shí)驗(yàn)室重復(fù)性，≤不同實(shí)驗(yàn)室再現(xiàn)性，≤1#3610.8310.83%16.67%2#32712.772.77%10.53%3#319322.392.39%11.48%4#3726.386.38%11.17%5#300.000.00%0.00%6#310.000.00%0.00%表7凹坑數(shù)據(jù)分析樣品編號實(shí)驗(yàn)數(shù)平均凹坑（個(gè)）最大相對標(biāo)準(zhǔn)偏差%單個(gè)實(shí)驗(yàn)室重復(fù)性，≤不同實(shí)驗(yàn)室再現(xiàn)性，≤1#37310.