半導(dǎo)體存儲器行業(yè)發(fā)展概覽報告2024-2026

2024-2026半導(dǎo)體存儲器行業(yè)發(fā)展概覽報告匯報人：薛木凡2024-08-01FROMBAIDUWENKU定義或者分類特點產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展歷程政治環(huán)境商業(yè)模式目錄CONTENTSFROMBAIDUWENKU經(jīng)濟(jì)環(huán)境社會環(huán)境技術(shù)環(huán)境發(fā)展驅(qū)動因素行業(yè)壁壘行業(yè)風(fēng)險行業(yè)現(xiàn)狀行業(yè)痛點問題及解決方案行業(yè)發(fā)展趨勢前景機(jī)遇與挑戰(zhàn)競爭格局經(jīng)濟(jì)環(huán)境社會環(huán)境技術(shù)環(huán)境發(fā)展驅(qū)動因素行業(yè)壁壘行業(yè)風(fēng)險行業(yè)現(xiàn)狀目錄CONTENTSFROMBAIDUWENKU行業(yè)痛點問題及解決方案行業(yè)發(fā)展趨勢前景機(jī)遇與挑戰(zhàn)競爭格局01定義或者分類特點FROMBAIDUWENKUCHAPTER什么是半導(dǎo)體存儲器半導(dǎo)體存儲器又稱存儲芯片，是以半導(dǎo)體電路作為存儲媒介的存儲器，用于保存二進(jìn)制數(shù)據(jù)的記憶設(shè)備，是現(xiàn)代數(shù)字系統(tǒng)的重要組成部分。半導(dǎo)體存儲器具有體積小、存儲速度快等特點，廣泛應(yīng)用于內(nèi)存、U盤、消費電子、智能終端、固態(tài)存儲硬盤等領(lǐng)域。根據(jù)功能的不同，半導(dǎo)體存儲器可分為隨機(jī)存儲器（RAM）和只讀存儲器（ROM）兩類:隨機(jī)存儲器（RAM）:RandomAccessMemory，即隨機(jī)存儲器，也叫主存，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器。RAM可隨時讀寫且速度快，但任何RAM中存儲的信息在斷電后，所存儲的數(shù)據(jù)將丟失。（2）只讀存儲器（ROM）:只讀存儲器是一種只能讀取事先存儲的固態(tài)半導(dǎo)體存儲器，ROM所存數(shù)據(jù)穩(wěn)定，即使斷電后所存數(shù)據(jù)也不會改變。ROM的制造成本低，常用于存儲各種固定程序和數(shù)據(jù)。根據(jù)可編程或可抹除可編程功能，ROM可分為PROM、EPROM、OTPROM、EEPROM和FlashMemory。FlashMemory是當(dāng)前主流存儲器，其結(jié)合了ROM和RAM的特點，不僅具備電子可擦除可編程的性能，能夠快速讀取數(shù)據(jù)而且斷電時不會丟失數(shù)據(jù)，主要用于U盤、MP3、硬盤等產(chǎn)品。定義02產(chǎn)業(yè)鏈FROMBAIDUWENKUCHAPTER硅片、光刻膠、拋光液、光刻機(jī)、刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備、檢測測試設(shè)備上游半導(dǎo)體存儲器制造商中游消費電子、信息通信、汽車電子、硬盤、內(nèi)存、U盤下游產(chǎn)業(yè)鏈01020303發(fā)展歷程FROMBAIDUWENKUCHAPTER04政治環(huán)境FROMBAIDUWENKUCHAPTER描述工信部:《集成電路產(chǎn)業(yè)“十二五”發(fā)展規(guī)劃》:指出要著力發(fā)展芯片設(shè)計業(yè)，開發(fā)高性能基礎(chǔ)電路產(chǎn)品，突破數(shù)字信號處理器（DSP）、存儲器等高端通用芯片，加強(qiáng)體系架構(gòu)、算法、軟硬件協(xié)同等設(shè)計研究，開發(fā)動態(tài)隨機(jī)存儲器(DRAM)等高端通用芯片，批量應(yīng)用于黨政軍和重大行業(yè)信息化領(lǐng)域，形成產(chǎn)業(yè)化和參與市場競爭的能力。工信部:《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》:針對集成電路制造環(huán)節(jié)，提出要加快存儲芯片規(guī)?；慨a(chǎn)，支持3DNANDFlash，適時布局DRAM和新型存儲器。與此同時，為了加快云計算、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)等新興領(lǐng)域核心技術(shù)研發(fā)，此政策還提出要開發(fā)基于新業(yè)態(tài)、新應(yīng)用的信息處理、傳感器、新型存儲等關(guān)鍵芯片及云操作系統(tǒng)等基礎(chǔ)軟件，提升信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)整體競爭力。:《國家信息化發(fā)展戰(zhàn)略綱要》:提出構(gòu)建先進(jìn)技術(shù)體系的規(guī)劃，即打造國際先進(jìn)、安全可控的核心技術(shù)體系，帶動集成電路、核心元器件等薄弱環(huán)節(jié)并實現(xiàn)根本性突破。政治環(huán)境1政治環(huán)境工信部《集成電路產(chǎn)業(yè)“十二五”發(fā)展規(guī)劃》:指出要著力發(fā)展芯片設(shè)計業(yè)，開發(fā)高性能基礎(chǔ)電路產(chǎn)品，突破數(shù)字信號處理器（DSP）、存儲器等高端通用芯片，加強(qiáng)體系架構(gòu)、算法、軟硬件協(xié)同等設(shè)計研究，開發(fā)動態(tài)隨機(jī)存儲器(DRAM)等高端通用芯片，批量應(yīng)用于黨政軍和重大行業(yè)信息化領(lǐng)域，形成產(chǎn)業(yè)化和參與市場競爭的能力。工信部《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》:針對集成電路制造環(huán)節(jié)，提出要加快存儲芯片規(guī)?；慨a(chǎn)，支持3DNANDFlash，適時布局DRAM和新型存儲器。與此同時，為了加快云計算、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)等新興領(lǐng)域核心技術(shù)研發(fā)，此政策還提出要開發(fā)基于新業(yè)態(tài)、新應(yīng)用的信息處理、傳感器、新型存儲等關(guān)鍵芯片及云操作系統(tǒng)等基礎(chǔ)軟件，提升信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)整體競爭力。政治環(huán)境《國家高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)“十三五”發(fā)展規(guī)劃》提出要優(yōu)化產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)，推進(jìn)集成電路及專用設(shè)備關(guān)鍵核心技術(shù)的突破和應(yīng)用《關(guān)于集成電路生產(chǎn)企業(yè)有關(guān)企業(yè)所得稅政策問題的通知》提出從2018年1月1日后投資新設(shè)的集成電路線寬小于130納米，且經(jīng)營期在10年以上的集成電路生產(chǎn)企業(yè)享受“兩免三減半”，即第一年至第二年免征企業(yè)所得稅，第三年至第五年按照25%的法定稅率減半征收企業(yè)所得稅；線寬小于65納米或投資額超過150億元，且經(jīng)營期在15年以上的集成電路生產(chǎn)企業(yè)享受“五免五減半”，即第一年至第五年免征企業(yè)所得稅，第六年至第十年按照25%的法定稅率減半征收企業(yè)所得稅，并享受至期滿為止。《關(guān)于發(fā)布集成電路工程技術(shù)人員等職業(yè)信息的通知》為貫徹落實《關(guān)于推行終身職業(yè)技能培訓(xùn)制度的意見》提出的“緊跟新技術(shù)、新職業(yè)發(fā)展變化，建立職業(yè)分類動態(tài)調(diào)整機(jī)制，加快職業(yè)標(biāo)準(zhǔn)開發(fā)工作”要求，加快構(gòu)建與國際接軌、符合我國國情的現(xiàn)代職業(yè)分類體系，根據(jù)《中華人民共和國勞動法》有關(guān)規(guī)定，面向社會持續(xù)公開征集新職業(yè)信息?！蛾P(guān)于支持集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)口稅收政策管理辦法的通知》集成電路線寬小于65納米的邏輯電路、存儲器生產(chǎn)企業(yè)進(jìn)口國內(nèi)不能生產(chǎn)或性能不能滿足需求的自用生產(chǎn)性原材料、消耗品等免征進(jìn)口關(guān)稅；集成電路用光刻膠、掩模版、8英寸及以上硅片生產(chǎn)企業(yè)，進(jìn)口國內(nèi)不能生產(chǎn)或性能不能滿足需求的凈化室專用建筑材料、配套系統(tǒng)和生產(chǎn)設(shè)備（包括進(jìn)口設(shè)備和國產(chǎn)設(shè)備）零配件等免征進(jìn)口關(guān)稅。05商業(yè)模式FROMBAIDUWENKUCHAPTER06經(jīng)濟(jì)環(huán)境FROMBAIDUWENKUCHAPTER我國經(jīng)濟(jì)不斷發(fā)展，幾度趕超世界各國，一躍而上，成為GDP總量僅次于美國的唯一一個發(fā)展中國家。我國經(jīng)濟(jì)趕超我國人口基數(shù)大，改革開放后人才競爭激烈，大學(xué)生就業(yè)情況一直困擾著我國發(fā)展過程中。就業(yè)問題挑戰(zhàn)促進(jìn)社會就業(yè)公平問題需持續(xù)關(guān)注并及時解決，個人需提前做好職業(yè)規(guī)劃與人生規(guī)劃重中之重。公平就業(yè)關(guān)注經(jīng)濟(jì)環(huán)境07社會環(huán)境FROMBAIDUWENKUCHAPTER總體發(fā)展穩(wěn)中向好我國總體發(fā)展穩(wěn)中向好，宏觀環(huán)境穩(wěn)定繁榮，對于青年人來說，也是機(jī)遇無限的時代。關(guān)注就業(yè)公平與提前規(guī)劃促進(jìn)社會就業(yè)公平問題需持續(xù)關(guān)注并及時解決，對于個人來說提前做好職業(yè)規(guī)劃、人生規(guī)劃也是人生發(fā)展的重中之重。就業(yè)問題與人才競爭我國人口基數(shù)大，就業(yè)問題一直是發(fā)展過程中面臨的挑戰(zhàn)，人才競爭激烈，大學(xué)生畢業(yè)后就業(yè)情況、失業(yè)人士困擾國家發(fā)展。政治體系與法治化進(jìn)程自改革開放以來，政治體系日趨完善，法治化進(jìn)程也逐步趨近完美，市場經(jīng)濟(jì)體系也在不斷蓬勃發(fā)展。中國當(dāng)前的環(huán)境下描述了當(dāng)前技術(shù)發(fā)展的日新月異，包括人工智能、大數(shù)據(jù)、云計算等前沿技術(shù)的涌現(xiàn)。技術(shù)環(huán)境需求增長、消費升級、技術(shù)創(chuàng)新等是行業(yè)發(fā)展的主要驅(qū)動因素，推動了行業(yè)的進(jìn)步。發(fā)展驅(qū)動因素行業(yè)壁壘包括資金、技術(shù)、人才、品牌、渠道等方面的優(yōu)勢，提高了新進(jìn)入者的難度。行業(yè)壁壘我國經(jīng)濟(jì)不斷發(fā)展08技術(shù)環(huán)境FROMBAIDUWENKUCHAPTER技術(shù)驅(qū)動技術(shù)環(huán)境的發(fā)展為行業(yè)帶來了新的機(jī)遇，是行業(yè)發(fā)展的重要驅(qū)動力。創(chuàng)新動力技術(shù)環(huán)境的不斷創(chuàng)新和進(jìn)步，為行業(yè)的創(chuàng)新發(fā)展提供了有力支持。人才需求技術(shù)環(huán)境的發(fā)展促進(jìn)了人才的需求和流動，為行業(yè)的人才隊伍建設(shè)提供了機(jī)遇。團(tuán)隊建設(shè)技術(shù)環(huán)境的發(fā)展要求企業(yè)加強(qiáng)團(tuán)隊建設(shè)，提高員工的技能和素質(zhì)，以適應(yīng)快速變化的市場需求。合作與交流技術(shù)環(huán)境的發(fā)展促進(jìn)了企業(yè)間的合作與交流，推動了行業(yè)的整體發(fā)展。技術(shù)環(huán)境010203040509發(fā)展驅(qū)動因素FROMBAIDUWENKUCHAPTER發(fā)展驅(qū)動因素在國家政策和資金雙輪扶持下，中國半導(dǎo)體存儲器企業(yè)間合作促進(jìn)半導(dǎo)體存儲器產(chǎn)業(yè)化布局，加快資源整合的步伐，加速完善中國在3DNAND和DRAM的產(chǎn)業(yè)建設(shè)，為中國半導(dǎo)體存儲器行業(yè)帶來了強(qiáng)勁的增長動力。現(xiàn)階段，長江存儲、合肥長鑫、福建晉華這三家企業(yè)已成為中國半導(dǎo)體存儲器行業(yè)的三大領(lǐng)先企業(yè)。政策支持近年來，中國政府頒布《智能制造》、《“十三五”國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》、《智能制造發(fā)展規(guī)劃（2016-2020）》等一系列政策，大力發(fā)展AI、物聯(lián)網(wǎng)、云計算等高新技術(shù)，促進(jìn)集成電路行業(yè)發(fā)展。半導(dǎo)體存儲器是集成電路的重要分支，半導(dǎo)體存儲器需求占整體集成電路市場的20%左右。因此，在全球集成電路行業(yè)向中國轉(zhuǎn)移的大勢下，國際半導(dǎo)體存儲器制造商相繼在中國建廠，如英特爾、三星、海力士均已在中國布局半導(dǎo)體存儲器市場，建立半導(dǎo)體存儲制造廠，帶動了中國半導(dǎo)體存儲器產(chǎn)能增長以及產(chǎn)業(yè)調(diào)整和優(yōu)化升級，為中國半導(dǎo)體存儲器行業(yè)帶來新的增長動力。集成電路行業(yè)持續(xù)向好，刺激半導(dǎo)體存儲器市場發(fā)展以智能手機(jī)、計算機(jī)等消費電子領(lǐng)域和云計算、大數(shù)據(jù)等高新科技技術(shù)領(lǐng)域為代表的半導(dǎo)體存儲器應(yīng)用推動了半導(dǎo)體存儲器市場需求增長，促進(jìn)半導(dǎo)體存儲器市場不斷擴(kuò)大。下游應(yīng)用市場需求激增中國作為全球電子產(chǎn)品的主要加工地，同時擁有著全球最多的網(wǎng)民，對于存儲器的需求量龐大，但由于國內(nèi)存儲芯片技術(shù)限制，目前我國半導(dǎo)體存儲器仍大量依賴進(jìn)口，行業(yè)進(jìn)口替代空間廣闊。半導(dǎo)體存儲器進(jìn)口替代空間廣闊10行業(yè)壁壘FROMBAIDUWENKUCHAPTER11行業(yè)風(fēng)險FROMBAIDUWENKUCHAPTER12行業(yè)現(xiàn)狀FROMBAIDUWENKUCHAPTER市場情況描述行業(yè)現(xiàn)狀在國家大力支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的大背景下，中國半導(dǎo)體存儲器基地于2016年開工建設(shè)。半導(dǎo)體行業(yè)迅速發(fā)展推動中國半導(dǎo)體存儲器應(yīng)用場景不斷拓寬。在“中國制造2025”計劃推行的背景下，中國半導(dǎo)體存儲器行業(yè)研究加快。當(dāng)前中國半導(dǎo)體存儲器在各領(lǐng)域的應(yīng)用處于起步發(fā)展階段，可成熟應(yīng)用各相關(guān)半導(dǎo)體存儲器產(chǎn)品的企業(yè)數(shù)量稀少。全球DRAM、NORFlash、NANDFlash市場被韓國、日本、美國企業(yè)所占據(jù)，其中韓國三星、海力士和美國美光三家制造商在DRAM和NANDFlash兩種主流存儲芯片占據(jù)了65%~70%的市場。在國家政策的扶持下，中國半導(dǎo)體存儲器制造商在引進(jìn)國外技術(shù)和自主研發(fā)基礎(chǔ)上持續(xù)提升研發(fā)及應(yīng)用水平，中國長江存儲、合肥長鑫、福建晉華、兆易創(chuàng)新四家制造商在半導(dǎo)體存儲器研發(fā)力度不斷增強(qiáng)，在DRAM和Flash領(lǐng)域突破技術(shù)壁壘。中國長江存儲已成功研發(fā)和生產(chǎn)32層3DNAND，合肥長鑫也完成19納米DRAM研發(fā)，兆易創(chuàng)新突破國外廠商在中低端容量的NORFlash技術(shù)壁壘，推出各類NORFlash產(chǎn)品。然而中國對國外半導(dǎo)體存儲器技術(shù)依賴性高，與國外半導(dǎo)體存儲器制造商相比，中國半導(dǎo)體存儲器市場不具備市場競爭力，在半導(dǎo)體存儲器仍需進(jìn)一步增強(qiáng)自身競爭力。行業(yè)現(xiàn)狀01市場份額變化半導(dǎo)體存儲器是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息數(shù)據(jù)的重要核心部件，受益于各國政府對半導(dǎo)體存儲器行業(yè)發(fā)展的支持，全球半導(dǎo)體存儲器廠商積極推進(jìn)存儲器生產(chǎn)線擴(kuò)張以實現(xiàn)產(chǎn)能釋放。在經(jīng)歷2013～2014年連續(xù)增長后，2015年全球半導(dǎo)體存儲器市場陷入困境，其主要原因是存儲器廠商產(chǎn)品良率提升緩慢等因素。與此同時，2015年全球大宗商品跌價、貿(mào)易和資本流動疲軟，導(dǎo)致2015全球經(jīng)濟(jì)增長低于預(yù)期。受整體經(jīng)濟(jì)形勢低迷影響，消費電子產(chǎn)品行業(yè)增速放緩致使半導(dǎo)體存儲器市場低迷，導(dǎo)致半導(dǎo)體存儲器庫存增多，從而致使全球半導(dǎo)體存儲器供需局面惡化，產(chǎn)品價格暴跌。直到2016年下半年，全球經(jīng)濟(jì)回暖，消費電子市場向好，智能手機(jī)從1G、2G逐步發(fā)展到4G，促使智能手機(jī)的RAM內(nèi)存的提升，刺激RAM存儲器需求，帶動半導(dǎo)體存儲器銷量逐漸增加上升。2017年，行業(yè)龍頭Flash廠商從2D向3D制程工藝過渡，加上2017年服務(wù)器市場及移動市場對存儲器容量需求激增，2017年全球半導(dǎo)體存儲器銷售規(guī)模接近1,240.3億美元，較2016年增長58%。2018年，伴隨著全球存儲器廠商產(chǎn)品良率上升，全球半導(dǎo)體存儲器廠商擴(kuò)產(chǎn)產(chǎn)能逐步釋放，2018年全球半導(dǎo)體存儲器銷售規(guī)模達(dá)到1,512億美元行業(yè)現(xiàn)狀02市場情況在全球電子信息行業(yè)發(fā)展加快和存儲器技術(shù)日益成熟的驅(qū)動下，全球電子行業(yè)產(chǎn)品將迎來新一輪變革。新一代云服務(wù)、物聯(lián)網(wǎng)等高新科技產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將推動全球半導(dǎo)體存儲器應(yīng)用終端領(lǐng)域擴(kuò)大，成為推動半導(dǎo)體存儲器行業(yè)發(fā)展的主要動力，半導(dǎo)體存儲器銷售規(guī)模有望進(jìn)一步擴(kuò)大。長期來看，隨著中國合肥長鑫、福建晉華和長江存儲等本土企業(yè)不斷提升研發(fā)創(chuàng)新能力和制造工藝技術(shù)水平，本土品牌有望迅速壯大，逐步參與全球半導(dǎo)體存儲器市場。未來五年內(nèi)，全球半導(dǎo)體存儲器產(chǎn)能將加速釋放，產(chǎn)品在下游應(yīng)用領(lǐng)域內(nèi)的滲透率將持續(xù)提升，且下游應(yīng)用需求將保持增長趨勢。2023年全球半導(dǎo)體存儲器銷售規(guī)模將達(dá)到2,689億美元，市場發(fā)展勢頭良好。行業(yè)現(xiàn)狀半導(dǎo)體存儲器進(jìn)口替代空間廣闊中國作為全球電子產(chǎn)品的主要加工地，同時擁有著全球最多的網(wǎng)民，對于存儲器的需求量龐大，但由于國內(nèi)存儲芯片技術(shù)限制，目前我國半導(dǎo)體存儲器仍大量依賴進(jìn)口，行業(yè)進(jìn)口替代空間廣闊。數(shù)據(jù)顯示，截至2020年我國半導(dǎo)體存儲器進(jìn)出口額分別為6607億元、3890.5億元，實現(xiàn)貿(mào)易逆差高達(dá)2712億元。01從存儲器細(xì)分產(chǎn)品來看DRAM和NANDFlash占據(jù)了存儲芯片95%以上的市場份額。根據(jù)ICInsights發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，DRAM銷售額在2020年約占整個存儲市場的53%，F(xiàn)lash的比重約達(dá)到45%，其中NANDFlash占比達(dá)44%，NORFlash占比達(dá)1%。0213行業(yè)痛點FROMBAIDUWENKUCHAPTER專業(yè)人才缺乏半導(dǎo)體存儲器是集成電路重要的分支，半導(dǎo)體存儲器人才不僅需要掌握化學(xué)、物理、電子自動化、半導(dǎo)體行業(yè)的專業(yè)知識，也要具備存儲芯片設(shè)計、制造能力。因此半導(dǎo)體存儲器人才需求呈現(xiàn)多樣性特點，半導(dǎo)體存儲器制造商對多學(xué)科交叉的復(fù)合型人才需求較大。在國家利好的政策的推動下，自2003年以來，中國科技部和教育部批準(zhǔn)并構(gòu)建了以清華大學(xué)、北京大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、浙江大學(xué)等為代表的高校建設(shè)國家集成電路人才培養(yǎng)基地，中國集成電路人才培養(yǎng)基地的布局初步形成。但由于半導(dǎo)體存儲器行業(yè)是尖端技術(shù)，半導(dǎo)體存儲器領(lǐng)域內(nèi)的實際工作要求技術(shù)人員具備較強(qiáng)的實際操作經(jīng)驗，也要求從業(yè)人員長期學(xué)習(xí)并在工作不斷累積操作經(jīng)驗，還要求技術(shù)人才對先進(jìn)高端設(shè)備與軟件操作有一定適應(yīng)性能力。而中國半導(dǎo)體存儲器行業(yè)發(fā)展時間較短，現(xiàn)階段還處在初步發(fā)展期，專業(yè)人才技術(shù)基礎(chǔ)仍較為薄弱。即使中國已擁有集成電路人才培養(yǎng)基地，但中國高端半導(dǎo)體存儲器人才仍處于呈現(xiàn)稀缺狀態(tài)。技術(shù)基礎(chǔ)薄弱半導(dǎo)體存儲器行業(yè)屬于技術(shù)密集型產(chǎn)業(yè)，中國半導(dǎo)體存儲器行業(yè)起步晚，缺乏技術(shù)經(jīng)驗累積，致使中國半導(dǎo)體存儲器技術(shù)基礎(chǔ)較為薄弱。雖然中國本土長江存儲、合肥長鑫和福州晉華三大半導(dǎo)體存儲器企業(yè)已逐步完善NAND和DRAM產(chǎn)業(yè)布局，但各家半導(dǎo)體存儲器產(chǎn)品仍處于投產(chǎn)初期，尚未實現(xiàn)產(chǎn)品的規(guī)模量產(chǎn)。與國外半導(dǎo)體存儲器制造商相比，中國半導(dǎo)體存儲器技術(shù)基礎(chǔ)薄弱。資本壁壘和技術(shù)壁壘較高半導(dǎo)體存儲器行業(yè)屬于資本和技術(shù)密集型行業(yè)，資本壁壘和技術(shù)壁壘較高，目前行業(yè)內(nèi)僅有少數(shù)幾家規(guī)模和技術(shù)實力較為雄厚的企業(yè)可以實現(xiàn)半導(dǎo)體存儲器的生產(chǎn)，行業(yè)集中度較高。與國外半導(dǎo)體存儲器行業(yè)對比，我國半導(dǎo)體存儲器企業(yè)實力較為薄弱。大陸龍頭企業(yè)兆易創(chuàng)新2020年半導(dǎo)體存儲器銷售額383億元，占國內(nèi)總營收份額僅7%。030201行業(yè)痛點14問題及解決方案FROMBAIDUWENKUCHAPTER15行業(yè)發(fā)展趨勢前景FROMBAIDUWENKUCHAPTER發(fā)展趨勢前景描述新型半導(dǎo)體存儲器研發(fā)步伐加快:目前市場主流存儲器產(chǎn)品是DRAM和NAND。但隨著信息化進(jìn)程加快和用戶數(shù)據(jù)保護(hù)意識增加，現(xiàn)有半導(dǎo)體存儲器的不足逐步凸顯，無法適應(yīng)新興產(chǎn)業(yè)的需求。如DRAM雖然數(shù)據(jù)訪問速度快，但容量小，斷電后數(shù)據(jù)丟失；而NAND雖然容量大，但訪問速度慢。因此，半導(dǎo)體存儲器制造商積極研發(fā)新型半導(dǎo)體存儲器，以同時滿足DRAM高速度、高壽命和NAND低成本、非易失的特點。在此背景下，各大半導(dǎo)體存儲器制造商推出了磁阻存儲器、相變存儲器、阻變存儲器等新型半導(dǎo)體存儲器，且針對這些新型半導(dǎo)體存儲器進(jìn)行專利布局。從專利申請數(shù)量上看，目前半導(dǎo)體存儲器巨頭三星、東芝、美光和海力士在這三種新型半導(dǎo)體存儲器布局大量專利，其中三星在磁阻存儲器、相變存儲器、阻變存儲器專利數(shù)量位居第一，專利數(shù)量達(dá)到4,645件，領(lǐng)先其他半導(dǎo)體存儲器制造商。目前新型半導(dǎo)體存儲器研發(fā)步伐加快，各類新型半導(dǎo)體存儲器產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程各不相同，產(chǎn)業(yè)路徑還未明確，但新型半導(dǎo)體存儲器將成為未來行業(yè)新的主導(dǎo)方向。中國半導(dǎo)體存儲器技術(shù)進(jìn)步:在中國“互聯(lián)網(wǎng)+”持續(xù)發(fā)展的背景下，中國信息化進(jìn)程加快，視頻、監(jiān)控、數(shù)字電視、社交網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用逐漸普及，中國“數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)”時代刺激新興市場及個人消費者對存儲芯片的市場需求快速增長。受此影響，中國政府通過政策引導(dǎo)和產(chǎn)業(yè)資金扶持，鼓勵本土半導(dǎo)體存儲器企業(yè)加強(qiáng)技術(shù)研發(fā)，以減少與國外企業(yè)的差距，實現(xiàn)中國半導(dǎo)體存儲器自主研發(fā)，加快國產(chǎn)化進(jìn)口。當(dāng)前中國形成了以長江存儲為代表的NAND生產(chǎn)商，以合肥長鑫和福州晉華為代表的DRAM制造商的行業(yè)布局。整體而言，國內(nèi)外半導(dǎo)體存儲器企業(yè)之間合作研發(fā)力度加大，半導(dǎo)體企業(yè)和半導(dǎo)體存儲器企業(yè)合作愈加緊密，本土半導(dǎo)體存儲器企業(yè)研發(fā)動力不斷增強(qiáng)，中國有望在5年內(nèi)提高半導(dǎo)體存儲器技術(shù)水平，提升產(chǎn)品本土自給率。行業(yè)集中度將會進(jìn)一步提升:在國家政策的支持以及激烈市場競爭的驅(qū)動下，未來我國半導(dǎo)體存儲器行業(yè)競爭將會更加激烈，實力不足的小企業(yè)將會被迫退出市場，行業(yè)集中度將會進(jìn)一步提升。行業(yè)發(fā)展趨勢前景16機(jī)遇與挑戰(zhàn)FROMBAIDUWENKUCHAPTER17競爭格局FROMBAIDUWENKUCHAPTER競爭格局半導(dǎo)體存儲器行業(yè)屬于技術(shù)、資金雙密集產(chǎn)業(yè)，產(chǎn)品設(shè)計周期長、工藝復(fù)雜、資金投入高，對企業(yè)研發(fā)能力、技術(shù)經(jīng)驗積累、資金實力均有較高的要求。因此，行業(yè)內(nèi)從事相關(guān)產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)的企業(yè)數(shù)量稀少，參與主體主要以規(guī)模較大和資金實力雄厚的廠商為主，行業(yè)市場集中度高。受半導(dǎo)體存儲器行業(yè)專業(yè)性強(qiáng)等因素的影響，單一廠商難以掌握多門跨領(lǐng)域的材料工藝技術(shù)，導(dǎo)致中國半導(dǎo)體材料行業(yè)布局較為分散，在不同細(xì)分的應(yīng)用領(lǐng)域呈現(xiàn)出不同的競爭格局，具體表現(xiàn)如下:（1）在DRAM方面，以合肥長鑫和福州晉華為代表的DRAM廠商在DRAM研發(fā)設(shè)計、銷售方面的發(fā)展水平較高。其中合肥長鑫在半導(dǎo)體存儲器研發(fā)設(shè)計積累了豐富經(jīng)