半導(dǎo)體器件課件

半導(dǎo)體器件

學(xué)會用工程觀點分析問題，就是根據(jù)實際情況，對器件的數(shù)學(xué)模型和電路的工作條件進行合理的近似，以便用簡便的分析方法獲得具有實際意義的結(jié)果。

對于元器件，重點放在特性、參數(shù)、技術(shù)指標和正確使用方法，不要過分追究其內(nèi)部機理。討論器件的目的在于應(yīng)用。

對電路進行分析計算時，只要能滿足技術(shù)指標，就不要過分追究精確的數(shù)值。器件是非線性的、特性有分散性、RC的值也有誤差。工程上允許一定的誤差、采用合理估算的方法。14.1

半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性：(可做成溫度敏感元件，如熱敏電阻)。摻雜性：往純凈的半導(dǎo)體中摻入某些雜質(zhì)，導(dǎo)電能力明顯改變(可做成各種不同用途的半導(dǎo)體器件，如二極管、三極管和晶閘管等）。光敏性：當受到光照時，導(dǎo)電能力明顯變化(可做成各種光敏元件，如光敏電阻、光敏二極管、光敏三極管等)。熱敏性：當環(huán)境溫度升高時，導(dǎo)電能力顯著增強14.1.1

本征半導(dǎo)體

完全純凈的、具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體，稱為本征半導(dǎo)體。晶體中原子的排列方式硅單晶中的共價健結(jié)構(gòu)共價健共價鍵中的兩個電子，稱為價電子。

Si

Si

Si

Si價電子

Si

Si

Si

Si價電子

價電子在獲得一定能量（溫度升高或受光照）后，即可掙脫原子核的束縛，成為自由電子（帶負電），同時共價鍵中留下一個空位，稱為空穴（帶正電）。本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機理這一現(xiàn)象稱為本征激發(fā)。空穴

溫度愈高，晶體中產(chǎn)生的自由電子便愈多。自由電子

在外電場的作用下，空穴吸引相鄰原子的價電子來填補，而在該原子中出現(xiàn)一個空穴，其結(jié)果相當于空穴的運動（相當于正電荷的移動）。本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機理

當半導(dǎo)體兩端加上外電壓時，在半導(dǎo)體中將出現(xiàn)兩部分電流

(1)自由電子作定向運動

電子電流

(2)價電子遞補空穴

空穴電流注意：

(1)本征半導(dǎo)體中載流子數(shù)目極少,其導(dǎo)電性能很差；

(2)溫度愈高，載流子的數(shù)目愈多,半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能也就愈好。所以，溫度對半導(dǎo)體器件性能影響很大。自由電子和空穴都稱為載流子。自由電子和空穴成對地產(chǎn)生的同時，又不斷復(fù)合。在一定溫度下，載流子的產(chǎn)生和復(fù)合達到動態(tài)平衡，半導(dǎo)體中載流子便維持一定的數(shù)目。本征半導(dǎo)體中，自由電子和空穴數(shù)量相同，且數(shù)量很少。溫度越高，載流子的濃度越高，導(dǎo)電能力越強，故溫度是影響半導(dǎo)體性能的一個重要的外部因素，這是半導(dǎo)體的一大特點。半導(dǎo)體的導(dǎo)電方式自由電子的移動空穴的移動半導(dǎo)體有兩種載流子自由電子空穴N型半導(dǎo)體

摻雜后自由電子數(shù)目大量增加，自由電子導(dǎo)電成為這種半導(dǎo)體的主要導(dǎo)電方式，稱為電子半導(dǎo)體或N型半導(dǎo)體。摻入五價元素

Si

Si

Si

Sip+多余電子磷原子在常溫下即可變?yōu)樽杂呻娮邮ヒ粋€電子變?yōu)檎x子

在本征半導(dǎo)體中摻入微量的雜質(zhì)（某種元素）,形成雜質(zhì)半導(dǎo)體。

在N

型半導(dǎo)體中自由電子是多數(shù)載流子，空穴是少數(shù)載流子。14.1.1

N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體P型半導(dǎo)體

摻雜后空穴數(shù)目大量增加，空穴導(dǎo)電成為這種半導(dǎo)體的主要導(dǎo)電方式，稱為空穴半導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體。摻入三價元素

Si

Si

Si

Si

在P型半導(dǎo)體中空穴是多數(shù)載流子，自由電子是少數(shù)載流子。B–硼原子接受一個電子變?yōu)樨撾x子空穴無論N型或P型半導(dǎo)體都是中性的，對外不顯電性。1.在雜質(zhì)半導(dǎo)體中多子的數(shù)量與

（a.摻雜濃度、b.溫度）有關(guān)。2.在雜質(zhì)半導(dǎo)體中少子的數(shù)量與（a.摻雜濃度、b.溫度）有關(guān)。3.當溫度升高時，少子的數(shù)量（a.減少、b.不變、c.增多）。abc4.在外加電壓的作用下，P型半導(dǎo)體中的電流主要是

，N型半導(dǎo)體中的電流主要是。（a.電子電流、b.空穴電流）ba14.2PN結(jié)及其單向?qū)щ娦?4.2.1

PN結(jié)的形成多子的擴散運動內(nèi)電場少子的漂移運動濃度差P型半導(dǎo)體N型半導(dǎo)體

內(nèi)電場越強，漂移運動越強，而漂移使空間電荷區(qū)變薄。擴散的結(jié)果使空間電荷區(qū)變寬?？臻g電荷區(qū)也稱PN結(jié)

擴散和漂移這一對相反的運動最終達到動態(tài)平衡，空間電荷區(qū)的厚度固定不變。－－－－－－－－－－－－－－－－++++++++++++++++++++++++－－－－－－－－形成空間電荷區(qū)14.2.2PN結(jié)的單向?qū)щ娦?.PN結(jié)加正向電壓（正向偏置）PN結(jié)變窄P接正、N接負外電場IF

內(nèi)電場被削弱，多子的擴散加強，形成較大的擴散電流。

PN結(jié)加正向電壓時，PN結(jié)變窄，正向電流較大，正向電阻較小，PN結(jié)處于導(dǎo)通狀態(tài)。內(nèi)電場PN－－－－－－－－－－－－－－－－－－+++++++++++++++++++–RU2.PN結(jié)加反向電壓（反向偏置）外電場P接負、N接正內(nèi)電場PN+++－－－－－－+++++++++－－－－－－－－－++++++－－－–+UPN結(jié)變寬2.PN結(jié)加反向電壓（反向偏置）外電場

內(nèi)電場被加強，少子的漂移加強，由于少子數(shù)量很少，形成很小的反向電流。IRP接負、N接正溫度越高少子的數(shù)目越多，反向電流將隨溫度增加。PN結(jié)加反向電壓時，PN結(jié)變寬，反向電流較小，反向電阻較大，PN結(jié)處于截止狀態(tài)。內(nèi)電場PN+++－－－－－－+++++++++－－－－－－－－－++++++－－－–+U結(jié)論PN結(jié)具有單向?qū)щ娦裕?.PN結(jié)加正向電壓，有較大的正向電流流過，稱PN結(jié)導(dǎo)通。2.PN結(jié)加反向電壓，僅有很小的反向電流，稱PN結(jié)截止。PN結(jié)的反向擊穿現(xiàn)象反向電壓太高時，內(nèi)電場很強，少數(shù)載流子穿過內(nèi)電場時獲得很大能量，它會把價電子碰撞出來，……，使載流子猛增，反向電流急劇增大，使發(fā)生雪崩擊穿。若PN結(jié)上的電場增加到某一數(shù)值時，強電場可以直接把共價鍵中的價電子拉出來，發(fā)生齊納擊穿。雪崩擊穿齊納擊穿電擊穿若PN結(jié)散熱好，是可逆擊穿溫度升高，PN結(jié)燒毀——熱擊穿，是不可逆的。PN結(jié)不能加上任意高的反向電壓14.3

二極管14.3.1基本結(jié)構(gòu)(a)點接觸型(b)面接觸型

結(jié)面積小、結(jié)電容小、正向電流小。用于檢波和變頻等高頻電路。

結(jié)面積大、正向電流大、結(jié)電容大，用于工頻大電流整流電路。(c)平面型

用于集成電路制作工藝中。PN結(jié)結(jié)面積可大可小，用于高頻整流和開關(guān)電路中。陰極引線陽極引線二氧化硅保護層P型硅N型硅(

c

)平面型金屬觸絲陽極引線N型鍺片陰極引線外殼(

a)

點接觸型鋁合金小球N型硅陽極引線PN結(jié)金銻合金底座陰極引線(

b)面接觸型半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)和符號二極管的結(jié)構(gòu)示意圖陰極陽極(

d

)

符號D14.3.2伏安特性硅管0.5V鍺管0.1V反向擊穿電壓U(BR)導(dǎo)通壓降

外加電壓大于死區(qū)電壓二極管才能導(dǎo)通。

外加電壓大于反向擊穿電壓二極管被擊穿，失去單向?qū)щ娦?。正向特性反向特性特點：非線性硅0.6~0.8V鍺0.2~0.3VUI死區(qū)電壓PN+–PN–+

反向電流在一定電壓范圍內(nèi)保持常數(shù)。二極管的等效電路1.理想二極管的等效電路:

正向壓降為0，反向電流為0uDiDababuD<0時abuD>0時uDiD伏安特性2.考慮正向壓降UD時二極管的等效電路:

正向壓降UD：硅管取0.7V，鍺管取0.3VuDiDababuD<UD

時bauD>UD

時UDuDiD伏安特性UD3.考慮正向特性曲線的斜率時的等效電路:uDiDababuD<UT

時bauD>UT

時UTrd動態(tài)電阻：uDiD伏安特性UTD*二極管的型號2AP1電極數(shù)2：二極管3：三極管基片材料A：N型鍺，B：P型鍺C：N型硅，D：P型硅表示用途P：普通管，Z：整流管W：穩(wěn)壓管，K：開關(guān)管序號：序號不同，參數(shù)有差別14.3.3主要參數(shù)1.

最大整流電流

IOM

二極管長期使用時，允許流過二極管的最大正向平均電流。2.

反向工作峰值電壓URWM

是保證二極管不被擊穿而給出的反向峰值電壓，一般是二極管反向擊穿電壓UBR的一半或三分之二。二極管擊穿后單向?qū)щ娦员黄茐?，甚至過熱而燒壞。3.

反向峰值電流IRM

指二極管加最高反向工作電壓時的反向電流。反向電流大，說明管子的單向?qū)щ娦圆?，IRM受溫度的影響，溫度越高反向電流越大。硅管的反向電流較小，鍺管的反向電流較大，為硅管的幾十到幾百倍。二極管的單向?qū)щ娦?.二極管加正向電壓（正向偏置，陽極接正、陰極接負）時，二極管處于正向?qū)顟B(tài)，二極管正向電阻較小，正向電流較大。2.二極管加反向電壓（反向偏置，陽極接負、陰極接正）時，二極管處于反向截止狀態(tài)，二極管反向電阻較大，反向電流很小。

3.外加電壓大于反向擊穿電壓二極管被擊穿，失去單向?qū)щ娦浴?.二極管的反向電流受溫度的影響，溫度愈高反向電流愈大。

二極管電路分析舉例定性分析：判斷二極管的工作狀態(tài)導(dǎo)通截止否則，正向管壓降硅0.6~0.7V鍺0.2~0.3V

分析方法：將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低或所加電壓UD的正負。若V陽

>V陰或UD為正(正向偏置)，二極管導(dǎo)通若V陽

<V陰或UD為負(反向偏置)，二極管截止

若二極管是理想的，正向?qū)〞r正向管壓降為零，反向截止時二極管相當于斷開。電路如圖，求：UABV陽

=－6VV陰=－12VV陽>V陰二極管導(dǎo)通若忽略管壓降，二極管可看作短路，UAB=－6V否則，UAB低于－6V一個管壓降，為－6.3Ｖ或－6.7V例1：

取B點作參考點，斷開二極管，分析二極管陽極和陰極的電位。

在這里，二極管起鉗位作用。D6V12V3k

BAUAB+–兩個二極管的陰極接在一起取B點作參考點，斷開二極管，分析二極管陽極和陰極的電位。V1陽

=－6V，V2陽=0V，V1陰

=V2陰=－12VUD1=6V，UD2=12V

∵

UD2>UD1

∴D2優(yōu)先導(dǎo)通，D1截止。若忽略管壓降，二極管可看作短路，UAB

=0V例2:D1承受反向電壓為－6V流過D2

的電流為求：UAB

在這里，D2起鉗位作用，D1起隔離作用。BD16V12V3k

AD2UAB+–ui>8V，二極管導(dǎo)通，可看作短路uo=8V

ui<8V，二極管截止，可看作開路uo=ui已知：二極管是理想的，試畫出uo

波形。8V例3：二極管的用途：

整流、檢波、限幅、鉗位、開關(guān)、元件保護、溫度補償?shù)?。ui18V參考點二極管陰極電位為8VD8VRuoui++––例4：二極管的應(yīng)用：RRLuiuRuotttuiuRuoR和C構(gòu)成一個微分電路，二極管起檢波作用，去除正脈沖。例5：如圖，二極管是理想的，已知：ERDiDu12求下列情況下的iD波形：a.E=10V;b.E=20V;c.E=5V;d.E=0V解：12a.E=10V時b.E=20V時t10Vu12tiD1mAu12t20V10Vt2mAiD1mAERDiDu1212c.E=5V時d.E=0V時t5Vu1215VtiD0.5mA1.5mAt10Vu12tiD1mA二極管在其他方面的應(yīng)用1。二極管限幅電路：MF30型袖珍萬用表表頭電路MFU1K

D1D237.5

A2750

2CP11X2原理：正常工作時，表頭M僅需0.103V電壓，即可滿刻度偏轉(zhuǎn)。而2CP11在0~150mV內(nèi)，正、反向電流幾乎為0，相當于斷開，不影響表頭正常工作。當使用不當時，如用電流擋或電阻擋去測電壓，表頭會因過流而燒毀，有二極管后，表頭上的電壓被限制在0.7V，有一定的保護作用。2。續(xù)流二極管：eLERLiLS開關(guān)S斷開時，由于電流突變，L兩端產(chǎn)生很高的感應(yīng)電動勢，危害極大。為此，在線圈兩端并聯(lián)一個二極管D。正常工作時，D截止，對電路沒有影響。S斷開時，D導(dǎo)通，線圈電流通過D續(xù)流而不致突變?yōu)?，從而使感應(yīng)電動勢不會太大。D14.4

穩(wěn)壓二極管1.符號UZIZIZM

UZ

IZ2.伏安特性

穩(wěn)壓管正常工作時加反向電壓使用時要加限流電阻

穩(wěn)壓管反向擊穿后，電流變化很大，但其兩端電壓變化很小，利用此特性，穩(wěn)壓管在電路中可起穩(wěn)壓作用。_+UIO穩(wěn)定電壓工作電流最大電流3.主要參數(shù)(1)

穩(wěn)定電壓UZ

穩(wěn)壓管正常工作(反向擊穿)時管子兩端的電壓。(2)

電壓溫度系數(shù)

ｕ環(huán)境溫度每變化1

C引起穩(wěn)壓值變化的百分數(shù)。(3)

動態(tài)電阻(4)

穩(wěn)定電流IZ、最大穩(wěn)定電流IZM(5)

最大允許耗散功率PZM=UZIZMrZ愈小，曲線愈陡，穩(wěn)壓性能愈好。14.5

半導(dǎo)體三極管14.5.1基本結(jié)構(gòu)晶體管的結(jié)構(gòu)(a)平面型；(b)合金型BEP型硅N型硅二氧化碳保護膜銦球N型鍺N型硅CBECPP銦球(a)(b)晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖和表示符號(a)NPN型晶體管；(a)NNCEBPCETBIBIEIC(b)BECPPNETCBIBIEIC(b)PNP型晶體管CE發(fā)射區(qū)集電區(qū)基區(qū)集電結(jié)發(fā)射結(jié)NNP基極發(fā)射極集電極BCE發(fā)射區(qū)集電區(qū)基區(qū)P發(fā)射結(jié)P集電結(jié)N集電極發(fā)射極基極B基區(qū)：最薄，摻雜濃度最低發(fā)射區(qū)：摻雜濃度最高發(fā)射結(jié)集電結(jié)BECNNP基極發(fā)射極集電極結(jié)構(gòu)特點：集電區(qū)：面積最大晶體管的命名方法：3DG6表示電極數(shù)2：二極管3：三極管表示材料A：PNP鍺B：NPN鍺C：PNP硅D：NPN硅表示管子類型X：低頻小功率管D：低頻大功率管G：高頻小功率管A：高頻大功率管序號：序號不同參數(shù)有所不同14.5.2電流分配和放大原理1.三極管放大的外部條件BECNNP發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏PNP發(fā)射結(jié)正偏VB<VE集電結(jié)反偏VC<VB從電位的角度看：

NPN

發(fā)射結(jié)正偏VB>VE集電結(jié)反偏VC>VB

EBRBECRC晶體管電流放大的實驗電路

設(shè)EC=6V，改變可變電阻RB,則基極電流IB、集電極電流IC和發(fā)射極電流IE都發(fā)生變化，測量結(jié)果如下表：2.各電極電流關(guān)系及電流放大作用mA

AVVmAICECIBIERB+UBE

+UCE

EBCEB3DG100晶體管電流測量數(shù)據(jù)IB(mA)IC(mA)IE(mA)00.020.040.060.080.10<0.0010.701.502.303.103.95<0.0010.721.542.363.184.05結(jié)論:(1)IE=IB+IC符合基爾霍夫定律(2)IC

IB

，

IC

IE

(3)

IC

IB

把基極電流的微小變化能夠引起集電極電流較大變化的特性稱為晶體管的電流放大作用。

實質(zhì):

用一個微小電流的變化去控制一個較大電流的變化，是CCCS器件。+UBE

ICIEIB

CTEB

+UCE

(a)NPN型晶體管；+UBE

IBIEICCTEB

+UCE

電流方向和發(fā)射結(jié)與集電結(jié)的極性(4)要使晶體管起放大作用，發(fā)射結(jié)必須正向偏置，集電結(jié)必須反向偏置。(b)PNP型晶體管3.三極管內(nèi)部載流子的運動規(guī)律BECNNPEBRBECIEIBEICEICBO基區(qū)空穴向發(fā)射區(qū)的擴散可忽略發(fā)射結(jié)正偏，發(fā)射區(qū)電子不斷向基區(qū)擴散，形成發(fā)射極電流IE。進入P區(qū)的電子少部分與基區(qū)的空穴復(fù)合，形成電流IBE，多數(shù)擴散到集電結(jié)。從基區(qū)擴散來的電子作為集電結(jié)的少子，漂移進入集電結(jié)而被收集，形成ICE。集電結(jié)反偏，有少子形成的反向電流ICBO3.三極管內(nèi)部載流子的運動規(guī)律IC=ICE+ICBO

ICEICIBBECNNPEBRBECIEIBEICEICBOIB=IBE-ICBO

IBEICE與IBE之比稱為共發(fā)射極電流放大倍數(shù)集－射極穿透電流,溫度

ICEO

(常用公式)若IB=0,則

IC

ICE014.5.3

特性曲線

即管子各電極電壓與電流的關(guān)系曲線，是管子內(nèi)部載流子運動的外部表現(xiàn)，反映了晶體管的性能，是分析放大電路的依據(jù)。為什么要研究特性曲線：

(1)直觀地分析管子的工作狀態(tài)(2)合理地選擇偏置電路的參數(shù),設(shè)計性能良好的電路

重點討論應(yīng)用最廣泛的共發(fā)射極接法的特性曲線發(fā)射極是輸入回路、輸出回路的公共端共發(fā)射極電路輸入回路輸出回路

測量晶體管特性的實驗線路mA

AVVICECIBRB+UBE

+UCE

EBCEB3DG1001.

輸入特性特點:非線性正常工作時發(fā)射結(jié)電壓：NPN型硅管

UBE0.6~0.7VPNP型鍺管

UBE0.2~0.3V3DG100晶體管的輸入特性曲線O0.40.8IB/

AUBE/VUCE≥1V60402080死區(qū)電壓：硅管0.5V，鍺管0.1V。UCE對輸入特性的影響：(1)UCE=0時，集電結(jié)和發(fā)射結(jié)正向并聯(lián)于B、E之間，曲線和二極管正向伏安特性相似。BECIBIEICUBEUCE(2)UCE>1V時，集電結(jié)加反向電壓，此時注入基區(qū)的大部分電子被吸收到集電極，形成IC。故在相同的UBE下，IB要比UCE=0時小一些。所以曲線右移。(3)UCE>1V以后，UCE的增加對曲線沒有明顯影響，因為所加反向電壓已能把除與空穴復(fù)合以外的電子都吸收到集電極，故一般用這條曲線。如果在B、E間直接加上過高的正向電壓，將使IB過大而損壞晶體管。注意2.輸出特性

共發(fā)射極電路IC/mAUCE/V100μA80μA60μA40μA20μA

O3691242.31.5321IB=03DG100晶體管的輸出特性曲線

在不同的IB下，可得出不同的曲線，所以晶體管的輸出特性曲線是一組曲線。+ICUCCIBRB+UBE

+UCE

UBBCEB+__2.輸出特性

晶體管有三種工作狀態(tài)，因而輸出特性曲線分為三個工作區(qū)3DG100晶體管的輸出特性曲線IC/mAUCE/V100μA80μA60μA40μA20μA

O3691242.31.5321IB=0(1)放大區(qū)

在放大區(qū)IC=

IB

，也稱為線性區(qū)，具有恒流特性。

在放大區(qū)，發(fā)射結(jié)處于正向偏置、集電結(jié)處于反向偏置，晶體管工作于放大狀態(tài)。對NPN型管而言,應(yīng)使

UBE

>0,UBC<

0，此時，

UCE

>UBE。Q2Q1大放區(qū)IC/mAUCE/V100μA80μA60μA40μA20μA

O3691242.31.5321IB=0(2)截止區(qū)對NPN型硅管，當UBE<0.5V時,即已開始截止,為使晶體管可靠截止,常使UBE

0。截止時,集電結(jié)也處于反向偏置(UBC<

0),此時,IC

0,UCE

UCC。IB=0的曲線以下的區(qū)域稱為截止區(qū)。IB=0時,IC=ICEO(很小)。(硅管ICEO<0.001mA)截止區(qū)IC/mAUCE/V100μA80μA60μA40μA20μA

O3691242.31.5321IB=0(3)飽和區(qū)

在飽和區(qū)，IB

IC，發(fā)射結(jié)處于正向偏置，集電結(jié)也處于正偏。

深度飽和時，硅管UCES0.3V，

鍺管UCES0.1V。

IC

UCC/RC。

當UCE

<

UBE時，集電結(jié)處于正向偏置(UBC

>0)，晶體管工作于飽和狀態(tài)。飽和區(qū)晶體管三種工作狀態(tài)的電壓和電流(a)放大+UBE>0

ICIB+UCE

UBC<0+(b)截止IC

0IB=0+UCE

UCC

UBC<0++UBE

0

(c)飽和+UBE>

0

IB+UCE

0

UBC>0+

當晶體管飽和時，UCE

0，發(fā)射極與集電極之間如同一個開關(guān)的接通，其間電阻很?。划斁w管截止時，IC

0，發(fā)射極與集電極之間如同一個開關(guān)的斷開，其間電阻很大，可見，晶體管除了有放大作用外，還有開關(guān)作用。晶體管的開關(guān)作用晶體管交替地工作在截止和飽和導(dǎo)通狀態(tài)時，C-E間電路就相當于受IB控制的開關(guān)。1.晶體管處于截止狀態(tài)UBE

0，IB

0，IC

0（對于硅管，UBE

0.5V已開始截止）RCO+UCCIC=0O+UCCRCIC=02.晶體管處于飽和導(dǎo)通狀態(tài)RCO+UCCUCES

0O+UCCRC一般開關(guān)管的UCES<0.35V，接近于理想開關(guān)，它工作頻率高，開關(guān)時間約幾十納秒。UBE略大于0.7V，IB很大，此時

0

0.10.5

0.1

0.6~0.70.2~0.3

0.30.1

0.7

0.3硅管(NPN)鍺管(PNP)

可靠截止開始截止

UBE/V

UBE/VUCE/VUBE/V

截止

放大

飽和

工作狀態(tài)

管型晶體管結(jié)電壓的典型值例：圖中，已知：UCC=6V，RC=3kΩ，RB=10kΩ，β=25，當UBB分別為3V，1V，-1V時，晶體管處于何種工作狀態(tài)？+ICUCCIBRB+UBE

+UCE

UBBCEB+__解：晶體管飽和時集電極電流為晶體管剛飽和時的基極電流為+ICUCCIBRB+UBE

+UCE

UBBCEB+__（1）當UBB=3V時晶體管已處于深度飽和狀態(tài)（2）當UBB=1V時晶體管處于放大狀態(tài)（3）當UBB=-1V時，發(fā)射結(jié)反向偏置，晶體管可靠截止。14.5.4

主要參數(shù)1.電流放大系數(shù)，

直流電流放大系數(shù)交流電流放大系數(shù)當晶體管接成發(fā)射極電路時，注意：

和

的含義不同，但在特性曲線近于平行等距并且ICE0較小的情況下，兩者數(shù)值接近。

常用晶體管的

值在20~200之間。

由于晶體管的輸出特性曲線是非線性的，只有在特性曲線的近于水平部分，IC隨IB成正比變化，

值才可認為是基本恒定的。

表示晶體管特性的數(shù)據(jù)稱為晶體管的參數(shù)，晶體管的參數(shù)也是設(shè)計電路、選用晶體管的依據(jù)。例：在UCE=6V時，在Q1點IB=40A,IC=1.5mA；

在Q2點IB=60A,IC=2.3mA。在以后的計算中，一般作近似處理：

≈。IB=020A40A60A80A100A36IC/mA1234UCE/V9120Q1Q