國家開放大學《光伏電池原理與工藝》形考任務1-4參考答案

國家開放大學《光伏電池原理與工藝》形考任務1-4參考答案題目隨機，下載后利用查找功能完成學習任務《光伏電池原理與工藝》是國家開放大學（中央廣播電視大學）開放教育《光伏發(fā)電技術及應用》專業(yè)（?？疲┑囊婚T統(tǒng)設必修課，是該專業(yè)的一門主干專業(yè)課程。本課程72學時，4學分，開設一個學期。課程代碼：02739形考任務1一、單項選擇題1.（）層位于對流層之外，屬太陽大氣層中的最底層或最里層。A.光球B.色球C.日冕D.針狀體2.（）是太陽大氣的最外層。A.光球B.色球C.日冕D.針狀體3.布喇菲格子的特點是每個格點周圍的環(huán)境都（）。A.相同B.不同C.部分相同D.部分不同4.當雜質原子取代基質原子占據(jù)晶格的格點位置時，形成（）雜質。A.替位式B.間隙式C.組成式D.以上皆不是5.非晶硅有兩個致命缺點。一是工作性能不穩(wěn)定，壽命短。二是它的光電轉化效率比晶體硅太陽電池（）。A.高B.低C.一致D.未知6.硅系太陽電池主要包括單晶硅太陽電池、多晶硅太陽電池、非晶硅太陽電池。其中（）太陽電池轉換效率最高。A.單晶硅B.多晶硅C.非晶硅D.以上皆不是7.軌道雜化，是共價（）結構晶體的一個共同特點。A.四面體B.五面體C.六面體D.多面體8.將晶面在（）個基矢上的截距的倒數(shù)之比化為互質整數(shù)比，稱為該晶面族的密勒指數(shù)。A.一個B.二個C.三個D.四個9.緊貼光球以上的一層大氣稱為（）層，平時不易被觀測到，過去這一區(qū)域只是在日全食時才能被看到。A.光球B.色球C.日冕D.針狀體10.晶胞（）是體積最小的重復單元，結點一般不僅在頂點，而且可以在體心、面心上。A.一定B.一定不C.不一定D.以上皆不是11.若原子脫離格點后，形成填隙原子，這樣的熱缺陷稱為（）缺陷。A.弗侖克爾B.肖特基C.組成D.以上皆不是12.若雜質原子占據(jù)晶格間隙位置，形成（）雜質。A.替位式B.間隙式C.組成式D.以上皆不是13.色心屬于（）。A.點缺陷B.線缺陷C.面缺陷D.體缺陷14.太陽常數(shù)的參考值為Isc=（）±7W/m2。A.1357B.1367C.1377D.138715.太陽發(fā)射的電磁輻射在大氣頂上隨（）的分布叫太陽光譜。A.時間B.空間C.距離D.波長16.為使太陽電池所接收到的太陽直射輻射能量最多，就要確定太陽（）。A.高度角B.方位角C.入射角D.日照時間17.我國屬于地球太陽能資源豐富程度（）地區(qū)。A.最高B.中高C.中低D.最低18.我國太陽能分布最豐富的是（）地區(qū)。A.青藏高原B.內蒙古C.寧夏D.陜西19.由基矢b1、b2、b3描述的空間點陣稱為（）。A.正格子B.倒格子C.正格矢D.倒格矢20.在固體物理學中，只考慮晶格的周期性，選取（）的重復單元作為固體物理學原胞，簡稱原胞。A.最大B.最小C.中間D.以上皆不是二、多項選擇題1.并網(wǎng)光伏供電系統(tǒng)的組成結構主要有（）。A.太陽電池陣列B.控制器C.蓄電池D.逆變器E.交流負載2.地球太陽能資源豐富程度中低地區(qū)有（）。A.東歐B.新西蘭C.朝鮮D.日本3.地球太陽能資源豐富程度中高地區(qū)有（）。A.中東B.美國C.中非D.中國4.地球太陽能資源豐富程度最低地區(qū)有（）。A.北非B.加拿大C.西北歐洲D.中美洲5.地球太陽能資源豐富程度最高地區(qū)有（）。A.印度B.巴基斯坦C.澳大利亞D.中國6.點缺陷對材料性能的影響有（）。A.提高材料的電阻B.加快原子的擴散遷移C.形成其他晶體缺陷D.改變材料的力學性能7.獨立光伏供電系統(tǒng)的組成結構主要有（）。A.光伏方陣B.控制器C.蓄電池D.逆變器E.直流（交流）負載8.非晶硅的兩個致使缺點是（）。A.光致衰減效應B.光電轉化效率低C.成本高D.有污染9.弗侖克爾缺陷的特點有（）。A.空位和填隙原子成對地產(chǎn)生B.空位和填隙原子數(shù)目相等C.一定的溫度下，缺陷的產(chǎn)生和復合過程達到平衡D.一定的溫度下，晶體內部的空位和表面上的原子處于平衡10.各種化學氣相沉積包括（）。A.等離子增強化學氣相沉積B.快速加熱化學氣相沉積C.催化化學氣相沉積法D.熱絲化學氣相沉積11.根據(jù)晶體缺陷在空間延伸的線度，晶體缺陷可分為（）。A.點缺陷B.線缺陷C.面缺陷D.體缺陷12.硅系太陽電池主要包括（）。A.單晶硅太陽電池B.多晶硅太陽電池C.非晶硅太陽電池D.薄膜太陽電池13.晶胞不一定是體積最小的重復單元，結點可以位于（）。A.頂點B.體心C.面心D.質心14.晶體包括（）。A.離子晶體B.原子晶體C.分子晶體D.金屬晶體15.立方晶系的下列（）面是完全等價的。A.-100B.-10C.-1D.{100}16.太陽從中心向外可分為（）。A.核反應區(qū)B.輻射區(qū)C.對流區(qū)D.太陽大氣17.太陽的大氣層從內向外分為（）三層。A.光球B.色球C.日冕D.針狀體18.我國（）等西部地區(qū)光照資源尤為豐富。A.青藏高原B.內蒙古C.寧夏D.陜西19.以下（）地區(qū)屬于我國太陽能熱能資源分布三類地區(qū)。A.山西北部B.山東C.河南D.吉林20.以下（）地區(qū)屬于我國太陽能熱能資源分布四類地區(qū)。A.江西B.遼寧C.浙江D.云南三、判斷題1.布喇菲格子的特點是每個格點周圍的環(huán)境都相同。（√）2.大氣層的影響不僅與太陽光的入射方向有關，而且還與大氣中吸收、散射、反射太陽輻射的物質有關。（√）3.單晶一般是凸多面體，且都有規(guī)則的外形。（√）4.當天空晴朗，太陽在頭頂直射且陽光在大氣中經(jīng)過的光程最短時，到達地球表面的太陽輻射最強。（√）5.地球只接受到太陽總輻射的二十二億分之一，這個數(shù)量相當于全世界發(fā)電量的幾百萬倍。（×）6.點缺陷的特點：在三維尺寸均很小，只在某些位置發(fā)生，只影響鄰近幾個原子。（√）7.電子在原子之間的轉移不是任意的，電子只能在能量相同的軌道之間發(fā)生轉移。（√）8.對于布喇菲格子，原胞只包含一個原子；對于復式格子，基元中包含幾個原子，相應的原胞也包含幾個原子。（√）9.對于原胞，結點只出現(xiàn)在頂點上。（×）10.根據(jù)各地接受太陽總輻射量的多少，可將我國劃分為五類地區(qū)。（√）11.光致衰減效應是非晶硅的致命缺點之一。（√）12.將晶面在三個基矢上的截距的倒數(shù)之比化為互質整數(shù)比，稱為該晶面族的晶面指數(shù)。（√）13.結點的總體稱為布喇菲點陣。布喇菲點陣中，每點周圍的情況不一樣。（×）14.每個正格子都有一個倒格子與之相對應。（√）15.太陽常數(shù)的常用單位為W/m2。（√）16.我國太陽能分布最豐富的是寧夏地區(qū)。（×）17.我國無電地區(qū)大多集中于青藏高原、內蒙古、寧夏、陜西等西部地區(qū)。（√）18.一般而言，晶體在同一方向上具有相同的周期性，而不同方向上具有不同周期性。（√）19.在倒格子中，以某一倒格點為原點，離原點次近的多面體稱為第二布里淵區(qū)。（×）20.在倒格子中，以某一倒格點為原點，離原點最近的多面體稱為第一布里淵區(qū)。（√）四、配伍題1.將下列事件與時間關系等一一對應。（1）1839年一一（A.法國物理學家A.E.Becqueral第一次在實驗室中發(fā)現(xiàn)液體的光生伏特效應）（2）1877年一一（B.制作了第一片硒太陽電池）（3）1954一一（C.貝爾實驗室Chapin等人開發(fā)出第一塊實用的效率為6％的單晶硅光電池）2.將下列地球太陽能資源分布情況與地區(qū)一一對應。（1）豐富程度最高地區(qū)一一（B.印度）（2）豐富程度中高地區(qū)一一（A.中國）（3）豐富程度中低地區(qū)一一（C.日本）3.將下列定義與公式一一對應。（1）太陽高度角（C）（2）太陽方位角（A）（3）太陽入射角（B）4.將下列概念與意義一一對應。（1）太陽常數(shù)一一（A.描述大氣層上的太陽輻射強度）（2）太陽光譜一一（B.太陽發(fā)射的電磁輻射在大氣頂上隨波長的分布）（3）大氣光學質量一一（C.太陽光線穿過地球大氣的路徑與太陽光線在天頂角方向時穿過大氣路徑之比）5.將下列晶胞所含原子個數(shù)的計算方法一一對應。（1）頂點的原子一一（C.同時為8個晶胞所共有）（2）棱上的原子一一（B.同時為4個晶胞所共有）（3）面心的原子一一（A.同時為2個晶胞所共有）6.將下列晶體缺陷與特征一一對應。（1）點缺陷一一（C.在三維尺寸均很小，只在某些位置發(fā)生，只影響鄰近幾個原子）（2）線缺陷一一（B.在二維尺寸小，在另一維尺寸大，可被電鏡觀察到）（3）面缺陷一一（A.在一維尺寸小，在另二維尺寸大，可被光學顯微鏡觀察到）7.將下列省份地區(qū)與太陽能資源分布情況一一對應。（1）山東一一（B.三類）（2）江西一一（C.四類）（3）寧夏南部一一（A.二類）8.將下列世界氣候帶一一對應。（1）赤道帶（C.南北緯10O以內）（2）熱帶一一（A.緯度10O～回歸線（23.5O））（3）溫帶一一（B.回歸線至極圈（23.5O～66.5O））9.將下列太陽大氣結構與名稱一一對應。（1）光球一一（C.最底層）（2）色球一一（B.中層）（3）日冕一一（A.最外層）10.將下列我國太陽電池發(fā)展歷程一一對應。（1）1958年一一（A.我國開始研制太陽電池）（2）1971年一一（B.我國發(fā)射的第二顆人造衛(wèi)星—科學實驗衛(wèi)星實踐一號上首次應用太陽電池）（3）1979年一一（C.我國開始利用半導體工業(yè)廢次硅材料生產(chǎn)單晶硅太陽電池）形考任務2一、單項選擇題1.300K時，在本征半導體中摻入施主雜質形成N型半導體，欲使得鍺中的費米能級低于導帶底能量0.15eV，施主摻雜濃度ND為（）。A.3.187x1014cm-3B.3.187x1015cm-3C.3.187x1016cm-3D.3.187x1017cm-32.PN結中的總的電子電流計算公式為（）。A.

I=LnqDnni2(ekTqV?1)

（其中q是電荷量，Dn是電子擴散系數(shù)，ni是本征載流子濃度，Ln是電子擴散長度，V是外加電壓，k是玻爾茲曼常數(shù)，T是絕對溫度）

B.

I=V/R

（歐姆定律，但不適用于PN結的非線性特性）

C.

I=C?dtdV

（電容的電流-電壓關系，與PN結的穩(wěn)態(tài)電流無關）

D.

I=nqAvd

（電流的微觀表達式，但需要考慮PN結的具體物理過程進行修正）3.PN結中的總的空穴電流計算公式為（）。A.與總的電子電流相等（在穩(wěn)態(tài)情況下）

B.

Ip=復雜函數(shù)(V,T,材料參數(shù))

（過于復雜，不適合單項選擇題）

C.

Ip=V/R

（歐姆定律，不適用于PN結）

D.

Ip=C?dV/dt

（電容的充放電公式，與空穴電流無關）4.單晶一般是（）。A.凸多面體B.凹多面體C.圓球體D.立方體5.電子的擴散電流為（）。A.與電子的濃度梯度成正比B.與電子的濃度成正比C.與電子的遷移率成正比D.與電場強度成正比6.電子的漂移電流為（）。A.與電子的濃度成正比B.與電子的遷移率和電場強度成正比C.與電子的速度成正比D.與電子的動能成正比7.空間點陣可分為（）晶系。A.四種B.五種C.六種D.七種8.空穴的擴散電流為（）。A.與空穴的濃度梯度成正比B.與空穴的濃度成正比C.與空穴的遷移率成正比（在無電場情況下此選項不準確，因為遷移率與電場有關）D.與電場強度成正比（這是漂移電流的特性，不是擴散電流）9.空穴的漂移電流為（）。A.與空穴的濃度成正比B.與空穴的濃度梯度成正比C.與空穴的遷移率和電場強度成正比D.與空穴的速度成正比10.面心立方密堆積空間利用率最大為（）。A.70%B.72%C.74%D.76%11.七大晶系共有（）種布喇菲原胞。A.11B.12C.13D.1412.體心立方堆積空間利用率為（）。A.68%B.67%C.66%D.65%13.體心立方晶格的倒格子是面心立方結構，它的第一布里淵區(qū)為（）。A.截角八面體B.菱形十二面體C.正八面體D.菱形十六體14.下列哪項不屬于配位數(shù)的可能值（）。A.1200%B.900%C.800%D.600%15.以下（）為價帶的有效狀態(tài)密度計算公式。A.

Nv=21(2πmdkBTh2)3/2B.

Nv=2(h22πmdkBT)3/2C.

Nv=(hmdkBT)3D.

Nv=mdkBTh3

16.在105個硅原子中摻入一個硼原子，可以使硅的電導增加（）。A.102B.103C.104D.10517.在PN結中施主摻雜濃度為，受主摻雜濃度為，在300K時Si突變結的接觸電勢差VD為（）A.0.736VB.0.976VC.0.686VD.0.876V18.在下列公式中計算本征半導體費米能級的是（）A.

EF=2Eg+kBTln(NvNc)

B.

EF=2Eg

C.

EF=EC?kBTln(niNc)

或

EF=EV+kBTln(Nvni)

D.

EF=2EC+EV

19.正四面體四個共價鍵之間的夾角是（）A.109°30'B.109°28'C.109°D.109°25'20.自然界的晶體結構只有（）種。A.200B.210C.220D.230二、多項選擇題1.常用的酸性腐蝕液配方中硝酸與氫氟酸與醋酸之比為（）。A.6:03:03B.5:03:03C.5:01:01D.6:01:012.單晶硅錠的兩種常見生產(chǎn)工藝有（）。A.澆鑄法B.直拉法C.直熔法D.區(qū)熔法3.電池的輸出功率受以下哪些因素所影響（）。A.柵覆蓋面積B.抗反射層的吸收和反射C.光子能量小于禁帶寬度引起的損耗D.光子能量大于禁帶寬度的能量損耗4.多晶硅錠的兩種常見生產(chǎn)方法有（）。A.澆鑄法B.直拉法C.直熔法D.區(qū)熔法5.多晶硅絨面制備時采用的酸腐蝕液主要由（）組成。A.HN03B.HFC.H20D.CH3CH2OH6.固態(tài)氮化硼擴散與液態(tài)硼擴散比較，其有如下的特點（）。A.設備復雜、操作麻煩B.擴散效率高，更適于大批量生產(chǎn)C.擴散后硅片的均勻性、重復性和表面質量都較好D.產(chǎn)品的合格率較高7.光伏電池廣泛應用于當今社會，以下哪些選項是其典型應用（）。A.無線電通信系統(tǒng)電源B.抽水系統(tǒng)C.室內電子器件D.電池充電器8.硅材料的選料主要包括（）。A.導電類型B.電阻率C.晶向、位錯、壽命D.形狀、尺寸、厚度9.硅片表面污染的雜質分類有（）。A.分子型雜質B.離子型雜質C.原子型雜質D.質子型雜質10.堿腐蝕法的酸腐蝕法對比，其優(yōu)點是（）。A.成本較低B.對環(huán)境的污染小C.外觀平整D.光亮度高11.離子注入法具有的特點主要有（）。A.精確的劑量控制B.均勻性好C.摻雜深度小D.不受固溶度限制12.太陽電池的測試方法包括（）。A.陽極氧化法測結深B.四探針法測薄層電阻C.少子壽命的測試D.太陽電池負載特性的測試13.太陽電池的光電轉換效率哪些因素有關（）。A.結構B.材料性質C.工作溫度D.環(huán)境變化14.以下哪些選項對太陽電池性能有直接的影響（）。A.電池片厚度B.溫度和光強度C.輻射D.顏色15.在太陽電池的擴散工藝中，影響擴散的重要因素有（）。A.擴散溫度B.擴散深度C.擴散氣氛D.擴散時間16.直拉單晶硅制備工藝一般包括（）。A.裝料和熔化B.種晶和引細頸C.放肩和等徑生長D.收尾17.制備PN結的主要方法有以下幾種（）。A.擴散法B.離子注入法C.合金法D.分離法18.制備背電場電池較常用的方法還有硼擴散法，硼擴散法的優(yōu)點是（）。A.分配系數(shù)比鋁大B.結均勻C.電極牢度好D.所需溫度低19.制作電極的方法主要有（）。A.真空蒸鍍法B.化學鍍膜法C.印刷燒結法D.加熱氧化法20.作為減反射層的薄膜材料，通常要求有很好的（）。A.透光性B.耐化學腐蝕性C.硅片粘接性D.導電性三、判斷題1.N型半導體的特征是電子是少數(shù)載流子，空穴是多數(shù)載流子。（×）2.本征半導體的特征是電子的濃度與空穴的濃度相等。（√）3.單晶沒有規(guī)則的外形。（×）4.對一定的晶體，雜質原子是形成替位式雜質還是間隙式雜質，主要取決于雜質原子與基質原子幾何尺寸的相對大小及其電負性。（√）5.對于結構相同的晶體，滑移方向和滑移面通常不相同。（×）6.對于一定的晶格，結點所占的體積是一定的，面間距大的晶面上，格點的面密度小。（×）7.多晶由很多細小的取向不同的單晶組成。（√）8.非晶體內部的原子、分子排列整齊，有周期性規(guī)律。（×）9.晶體加熱至熔點開始熔化，熔化過程中溫度保持不變，熔化成液態(tài)后溫度才繼續(xù)上升；而非晶體熔化時，隨著溫度升高，粘度逐漸變小，變成流動性較大的液體。（√）10.晶體內的位錯滑移是使臨界切應力大為減小的主要原因。（√）11.晶體缺陷是固體物理中的重要研究領域。（√）12.晶體在不同方向上具有相同的周期性。（×）13.理想晶體的主要特征是原子（或分子）嚴格按照規(guī)則排列，具有完整的周期性。（√）14.密勒指數(shù)小的晶面，面間距較大。（√）15.七大晶系共有十五種布喇菲原胞。（×）16.色心是一種化學計量比引起的空位缺陷。（×）17.同一品種的晶體，兩個對應晶面間的夾角恒定不變。（√）18.位錯為面缺陷，位錯的基本類型有刃型位錯和螺旋位錯兩種。（×）19.由于內建電場作用，電子要從P區(qū)漂移運動到N區(qū)，空穴要從N區(qū)漂移運動到P區(qū)，它們的漂移形成了電流，電流方向也是P指指向N。（×）20.由于濃度梯度作用，電子和空穴的擴散會形成電子擴撒電流和空穴擴散電流，它們的電流方向是相同的，都是P指向N。（√）21.由于生長條件不同，同一品種的晶體其外形可能不同，這是晶體的本質特征。（×）22.在不同的帶軸方向上，晶體中原子排列情況不同，晶體性質也不同。（√）23.在晶體中，位于晶格點陣上的原子是靜止不動的。（×）24.在熔化過程中，晶體的長程序解體時對應著一定的熔點，非晶體也有固定的熔點。（×）25.在一定溫度下，原子熱振動的振幅和平均能量是不斷變化的。（×）26.組成缺陷包括替位式雜質原子和填隙式雜質原子。（√）四、配伍題1.當熱平衡PN結不加偏壓時，將下列求解公式一一對應。（1）PN結區(qū)空間電荷區(qū)的總的寬度——（A）（2）N型區(qū)空間電荷區(qū)的寬度——（C）（3）P型區(qū)空間電荷區(qū)的寬度——（B）2.將倒格子三個基矢與其定義一一對應。（1）b1A.（2）b2B.（3）b3C.（1）b1——（C）（2）b2——（A）（3）b3——（B）3.將下列PN結理論常用函數(shù)式一一對應。（1）費米分布函數(shù)（）（2）玻爾茲曼分布函數(shù)（）（3）狀態(tài)密度函數(shù)（）4.將下列不同半導體的費米能級求解公式一一對應。（1）本征半導體費米能級一一（A）（2）N型半導體費米能級一一（B）（3）P型半導體費米能級一一（C）5.將下列定義與其計算公式一一對應（1）導帶的有效狀態(tài)密度一一（A）（2）導帶中電子濃度一一（C）（3）價帶中空穴濃度一一（B）6.將以下物質室溫下的本征載流子濃度一一對應。（1）Si一一（A）（2）GaAs一一（B）（3）Ge一一（C）形考任務3一、單項選擇題1.（）對電池性能的影響直接反映在對材料參數(shù)及電池的電學參數(shù)的影響上。A.溫度B.厚度C.輻射D.大小2.（）是衡量電池輸出特性的重要指標，其值越大表明太陽電池的輸出特性越好。A.填充因子B.短路電流C.開路電壓D.光譜響應3.常規(guī)電池的厚度（），開路電壓及填充因子（）。A.減小下降B.減小上升C.減小不變D.增加不變4.常規(guī)硅太陽電池工藝中,形成電池PN結的主要方法是（）。A.擴散法B.離子注入法C.合金法D.分離法5.電池燒結前先對電極進行（），之后再進行燒結。A.氧化B.加熱C.烘干D.銅化6.硅的電阻率與摻雜（）有關。A.數(shù)量B.顏色C.重量D.濃度7.硅片清洗必須按照的次序清洗，才能除去硅片表面的油脂、蠟等有機物。A.甲苯-丙酮-酒精-水B.丙酮-甲苯-酒精-水C.水-甲苯-丙酮-酒精D.水-丙酮-甲苯-酒精8.粒子（）差別的存在是產(chǎn)生擴散運動的必要條件。A.濃度B.大小C.顏色D.重量9.目前的拉晶工藝幾乎都采用平放肩工藝,肩部形成一個近（）的夾角。A.30°B.45°C.90°D.180°10.內圓切割機切片的速度（），硅材料的損耗很（），效率（），切片后硅片的表面損傷大。A.慢大低B.慢小低C.快大高D.快小高11.太陽電池組件的測量條件被“歐洲委員會”定義為101號標準，其中電池溫度為（）。A.15℃B.20℃C.25℃D.30℃12.太陽電池組件的測量條件被“歐洲委員會”定義為101號標準，其中光譜輻照度為（）。A.500W/㎡B.1000W/㎡C.1500W/㎡D.2000W/㎡13.太陽電池組件的測量條件被“歐洲委員會”定義為101號標準，其中光譜為（）。A.AM1B.AM1.5C.AM2D.AM2.514.線切割線切割機切割的效率（），切割損耗（），表面損傷（）。A.高小小B.高大小C.低小大D.低大大15.懸浮區(qū)熔方法制備的區(qū)熔單晶硅，純度（）,電學性能（）。A.高均勻B.高不均勻C.低均勻D.低不均勻16.以下（）用于固態(tài)源擴散。A.氮化硼B(yǎng).硼酸三甲酯C.硼酸三丙酯D.三溴化硼17.以下哪項最為直接影響太陽電池的光電轉換效率（）。A.電池結構B.材料性質C.工作溫度D.禁帶寬度18.在硅片清洗中，經(jīng)常用到王水，主要利用它的（）。A.強氧化性B.強腐蝕性C.強酸性D.強堿性19.直拉單晶硅的制備工藝一般包括（）。A.多晶硅的裝料和熔化、種晶、引細頸、放肩、等徑和收尾B.多晶硅的裝料和熔化、種晶、放肩、引細頸、等徑和收尾C.多晶硅的裝料和熔化、種晶、、放肩、等徑、引細頸和收尾D.多晶硅的裝料和熔化、種晶、引細頸、等徑、放肩和收尾20.轉換效率是電池的最大功率輸出與（）之比。A.入射功率B.短路電流C.開路電壓D.填充因子二、多項選擇題1.常用的酸性腐蝕液配方中硝酸與氫氟酸與醋酸之比為（）。A.6:03:03B.5:03:03C.5:01:01D.6:01:012.單晶硅錠的兩種常見生產(chǎn)工藝有（）。A.澆鑄法B.直拉法C.直熔法D.區(qū)熔法3.電池的輸出功率受以下哪些因素所影響（）。A.柵覆蓋面積B.抗反射層的吸收和反射C.光子能量小于禁帶寬度引起的損耗D.光子能量大于禁帶寬度的能量損耗4.多晶硅錠的兩種常見生產(chǎn)方法有（）。A.澆鑄法B.直拉法C.直熔法D.區(qū)熔法5.多晶硅絨面制備時采用的酸腐蝕液主要由（）組成。A.HN03B.HFC.H20D.CH3CH2OH6.固態(tài)氮化硼擴散與液態(tài)硼擴散比較，其有如下的特點（）。A.設備復雜、操作麻煩B.擴散效率高，更適于大批量生產(chǎn)C.擴散后硅片的均勻性、重復性和表面質量都較好D.產(chǎn)品的合格率較高7.光伏電池廣泛應用于當今社會，以下哪些選項是其典型應用（）。A.無線電通信系統(tǒng)電源B.抽水系統(tǒng)C.室內電子器件D.電池充電器8.硅材料的選料主要包括（）。A.導電類型B.電阻率C.晶向、位錯、壽命D.形狀、尺寸、厚度9.硅片表面污染的雜質分類有（）。A.分子型雜質B.離子型雜質C.原子型雜質D.質子型雜質10.堿腐蝕法的酸腐蝕法對比，其優(yōu)點是（）。A.成本較低B.對環(huán)境的污染小C.外觀平整D.光亮度高11.離子注入法具有的特點主要有（）。A.精確的劑量控制B.均勻性好C.摻雜深度小D.不受固溶度限制12.太陽電池的測試方法包括（）。A.陽極氧化法測結深B.四探針法測薄層電阻C.少子壽命的測試D.太陽電池負載特性的測試13.太陽電池的光電轉換效率哪些因素有關（）。A.結構B.材料性質C.工作溫度D.環(huán)境變化14.以下哪些選項對太陽電池性能有直接的影響（）。A.電池片厚度B.溫度和光強度C.輻射D.顏色15.在太陽電池的擴散工藝中，影響擴散的重要因素有（）。A.擴散溫度B.擴散深度C.擴散氣氛D.擴散時間16.直拉單晶硅制備工藝一般包括（）。A.裝料和熔化B.種晶和引細頸C.放肩和等徑生長D.收尾17.制備PN結的主要方法有以下幾種（）。A.擴散法B.離子注入法C.合金法D.分離法18.制備背電場電池較常用的方法還有硼擴散法，硼擴散法的優(yōu)點是（）。A.分配系數(shù)比鋁大B.結均勻C.電極牢度好D.所需溫度低19.制作電極的方法主要有（）。A.真空蒸鍍法B.化學鍍膜法C.印刷燒結法D.加熱氧化法20.作為減反射層的薄膜材料，通常要求有很好的（）。A.透光性B.耐化學腐蝕性C.硅片粘接性D.導電性三、判斷題1.POCl3擴散是一種用氣體攜帶液態(tài)擴散源的擴散方式。（×）2.常規(guī)硅太陽電池工藝中,形成電池PN結的主要方法是合金法。（×）3.串、并聯(lián)電阻對填充因子的影響極小，可以忽略不計。（×）4.多晶硅一般采用堿溶液對進行表面腐蝕制絨。（×）5.根據(jù)晶體生長方式的不同，單晶硅可以分為直拉單晶硅和區(qū)熔單晶硅。（√）6.光伏電池具有對稱的電子學結構。（×）7.光伏電池可以用于微波中繼站電源供給，作為無線電通訊系統(tǒng)電源。（√）8.硅片進行表面腐蝕，其作用是去除表面的切片機械損傷。（√）9.減反射膜又稱增透膜，它的主要功能是減少或消除太陽電池表面的反射光。（√）10.堿腐蝕的硅片表觀光亮平整，但缺點是成本高和對環(huán)境的污染大。（×）11.晶面間的共價鍵密度越低，則該晶面越容易被腐蝕。（√）12.利用區(qū)熔單晶硅制備的太陽電池的光電轉換效率高，且生產(chǎn)成本低，應用廣泛。（×）13.利用王水清洗硅片主要在于它的腐蝕性。（×）14.內圓切割機切片的速度快，可以同時切割多根單晶硅錠。（×）15.水汽氧化是平面工藝最常用的方法。（×）16.太陽電池的最高轉換效率不可能達到100%。（√）17.太陽電池良好特性最適宜在低溫低光照強度下。（×）18.填隙式擴散是指雜質的原子在進入晶體之后，沿著晶格空位跳躍前進的一種擴散。（×）19.用于硅片清洗常的有機溶劑主要有甲苯、丙酮、酒精等。（√）20.制作背場可以較大地改善太陽電池的性能。（√）四、配伍題1.電池的總短路電流是全部光譜段貢獻的總和，用表達式表示如下：式中各項分別指代。（1）λ0一一（B本征吸收波長限）（2）R(λ)一一（A表面反射率）（3）F(λ)一一（C太陽光譜中波長為l～l+dl間隔內的光子數(shù)）2.硅片表面污染的雜質可分類為。（1）分子型雜質一一（B油脂、臘、松香）（2）離子型雜質一一（AK+,Na+,Ca2+,F-,CL-,CO32）（3）原子型雜質一一（C金、鉑、銅、鐵）3.硅片的一般清洗順序是，請按步驟一一匹配。（1）有機溶劑去油一一（C甲苯）（2）去除殘留的有機和無機雜質一一（B熱的濃硫酸）（3）清洗液徹底清洗一一（A熱王水或I號、Ⅱ號清洗液）4.將下列常用幾種氧化方法一一匹配。（1）水汽氧化法一一（C生長速率最快，生長的二氧化硅層結構疏松，表面有斑點）（2）干氧氧化法一一（A生長速率最慢，生成的二氧化硅薄膜結構致密、均勻性好）（3）濕氧氧化法一一（B生長速率介于兩者之間,鈍化效果不好，進一步降低體壽命）5.將下列常用減反射膜一一匹配。（1）SiO膜一一（B折射率為1.8～1.9，是最常用的減反射膜材料）（2）TiO2膜一一（C折射率為2.0～2.7，可得到比較理想的太陽電池減反射膜）（3）Si3N4膜一一（A折射率在1.8～2.5，具有明顯的表面鈍化和體鈍化作用）6.將下列概念與意義作用一一匹配。（1）腐蝕一一（C去除表面的切片機械損傷）（2）擴散一一（B由熱運動所引起的雜質原子和基體原子的輸運過程）（3）絨面一一（A降低了表面反射提高光生載流子的收集）7.將下列擴散源一一匹配。（1）液態(tài)源擴散一一（B硼酸三甲酯）（2）涂布源擴散一一（A五氧化二磷）（3）固態(tài)源擴散一一（C氮化硼）8.太陽電池的等效電路中，暗電流表達式式中各項分別指代。（1）U一一（C等效二極管的端電壓）（2）Q一一（A電子電量）（3）A一一（B二極管曲線因子，取值在1～2之間）9.太陽電池組件的測量必須在標準條件下進行，測量條件被“歐洲委員會”定義為101號標準，其條件是。（1）光譜輻照度一一（B.1000W/㎡）（2）光譜一一（C.AM1.5）（3）電池溫度一一（A.25℃）10.提高硅太陽電池效率的幾種途徑，請匹配。（1）紫光電池一一（A采用0.1～0.15μm淺結和30條/cm精細密柵）（2）M1S電池一一（B在金屬和半導體之間加入1．5一3．0nm絕緣層）（3）聚光電池一一（C電池面積小，低成本）形考任務4一、單項選擇題1.（）接觸能形成整流特性接觸和良好的歐姆接觸。A.半導體與半導體B.金屬與半導體C.金屬與金屬D.金屬與絕緣體2.1973年GaAs三層結構異質結太陽電池，實驗室效率達到（），超過了硅太陽電池。A.22%B.42%C.32%D.12%3.MIS光伏電池是什么結構()。A.金屬-絕緣層-半導體結構B.金屬-絕緣層-金屬結構C.半導體-絕緣層-半導體結構D.絕緣層-金屬-半導體結構4.半導體硅中，n+/p型硅太陽電池通常用（）為摻雜元素。A.磷B.硼C.砷D.鈉5.單晶硅的生產(chǎn)工藝在太陽電池領域主要應用的是（）。A.澆鑄法B.直熔法C.區(qū)熔法D.直拉法6.非晶硅太陽電池的哪一方面限制了非晶硅太陽電池的應用（）。A.工藝復雜B.大面積均勻性的困難C.光致衰減效應D.陷光效應7.硅太陽電池地面應用傾向于采用電阻率為()的材料，以獲得高的轉換效率。A.0.1至50·cmB.10至200Ω·cmC.零點幾至2Ω·cmD.小于0.018.具有整流效應（單向導電性）的金屬和（）接觸，稱為肖特基結。A.半導體B.金屬C.絕緣體D.以上均可9.硫化亞銅-硫化鎘太陽電池的缺點主要是（）。A.工藝復雜B.大面積均勻性的困難，效率低C.造價高D.不利于大規(guī)模自動化生產(chǎn)10.目前，在實驗室中薄膜太陽電池的光電轉換效率已經(jīng)超過了()，在國際上已經(jīng)有模的工業(yè)生產(chǎn)。A.21.90%B.29%C.16%D.40%11.目前，制備薄膜的主要方法中（）是一種高效、低成本、適合大面積生產(chǎn)的方法。A.化學沉積法B.電沉積法（ED）C.噴涂法（SP）D.物理氣相沉積法（PVD）12.目前產(chǎn)業(yè)化太陽電池中,所占比例最大的是（）。A.MIS光伏電池B.硅基太陽電池C.碲化鎘太陽電池（a-Si）D.銅銦鎵硒太陽電池13.目前已產(chǎn)業(yè)化的薄膜光伏電池材料有（）。A.銅銦鎵硒太陽電池B.非晶硅薄膜電池（a-Si）C.碲化鎘太陽電池D.以上三種14.太陽電池用單晶硅片的厚度約為（）。A.200～300μmB.20～30μmC.200～300mmD.20～30cm15.銅銦鎵硒薄膜太陽電池走向大規(guī)模的產(chǎn)業(yè)化最大的困難是（）A.性能不穩(wěn)定B.光電轉換效率低C.復雜的多層結構和敏感的元素配比，對工藝和設備的要求非常嚴格D.其成本高、抗輻射能力弱16.下列不是半導體異質結太陽電池的是（）。A.硫化亞銅-硫化鎘太陽電池B.碲化鎘太陽電池C.砷化鎵太陽電池D.非晶硅薄膜太陽電池17.下列哪個不是染料敏化太陽電池（DSSC）的優(yōu)點（）A.結構簡單B.光電轉換效率高C.對環(huán)境無污染D.成本低廉、易于制造18.要提高微晶硅太陽電池性能，核心技術是（），可使光電轉換效率超過20%。A.陷光技術B.摻雜工藝C.大面積均勻性技術D.抗光致衰減技術19.因轉化率低，而且存在光致衰退，因此在太陽能發(fā)電市場多用于功率小的小型電子產(chǎn)品市場。如電子計算器、玩具等的太陽能電池是（）。A.單晶硅電池B.多晶硅太陽電池C.銅銦鎵硒太陽電池D.非晶硅太陽電池20.在國際光伏行業(yè)得到了廣泛應用的鑄造多晶硅的工藝是（）。A.澆鑄法B.直熔法C.區(qū)熔法D.直拉法二、多項選擇題1.（）有何特點的金屬-半導體接觸稱為歐姆接觸，歐姆結。A.很小的電阻B.很大的電阻C.單向導電性D.具有線性和對稱的電流-電壓關系2.MIS結構實際上是一個（）。A.金屬-絕緣層-半導體B.金屬C.電阻D.電容3.薄膜太陽電池采用的化學沉積法制膜的優(yōu)點是（）。A.高效B.低成本C.環(huán)保D.適合大面積生產(chǎn)4.單晶硅一般采用哪種溶液對進行表面腐蝕制絨（）。A.氫氧化鋰B.氫氧化鈉C.硝酸D.氫氧化鉀5.電池的優(yōu)缺點有（）。A.可在不同的襯底上制作，非常適合于大規(guī)模自動化生產(chǎn)B.電池生產(chǎn)成本低廉。C.效率低，缺少硅電池那種固有的穩(wěn)定性D.系統(tǒng)其他部分的成本高6.多晶硅可采用哪種溶液對進行表面腐蝕制絨（）。A.NaOHB.HN03、HF、H20C.KOHD.CH3CH2OH7.非晶硅薄膜太陽電池與晶體硅太陽電池相比，具有什么優(yōu)點（）。A.光致衰減低B.重量輕C.耗能少D.工藝簡單、成本低8.硅基電池包括（）。A.單晶硅B.非晶硅電池C.銅銦鎵硒薄膜電池D.多晶硅9.金屬與半導體接觸能形成（）。A.整流特性接觸B.良好的歐姆接觸C.半導體D.絕緣體10.染料敏化太陽電池主要由組成（）。A.納米多孔薄膜B.染料敏化劑C.電解質D.對電極11.實際的化合物半導體電池結構之所以考慮異質結，出于以下（）因素的考慮。A.采用異質結構來降低表面復合速率B.一些半導體材料存在結構自補償，使成結困難，需要采用異質結構C.異質結可以充分利用太陽光D.成本低12.銅銦鎵硒薄膜太陽電池受到全世界廣泛研究的原因是（）。A.性能穩(wěn)定B.成本低C.抗輻射能力強D.光電轉換效率高13.王水幾乎能溶解所有不活潑金屬如銅、銀以及金、鉑等。具有極強的（）。A.強堿性B.氧化性C.腐蝕性D.強酸性14.微晶硅太陽電池的特點（）。A.不存在光致衰減現(xiàn)象，具有較好的穩(wěn)定性B.光譜響應范圍窄C.低吸收系數(shù)D.工藝簡單、成本低15.下面關于硅太陽電池的形狀、尺寸、厚度，說法正確的是（）。A.125×125mm2B.156×156mm2C.基體厚度為200μm左右D.球形16.硝酸(HNO3)不能溶解的有（）。A.金B(yǎng).鉑C.銅D.鐵17.肖特基二極管(SBD)比一般的半導體二極管特性好在（）。A.正向導通電壓高B.高頻性能好，開關速度快C.正向導通電壓低D.低頻性能好，開關速度快18.肖特基結是（）。A.金屬與半導體接觸B.有整流效應的金屬和半導體接觸C.金屬與金屬接觸D.單向導電性的金屬和半導體接觸19.直拉單晶硅的制備工藝一般包括（）。A.晶硅的裝料和熔化B.種晶C.引細頸、放肩、等徑D.收尾20.鑄造多晶硅主要的工藝有（）。A.直熔法B.澆鑄法C.直拉法D.區(qū)熔法三、判斷題1.II號清洗液是由去離子水、含量為30%的過氧化氫和含量為37%的濃鹽酸混合而成。（√）2.N型半導體樣品，熱端的空穴向冷端擴散，冷端帶正電，熱端帶負電。（×）3.P+/n硅太陽電池，常用磷或砷作摻雜元素。（√）4.POCl3是無色透明無氣味的無毒液體。（×）5.P型半導體樣品，熱端的空穴向冷端擴散，冷端帶正電，熱端帶負電。（√）6.采用同一種材料的P型和N型組成的P-N結，稱為同質結。（√）7.多晶硅的制備工藝一般包括:多晶硅的裝料和熔化、種晶、引細頸、放肩、等徑和收尾。（×）8.多晶硅一般采用酸溶液對進行表面腐蝕制絨。（√）9.非晶硅薄膜太陽電池可以制備在玻璃、不銹鋼、陶瓷等襯底上。（√）10.非晶硅薄膜太陽電池一般被設計成pin結構。（√）11.非晶硅太陽電池的光致衰減效應限制了非晶硅太陽電池的應用。（√）12.硅片清洗必須按照酒精-水-甲苯-丙酮的次序清洗，才能除去有機物及有機溶劑分子。（×）13.金屬-絕緣層-半導體(MIS)結構實際上是一個