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第五章第三節(jié)對點(diǎn)訓(xùn)練題組一傳統(tǒng)無機(jī)非金屬材料1.下列說法正確的是(B)①構(gòu)成巖石與很多礦物的基本元素是碳②硅酸鹽的基本結(jié)構(gòu)單元中,每個(gè)Si四周結(jié)合4個(gè)O③運(yùn)用量最大的無機(jī)非金屬材料是陶瓷、水泥、玻璃等硅酸鹽產(chǎn)品④硅膠多孔,吸附實(shí)力強(qiáng),常用作干燥劑,也可用作催化劑的載體A.①②③④ B.②③④C.①④ D.②③解析:①硅在地殼中的含量僅次于氧,居其次位,在自然界中硅主要以化合物二氧化硅、硅酸鹽等的形式存在,二氧化硅、硅酸鹽等硅的化合物是構(gòu)成巖石和很多礦物的主要成分,因此可以說硅是構(gòu)成巖石與很多礦物的基本元素,①錯(cuò)誤;②硅酸鹽的基本結(jié)構(gòu)單元中,每個(gè)Si原子與4個(gè)O原子形成4個(gè)Si—O共價(jià)鍵;每個(gè)O原子與2個(gè)Si原子形成Si—O共價(jià)鍵,這些四面體結(jié)構(gòu)可以鏈狀或?qū)訝罘绞竭B結(jié),②正確;③陶瓷、水泥、玻璃等硅酸鹽產(chǎn)品是運(yùn)用量最大的傳統(tǒng)無機(jī)非金屬材料,③正確;④硅膠多孔,表面積大,吸附實(shí)力強(qiáng),常用作干燥劑,也可用作催化劑的載體,④正確;綜上所述可知,說法正確的是②③④,故合理選項(xiàng)是B。2.SiO2是一種化工原料,可以制備一系列物質(zhì)(如圖)。下列說法正確的是(C)A.圖中全部反應(yīng)都不屬于氧化還原反應(yīng)B.硅酸鹽的化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,常用于制造光導(dǎo)纖維C.可用鹽酸除去石英(主要成分為SiO2)中少量的碳酸鈣D.一般玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的,其熔點(diǎn)很高解析:圖中SiO2與碳、Si與Cl2、SiCl4與H2的反應(yīng)都是氧化還原反應(yīng),A項(xiàng)錯(cuò)誤;光導(dǎo)纖維的主要成分是SiO2,B項(xiàng)錯(cuò)誤;SiO2與鹽酸不反應(yīng),碳酸鈣與鹽酸反應(yīng),可用鹽酸除石英中的碳酸鈣,C項(xiàng)正確;玻璃是混合物,沒有固定熔點(diǎn),D項(xiàng)錯(cuò)誤。題組二新型無機(jī)非金屬材料3.依據(jù)不同部位工作條件的不同,航天飛機(jī)運(yùn)用了多種防熱材料。例如,機(jī)身和機(jī)翼下表面運(yùn)用高溫陶瓷瓦。下列對新型陶瓷材料的敘述中,錯(cuò)誤的是(D)A.高溫結(jié)構(gòu)陶瓷屬于新型無機(jī)非金屬材料,可以作為高級耐火材料B.氧化鋁陶瓷屬于新型無機(jī)非金屬材料,它是生物陶瓷C.氮化硅陶瓷屬于新型無機(jī)非金屬材料,它用于制造陶瓷發(fā)動機(jī)的受熱面D.新型無機(jī)非金屬材料克服了傳統(tǒng)無機(jī)非金屬材料的缺點(diǎn),但是強(qiáng)度比較差解析:高溫結(jié)構(gòu)陶瓷包括Si3N4陶瓷、SiC陶瓷等,屬于新型無機(jī)非金屬材料,可以作為高級耐火材料,A正確;氧化鋁陶瓷屬于新型無機(jī)非金屬材料,是一種生物陶瓷,B正確;氮化硅陶瓷屬于新型無機(jī)非金屬材料,是高溫結(jié)構(gòu)材料,可用于制造陶瓷發(fā)動機(jī)的受熱面,C正確;新型無機(jī)非金屬材料不但克服了傳統(tǒng)無機(jī)非金屬材料的缺點(diǎn),而且同時(shí)還具有較高的強(qiáng)度和耐磨性,能反抗冷熱沖擊,且有電學(xué)性能等若干優(yōu)點(diǎn),D錯(cuò)誤。4.平昌冬奧會“北京8分鐘”主創(chuàng)團(tuán)隊(duì)用石墨烯制作了在-20℃能發(fā)熱4h的智能服飾;用鋁合金管材和碳纖維制作了高2.35m、重量僅為10kg的熊貓木偶,向世界呈現(xiàn)了新時(shí)代的中國形象。下列說法不正確的是(A)A.石墨烯是能導(dǎo)熱的金屬材料B.鋁合金是密度較小的金屬材料C.碳纖維是無機(jī)非金屬材料D.新型材料種類多、用途廣解析:石墨烯是無機(jī)非金屬材料,A項(xiàng)錯(cuò)誤;鋁合金密度小,硬度大,B項(xiàng)正確;碳纖維是由有機(jī)纖維經(jīng)碳化及石墨化處理而得到的微晶石墨材料,屬于無機(jī)非金屬材料,C項(xiàng)正確;人們已探討出很多用途不同的新型材料,D項(xiàng)正確。題組三硅及其化合物5.下列物品或設(shè)備的成分中含有二氧化硅的是(A)①做窗戶的一般玻璃②水晶鏡片③石英鐘表④做首飾的瑪瑙⑤硅太陽能電池⑥傳輸信號的光導(dǎo)纖維⑦計(jì)算機(jī)芯片⑧澆灌房頂?shù)乃郃.①②③④⑥ B.全部C.⑤⑦⑧ D.①②⑥⑦解析:①一般玻璃中含SiO2、Na2SiO3、CaSiO3等,①符合題意;②水晶的主要成分是SiO2,②符合題意,石英、瑪瑙主要成分都是SiO2,③④符合題意;硅太陽能電池和計(jì)算機(jī)芯片主要成分是Si,⑤⑦不符合題意;光導(dǎo)纖維主要成分是SiO2,⑥符合題意;水泥主要成分是硅酸鹽,⑧不符合題意。6.(2024·長沙高一檢測)如圖為刻蝕在玻璃上的精致的花紋圖案,則刻蝕過程中所發(fā)生的主要化學(xué)反應(yīng)為(D)A.CaCO3+2HCl=CaCl2+H2O+CO2↑B.NaHCO3+HCl=NaCl+H2O+CO2↑C.Si+4HF=SiF4↑+2H2↑D.SiO2+4HF=SiF4↑+2H2O7.下列離子方程式中書寫正確的是(C)A.水玻璃中通入過量的二氧化碳:Na2SiO3+CO2+H2O=2Na++COeq\o\al(2-,3)+H2SiO3B.二氧化硅放入澄清石灰水中:Ca(OH)2+2SiO2=CaSiO3+H2OC.二氧化硅與氫氟酸反應(yīng):SiO2+4HF=SiF4↑+2H2OD.單質(zhì)硅溶于燒堿溶液中:Si+4OH-+H2O=SiOeq\o\al(2-,3)+2H2↑解析:過量二氧化碳應(yīng)生成HCOeq\o\al(2-,3),且Na2SiO3應(yīng)拆為離子形式,A項(xiàng)錯(cuò)誤;二氧化硅與石灰水離子方程式為Ca2++2OH-+SiO2=CaSiO3↓+H2O,B項(xiàng)錯(cuò)誤;二氧化硅與氫氟酸反應(yīng)為SiO2+4HF=SiF4↑+2H2O,C項(xiàng)正確;硅與燒堿溶液反應(yīng)為Si+2OH-+H2O=SiOeq\o\al(2-,3)+2H2↑,D項(xiàng)錯(cuò)誤。8.“中國芯”的發(fā)展離不開高純單晶硅。從石英砂(主要成分為SiO2)制取高純硅涉及的主要反應(yīng)用流程圖表示如下:下列說法錯(cuò)誤的是(D)A.反應(yīng)①中氧化劑和還原劑的物質(zhì)的量之比為1∶2B.流程中HCl和H2可以循環(huán)利用C.反應(yīng)①②③均為置換反應(yīng)D.生成的硅單質(zhì)是光導(dǎo)纖維的主要成分解析:反應(yīng)①的化學(xué)方程式為SiO2+2Ceq\o(=,\s\up7(1800~2000℃))2CO↑+Si,SiO2是氧化劑,C是還原劑,氧化劑和還原劑的物質(zhì)的量之比為1∶2,A項(xiàng)正確;反應(yīng)②中的HCl是反應(yīng)物、H2是生成物,反應(yīng)③中H2是反應(yīng)物、HCl是生成物,故流程中HCl和H2可以循環(huán)利用,B項(xiàng)正確;反應(yīng)①SiO2+2Ceq\o(=,\s\up7(1800~2000℃))2CO↑+Si,反應(yīng)②Si+3HCleq\o(=,\s\up7(300℃))H2+SiHCl3,反應(yīng)③H2+SiHCl3eq\o(=,\s\up7(1100℃))Si+3HCl,均為置換反應(yīng),C項(xiàng)正確;光導(dǎo)纖維的主要成分是SiO2,Si單質(zhì)是良好的半導(dǎo)體材料,D項(xiàng)錯(cuò)誤。綜合強(qiáng)化9.下列反應(yīng)不能一步完成的是(B)A.SiO2→Na2SiO3 B.SiO2→H2SiO3C.Na2SiO3→H2SiO3 D.H2SiO3→SiO210.如圖所示,A、B、C、D分別代表有關(guān)反應(yīng)中的一種化合物,其中物質(zhì)A是一種高熔點(diǎn)化合物,不溶于硫酸、硝酸,卻溶于氫氟酸。請回答下列問題:(1)A、B、C、D的化學(xué)式分別是_SiO2__、_CO__、_CO2__、_H2SiO3__。(2)A→B的化學(xué)方程式是SiO2+2Ceq\o(=,\s\up7(高溫))Si+2CO↑。(3)C→D的離子方程式是SiOeq\o\al(2-,3)+CO2+H20=H2SiO3(膠體)+COeq\o\al(2-,3)。解析:本題的突破口是“A是一種高熔點(diǎn)化合物,不溶于硫酸、硝酸,卻溶于氫氟酸”,因此A是SiO2。SiO2在高溫下被碳還原生成Si和CO,又B點(diǎn)燃得到C,則B是CO,C是CO2,D加熱生成A,則D是硅酸。(1)依據(jù)以上分析可知A、B、C、D的化學(xué)式分別是SiO2、CO、CO2、H2SiO3。(2)A→B的化學(xué)方程式是SiO2+2Ceq\o(=,\s\up7(高溫))Si+2CO↑。(3)C→D的離子方程式是SiOeq\o\al(2-,3)+CO2+H2O=H2SiO3(膠體)+COeq\o\al(2-,3)。11.含A元素的一種單質(zhì)是一種重要的半導(dǎo)體材料,含A元素的一種化合物C可用于制造高性能的現(xiàn)代通訊材料——光導(dǎo)纖維,C與燒堿反應(yīng)生成含A元素的化合物D。(1)在元素周期表中,A位于第_ⅣA__族,與A同族但相對原子質(zhì)量比A小的元素B的原子結(jié)構(gòu)示意圖為,A與B在原子的電子層結(jié)構(gòu)上的相同點(diǎn)是_最外層均有4個(gè)電子__。(2)易與C發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的酸是_氫氟酸__,反應(yīng)的化學(xué)方程式是SiO2+4HF=SiF4↑+2H2O。(3)將C與純堿混合高溫熔融時(shí)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成D,同時(shí)還生成B的最高價(jià)氧化物E;將少量的E通入D的水溶液中,生成含A的化合物F。①分別寫誕生成D和F的化學(xué)反應(yīng)方程式:SiO2+Na2CO3eq\o(=,\s\up7(高溫))Na2SiO3+CO2↑,Na2SiO3+CO2+H2O=Na2CO3+H2SiO3↓。②要將純堿高溫熔化,下列坩堝中不行選用的是_AB__。A.一般玻璃坩堝 B.石英玻璃坩堝C.鐵坩堝解析:含A元素的一種單質(zhì)是一種重要的半導(dǎo)體材料,則A為Si,含A元素的一種化合物C可用于制造高性能的現(xiàn)代通訊材料——光導(dǎo)纖維,則C為SiO2,C與燒堿反應(yīng)生成含A元素的化合物D為Na2SiO3。(1)A的最外層電子數(shù)為4,位于第ⅣA族,與A同族但相對原子質(zhì)量比A小的元素B為碳,其原子結(jié)構(gòu)示意圖為,二者最外層均有4個(gè)電子;(2)二氧化硅與氫氟酸反應(yīng)生成四氟化硅與水,化學(xué)方程式為SiO2+4HF=SiF4↑+2H2O;(3)①將SiO2與純堿混合高溫熔融時(shí)反應(yīng)生成Na2SiO3,同時(shí)還生成B的最高價(jià)氧化物E,則E為CO2,化學(xué)方程式為SiO2+Na2CO3eq\o(=,\s\up7(高溫))Na2SiO3+CO2↑;將少量的CO2與Na2SiO3水溶液反應(yīng),生成了含A的化合物F為H2SiO3,化學(xué)方程式為Na2SiO3+CO2+H2O=Na2CO3+H2SiO3↓;②一般玻璃坩堝、石英玻璃坩堝中的二氧化硅在高溫下都能與碳酸鈉反應(yīng),應(yīng)在鐵坩堝中熔化,A、B兩選項(xiàng)符合題意。12.(2024·武漢高一檢測)硅是帶來人類文明的重要元素之一,從傳統(tǒng)材料到信息材料的發(fā)展過程中創(chuàng)建了一個(gè)又一個(gè)奇跡。(1)工業(yè)上生產(chǎn)粗硅的反應(yīng):SiO2+2Ceq\o(=,\s\up7(高溫))Si(粗)+2CO↑;SiO2+3Ceq\o(=,\s\up7(高溫))SiC+2CO↑。若產(chǎn)品中單質(zhì)硅與碳化硅的物質(zhì)的量之比為1∶1,則參與反應(yīng)的C和SiO2的物質(zhì)的量之比為_5∶2__。(2)工業(yè)上可以通過如圖所示的流程制取純硅:①若反應(yīng)Ⅰ為Si(粗)+3HCleq\o(=,\s\up7(△))SiHCl3+H2,則反應(yīng)Ⅱ的化學(xué)方程式為SiHCl3+H2eq\o(=,\s\up7(1373~1453K))Si(純)+3HCl。②整個(gè)制備過程中必需嚴(yán)格限制無水無氧。SiHCl3遇水猛烈反應(yīng)生成H2SiO3、HCl和另一種物質(zhì),寫出該反應(yīng)的化學(xué)方程式:SiHCl3+3H2O=H2SiO3+3HCl+H2↑。解析:(
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