DB37T 3142-2018 小徑管焊接接頭相控陣超聲檢測(cè)技術(shù)規(guī)程

DB37/T3142—2018小徑管焊接接頭相控陣超聲檢測(cè)技術(shù)規(guī)程2018-02-13發(fā)布2018-03-13實(shí)施IDB37/T3142-2018本標(biāo)準(zhǔn)按照GB/T1.1所給出的規(guī)則起草。本標(biāo)準(zhǔn)由山東省質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局提出并歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：中國電建集團(tuán)山東電力建設(shè)第一工程有限公司、山東豐匯工程檢測(cè)有限公司、山東省特種設(shè)備協(xié)會(huì)、神華國能山東建設(shè)集團(tuán)有限公司、中國石化總公司濟(jì)南煉油廠、華電國際電力股份有限公司鄒縣發(fā)電廠、山東科捷工程檢測(cè)有限公司、武漢中科創(chuàng)新技術(shù)股份有限公司。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：王耀禮、杜傳國、顧顯方、張波、郭懷力、蘇敏、張勇、徐學(xué)堃、郭相吉、丁成海、齊高君、梁玉梅、魏玉忠、李向前、徐祇宏、苑廣存、林光輝、戴憲洲、鞠煥強(qiáng)、王敬昌。1DB37/T3142—2018本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了鋼制承壓設(shè)備小徑管焊接接頭相控陣超聲檢測(cè)方法及質(zhì)量評(píng)定。測(cè)。對(duì)厚度大于或者小于以上范圍的工件，若經(jīng)過工藝驗(yàn)證試驗(yàn)，能夠滿足檢測(cè)靈敏度要求的，可參照本標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容。下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，僅所注日期的版本適用于本文GB/T9445無損檢測(cè)人員資格鑒定與認(rèn)證GB/T12604.1無損檢測(cè)術(shù)語超聲檢測(cè)GB/T32563—2016無損檢測(cè)超聲檢測(cè)相控陣超聲檢測(cè)方法NB/T47013.3—2015承JB/T11731—2013無損檢測(cè)超聲相控陣探頭通用技術(shù)條件下列術(shù)語和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)。規(guī)定檢測(cè)起始參考點(diǎn)0點(diǎn)以及X、Y和Z坐標(biāo)的含義，如圖1所示。2DB37/T3142—20183.23.3由缺陷引起的顯示為相關(guān)顯示。3.4非相關(guān)顯示non-relevantindication由于工件結(jié)構(gòu)(例如焊縫余高或根部)或者材料冶金結(jié)構(gòu)的偏差(例如金屬母材和覆蓋層界面)引起3.5通過控制激發(fā)晶片數(shù)量，以及施加到每個(gè)晶片上的發(fā)射和接收延時(shí)，實(shí)現(xiàn)波束的偏轉(zhuǎn)和聚焦的算法3.6使扇形掃描角度范圍內(nèi)不同角度的聲束檢測(cè)同一深度相同尺寸的反射體回波幅度等量化的增益補(bǔ)償。也稱做角度修正增益或ACG。3.7對(duì)不同聲程處相同尺寸反射體的回波進(jìn)行增益修正，使之達(dá)到相同幅值，也稱做TCG。3.8相控陣超聲檢測(cè)phasearrayultrasonictesting將按一定規(guī)律排列的相控陣探頭中多個(gè)壓電元件(晶片),按預(yù)先規(guī)定的設(shè)置(延時(shí)、增益、振幅等)激發(fā)，利用被激發(fā)晶片發(fā)射(或接收)的偏轉(zhuǎn)和聚焦聲束檢測(cè)工件中的缺陷，并對(duì)缺陷進(jìn)行成像。在一定范圍內(nèi)，相控陣超聲能有效控制發(fā)射(或接收)聲束在材料中的偏轉(zhuǎn)和聚焦，為確定缺陷的形狀、大小和方向提供了比單個(gè)探頭系統(tǒng)更強(qiáng)的檢測(cè)能力。3.9采用特定的聚焦法則激發(fā)相控陣探頭中的部分相鄰或全部晶片，使激發(fā)晶片組形成的聲束在設(shè)定的角度范圍內(nèi)以一定的步進(jìn)值變換角度掃過扇形區(qū)域。也稱作變角度掃描或S掃描。線性掃查linearscanning3DB37/T3142—2018線性掃查是指探頭在距焊縫邊緣(或焊縫中心)一定距離的位置上，平行于焊縫方向進(jìn)行的直線移動(dòng)，也叫沿線掃查，如圖2所示。(a)采用一個(gè)相控陣探頭的線性掃查(b)采用兩個(gè)相控陣探頭的線性掃查圖2線性掃查多次沿線掃查，探頭按照柵格式的軌跡行進(jìn)，以實(shí)現(xiàn)對(duì)檢測(cè)部位的全面覆蓋或多重覆蓋。3.12主動(dòng)孔徑activeaperture主動(dòng)孔徑(A)是相控陣探頭激發(fā)晶片數(shù)的有效長度。主動(dòng)孔徑長度按照公式(1)計(jì)算，如圖3所示。A=n×e+g×(n-1)...................................(1)n—晶片數(shù)量e—晶片寬度g—晶片間隙A—主動(dòng)孔徑g—相鄰晶片之間的間隙e—晶片寬度n—晶片數(shù)量圖3主動(dòng)孔徑3.13位置傳感器按時(shí)間(時(shí)鐘)調(diào)節(jié)，則數(shù)據(jù)采集基于掃查時(shí)間(秒)。時(shí)基模式的數(shù)據(jù)采集時(shí)間T等于采3.144DB37/T3142—2018可將位于同深度的相鄰兩缺陷分辨開的相鄰兩A掃描之間的最小角度值。成像橫向分辨力lateralimagingresolution成像系統(tǒng)在與聲束軸線垂直方向的分辨力。成像系統(tǒng)在聲束軸線方向的分辨力。相控陣超聲成像視圖有多種視圖顯示：分別為A顯示(波型顯示)、B/D顯示(橫斷面顯示)、C顯示(水平面顯示)、S顯示(扇形顯示)等多種形式來顯示結(jié)果，利用不同形式的掃描組合可獲得整體檢測(cè)圖像，如圖4所示。日京軸日京軸進(jìn)位軸D顯示深B顯示C顯示圖4成像視圖4一般要求陣超聲檢測(cè)技術(shù)培訓(xùn)，取得相應(yīng)證書。相控陣超聲檢測(cè)設(shè)備主要包括儀器主機(jī)、軟件、掃查裝置、探頭，上述各項(xiàng)應(yīng)成套或單獨(dú)具有產(chǎn)品質(zhì)量合格證或制造廠出具的合格文件。4.2.2相控陣超聲儀器a)其放大器的增益調(diào)節(jié)步進(jìn)不應(yīng)大于1dB。b)相控陣儀器應(yīng)配備與其硬件相匹配的延時(shí)控制和成像軟件。5DB37/T3142—2018d)采樣頻率不應(yīng)小于探頭中心頻率的6倍。e)幅度模數(shù)轉(zhuǎn)換位數(shù)應(yīng)不小于8位。f)儀器的水平線性誤差不大于1%,垂直線性誤差不大于5%。g)所有激勵(lì)通道的發(fā)射脈沖電壓具有一致性，最大偏移量應(yīng)不大于設(shè)置值的5%。h)各通道的發(fā)射脈沖延遲精度不大于5ns。4.2.3軟件a)探頭應(yīng)符合JB/T11731標(biāo)準(zhǔn)要求，探頭可加c)探頭實(shí)測(cè)中心頻率與標(biāo)稱頻率間的誤差應(yīng)不大于10%;d)探頭的-6dB相對(duì)頻帶寬度不小于55%;e)同一探頭晶片間靈敏度差值應(yīng)不大于4dB。晶片靈敏度的均勻性應(yīng)滿足均方差不大于1dB。f)使用中的相控陣探頭如出現(xiàn)損壞晶片，可在選擇激發(fā)孔徑范圍時(shí)設(shè)法避開壞晶片；如無法避開，則要求在掃查使用的每個(gè)聲束組中，損壞晶片不應(yīng)超過總使用晶片數(shù)的12.5%,且沒有連續(xù)損壞晶片；如果晶片的損壞超過上述規(guī)定，可通過仿真軟件計(jì)算且通過試塊測(cè)試，確認(rèn)壞晶片對(duì)聲場(chǎng)和檢測(cè)靈敏度、信噪比無明顯不利影響，才允許使用。4.2.5試塊4.2.5.2校準(zhǔn)試塊型試塊和相控陣B型試塊(聲束控制評(píng)定試塊)見附錄B。4.2.5.3對(duì)比試塊a)本標(biāo)準(zhǔn)采用的對(duì)比試塊型號(hào)為GS-1、GS-2、GS-3(見附錄D);4.2.5.4模擬試塊模擬試塊與被檢測(cè)工件在材質(zhì)、形狀、主要幾何尺寸、坡口型式和焊接工藝等方面應(yīng)相同或相近。主要用于檢測(cè)工藝驗(yàn)證、掃查靈敏度的確定，按缺陷制作方式可分為人工焊接缺陷試塊和機(jī)加工缺陷試6DB37/T3142—2018b)機(jī)加工缺陷試塊：其缺陷類型主要包括橫孔、V形槽及其他線切割槽等人工反射體。4.2.6耦合劑4.2.6.1應(yīng)選用具有良好的透聲性、易清洗、無毒無害，有適宜流動(dòng)性的材料；對(duì)工件、人體及環(huán)境無損害，同時(shí)應(yīng)便于檢測(cè)后清理。典型的耦合劑包括水、化學(xué)耀糊、洗滌劑、機(jī)油和甘油，在零度以下建議使用機(jī)油或相近的液體。4.2.6.2實(shí)際檢測(cè)采用的耦合劑應(yīng)與檢測(cè)系統(tǒng)設(shè)置和校準(zhǔn)時(shí)的耦合劑相同。4.2.7掃查裝置4.2.7.1探頭夾持部分在掃查時(shí)應(yīng)保證聲束與焊縫長度方向垂直。4.2.7.2導(dǎo)向部分應(yīng)能在掃查時(shí)使探頭運(yùn)動(dòng)軌跡與擬掃查軌跡保持一致。4.2.7.3掃查裝置可以采用電動(dòng)或人工驅(qū)動(dòng)。4.2.7.4掃查裝置應(yīng)具有確定探頭位置的功能，可通過步進(jìn)電機(jī)或位置傳感器實(shí)現(xiàn)對(duì)位置的探測(cè)與控4.2.8.1相控陣儀器的性能指標(biāo)應(yīng)每年進(jìn)行一次校準(zhǔn)。儀器的水平線性和垂直線性應(yīng)每隔六個(gè)月至少進(jìn)行一次運(yùn)行核查。4.2.8.2在新探頭開始使用時(shí)，應(yīng)對(duì)探頭進(jìn)行一次全面的性能校準(zhǔn)，具體校準(zhǔn)方法見JB/T11731。4.2.8.3校準(zhǔn)應(yīng)在相應(yīng)的試塊上進(jìn)行，扇掃成像分辨力在A型試塊上進(jìn)行，幾何尺寸測(cè)量誤差在B試塊上進(jìn)行，具體調(diào)校方法見GB/T29302校準(zhǔn)規(guī)范。4.2.8.4位置傳感器在檢測(cè)前及結(jié)束時(shí)，均應(yīng)進(jìn)行校準(zhǔn)。校準(zhǔn)方法是使位置傳感器移動(dòng)一定距離，將檢測(cè)設(shè)備顯示的位移與實(shí)際位移相比較，要求誤差應(yīng)小于1%,最大值不超過10mm。4.2.8.5檢查每次檢測(cè)前應(yīng)檢查儀器設(shè)備器材外觀、線纜連接接頭、儀器鍵盤及觸摸屏等是否正常。4.3掃描類型及顯示方式4.3.1檢測(cè)時(shí)，一般采用扇形掃描。可根據(jù)被檢產(chǎn)品的焊縫類型、工作介質(zhì)，預(yù)計(jì)可能產(chǎn)生的缺陷種類、形狀、部位和取向，選擇其他掃描類型。4.3.2扇形掃描的顯示方式分為按聲程顯示和按實(shí)際幾何結(jié)構(gòu)顯示兩種方式(見圖5),工作中顯示方式的選擇應(yīng)根據(jù)使用的相控陣超聲設(shè)備而定。圖5扇形掃描檢測(cè)示意圖4.3.4在掃查數(shù)據(jù)的圖像中應(yīng)有位置傳感器掃查位置顯示。7DB37/T3142—20184.4聚焦法則參數(shù)a)晶片數(shù)量：聚焦法則使用的晶片數(shù)量不低于16個(gè)；c)角度參數(shù)：在工件中所用聲束的固定角度、聲束的角度范圍(35°~75°);i)探頭位置：設(shè)定探頭前端至焊縫邊緣(或焊縫中心)的距離。況等);f)對(duì)檢測(cè)設(shè)備(儀器、探頭、試塊)的要求；孔徑、扇掃角度和步進(jìn)、線掃步進(jìn)、聚焦、時(shí)間窗口、靈敏度等)和校準(zhǔn)(靈敏度、位置傳感器等)方法；8DB37/T3142—2018f)數(shù)據(jù)分析、缺陷評(píng)定及出具報(bào)告的要求。4.5.2操作指導(dǎo)書在首次應(yīng)用前應(yīng)進(jìn)行工藝驗(yàn)證，驗(yàn)證方式可在相關(guān)試塊或軟件上進(jìn)行，驗(yàn)證內(nèi)容包括檢測(cè)范圍內(nèi)靈敏度、信噪比等是否滿足檢測(cè)要求。4.6工藝驗(yàn)證試驗(yàn)4.6.1工藝驗(yàn)證試驗(yàn)應(yīng)制作與被檢工件相同或相似的帶有缺陷的模擬試塊，將擬采用的檢測(cè)工藝應(yīng)用到模擬試塊上，工藝驗(yàn)證試驗(yàn)結(jié)果應(yīng)清楚地顯示和測(cè)量模擬試塊中的缺陷或反射體。4.6.2符合以下情況之一時(shí)應(yīng)在模擬試塊上進(jìn)行工藝驗(yàn)證試驗(yàn)：a)信噪比和聲速與細(xì)晶粒鋼差異明顯的非細(xì)晶粒鋼工件檢測(cè)；b)合同約定要求進(jìn)行。4.6.3經(jīng)合同雙方同意，可使用相控陣仿真軟件計(jì)算部分或全部代替工藝驗(yàn)證試驗(yàn)內(nèi)容。4.7溫度4.7.1系統(tǒng)校準(zhǔn)與實(shí)際檢測(cè)間的溫度差應(yīng)控制在±15°C之內(nèi)。4.7.2檢測(cè)時(shí)，被檢工件表面溫度應(yīng)控制在0°C~50°C。若超出此范圍應(yīng)通過實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證設(shè)備的適用性，同時(shí)驗(yàn)證檢測(cè)的可操作性和可靠性。4.8安全要求當(dāng)檢測(cè)條件不符合本標(biāo)準(zhǔn)的工藝要求或不具備安全作業(yè)條件時(shí)，檢測(cè)人員應(yīng)停止工作，待條件改善5工藝參數(shù)的選擇和檢測(cè)5.1檢測(cè)準(zhǔn)備5.1.1檢測(cè)區(qū)域檢測(cè)區(qū)域高度為工件厚度；檢測(cè)區(qū)域?qū)挾葹楹缚p本身加上焊縫兩側(cè)各相當(dāng)于母材厚度30%的一段區(qū)5.1.2掃查面制備5.1.2.1探頭移動(dòng)區(qū)內(nèi)應(yīng)清除焊接飛濺、鐵屑、油漆及其他雜質(zhì)，一般應(yīng)進(jìn)行打磨。掃查面應(yīng)平整，便于探頭的移動(dòng)和耦合，其表面粗糙度Ra值應(yīng)不大于6.3μm。5.1.2.2掃查面打磨寬度應(yīng)滿足檢測(cè)要求，一般不小于60mm。5.1.2.3焊縫的表面質(zhì)量應(yīng)經(jīng)外觀檢查合格后方可進(jìn)行檢測(cè)，表面的不規(guī)則狀態(tài)不應(yīng)影響檢測(cè)結(jié)果評(píng)5.1.3掃查方式選擇a)線性掃查+扇形掃描；b)柵格掃查+扇形掃描。5.1.3.2對(duì)可疑部位，可采用扇形掃描，結(jié)合矩形、前后、左右等掃查方式進(jìn)行檢測(cè)。5.2探頭選擇9DB37/T3142—20185.2.1與工件厚度有關(guān)的相控陣探頭參數(shù)選擇可參考表1。工件厚度mm一次激發(fā)晶片數(shù)主動(dòng)孔徑mm晶片間距/mm標(biāo)稱頻率MHz0.3～0.86.0～100.4～0.87.0～150.5~1.05.2.2相控陣探頭楔塊的曲率應(yīng)與被檢管件的形狀相吻合，如圖6所示。楔塊邊緣與被檢工件接觸面的間隙x應(yīng)不大于0.5mm。和現(xiàn)場(chǎng)工作條件。償?shù)恼{(diào)試在R50角度增益修正試塊上進(jìn)行。5.4.1管壁厚度為4mm~8mm(不含8mm)的焊接接頭檢測(cè)時(shí)，采用三次波與二次波或四次波分開設(shè)置的法則進(jìn)行檢測(cè)。5.4.2管壁厚度大于等于8mm的焊接接頭檢測(cè)時(shí)，采用一次波和二次波同時(shí)設(shè)置的法則進(jìn)行檢測(cè)。5.4.3橫波斜聲束扇形掃描角度一般不應(yīng)超出35°~75°,特殊情況下，確需使用超出該角度范圍的反射波進(jìn)入楔塊產(chǎn)生干擾，此時(shí)聲速中心角度宜設(shè)置為60°即扇掃角度范圍45°~75°。5.5.1距離-波幅曲線按所用探頭和儀器在所選擇的GS對(duì)比試塊上，線由評(píng)定線和定量線組成。5.5.2在整個(gè)檢測(cè)范圍內(nèi)，距離-波幅曲線不得低于顯示屏滿刻度的20%。5.5.3在制作距離-波幅曲線過程中，必須控制噪聲信號(hào)，信噪比必須大于等于10dB,距離-波幅曲線的制作見附錄E。5.5.4不同管壁厚度的距離-波幅曲線靈敏度應(yīng)符合表2規(guī)定。DB37/T3142—2018表2距離-波幅曲線的靈敏度定量線5.5.5檢測(cè)時(shí)由于工件表面耦合損失、材料衰減以及內(nèi)外曲率的影響，應(yīng)對(duì)檢測(cè)靈敏度進(jìn)行傳輸損失綜合補(bǔ)償，綜合補(bǔ)償量應(yīng)計(jì)入距離-波幅曲線。5.5.6掃查靈敏度應(yīng)通過工藝驗(yàn)證的方式確定，以能清晰地顯示和測(cè)量出模擬試塊中缺陷或反射體時(shí)的增益為基準(zhǔn)。5.6步進(jìn)設(shè)置5.6.1檢測(cè)前應(yīng)將檢測(cè)系統(tǒng)設(shè)置為根據(jù)掃查步進(jìn)采集信號(hào)，掃查步進(jìn)最大值△xmax≤1.0mm。5.75.7檢測(cè)實(shí)施5.7.15.7.1方向標(biāo)識(shí)檢測(cè)前應(yīng)在工件掃查面上予以標(biāo)記，標(biāo)記內(nèi)容至少包括掃查起始點(diǎn)和掃查方向，所有標(biāo)記應(yīng)對(duì)掃查無影響。5.7.2參考線設(shè)定在檢測(cè)之前，應(yīng)在工件掃查面上標(biāo)定參考線，參考線距焊縫邊緣(或焊縫中心)的距離應(yīng)根據(jù)檢測(cè)聚焦法則設(shè)置而定，其距離誤差為±0.5mm。5.7.3依照工藝參數(shù)設(shè)置將檢測(cè)系統(tǒng)的硬件及軟件置于檢測(cè)狀態(tài)，將探頭擺放到設(shè)定的參考線位置，沿標(biāo)識(shí)方向路徑進(jìn)行掃查。5.7.4掃查時(shí)應(yīng)保證掃查速度小于或等于最大允許掃查速度Vmx,同時(shí)應(yīng)保證耦合效果和數(shù)據(jù)采集的要求。最大允許掃查速度按公式(2)計(jì)算：...................................(2)式中：Vax——最大允許掃查速度，mm/s;PRF——脈沖重復(fù)頻率，Hz;△x——設(shè)置的掃查步進(jìn)值，mm;N——設(shè)置的信號(hào)平均次數(shù)；A——A掃描的數(shù)量(如扇形掃描時(shí)，激發(fā)如35°~75°的扇形掃描，角度步進(jìn)為1°,則A=41)。5.8掃查覆蓋范圍5.8.1根據(jù)聚焦法則的參數(shù)，用相控陣超聲檢測(cè)設(shè)備中的理論模擬軟件進(jìn)行演示，調(diào)整探頭前端距焊縫邊緣(或焊縫中心)的距離，使所選用的檢測(cè)聲束將檢測(cè)區(qū)域完全覆蓋。確認(rèn)演示結(jié)果后，將演示模擬圖及參數(shù)保存，并附在檢測(cè)工藝中。5.8.2檢測(cè)時(shí)，一般應(yīng)在焊縫兩側(cè)分別掃查或雙側(cè)探頭同時(shí)掃查。若因條件限制只能從焊接接頭一側(cè)掃查時(shí)，應(yīng)采用不同的聚焦法則，設(shè)置不同探頭位置及角度掃查范圍進(jìn)行檢測(cè)，確保檢測(cè)區(qū)域全覆蓋。DB37/T3142—20185.8.3對(duì)于環(huán)焊縫，掃查停止位置應(yīng)越過起始位置至少30mm。線性掃查時(shí)，若在焊縫長度方向進(jìn)行分段掃查，則各段掃查區(qū)的重疊范圍至少為30mm。需要多個(gè)線性掃查覆蓋整個(gè)焊接接頭體積時(shí)，各線性掃查之間的重疊至少為所用相控陣探頭線性陣列長度的10%。5.9檢測(cè)系統(tǒng)復(fù)核5.9.1當(dāng)出現(xiàn)下列情況之一時(shí)，需進(jìn)行復(fù)核。a)探頭、耦合劑和儀器調(diào)節(jié)發(fā)生改變時(shí)；b)懷疑掃查靈敏度或定位精度有變化時(shí)；c)連續(xù)工作4h以上時(shí)；d)工作結(jié)束時(shí)。5.9.2掃查靈敏度復(fù)核復(fù)核時(shí)，如曲線上任何一點(diǎn)幅度下降2dB或20%,則應(yīng)對(duì)上一次復(fù)核以來所有的檢測(cè)部位進(jìn)行復(fù)驗(yàn)；如幅度上升2dB或20%,則應(yīng)對(duì)所有的記錄信號(hào)進(jìn)行重新評(píng)定。5.9.3定位精度復(fù)核定位精度的復(fù)核，參照附錄C進(jìn)行。6檢測(cè)數(shù)據(jù)的分析和缺陷評(píng)定6.1檢測(cè)數(shù)據(jù)的有效性評(píng)價(jià)6.1.1分析檢測(cè)數(shù)據(jù)之前應(yīng)對(duì)所采集的數(shù)據(jù)進(jìn)行評(píng)估以確定其有效性，數(shù)據(jù)至少應(yīng)滿足以下要求：a)采集的數(shù)據(jù)量滿足所檢測(cè)焊縫長度的要求；b)數(shù)據(jù)丟失量不得超過整個(gè)掃查長度的5%,且不允許相鄰數(shù)據(jù)連續(xù)丟失；c)掃查圖像中耦合不良的長度不得超過整個(gè)掃查長度的5%,單個(gè)耦合不良長度不得超過2mm。6.1.2若采集的數(shù)據(jù)不滿足上述要求，應(yīng)檢查掃查裝置工況，排除故障后重新進(jìn)行掃查。6.2顯示的分類檢測(cè)結(jié)果的顯示分為相關(guān)顯示和非相關(guān)顯示，典型相控陣檢測(cè)缺陷圖像見附錄F。6.3缺陷定性6.3.2性質(zhì)判定為裂紋、未熔合、未焊透缺陷評(píng)定為不允許。6.3.3根據(jù)缺陷輪廓確定缺陷的長度、寬度，長度與寬度之比大于3的相關(guān)顯示按條形缺陷處理，長度與寬度之比不大于3的相關(guān)顯示按圓形缺陷處理。6.3.4性質(zhì)判定為條形缺陷和圓形缺陷的，應(yīng)進(jìn)行缺陷定量，評(píng)定為允許或不允許。6.4缺陷定量6.4.1條形缺陷的定量方法6.4.1.1缺陷位置測(cè)定應(yīng)以獲得缺陷最大反射波的位置為準(zhǔn)。6.4.1.2缺陷最大反射波幅的測(cè)定方法是，在掃查數(shù)據(jù)中將測(cè)量光標(biāo)移動(dòng)至缺陷出現(xiàn)最大反射波信號(hào)的位置，測(cè)定波幅大小。6.4.1.3缺陷長度的測(cè)定：DB37/T3142—2018a)當(dāng)缺陷反射波只有一個(gè)高點(diǎn)，且位于定量線以上時(shí)，用-6dB法測(cè)其指示長度；b)缺陷反射波峰值起伏變化，有多個(gè)高點(diǎn)，且位于定量線以上時(shí)，應(yīng)以端點(diǎn)-6dB法測(cè)量其指示長度；c)當(dāng)缺陷的最大反射波幅位于評(píng)定線以上定量線以下時(shí)，使波幅降到評(píng)定線，用以評(píng)定線絕對(duì)靈敏度法測(cè)量其指示長度；d)對(duì)于裂紋、未熔合、未焊透缺陷，當(dāng)其最大反射波幅不超過評(píng)定線時(shí)，可參照-6dB法或端點(diǎn)-6dB法測(cè)量其指示長度。其他類型缺陷，若最大反射波幅不超過評(píng)定線時(shí)，可不進(jìn)行評(píng)定；e)相鄰兩缺陷在一直線上，其間距小于其中較小的缺陷長度時(shí)，應(yīng)作為一條缺陷處理，以兩缺陷長度之和作為其單個(gè)缺陷的指示長度(間距計(jì)入缺陷長度);f)缺陷實(shí)際指示長度I應(yīng)按式(3)計(jì)算(適用于管徑小且壁厚大時(shí)):式中：L—測(cè)定的缺陷指示長度，mm;R—管子外半徑，mm;H—缺陷距外表面(指示深度),mm。6.4.2圓形缺陷的定量方法6.4.2.1圓形缺陷用圓形缺陷評(píng)定區(qū)進(jìn)行評(píng)定，圓形缺陷評(píng)定區(qū)為一個(gè)與俯視圖平行的矩形，其尺寸為10mm×10mm,圓形缺陷評(píng)定區(qū)應(yīng)選在缺陷最嚴(yán)重的區(qū)域。6.4.2.2在圓形缺陷評(píng)定區(qū)內(nèi)或與圓形缺陷評(píng)定區(qū)邊界線相割的缺陷均應(yīng)劃入評(píng)定區(qū)內(nèi)。6.4.2.3圓形缺陷長徑的測(cè)量方法可根據(jù)經(jīng)驗(yàn)公式(4)計(jì)算：錯(cuò)誤!未找到引用源。.........................(4)式中：D—為缺陷長徑，mm;S—為缺陷輪廓面積，mm2。6.4.2.4圓形缺陷評(píng)定區(qū)域測(cè)定面積時(shí)，應(yīng)沿著缺陷輪廓進(jìn)行測(cè)定，且測(cè)定范圍內(nèi)不能有超過20%的空白區(qū)，否則，應(yīng)重新測(cè)定。6.4.2.5在圓形缺陷評(píng)定區(qū)內(nèi)，單個(gè)缺陷區(qū)域面積不大于2mm2的為不計(jì)點(diǎn)數(shù)缺陷，不計(jì)點(diǎn)數(shù)缺陷的數(shù)量應(yīng)根據(jù)母材厚度T確定，并符合表4。6.4.2.6當(dāng)評(píng)定區(qū)域內(nèi)同時(shí)存在幾種類型缺陷時(shí)，評(píng)定為不允許。6.4.2.7焊接接頭圓形缺陷點(diǎn)數(shù)換算表，見表3。表3焊接接頭圓形缺陷點(diǎn)數(shù)換算表缺陷長徑D/mm>2～3>3～4缺陷點(diǎn)數(shù)12356.4.3對(duì)所有允許和不允許存在的缺陷，均應(yīng)對(duì)缺陷位置、缺陷深度和缺陷指示長度等進(jìn)行測(cè)定。裂紋、未熔合、未焊透的測(cè)長方法參照6.4.1條形缺陷的定量方法。6.5缺陷評(píng)定6.5.1根據(jù)缺陷性質(zhì)以及缺陷的大小，缺陷評(píng)定為允許和不允許存在兩類。也可按合同雙方協(xié)定要求或參照其它相關(guān)驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范進(jìn)行質(zhì)量評(píng)定。6.5.2允許和不允許的缺陷評(píng)定如下：DB37/T3142—2018a)不允許的缺陷為裂紋、未熔合、未焊透；b)單個(gè)圓形缺陷長徑大于T/2的評(píng)定為不允許；c)條形缺陷和圓形缺陷的評(píng)定應(yīng)符合表6-2的規(guī)定。表4焊接接頭允許的缺陷允許圓形缺陷點(diǎn)數(shù)允許單個(gè)條形缺陷長度L/mm允許不計(jì)點(diǎn)數(shù)缺陷數(shù)量/個(gè)注1:當(dāng)母材公稱厚度不同時(shí)，應(yīng)按薄側(cè)厚度進(jìn)行評(píng)定。注2:在任何9T焊縫長度范圍內(nèi)，多個(gè)缺陷累計(jì)長度最大允許值L不超過T(T為母材公稱厚度)。當(dāng)焊縫長度不足9T時(shí)，可按比例折算，當(dāng)折算后的多個(gè)缺陷累計(jì)長度允許值小于該厚度范圍內(nèi)允許的單個(gè)缺陷指示長度時(shí)，以允許的單個(gè)缺陷指示長度作為缺陷累計(jì)長度允許值。7檢測(cè)記錄與報(bào)告7.1檢測(cè)記錄主要內(nèi)容檢測(cè)記錄主要內(nèi)容包括工程名稱、工件編號(hào)、焊縫編號(hào)、坡口形式、焊接方法、母材材質(zhì)、規(guī)格、表面質(zhì)量、檢測(cè)方法、檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)、驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)、檢測(cè)比例、儀器型號(hào)、探頭規(guī)格、耦合劑、試塊、檢測(cè)靈敏度、所發(fā)現(xiàn)的缺陷及評(píng)定記錄、檢測(cè)人員及其資格等級(jí)和檢測(cè)日期等。b)檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)；c)被檢工件：名稱、編號(hào)、規(guī)格、材質(zhì)、坡口型式、焊接方法和熱處理狀況；d)檢測(cè)設(shè)備及器材：儀器型號(hào)及編號(hào)、探頭、位置傳感器、試塊、耦合劑等；e)檢測(cè)工藝參數(shù)：掃描類型、顯示方式、掃查方式、探頭配置及掃查靈敏度等；f)檢測(cè)覆蓋區(qū)域：理論模擬軟件演示的檢測(cè)區(qū)域覆蓋圖及參數(shù)；g)檢測(cè)示意圖：檢測(cè)部位以及所發(fā)現(xiàn)的缺陷位置和分布圖；h)掃查數(shù)據(jù)：數(shù)據(jù)文件名稱、掃查數(shù)據(jù)以電子版形式保存；i)檢測(cè)結(jié)論：評(píng)定出缺陷性質(zhì)、位置、尺寸及是否允許；j)檢測(cè)人員和審核人員簽字；k)檢測(cè)日期。DB37/T3142—2018A.1一般要求該項(xiàng)測(cè)試要求儀器軟件能夠?qū)ο嗫仃囂筋^的每個(gè)晶片進(jìn)行逐一激發(fā)。A.2測(cè)試方法A.2.3單獨(dú)激發(fā)下一個(gè)晶片，并重復(fù)A.2.2,直至最后一個(gè)晶片(沿著陣列中所有陣元一次一個(gè)陣元步A.3判斷如出現(xiàn)以下情況，認(rèn)定為晶片為壞晶片：a)未見底面回波信號(hào)的晶片；c)同一陣列中靈敏度明顯偏低，比其他晶片的平均靈敏度低9dB以上的晶片。若測(cè)試結(jié)果各晶片記錄的最大與最小增益值之差≥4dB,應(yīng)確認(rèn)耦合一致性及穩(wěn)定重復(fù)性，并按A.2規(guī)定的方法重新測(cè)試，進(jìn)行復(fù)核。相控陣A型試塊和相控陣B型試塊(聲束控制評(píng)定試塊)A-1區(qū)放大圖圖B.1相控陣A型試塊圖B.2相控陣B型試塊(聲束控制評(píng)定試塊)DB37/T3142—2018C.1一般要求C.2測(cè)試方法C.2.1.2設(shè)置扇形掃描角度范圍-80°~80°,保存等聲程孔的圖像。C.2.1.3在軟件中測(cè)量各孔的回波聲程及角度，與實(shí)際值相比較。C.2.2加裝楔塊或延時(shí)塊時(shí)C.2.2.2在擬用于檢測(cè)的聲束范圍內(nèi)，對(duì)靠近的兩側(cè)邊緣聲束及居中間位置的聲束分別進(jìn)行單獨(dú)激發(fā)。C.2.2.3將相控陣探頭置于C.1的試塊表面，以所選取的聲束找到與該聲束相同角