現(xiàn)代電力電子技術(shù)（視頻課）知到智慧樹(shù)章節(jié)測(cè)試課后答案2024年秋北方工業(yè)大學(xué)

現(xiàn)代電力電子技術(shù)（視頻課）知到智慧樹(shù)章節(jié)測(cè)試課后答案2024年秋北方工業(yè)大學(xué)第一章單元測(cè)試

電力電子器件一般工作在線(xiàn)性區(qū)。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)

第二章單元測(cè)試

IGBT開(kāi)關(guān)速度一般低于PowerMOSFET，導(dǎo)通管壓降低于GTR。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)以下器件中全控型器件有（）。

A:電力二極管B:GTOC:晶閘管D:BJT

答案:GTO；BJT晶閘管屬于（）。

A:半控型器件B:雙極性C:電流驅(qū)動(dòng)D:全控器件

答案:半控型器件；雙極性；電流驅(qū)動(dòng)IGBT具備以下特征中的（）

A:開(kāi)關(guān)速度快B:驅(qū)動(dòng)功率小C:載流能力大D:通態(tài)壓降小

答案:開(kāi)關(guān)速度快；驅(qū)動(dòng)功率??；載流能力大；通態(tài)壓降小多用于相對(duì)小功率場(chǎng)合的器件是（），___。

答案:晶體管，場(chǎng)效應(yīng)管

第三章單元測(cè)試

單相半波可控整流電路在阻感負(fù)載情況下的移相范圍是（0°~120°）。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)單相橋式全控整流電路在阻性負(fù)載情況下的整流電壓平均值是（）。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)三相半波可控整流電路在阻性負(fù)載情況下的整流輸出電壓連續(xù)的臨界角度是（）。

A:90°B:60°C:30°D:45°

答案:30°同步信號(hào)為鋸齒波的觸發(fā)電路用于控制哪種電力電子器件？（）。

A:晶閘管B:電力MOSFETC:電力二極管D:IGBT

答案:晶閘管三相半波可控整流電路中晶閘管承受的最大反向電壓是（）。

A:B:C:D:

答案:在考慮變壓器漏感情況下，三相橋式全控整流電路同一時(shí)刻有（）個(gè)晶閘管導(dǎo)通，___。

答案:2個(gè)晶閘管導(dǎo)通。三相橋式全控整流電路交流側(cè)電流i2的諧波次數(shù)為（）,___。

答案:3,5,7,9,...(奇數(shù)次諧波)

第四章單元測(cè)試

全橋逆變電路的輸出電壓基波有效值為（0.5Ud）。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)三相電壓型逆變電路的輸出線(xiàn)電壓基波有效值為（0.78Ud）。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)半橋逆變電路的輸出電壓幅值為（）。

A:B:C:D:

答案:同步信號(hào)為鋸齒波的觸發(fā)電路用于控制哪種電力電子器件（）。

A:電力MOSFETB:晶閘管C:IGBTD:電力二極管

答案:晶閘管三相半波可控整流電路中晶閘管承受的最大反向電壓是（）。

A:B:C:D:

答案:電流型逆變電路的負(fù)載要求是呈現(xiàn)（）。

A:沒(méi)有要求B:感性C:阻性D:容性

答案:容性應(yīng)用全控型電力電子器件的電力電子電路的換流方式稱(chēng)為（），___。

答案:答案：器件換流三相電壓型逆變電路的輸出相電壓基波有效值為（），___。

答案:Ud/2，直流側(cè)電壓的一半

第五章單元測(cè)試

降壓斬波電路輸入輸出電壓關(guān)系為：。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)升壓斬波電路輸入輸出電壓關(guān)系為：。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)選擇、升降壓斬波電路輸入輸出電壓關(guān)系為：（）。

A:B:C:D:

答案:全橋電路工作在電流連續(xù)模式情況下輸入輸出電壓關(guān)系為：（）。

A:B:C:D:

答案:電流可逆斬波電路接電動(dòng)機(jī)負(fù)載可以工作在，___

答案:電壓可逆狀態(tài)橋式可逆斬波電路接電動(dòng)機(jī)負(fù)載可以工作在，___

答案:0

第六章單元測(cè)試

單相交流調(diào)壓電路在阻感負(fù)載情況下的移相角小于φ時(shí)電路可以工作。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)交流調(diào)壓電路采用相位控制。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)選擇、交交變頻電路的頻率相較于電網(wǎng)頻率來(lái)說(shuō)：（）。

A:都可以B:低C:高D:相等

答案:低單相交流調(diào)壓電路在阻性負(fù)載情況下的移相范圍：（）。

A:0°~60°B:0°~180°C:0°~120°D:0°~90°

答案:0°~180°單相半橋逆變電路輸出電壓的n次諧波電壓幅值為（），___。

答案:單相半橋逆變電路輸出電壓的n次諧波電壓幅值為（0），對(duì)于奇數(shù)次諧波。單相交流調(diào)壓電路在阻性負(fù)載情況下的移相范圍為（），___。

答案:0

第七章單元測(cè)試

單極性PWM控制是在調(diào)制波的半個(gè)周期內(nèi)，三角載波極性有正有負(fù)，所得的PWM波也有正有負(fù)。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)PWM整流電路控制方法中，引入交流電流反饋為直接電流控制。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)PWM調(diào)制中的載波比為載波信號(hào)頻率f與調(diào)制信號(hào)頻率f之比。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)關(guān)于單相橋式PWM逆變電路，下面說(shuō)法正確的是（）。

A:在一個(gè)周期內(nèi)單極性調(diào)制時(shí)有三個(gè)電平，雙極性有兩個(gè)電平B:在一個(gè)周期內(nèi)單極性調(diào)制時(shí)有兩個(gè)電平，雙極性有一個(gè)電平C:在一個(gè)周期內(nèi)單極性調(diào)制時(shí)有一個(gè)電平，雙極性有兩個(gè)電平D:在一個(gè)周期內(nèi)單極性調(diào)制時(shí)有兩個(gè)電平，雙極性有三個(gè)電平

答案:在一個(gè)周期內(nèi)單極性調(diào)制時(shí)有三個(gè)電平，雙極性有兩個(gè)電平SPWM波形的特點(diǎn)是構(gòu)成脈沖序列的（）。

A:脈沖的幅度按正弦規(guī)律變化B:脈沖的周期按正弦規(guī)律變化C:脈沖的寬度按正弦規(guī)律變化D:脈沖的頻率按正弦規(guī)律變化

答案:脈沖的幅度按正弦規(guī)律變化PWM控制技術(shù)的重要理論基礎(chǔ)是（），___。

答案:0單極性PWM控制方式和雙極性PWM控制方式的主要區(qū)別是（）,___。

答案:0

第八章單元測(cè)試

電力電子電路中的緩沖電路不屬于保護(hù)電路。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是：（）。

A:關(guān)斷緩沖電路用于吸收器件的關(guān)斷過(guò)電壓和換相過(guò)電壓，抑制du/dtB:開(kāi)通緩沖電路用于抑制器件開(kāi)通時(shí)的電流過(guò)沖和di/dtC:饋能式緩沖電路也稱(chēng)無(wú)損吸收電路D:緩沖電路不能夠降低開(kāi)關(guān)損耗

答案:緩沖電路不能夠降低開(kāi)關(guān)損耗下面哪個(gè)特點(diǎn)決定了PowerMOSFET驅(qū)動(dòng)功率很?。ǎ?/p>

A:正向通態(tài)電陽(yáng)B:存在二次擊穿問(wèn)題C:場(chǎng)控器件D