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自覺(jué)遵守考場(chǎng)紀(jì)律如考試作弊此答卷無(wú)效密自覺(jué)遵守考場(chǎng)紀(jì)律如考試作弊此答卷無(wú)效密封線第1頁(yè),共3頁(yè)克孜勒蘇職業(yè)技術(shù)學(xué)院
《資源材料與可持續(xù)發(fā)展》2023-2024學(xué)年第一學(xué)期期末試卷院(系)_______班級(jí)_______學(xué)號(hào)_______姓名_______題號(hào)一二三四總分得分一、單選題(本大題共15個(gè)小題,每小題1分,共15分.在每小題給出的四個(gè)選項(xiàng)中,只有一項(xiàng)是符合題目要求的.)1、在研究磁性材料的磁滯回線時(shí),以下關(guān)于磁滯回線特征和應(yīng)用的描述,正確的是()A.磁滯回線的面積越大,磁性材料的磁損耗越小B.軟磁材料的磁滯回線狹窄C.磁滯回線可以用于評(píng)估磁性材料的存儲(chǔ)性能D.磁滯回線與磁性材料的居里溫度無(wú)關(guān)2、陶瓷材料的熱壓燒結(jié)是一種在高溫和壓力同時(shí)作用下的燒結(jié)方法。與普通燒結(jié)相比,熱壓燒結(jié)的優(yōu)點(diǎn)是什么?()A.燒結(jié)溫度低、燒結(jié)時(shí)間短、致密度高B.燒結(jié)溫度高、燒結(jié)時(shí)間長(zhǎng)、致密度低C.燒結(jié)溫度和時(shí)間與普通燒結(jié)相同,但致密度高D.燒結(jié)溫度低、燒結(jié)時(shí)間長(zhǎng)、致密度低3、對(duì)于一種非晶態(tài)合金,其具有良好的軟磁性能。以下哪種因素是導(dǎo)致其軟磁性能優(yōu)異的主要原因?()A.不存在磁晶各向異性B.低矯頑力C.高飽和磁化強(qiáng)度D.以上都是4、對(duì)于一種磁性半導(dǎo)體材料,其同時(shí)具有磁性和半導(dǎo)體特性。以下哪種材料最有可能屬于磁性半導(dǎo)體?()A.氧化鋅B.砷化鎵C.硫化亞鐵D.碲化鉻5、在研究一種用于光學(xué)存儲(chǔ)的相變材料時(shí),發(fā)現(xiàn)其相變速度較慢。以下哪種方法可以加快相變速度?()A.減小材料顆粒尺寸B.引入摻雜元素C.優(yōu)化薄膜制備工藝D.以上都是6、在磁性材料的分類中,軟磁材料和硬磁材料的性能差異較大。以下哪種性能是軟磁材料所側(cè)重的?()A.高矯頑力B.高剩磁C.高磁導(dǎo)率D.高磁能積7、對(duì)于一種新型的金屬泡沫材料,其具有輕質(zhì)和高能量吸收的特點(diǎn)。以下哪種制備工藝對(duì)其性能的影響最為關(guān)鍵?()A.發(fā)泡工藝B.燒結(jié)工藝C.軋制工藝D.鑄造工藝8、在材料的疲勞裂紋擴(kuò)展過(guò)程中,裂紋擴(kuò)展速率與應(yīng)力強(qiáng)度因子幅之間的關(guān)系通常用()A.Paris公式描述B.Hall-Petch公式描述C.牛頓定律描述D.胡克定律描述9、材料的導(dǎo)電性取決于其內(nèi)部的電子結(jié)構(gòu)和晶體缺陷。對(duì)于半導(dǎo)體材料,如硅,在摻入適量的雜質(zhì)后,其導(dǎo)電性會(huì)發(fā)生顯著變化。以下哪種雜質(zhì)的摻入可以使硅成為N型半導(dǎo)體?()A.硼B(yǎng).磷C.鋁D.鎵10、在金屬材料的強(qiáng)化機(jī)制中,通過(guò)細(xì)化晶粒來(lái)提高強(qiáng)度的方法被廣泛應(yīng)用。以下哪種工藝能夠有效地細(xì)化金屬材料的晶粒?()A.淬火B(yǎng).退火C.冷加工D.正火11、金屬材料在冷加工變形后,會(huì)產(chǎn)生加工硬化現(xiàn)象。對(duì)于銅材,經(jīng)過(guò)較大程度的冷加工變形后,若要恢復(fù)其塑性,應(yīng)進(jìn)行何種熱處理?()A.退火B(yǎng).正火C.淬火D.回火12、一種新型的隔熱材料在高溫下具有很低的熱導(dǎo)率。以下哪種微觀結(jié)構(gòu)特征最有可能是導(dǎo)致其低導(dǎo)熱性能的原因?()A.大量封閉氣孔B.層狀結(jié)構(gòu)C.纖維狀結(jié)構(gòu)D.納米孔隙13、對(duì)于高分子材料,其性能受到分子量及分子量分布的影響。一般來(lái)說(shuō),分子量增大,材料的強(qiáng)度通常會(huì)()A.降低B.不變C.先升高后降低D.升高14、材料的光學(xué)性能包括透光性、反射率等,那么影響材料光學(xué)性能的主要因素有哪些?()A.材料的化學(xué)成分、微觀結(jié)構(gòu)B.材料的表面狀態(tài)、厚度C.入射光的波長(zhǎng)、強(qiáng)度D.以上都是15、研究材料的力學(xué)性能時(shí),發(fā)現(xiàn)材料在拉伸過(guò)程中會(huì)經(jīng)歷不同階段。當(dāng)材料開(kāi)始產(chǎn)生明顯塑性變形時(shí),對(duì)應(yīng)的應(yīng)力被稱為()A.屈服強(qiáng)度B.抗拉強(qiáng)度C.彈性極限D(zhuǎn).斷裂強(qiáng)度二、簡(jiǎn)答題(本大題共4個(gè)小題,共20分)1、(本題5分)詳細(xì)論述超導(dǎo)材料的基本特性和分類,解釋超導(dǎo)現(xiàn)象的原理,分析影響超導(dǎo)材料臨界參數(shù)的因素及應(yīng)用前景。2、(本題5分)解釋材料的電致變色現(xiàn)象和電致變色材料的分類。分析電致變色材料的性能特點(diǎn)和應(yīng)用領(lǐng)域(如智能窗戶和顯示器),并舉例說(shuō)明其工作原理。3、(本題5分)論述材料在高溫下的性能變化,包括強(qiáng)度、硬度、蠕變等,分析影響高溫性能的因素和提高高溫性能的方法。4、(本題5分)分析材料的摩擦磨損性能,闡述影響摩擦系數(shù)和磨損量的因素,以及減少摩擦磨損的方法。三、論述題(本大題共5個(gè)小題,共25分)1、(本題5分)詳細(xì)論述材料的量子阱結(jié)構(gòu),分析量子阱結(jié)構(gòu)中的電子態(tài)和光學(xué)特性,論述量子阱結(jié)構(gòu)在半導(dǎo)體發(fā)光器件、激光二極管和量子阱探測(cè)器中的應(yīng)用和發(fā)展。2、(本題5分)詳細(xì)論述材料的力學(xué)性能測(cè)試方法,包括拉伸試驗(yàn)、壓縮試驗(yàn)、硬度測(cè)試和沖擊試驗(yàn)等,分析測(cè)試結(jié)果的影響因素和數(shù)據(jù)處理方法。3、(本題5分)全面論述材料的磁電阻效應(yīng)在磁存儲(chǔ)密度提高和新型磁傳感器研發(fā)中的應(yīng)用挑戰(zhàn)和解決方案。4、(本題5分)全面論述金屬材料的疲勞破壞機(jī)制,包括疲勞裂紋的萌生、擴(kuò)展和斷裂過(guò)程,分析材料成分、組織結(jié)構(gòu)和外界環(huán)境對(duì)疲勞性能的影響及提高疲勞壽命的方法。5、(本題5分)深入探討高分子材料的結(jié)晶過(guò)程和影響結(jié)晶度的因素,以及結(jié)晶度對(duì)高分子材料性能的重要影響,舉例說(shuō)明在不同領(lǐng)域的應(yīng)用。四、計(jì)算題(本大題共4個(gè)小題,共40分)1、(本題10分)有一壓電陶瓷環(huán),內(nèi)徑為20mm,外徑為30mm,高度為10mm,壓電系數(shù)為400pC/N,受到壓力為80N,計(jì)算產(chǎn)生的電壓。2、(本題10分)已知一種超導(dǎo)材料的臨界溫度為90K,在77K時(shí)的臨界電流密度為10^6A/cm2,若導(dǎo)線截面積為1mm2,計(jì)算臨界電流。3、(本題10分)已知一種聚合物的玻璃化轉(zhuǎn)變
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