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DB33Thequota&calculationmethodofeletricityconsumptionpercomparableunitproductionforcrystallinesiliconphotovoltaicproducts浙江省市場(chǎng)監(jiān)督管理局發(fā)布1 2 3 3 3 3 4 42——調(diào)整了指標(biāo)分級(jí)名稱(chēng),將限額值、準(zhǔn)入值、先進(jìn)值改為本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:浙江貝斯特節(jié)能環(huán)保科技有限公司、浙江省節(jié)能協(xié)會(huì)、嘉興市光伏行業(yè)本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:王建強(qiáng)、高迪娜、樓偉民、陳彬雅、楊淑明、黃思思、張敏、吳3晶體硅光伏產(chǎn)品單位可比電耗限額及計(jì)算方法本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定晶體硅光伏產(chǎn)品生產(chǎn)過(guò)程中,單位可比電耗限額及計(jì)算GB/T12723單位產(chǎn)品能源消耗限額太陽(yáng)能電池片或者太陽(yáng)能組件的峰值功率的4單位可比電耗限額等級(jí)及要求4.1等級(jí)要求4注1:?jiǎn)挝划a(chǎn)品可比電耗不包括企業(yè)自制氬氣、氮注2:硅片以156mm×156mm為基準(zhǔn)計(jì)算,其他規(guī)格硅片可比產(chǎn)量在實(shí)物量基礎(chǔ)現(xiàn)有晶體硅光伏產(chǎn)品生產(chǎn)企業(yè)的單位可比電耗限定值應(yīng)符合表1中的34.3準(zhǔn)入值新建或改擴(kuò)建晶體硅光伏產(chǎn)品生產(chǎn)企業(yè)的單位可比電耗準(zhǔn)入值應(yīng)符合表1中的5.1統(tǒng)計(jì)范圍5.1.1總則55.1.5電池片生產(chǎn)(工序)電耗耗電量或分?jǐn)偭浚约稗k公樓、科研樓、檢測(cè)化5.2計(jì)算方法E——某類(lèi)產(chǎn)品產(chǎn)量總電耗量,單位為千瓦時(shí)(kw.h);5.2.2單晶硅棒生產(chǎn)(工序)可比電耗的計(jì)算egb——單晶硅棒生產(chǎn)(工序)可比電耗,單位為千瓦時(shí)每千克(kw.h/kgEgb——統(tǒng)計(jì)期內(nèi)單晶硅棒生產(chǎn)(工序)總耗電量,單位為千瓦時(shí)(kw.h);65.2.3多晶硅錠生產(chǎn)(工序)可比電耗的計(jì)算egd——多晶硅錠生產(chǎn)(工序)可比電耗,單位為千瓦時(shí)每千克(kw.h/kgEgd——統(tǒng)計(jì)期內(nèi)多晶硅錠生產(chǎn)(工序)總耗電量,單位為千瓦時(shí)(kw.h);Pgd——統(tǒng)計(jì)期內(nèi)多晶硅錠合格品總產(chǎn)量,單位為千克(kg)。5.2.4硅片生產(chǎn)(工序)可比電耗的計(jì)算egp——硅片生產(chǎn)(工序)可比電耗,單位為萬(wàn)千瓦時(shí)每Egp——統(tǒng)計(jì)期內(nèi)硅片生產(chǎn)(工序)總耗電量,單位為萬(wàn)千瓦時(shí)(萬(wàn)kw.hPgp——統(tǒng)計(jì)期內(nèi)硅片合格品總產(chǎn)量(折標(biāo)產(chǎn)量),單5.2.5電池片生產(chǎn)(工序)可比電耗的計(jì)算edc——電池片生產(chǎn)(工序)可比電耗,單位為萬(wàn)千瓦時(shí)每MWp(萬(wàn)kw.h/MWpEdc——統(tǒng)計(jì)期內(nèi)電池片生產(chǎn)(工序)總耗電量,單位為萬(wàn)千瓦時(shí)(萬(wàn)kw.h);Pdc——統(tǒng)計(jì)期內(nèi)電池片合格品總產(chǎn)量,單位為MWp。5.2.6電池組件生產(chǎn)(工序)可比電耗的計(jì)算7ezj——電池組件生產(chǎn)(工序)可比電耗,單位為萬(wàn)千瓦時(shí)每MWp(萬(wàn)kw.h/MWpEzj——統(tǒng)計(jì)
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