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文檔簡介
第4章正弦波振蕩器4.1概述4.2反饋振蕩器的工作原理4.3LC
正弦波振蕩器4.4振蕩器的頻率穩(wěn)定4.5晶體振蕩器小結(jié)
4.1概
述
輸出波形為正弦波的振蕩器稱為正弦波振蕩器。
它和放大器一樣,也是一種能量轉(zhuǎn)換器,即在輸入信號的控制下,將直流能量部分地轉(zhuǎn)換為按輸入信號規(guī)律變化的交流能量。
不同的是,振蕩器是在無需外加激勵電壓的情況下來完成能量轉(zhuǎn)換的。
正弦波振蕩器在信息傳輸系統(tǒng)及無線電測量儀器中有著廣泛的應用。
例如,在有線及無線電通信、廣播或電視發(fā)射機中,用它來產(chǎn)生各種所需的載波信號;在超外差式接收機中,它可被用來產(chǎn)生本機振蕩信號;在各種通信測量儀器中,還可用它作為各種波段的正弦波信號源。
在這些用途中,都要求振蕩器產(chǎn)生所需頻率和振幅的正弦波信號,其主要技術指標是振蕩頻率的準確性和穩(wěn)定度、振蕩幅度的大小及其穩(wěn)定性、振蕩波形的非線性失真等,而其中最主要的是振蕩頻率的穩(wěn)定度。
按實現(xiàn)振蕩的方法而論,正弦波振蕩器可分為反饋振蕩器和負阻振蕩器兩大類。
凡是將放大器輸出信號經(jīng)過正反饋電路而回授到輸入端作為其輸入信號,來控制能量轉(zhuǎn)換從
而產(chǎn)生等幅持續(xù)的正弦振蕩的振蕩器稱為反饋振蕩器;凡是將負阻器件接入諧振回路,用來抵消回路中的損耗電阻,從而產(chǎn)生等幅持續(xù)的正弦振蕩的振蕩器稱為負阻振蕩器。
常用的正弦波振蕩器主要由決定振蕩頻率的選頻網(wǎng)絡和維持振蕩的正反饋放大器組成,這就是反饋振蕩器。
按照選頻網(wǎng)絡所采用元件的不同,正弦波振蕩器可分為LC
振蕩器、晶體振蕩器、RC
振蕩器等類型。
其中LC
振蕩器和晶體振蕩器用于產(chǎn)生高頻正弦波,RC
振蕩器用于產(chǎn)生低頻正弦波。
正反饋放大器既可以由晶體管、場效應管等分立器件組成,也可以由集成電路組成,但前者的性能可以比后者做得好些,且工作頻率也可以做得更高。
正弦波振蕩器各頻段的頻率大致如圖4.1.1所示。
圖4.1.1各種振蕩器的頻率
4.2反饋振蕩器的工作原理
我們常見到這樣的情況,當有人將他所使用的擴音器的音量開得太大時,會引起一陣刺耳的嘯叫聲,這種現(xiàn)象叫做擴音系統(tǒng)中的電聲振蕩,如圖4.2.1所示。
圖4.2.1擴音系統(tǒng)中的電聲振蕩
4.2.1平衡條件
圖4.2.2所示為正反饋放大器的方框圖,在無外加輸入信號時就成為圖4.2.3所示的自激振蕩器方框圖。圖4.2.2正反饋放大器方框圖
圖4.2.3自激振蕩器方框圖
圖4.2.4是利用變壓器耦合構成的反饋放大器和反饋振蕩器原理電路圖,下面通過圖4.2.4(b)來解釋平衡條件。
滿足平衡條件僅僅說明反饋放大器能夠成為反饋振蕩器,并沒有說明振蕩器必定產(chǎn)生穩(wěn)定的持續(xù)振蕩。
因此平衡條件只是振蕩的必要條件,而不是它的充分條件。要保證振蕩器產(chǎn)生穩(wěn)定的持續(xù)振蕩,還必須同時滿足起振條件和穩(wěn)定條件。
圖4.2.4反饋放大器與變壓器耦合反饋振蕩器
4.2.2起振條件
起振電壓總是從無到有地建立起來的。
那么,振蕩器剛接通電源時,原始的輸入電壓從哪里來?又如何能夠達到平衡值?實際上,剛接通電源時,振蕩電路各部分必定存在著各種電的擾動,這些擾動可能是接通電源瞬間引起的電流突變,也可能是晶體管和回路的內(nèi)部噪聲,它們都包含有頻率范圍很寬的各種頻率的電壓分量。
當這種微小的擾動作用于基本放大器的輸入端時,由于諧振回路的選頻作用,只有頻率接近于回路諧振頻率的分量,才能由放大器進行放大,而后通過反饋又加到主網(wǎng)絡的輸入端。
如果該電壓與主網(wǎng)絡原先的輸入電壓同相,且具有更大的振幅,則經(jīng)過放大和反饋的反復循環(huán),該頻率分量的電壓振幅將不斷地增長,于是可從小到大地建立起振蕩的條件:
或
圖4.2.5Uf~Ub
與K~Ub
曲線
4.2.3穩(wěn)定條件
振蕩器的穩(wěn)定條件包括兩方面內(nèi)容:振幅穩(wěn)定條件和相位穩(wěn)定條件。
振幅穩(wěn)定條件研究的是,由于電路中的擾動,暫時破壞了振幅平衡條件,當擾動離去后,振幅能否穩(wěn)定在原來的平衡點。
相位穩(wěn)定條件研究的是,由于電路中的擾動,暫時破壞了相位平衡條件,使振蕩頻率發(fā)生變化,當擾動離去后,振蕩頻率能否穩(wěn)定在原有頻率上。
2.相位穩(wěn)定條件
頻率穩(wěn)定條件和相位穩(wěn)定條件實質(zhì)上是一樣的,因為相位變化時,頻率必然隨之變化,反之亦然。
相位的超前意味著頻率的提高,而相位的滯后意味著頻率的降低。
在反饋振蕩器中有
由上述分析可見,若振蕩器的頻率有一個正的增量Δω,而它引起的相位的變化是一個負的增量Δφkβ,則原來的相位平衡點是穩(wěn)定的。
因此,其頻率穩(wěn)定或相位穩(wěn)定的條件為
由并聯(lián)諧振回路Zc
的相頻特性知:
式中,ω0
為回路的諧振角頻率,Qe
為
回
路
的
等
效
品
質(zhì)
因數(shù)。
其φc~ω
曲線如圖4.2.8所示。
若忽略放大器的電容效應,并設β為實數(shù),則φkβ≈φc,顯然,φkβ具有如圖4.2.8所示的特性,這時ωg≈ω0,式(4.2.10)可改寫為
可見在LC
振蕩器中,相位穩(wěn)定條件是由并聯(lián)諧振回路
的相頻特性來實現(xiàn)的。
圖4.2.8并聯(lián)回路的φc~ω曲線
各種不同的反饋振蕩器電路,它們的區(qū)別也就在于上述組成部分的實現(xiàn)方式不同??勺鳛橹骶W(wǎng)絡中有源器件的有晶體管、場效應管、差分對管、線性集成電路和電子管等;可作為相移網(wǎng)絡的有LC諧振回路、RC
移相電路或選頻回路、石英晶體諧振器等。
前已述及,穩(wěn)幅電路有內(nèi)、外穩(wěn)幅之分,而反饋網(wǎng)絡又有變壓器耦合電路、電感和電容分壓電路等。
其中用得最廣泛的是三種振蕩電路:采用內(nèi)穩(wěn)幅和LC
諧振回路的LC
振蕩器、采用內(nèi)穩(wěn)幅和石英晶體諧振器的晶體振蕩器以及采用外穩(wěn)幅和RC
移相或選頻電路的RC
振蕩器。
4.3LC
正弦波振蕩器
通常將采用LC
諧振回路作為移相網(wǎng)絡的內(nèi)穩(wěn)幅反饋振蕩器統(tǒng)稱為LC
振蕩器。
根據(jù)其反饋形式的不同,這種振蕩器可分為三端式振蕩器和變壓器耦合振蕩器。
三端式振蕩器采用電感分壓電路或電容分壓電路作為反饋網(wǎng)絡,變壓器耦合振蕩器采用變壓器耦合電路作為反饋網(wǎng)絡。
4.3.1三端式振蕩器
1.電路組成原則
如圖4.3.1所示的高頻等效電路,振蕩回路以三個端點與晶體管(場應管或電子管)三個電極相連,所以稱它為三端式振蕩器。
應該指出,三端式振蕩器是LC振蕩器中最基本的電路形式。
圖4.3.1振蕩器電路組成原則
由于振蕩回路是由電抗元件組成的,為了簡化起見,忽略了回路的損耗,因此圖中只用三個純電抗
X1、X2、X3
來表示。
因振蕩器工作時的振蕩頻率ωg≈ω0,所以,回路近似處于諧振狀態(tài),即回路的電抗之和應為零,故有
所以,
X1、X2、X3
不能全為感抗或全為容抗,而是由兩種異性的電抗組成的。
根據(jù)上述原則構成的基本電路如圖4.3.2所示。
圖4.3.2(a)為電感反饋振蕩器,也稱為哈特萊振蕩器,圖4.3.2(b)為電容反饋振蕩器,也稱為考畢茲振蕩器。圖4.3.2LC三端式振蕩器交流等效圖
2.電感三端式振蕩器(哈特萊振蕩器)
1)原理電路
圖4.3.3是電感反饋振蕩器的原理電路,其中圖4.3.3(a)為發(fā)射極接地電路,圖4.3.3(b)為基極接地電路,圖4.3.3(c)為集電極接地電路。
圖4.3.3電感三端式振蕩器
2)起振條件
分析振蕩器的起振條件時,要分析兩個方面:一方面是要由相位條件來確定振蕩頻率與參數(shù)的關系;另一方面是要由振幅條件來確定所需的放大倍數(shù)和反饋系數(shù)對電路參數(shù)的要求。
正常工作的振蕩器,在起振時信號很小,這時可以將振蕩器電路看成線性電路。
所以采用晶體管Y
參數(shù)等效法研究起振時的振蕩條件比較方便,而且也有一定的實際意義。
圖4.3.4(a)為圖4.3.3(a)的高頻等效電路。
圖中Rc為振蕩器LC諧振回路有載諧振阻抗R'L(=1/g')在晶體三極管c、e兩端等效的電阻。
從小信號諧振放大器的分析中可知
或
式中,p1為晶體管c、e兩端對LC諧振回路的接入系數(shù),p2
為下級負載對LC諧振回路的接入系數(shù),g0
為LC
諧振回路的空載諧振電導,gL
為下級負載電導,Qe
為LC
諧振回路的有載品質(zhì)因數(shù)。
由此可得
圖4.3.4電感三端式振蕩器的等效電路
3.電容三端式振蕩器(考比茲振蕩器)
1)原理電路
圖4.3.5是電容三端式振蕩器的原理電路,其中圖4.3.5(a)為發(fā)射極接地的電路,圖4.3.5(b)為基極接地的電路,圖4.3.5(c)為集電極接地的電路。
由圖可見,這三種電路的發(fā)射極連接的都是兩個性質(zhì)相同的容抗,而第三個則為異性質(zhì)的感抗,故此電路滿足了相位條件。
圖中R1、R2
為基極偏置電阻,Re為發(fā)射極電阻,Ce、Cb、Cc
為高頻旁通電容,C3、C4
為隔直流電容,C1、C2、L
組成振蕩回路。
圖4.3.5(b)和圖4.3.5(c)中,電阻Re
的作用與圖4.3.4(b)、(c)中的相同。
圖4.3.5
2)起振條件
電容三端式振蕩器的起振條件,可以用與電感三端式振蕩器相類似的方法求得,求得的振蕩頻率為
起振時的振幅條件為
4.電容與電感三端式振蕩器的比較
(1)電感三端式電路的反饋電壓取自電感兩端,而電容三端式電路的反饋電壓取自電容兩端。
當高次諧波電流通過反饋支路時,取自電感的電壓必將比取自電容的電壓含有更多的高次諧波成分。
因此,電感三端式電路的輸出波形失真比電容三端式電路的大。
(2)在電感三端式電路中,晶體管的輸入電容和雜散電容直接并接在反饋線圈上,這些電容的作用相當于反饋線圈的有效電感量變小,結(jié)果會使反饋電壓減小,從而有可能使振蕩器停振。
而這種影響將隨著振蕩頻率的提高而愈趨嚴重。
但在電容三端式電路中,這些寄生電容包括在反饋電容內(nèi),不會造成上述不良影響。
因此,電容三端式電路可以比電感三端式電路振蕩在更高的頻率上。
圖4.3.6頻率可變的振蕩器
5.改進型電容三端式振蕩器
為了減小晶體管中不穩(wěn)定的極間電容Ceb、Cbc、Cce對振蕩頻率的影響,從而提高頻率穩(wěn)定度,多采用電容三端式振蕩器的變形電路,即所謂克拉潑振蕩器和西勒振蕩器。
圖4.3.7為克拉潑振蕩器的原理電路及其交流等效電路,與電容三端式電路比較,在振蕩回路中,增加了一個和電感串接的C3,通常C3
的容量遠小于C2
和C1,故回路的總電容
應該指出,雖然C3
越小,振蕩器的頻率穩(wěn)定度越高,但C3太小將不能滿足振幅起振條件而停止振蕩。
故為了保證振蕩器的起振,C3
應有一個最小的允許值。
圖4.3.7克拉潑振蕩電路
另外,若采用調(diào)節(jié)C3
來改變振蕩頻率,此時有
式中,pc
為晶體管的集電極與發(fā)射極之間對回路的接入系數(shù)。
由上式可見Rc∝(1/ω0)3,當調(diào)節(jié)C3而改變振蕩頻率時,不僅Rc
的變化很大,并且在波段高端(此時C3
最小)會因Rc太小而停振。
為了克服上述缺點,目前在波段振蕩器中普遍采用圖4.3.8所示的改進型式電容三端式電路,亦稱西勒電路。
與克拉潑電路相比,它在回路電感兩端并接了一個可變電容C4。
若將L
和C4
的并聯(lián)阻抗看成一個等效的電感,而C1、C2、C3
都是固定值,因此當改變C4
以改變頻率時,接入系數(shù)pc
不變,此時Rc只與振蕩頻率成正比,即與克拉潑電路相比,西勒電路不僅在波段內(nèi)的振幅比較平穩(wěn),還避免了高頻端可能出現(xiàn)的停振現(xiàn)象。
故它很適合于工作在工作頻率較高的場合。
圖4.3.8
4.3.2變壓器耦合振蕩器
在變壓器耦合的LC
振蕩器電路中,其振蕩回路可以并接在發(fā)射結(jié)或集電結(jié)以及集電極與發(fā)射極之間,分別如圖4.3.9(a)、(b)、(c)所示,其中圖4.3.9(b)、(c)兩種電路用得較多。
圖4.3.9變壓器耦合振蕩器的交流等效電路及其同名端
4.3.3集成振蕩器
1.差分對管振蕩電路
在集成電路振蕩器里,廣泛采用如圖4.3.10(a)所示的差分對管振蕩電路,其中V管集電極外接的LC
回路調(diào)諧在振蕩頻率上。
圖4.3.10(b)為其交流等效電路。
圖4.3.10(b)中Rce為恒流源I0
的交流等效電阻。
可見,這是一個共集
共基反饋電路。
由于共集電路與共基電路均為同相放大電路,且電壓增益可調(diào)至大于1,根據(jù)瞬時極性法判斷,在V管基極斷開,有ub1↑
→ue1(ue2)↑
→uc2↑
→ub1↑,所以是正反饋。
在振蕩頻率點,并聯(lián)LC
回路阻抗最大,正反饋電壓uf(uo)最強,且滿足相位穩(wěn)定條件。
綜上所述,此振蕩器電路能正常工作。
圖4.3.10差分對管振蕩電路與交流等效電路
2.單片集成振蕩器電路E1648
圖4.3.11為由集成電路E1648加上少量外圍元件構成的正弦波振蕩器。
其內(nèi)部由差分對電路、偏置電路和放大電路等組成。E1648可以產(chǎn)生正弦波,也可以產(chǎn)生方波。
圖4.3.11E1648構成的振蕩器
E1648單片集成振蕩器的頻率由10腳與12腳之間外接振蕩回路的L、C值決定,并與兩腳之間的輸入電容Ci有關,其表達式為
改變外接回路元件參數(shù),可以改變E1648單片集成振蕩器的工作頻率。
在5腳外加一正電壓時,可以獲得方波輸出。
4.4振蕩器的頻率穩(wěn)定
頻率穩(wěn)定是振蕩器的一個重要指標,它是指在外界條件發(fā)生變化的情況下,要求振蕩器的實際工作頻率與指定頻率之間偏差最小。
振蕩器通常都是用作某種信號源(高頻加熱之類的應用除外),如果振蕩頻率不穩(wěn)定,將使設備和系統(tǒng)的性能惡化。
4.4.1振蕩器的頻率穩(wěn)定度
1.絕對頻率穩(wěn)定度
絕對頻率穩(wěn)定度是在一定條件下實際振蕩頻率fg
與標稱頻率f0
的偏差Δf,即
上述頻率偏差可能是由于調(diào)整、置定和測量不準引起的,也可能是頻率隨時間變化而引起的。
2.相對頻率穩(wěn)定度
相對頻率穩(wěn)定度是指在一定條件下,絕對頻率穩(wěn)定度與標稱頻率的比值,即
常用的是相對頻率穩(wěn)定度,簡稱頻率穩(wěn)定度。
在一定時間范圍內(nèi)的頻率穩(wěn)定度可分為以下幾種情況:
(1)短期穩(wěn)定度:1小時內(nèi)的相對頻率穩(wěn)定度,一般用來評價測量儀器和通信設備中主振器的頻率穩(wěn)定指標。
(2)中期穩(wěn)定度:1天內(nèi)的相對頻率穩(wěn)定度。
(3)長期穩(wěn)定度:數(shù)月或1年內(nèi)的相對頻率穩(wěn)定度。
4.4.2振蕩器頻率變化的原因
根據(jù)式(4.2.5),相位平衡條件為
其中,φk=φc+φf,所以相位平衡條件也可表達為
圖4.4.1頻率穩(wěn)定度與諸因素的關系
現(xiàn)將各因素的影響分述如下:
(1)回路諧振頻率ω0
的影響:ω0
是由L
和C
決定的,它不但要考慮回路的線圈電感、調(diào)諧電容和反饋電路元件,而且也要考慮并在回路上的其他元件,比如晶體管的極間電容、后級負載電容或電感等。
振蕩器的頻率穩(wěn)定度(短期、長期),主要是由回路元件L
和
C的穩(wěn)定性即回路標準性決定的。
綜上所述,造成頻率不穩(wěn)定的因素主要有三個。
一個是LC回路參數(shù)的不穩(wěn)定。
溫度變化會使電感線圈和回路電容的數(shù)值發(fā)生變化,一般L
具有正溫度系數(shù),即L隨溫度的升高而增大,而電容由于介質(zhì)材料和結(jié)構的不同,電容器的溫度系數(shù)可正可負。
機械振動可使電感和電容產(chǎn)生形變,也會使電感和電容數(shù)值發(fā)生變化。
另一個是晶體管參數(shù)的不穩(wěn)定。
當溫度變化或電源變化時,必定會引起靜態(tài)工作點和晶體管結(jié)電容的變化,從而使振蕩器振蕩頻率不穩(wěn)定。
再一個是負載的變化,也會引起振蕩頻率不穩(wěn)定。
4.4.3振蕩器的穩(wěn)頻措施
振蕩器的穩(wěn)頻措施有以下幾個:
(1)提高振蕩回路的標準性。
(2)穩(wěn)定電源電壓。
(3)減小負載的影響。
(4)晶體管與回路之間的連接采用松耦合。
(5)提高回路的品質(zhì)因數(shù)Q。
(6)屏蔽及遠離熱源。
4.5晶
體
振
蕩
器
4.5.1石英諧振器的特性
1.石英晶體的壓電效應及等效電路石英晶體是硅石的一種,它的化學成分是二氧化硅(SiO2),在石英晶體上按一定方位角切下薄片,然后在晶片的兩個對應表面上用噴涂金屬的方法裝上一對金屬極板,就構成了石英晶體振蕩元件——石英晶體諧振器。
它的符號、等效電路及電抗特性如圖4.5.1所示。
圖4.5.1石英晶體諧振器的符號、等效電路及電抗特性
石英晶片之所以能做成諧振器,是因為它具有正、反壓電效應。
當機械力作用于晶片時,晶片相對兩側(cè)將產(chǎn)生異號的電荷;反之,當在晶片兩面加不同極性的電壓時,晶片的幾何尺寸或形變將發(fā)生改變。
晶片的幾何尺寸和結(jié)構一定時,它本身就具有一個固有的機械振動頻率。
當高頻交流電壓加于晶片兩端時,晶片將隨交變信號電壓的變化而產(chǎn)生機械振動,當其振蕩頻率與晶片固有頻率相等時,將產(chǎn)生諧振,此時機械振動最強。
2.石英晶體的阻抗特性
石英晶體諧振器的等效電抗曲線如圖4.5.1(c)所示。
可見:當ω=ωq
時,Lq、Cq支路產(chǎn)生串聯(lián)諧振;當ω=ωp
時,產(chǎn)生并聯(lián)諧振。
當ω<ωq
或ω>ωp
時,電抗呈容性;當ωq<ω<ωp
時,電抗呈感性。
由于兩個諧振頻率之差很小,所以呈感性的阻抗曲線非常陡峭。
實用中,石英諧振器工作在頻率范圍很窄的感性區(qū)(可以把它看成一個電感),只是在電感區(qū)電抗曲線才有非常大的斜率(對穩(wěn)定頻率有利),電容區(qū)是不宜使用的。
3.石英諧振器的頻率—溫度特性
雖然石英諧振器的等效回路具有高Q
值的優(yōu)點,但如果它的電參數(shù)不穩(wěn)定,仍然不能保證頻率穩(wěn)定度的提高,這還要看溫度變化時它的頻率是否穩(wěn)定。
在一定的溫度范圍內(nèi),石英晶體的各電參量具有較小的溫度系數(shù)。
具體情況與晶片切割類型有關。
在室溫附近,它們的穩(wěn)定性是比較滿意的,其中以AT切型最好。
但是當溫度變化較大時,頻率穩(wěn)定性就顯著變壞。
因此,要得到更高的頻率穩(wěn)定度,石英晶體應采用恒溫設備。
4.石英諧振器頻率穩(wěn)定度高的原因
(1)它的頻率溫度系數(shù)小,采用恒溫設備后,更可保證頻率的穩(wěn)定。
(2)它的Q
值非常高。
(3)石英諧振器的Cq?C0,使振蕩頻率基本上由Lq、Cq
決定,外電路對振蕩頻率的影響很小。
只要它本身的參數(shù)Lq、Cq
穩(wěn)定,就可以有很高的頻率穩(wěn)定度。
4.5.2晶體振蕩器電路
晶體振蕩器可分為并聯(lián)和串聯(lián)兩種類型的電路:一種是將晶體作為三端式電路中的回路電感使用,而整個振蕩回路處于并聯(lián)諧振狀態(tài),故稱其為并聯(lián)型電路;另一種是工作在晶體的串聯(lián)諧振頻率上,將晶體作為一個高選擇性的短路元件,串聯(lián)在反饋支路中,用以控制反饋系數(shù),故稱為串聯(lián)型電路。
在電子設備中,廣泛采用并聯(lián)型振蕩電路。
1.并聯(lián)型晶體振蕩器
1)電路
并聯(lián)型晶體振蕩器電路由晶體與外接電容器或線圈構成并聯(lián)諧振回路,按三端式振蕩器的連接原則組成振蕩器,晶體等效為電感。
振蕩器的振蕩頻率只能在fq<f<fp
范圍。
若在晶體兩端并聯(lián)一個電容CL
以組成并聯(lián)諧振回路(如圖4.5.2所示),則由于晶體的并聯(lián)電容由C0
增加到C0+CL,故回路的并聯(lián)諧振頻率可近似表示為
圖4.5.2晶體等效電路
在三端式電路中,晶體有兩種接入回路的方法。
一種是將晶體接在三極管集電極與基極之間,如圖4.5.3(a)所示,稱為皮爾斯(Pierce)電路。
圖中Lb
為高頻扼流圈,Cb
為旁路電容。
圖4.5.3(b)為諧振回路交流等效電路。
圖4.5.3(c)中Le
是晶體呈現(xiàn)的等效電感。
可見皮爾斯電路相當于電容三端式振蕩器。
另一種是將晶體接在基極與發(fā)射極之間(如圖4.5.4(a)所示),稱為密勒(Miller)電路。
圖4.5.4(b)為其交流等效電路。
圖4.5.4(c)中Le1
為LC
回路呈現(xiàn)的等效電感(LC
回路的諧振頻率應高于振蕩頻率),Le2為晶體呈現(xiàn)的等效電感。
所以密勒電路相當于電感三端式振蕩器。
在密勒電路中,晶體接在正向偏置的發(fā)射結(jié)上,因此輸入阻抗對晶體Q
值的影響大,而在皮爾斯電路中,晶體接在反向偏置的cb結(jié)上,影響較小。
所以,從提高頻率穩(wěn)定度著眼,應選用皮爾斯電路為好。
圖4.5.4密勒晶體振蕩器
2)頻率穩(wěn)定度的分析
由于晶體管振蕩器滿足振蕩條件時要求的回路阻抗很小(通常幾千歐),即使與石英晶體耦合再松些,也是能振蕩的。因此,實際的皮爾斯振蕩電路都采用改進型的電路,如圖4.5.5所示。
與晶體串聯(lián)的容量很小的電容
C3
通常采用微調(diào)電容,則與晶體并聯(lián)的電容為
圖4.5.5改進型的并聯(lián)晶體振蕩器
當忽略晶體管的高頻效應及回路損耗時,晶體振蕩器的振蕩頻率近似等于回路的諧振頻率,即振蕩回路中的晶體的等效感抗
XLe
等于CL
的容抗,則得其相位平衡條件為
或
圖4.5.6是晶體電抗和容抗隨頻率變化的曲線。
由此圖可見,相位平衡點A所對應的頻率fL
就是振蕩器的振蕩頻率,它在fq
與fp
之間。
由于振蕩頻率fL
是非常靠近晶體
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