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文檔簡介

第4章正弦波振蕩器4.1概述4.2反饋振蕩器的工作原理4.3LC

正弦波振蕩器4.4振蕩器的頻率穩(wěn)定4.5晶體振蕩器小結(jié)

4.1概

輸出波形為正弦波的振蕩器稱為正弦波振蕩器。

它和放大器一樣,也是一種能量轉(zhuǎn)換器,即在輸入信號的控制下,將直流能量部分地轉(zhuǎn)換為按輸入信號規(guī)律變化的交流能量。

不同的是,振蕩器是在無需外加激勵電壓的情況下來完成能量轉(zhuǎn)換的。

正弦波振蕩器在信息傳輸系統(tǒng)及無線電測量儀器中有著廣泛的應用。

例如,在有線及無線電通信、廣播或電視發(fā)射機中,用它來產(chǎn)生各種所需的載波信號;在超外差式接收機中,它可被用來產(chǎn)生本機振蕩信號;在各種通信測量儀器中,還可用它作為各種波段的正弦波信號源。

在這些用途中,都要求振蕩器產(chǎn)生所需頻率和振幅的正弦波信號,其主要技術指標是振蕩頻率的準確性和穩(wěn)定度、振蕩幅度的大小及其穩(wěn)定性、振蕩波形的非線性失真等,而其中最主要的是振蕩頻率的穩(wěn)定度。

按實現(xiàn)振蕩的方法而論,正弦波振蕩器可分為反饋振蕩器和負阻振蕩器兩大類。

凡是將放大器輸出信號經(jīng)過正反饋電路而回授到輸入端作為其輸入信號,來控制能量轉(zhuǎn)換從

而產(chǎn)生等幅持續(xù)的正弦振蕩的振蕩器稱為反饋振蕩器;凡是將負阻器件接入諧振回路,用來抵消回路中的損耗電阻,從而產(chǎn)生等幅持續(xù)的正弦振蕩的振蕩器稱為負阻振蕩器。

常用的正弦波振蕩器主要由決定振蕩頻率的選頻網(wǎng)絡和維持振蕩的正反饋放大器組成,這就是反饋振蕩器。

按照選頻網(wǎng)絡所采用元件的不同,正弦波振蕩器可分為LC

振蕩器、晶體振蕩器、RC

振蕩器等類型。

其中LC

振蕩器和晶體振蕩器用于產(chǎn)生高頻正弦波,RC

振蕩器用于產(chǎn)生低頻正弦波。

正反饋放大器既可以由晶體管、場效應管等分立器件組成,也可以由集成電路組成,但前者的性能可以比后者做得好些,且工作頻率也可以做得更高。

正弦波振蕩器各頻段的頻率大致如圖4.1.1所示。

圖4.1.1各種振蕩器的頻率

4.2反饋振蕩器的工作原理

我們常見到這樣的情況,當有人將他所使用的擴音器的音量開得太大時,會引起一陣刺耳的嘯叫聲,這種現(xiàn)象叫做擴音系統(tǒng)中的電聲振蕩,如圖4.2.1所示。

圖4.2.1擴音系統(tǒng)中的電聲振蕩

4.2.1平衡條件

圖4.2.2所示為正反饋放大器的方框圖,在無外加輸入信號時就成為圖4.2.3所示的自激振蕩器方框圖。圖4.2.2正反饋放大器方框圖

圖4.2.3自激振蕩器方框圖

圖4.2.4是利用變壓器耦合構成的反饋放大器和反饋振蕩器原理電路圖,下面通過圖4.2.4(b)來解釋平衡條件。

滿足平衡條件僅僅說明反饋放大器能夠成為反饋振蕩器,并沒有說明振蕩器必定產(chǎn)生穩(wěn)定的持續(xù)振蕩。

因此平衡條件只是振蕩的必要條件,而不是它的充分條件。要保證振蕩器產(chǎn)生穩(wěn)定的持續(xù)振蕩,還必須同時滿足起振條件和穩(wěn)定條件。

圖4.2.4反饋放大器與變壓器耦合反饋振蕩器

4.2.2起振條件

起振電壓總是從無到有地建立起來的。

那么,振蕩器剛接通電源時,原始的輸入電壓從哪里來?又如何能夠達到平衡值?實際上,剛接通電源時,振蕩電路各部分必定存在著各種電的擾動,這些擾動可能是接通電源瞬間引起的電流突變,也可能是晶體管和回路的內(nèi)部噪聲,它們都包含有頻率范圍很寬的各種頻率的電壓分量。

當這種微小的擾動作用于基本放大器的輸入端時,由于諧振回路的選頻作用,只有頻率接近于回路諧振頻率的分量,才能由放大器進行放大,而后通過反饋又加到主網(wǎng)絡的輸入端。

如果該電壓與主網(wǎng)絡原先的輸入電壓同相,且具有更大的振幅,則經(jīng)過放大和反饋的反復循環(huán),該頻率分量的電壓振幅將不斷地增長,于是可從小到大地建立起振蕩的條件:

圖4.2.5Uf~Ub

與K~Ub

曲線

4.2.3穩(wěn)定條件

振蕩器的穩(wěn)定條件包括兩方面內(nèi)容:振幅穩(wěn)定條件和相位穩(wěn)定條件。

振幅穩(wěn)定條件研究的是,由于電路中的擾動,暫時破壞了振幅平衡條件,當擾動離去后,振幅能否穩(wěn)定在原來的平衡點。

相位穩(wěn)定條件研究的是,由于電路中的擾動,暫時破壞了相位平衡條件,使振蕩頻率發(fā)生變化,當擾動離去后,振蕩頻率能否穩(wěn)定在原有頻率上。

2.相位穩(wěn)定條件

頻率穩(wěn)定條件和相位穩(wěn)定條件實質(zhì)上是一樣的,因為相位變化時,頻率必然隨之變化,反之亦然。

相位的超前意味著頻率的提高,而相位的滯后意味著頻率的降低。

在反饋振蕩器中有

由上述分析可見,若振蕩器的頻率有一個正的增量Δω,而它引起的相位的變化是一個負的增量Δφkβ,則原來的相位平衡點是穩(wěn)定的。

因此,其頻率穩(wěn)定或相位穩(wěn)定的條件為

由并聯(lián)諧振回路Zc

的相頻特性知:

式中,ω0

為回路的諧振角頻率,Qe

質(zhì)

因數(shù)。

其φc~ω

曲線如圖4.2.8所示。

若忽略放大器的電容效應,并設β為實數(shù),則φkβ≈φc,顯然,φkβ具有如圖4.2.8所示的特性,這時ωg≈ω0,式(4.2.10)可改寫為

可見在LC

振蕩器中,相位穩(wěn)定條件是由并聯(lián)諧振回路

的相頻特性來實現(xiàn)的。

圖4.2.8并聯(lián)回路的φc~ω曲線

各種不同的反饋振蕩器電路,它們的區(qū)別也就在于上述組成部分的實現(xiàn)方式不同??勺鳛橹骶W(wǎng)絡中有源器件的有晶體管、場效應管、差分對管、線性集成電路和電子管等;可作為相移網(wǎng)絡的有LC諧振回路、RC

移相電路或選頻回路、石英晶體諧振器等。

前已述及,穩(wěn)幅電路有內(nèi)、外穩(wěn)幅之分,而反饋網(wǎng)絡又有變壓器耦合電路、電感和電容分壓電路等。

其中用得最廣泛的是三種振蕩電路:采用內(nèi)穩(wěn)幅和LC

諧振回路的LC

振蕩器、采用內(nèi)穩(wěn)幅和石英晶體諧振器的晶體振蕩器以及采用外穩(wěn)幅和RC

移相或選頻電路的RC

振蕩器。

4.3LC

正弦波振蕩器

通常將采用LC

諧振回路作為移相網(wǎng)絡的內(nèi)穩(wěn)幅反饋振蕩器統(tǒng)稱為LC

振蕩器。

根據(jù)其反饋形式的不同,這種振蕩器可分為三端式振蕩器和變壓器耦合振蕩器。

三端式振蕩器采用電感分壓電路或電容分壓電路作為反饋網(wǎng)絡,變壓器耦合振蕩器采用變壓器耦合電路作為反饋網(wǎng)絡。

4.3.1三端式振蕩器

1.電路組成原則

如圖4.3.1所示的高頻等效電路,振蕩回路以三個端點與晶體管(場應管或電子管)三個電極相連,所以稱它為三端式振蕩器。

應該指出,三端式振蕩器是LC振蕩器中最基本的電路形式。

圖4.3.1振蕩器電路組成原則

由于振蕩回路是由電抗元件組成的,為了簡化起見,忽略了回路的損耗,因此圖中只用三個純電抗

X1、X2、X3

來表示。

因振蕩器工作時的振蕩頻率ωg≈ω0,所以,回路近似處于諧振狀態(tài),即回路的電抗之和應為零,故有

所以,

X1、X2、X3

不能全為感抗或全為容抗,而是由兩種異性的電抗組成的。

根據(jù)上述原則構成的基本電路如圖4.3.2所示。

圖4.3.2(a)為電感反饋振蕩器,也稱為哈特萊振蕩器,圖4.3.2(b)為電容反饋振蕩器,也稱為考畢茲振蕩器。圖4.3.2LC三端式振蕩器交流等效圖

2.電感三端式振蕩器(哈特萊振蕩器)

1)原理電路

圖4.3.3是電感反饋振蕩器的原理電路,其中圖4.3.3(a)為發(fā)射極接地電路,圖4.3.3(b)為基極接地電路,圖4.3.3(c)為集電極接地電路。

圖4.3.3電感三端式振蕩器

2)起振條件

分析振蕩器的起振條件時,要分析兩個方面:一方面是要由相位條件來確定振蕩頻率與參數(shù)的關系;另一方面是要由振幅條件來確定所需的放大倍數(shù)和反饋系數(shù)對電路參數(shù)的要求。

正常工作的振蕩器,在起振時信號很小,這時可以將振蕩器電路看成線性電路。

所以采用晶體管Y

參數(shù)等效法研究起振時的振蕩條件比較方便,而且也有一定的實際意義。

圖4.3.4(a)為圖4.3.3(a)的高頻等效電路。

圖中Rc為振蕩器LC諧振回路有載諧振阻抗R'L(=1/g')在晶體三極管c、e兩端等效的電阻。

從小信號諧振放大器的分析中可知

式中,p1為晶體管c、e兩端對LC諧振回路的接入系數(shù),p2

為下級負載對LC諧振回路的接入系數(shù),g0

為LC

諧振回路的空載諧振電導,gL

為下級負載電導,Qe

為LC

諧振回路的有載品質(zhì)因數(shù)。

由此可得

圖4.3.4電感三端式振蕩器的等效電路

3.電容三端式振蕩器(考比茲振蕩器)

1)原理電路

圖4.3.5是電容三端式振蕩器的原理電路,其中圖4.3.5(a)為發(fā)射極接地的電路,圖4.3.5(b)為基極接地的電路,圖4.3.5(c)為集電極接地的電路。

由圖可見,這三種電路的發(fā)射極連接的都是兩個性質(zhì)相同的容抗,而第三個則為異性質(zhì)的感抗,故此電路滿足了相位條件。

圖中R1、R2

為基極偏置電阻,Re為發(fā)射極電阻,Ce、Cb、Cc

為高頻旁通電容,C3、C4

為隔直流電容,C1、C2、L

組成振蕩回路。

圖4.3.5(b)和圖4.3.5(c)中,電阻Re

的作用與圖4.3.4(b)、(c)中的相同。

圖4.3.5

2)起振條件

電容三端式振蕩器的起振條件,可以用與電感三端式振蕩器相類似的方法求得,求得的振蕩頻率為

起振時的振幅條件為

4.電容與電感三端式振蕩器的比較

(1)電感三端式電路的反饋電壓取自電感兩端,而電容三端式電路的反饋電壓取自電容兩端。

當高次諧波電流通過反饋支路時,取自電感的電壓必將比取自電容的電壓含有更多的高次諧波成分。

因此,電感三端式電路的輸出波形失真比電容三端式電路的大。

(2)在電感三端式電路中,晶體管的輸入電容和雜散電容直接并接在反饋線圈上,這些電容的作用相當于反饋線圈的有效電感量變小,結(jié)果會使反饋電壓減小,從而有可能使振蕩器停振。

而這種影響將隨著振蕩頻率的提高而愈趨嚴重。

但在電容三端式電路中,這些寄生電容包括在反饋電容內(nèi),不會造成上述不良影響。

因此,電容三端式電路可以比電感三端式電路振蕩在更高的頻率上。

圖4.3.6頻率可變的振蕩器

5.改進型電容三端式振蕩器

為了減小晶體管中不穩(wěn)定的極間電容Ceb、Cbc、Cce對振蕩頻率的影響,從而提高頻率穩(wěn)定度,多采用電容三端式振蕩器的變形電路,即所謂克拉潑振蕩器和西勒振蕩器。

圖4.3.7為克拉潑振蕩器的原理電路及其交流等效電路,與電容三端式電路比較,在振蕩回路中,增加了一個和電感串接的C3,通常C3

的容量遠小于C2

和C1,故回路的總電容

應該指出,雖然C3

越小,振蕩器的頻率穩(wěn)定度越高,但C3太小將不能滿足振幅起振條件而停止振蕩。

故為了保證振蕩器的起振,C3

應有一個最小的允許值。

圖4.3.7克拉潑振蕩電路

另外,若采用調(diào)節(jié)C3

來改變振蕩頻率,此時有

式中,pc

為晶體管的集電極與發(fā)射極之間對回路的接入系數(shù)。

由上式可見Rc∝(1/ω0)3,當調(diào)節(jié)C3而改變振蕩頻率時,不僅Rc

的變化很大,并且在波段高端(此時C3

最小)會因Rc太小而停振。

為了克服上述缺點,目前在波段振蕩器中普遍采用圖4.3.8所示的改進型式電容三端式電路,亦稱西勒電路。

與克拉潑電路相比,它在回路電感兩端并接了一個可變電容C4。

若將L

和C4

的并聯(lián)阻抗看成一個等效的電感,而C1、C2、C3

都是固定值,因此當改變C4

以改變頻率時,接入系數(shù)pc

不變,此時Rc只與振蕩頻率成正比,即與克拉潑電路相比,西勒電路不僅在波段內(nèi)的振幅比較平穩(wěn),還避免了高頻端可能出現(xiàn)的停振現(xiàn)象。

故它很適合于工作在工作頻率較高的場合。

圖4.3.8

4.3.2變壓器耦合振蕩器

在變壓器耦合的LC

振蕩器電路中,其振蕩回路可以并接在發(fā)射結(jié)或集電結(jié)以及集電極與發(fā)射極之間,分別如圖4.3.9(a)、(b)、(c)所示,其中圖4.3.9(b)、(c)兩種電路用得較多。

圖4.3.9變壓器耦合振蕩器的交流等效電路及其同名端

4.3.3集成振蕩器

1.差分對管振蕩電路

在集成電路振蕩器里,廣泛采用如圖4.3.10(a)所示的差分對管振蕩電路,其中V管集電極外接的LC

回路調(diào)諧在振蕩頻率上。

圖4.3.10(b)為其交流等效電路。

圖4.3.10(b)中Rce為恒流源I0

的交流等效電阻。

可見,這是一個共集

共基反饋電路。

由于共集電路與共基電路均為同相放大電路,且電壓增益可調(diào)至大于1,根據(jù)瞬時極性法判斷,在V管基極斷開,有ub1↑

→ue1(ue2)↑

→uc2↑

→ub1↑,所以是正反饋。

在振蕩頻率點,并聯(lián)LC

回路阻抗最大,正反饋電壓uf(uo)最強,且滿足相位穩(wěn)定條件。

綜上所述,此振蕩器電路能正常工作。

圖4.3.10差分對管振蕩電路與交流等效電路

2.單片集成振蕩器電路E1648

圖4.3.11為由集成電路E1648加上少量外圍元件構成的正弦波振蕩器。

其內(nèi)部由差分對電路、偏置電路和放大電路等組成。E1648可以產(chǎn)生正弦波,也可以產(chǎn)生方波。

圖4.3.11E1648構成的振蕩器

E1648單片集成振蕩器的頻率由10腳與12腳之間外接振蕩回路的L、C值決定,并與兩腳之間的輸入電容Ci有關,其表達式為

改變外接回路元件參數(shù),可以改變E1648單片集成振蕩器的工作頻率。

在5腳外加一正電壓時,可以獲得方波輸出。

4.4振蕩器的頻率穩(wěn)定

頻率穩(wěn)定是振蕩器的一個重要指標,它是指在外界條件發(fā)生變化的情況下,要求振蕩器的實際工作頻率與指定頻率之間偏差最小。

振蕩器通常都是用作某種信號源(高頻加熱之類的應用除外),如果振蕩頻率不穩(wěn)定,將使設備和系統(tǒng)的性能惡化。

4.4.1振蕩器的頻率穩(wěn)定度

1.絕對頻率穩(wěn)定度

絕對頻率穩(wěn)定度是在一定條件下實際振蕩頻率fg

與標稱頻率f0

的偏差Δf,即

上述頻率偏差可能是由于調(diào)整、置定和測量不準引起的,也可能是頻率隨時間變化而引起的。

2.相對頻率穩(wěn)定度

相對頻率穩(wěn)定度是指在一定條件下,絕對頻率穩(wěn)定度與標稱頻率的比值,即

常用的是相對頻率穩(wěn)定度,簡稱頻率穩(wěn)定度。

在一定時間范圍內(nèi)的頻率穩(wěn)定度可分為以下幾種情況:

(1)短期穩(wěn)定度:1小時內(nèi)的相對頻率穩(wěn)定度,一般用來評價測量儀器和通信設備中主振器的頻率穩(wěn)定指標。

(2)中期穩(wěn)定度:1天內(nèi)的相對頻率穩(wěn)定度。

(3)長期穩(wěn)定度:數(shù)月或1年內(nèi)的相對頻率穩(wěn)定度。

4.4.2振蕩器頻率變化的原因

根據(jù)式(4.2.5),相位平衡條件為

其中,φk=φc+φf,所以相位平衡條件也可表達為

圖4.4.1頻率穩(wěn)定度與諸因素的關系

現(xiàn)將各因素的影響分述如下:

(1)回路諧振頻率ω0

的影響:ω0

是由L

和C

決定的,它不但要考慮回路的線圈電感、調(diào)諧電容和反饋電路元件,而且也要考慮并在回路上的其他元件,比如晶體管的極間電容、后級負載電容或電感等。

振蕩器的頻率穩(wěn)定度(短期、長期),主要是由回路元件L

C的穩(wěn)定性即回路標準性決定的。

綜上所述,造成頻率不穩(wěn)定的因素主要有三個。

一個是LC回路參數(shù)的不穩(wěn)定。

溫度變化會使電感線圈和回路電容的數(shù)值發(fā)生變化,一般L

具有正溫度系數(shù),即L隨溫度的升高而增大,而電容由于介質(zhì)材料和結(jié)構的不同,電容器的溫度系數(shù)可正可負。

機械振動可使電感和電容產(chǎn)生形變,也會使電感和電容數(shù)值發(fā)生變化。

另一個是晶體管參數(shù)的不穩(wěn)定。

當溫度變化或電源變化時,必定會引起靜態(tài)工作點和晶體管結(jié)電容的變化,從而使振蕩器振蕩頻率不穩(wěn)定。

再一個是負載的變化,也會引起振蕩頻率不穩(wěn)定。

4.4.3振蕩器的穩(wěn)頻措施

振蕩器的穩(wěn)頻措施有以下幾個:

(1)提高振蕩回路的標準性。

(2)穩(wěn)定電源電壓。

(3)減小負載的影響。

(4)晶體管與回路之間的連接采用松耦合。

(5)提高回路的品質(zhì)因數(shù)Q。

(6)屏蔽及遠離熱源。

4.5晶

4.5.1石英諧振器的特性

1.石英晶體的壓電效應及等效電路石英晶體是硅石的一種,它的化學成分是二氧化硅(SiO2),在石英晶體上按一定方位角切下薄片,然后在晶片的兩個對應表面上用噴涂金屬的方法裝上一對金屬極板,就構成了石英晶體振蕩元件——石英晶體諧振器。

它的符號、等效電路及電抗特性如圖4.5.1所示。

圖4.5.1石英晶體諧振器的符號、等效電路及電抗特性

石英晶片之所以能做成諧振器,是因為它具有正、反壓電效應。

當機械力作用于晶片時,晶片相對兩側(cè)將產(chǎn)生異號的電荷;反之,當在晶片兩面加不同極性的電壓時,晶片的幾何尺寸或形變將發(fā)生改變。

晶片的幾何尺寸和結(jié)構一定時,它本身就具有一個固有的機械振動頻率。

當高頻交流電壓加于晶片兩端時,晶片將隨交變信號電壓的變化而產(chǎn)生機械振動,當其振蕩頻率與晶片固有頻率相等時,將產(chǎn)生諧振,此時機械振動最強。

2.石英晶體的阻抗特性

石英晶體諧振器的等效電抗曲線如圖4.5.1(c)所示。

可見:當ω=ωq

時,Lq、Cq支路產(chǎn)生串聯(lián)諧振;當ω=ωp

時,產(chǎn)生并聯(lián)諧振。

當ω<ωq

或ω>ωp

時,電抗呈容性;當ωq<ω<ωp

時,電抗呈感性。

由于兩個諧振頻率之差很小,所以呈感性的阻抗曲線非常陡峭。

實用中,石英諧振器工作在頻率范圍很窄的感性區(qū)(可以把它看成一個電感),只是在電感區(qū)電抗曲線才有非常大的斜率(對穩(wěn)定頻率有利),電容區(qū)是不宜使用的。

3.石英諧振器的頻率—溫度特性

雖然石英諧振器的等效回路具有高Q

值的優(yōu)點,但如果它的電參數(shù)不穩(wěn)定,仍然不能保證頻率穩(wěn)定度的提高,這還要看溫度變化時它的頻率是否穩(wěn)定。

在一定的溫度范圍內(nèi),石英晶體的各電參量具有較小的溫度系數(shù)。

具體情況與晶片切割類型有關。

在室溫附近,它們的穩(wěn)定性是比較滿意的,其中以AT切型最好。

但是當溫度變化較大時,頻率穩(wěn)定性就顯著變壞。

因此,要得到更高的頻率穩(wěn)定度,石英晶體應采用恒溫設備。

4.石英諧振器頻率穩(wěn)定度高的原因

(1)它的頻率溫度系數(shù)小,采用恒溫設備后,更可保證頻率的穩(wěn)定。

(2)它的Q

值非常高。

(3)石英諧振器的Cq?C0,使振蕩頻率基本上由Lq、Cq

決定,外電路對振蕩頻率的影響很小。

只要它本身的參數(shù)Lq、Cq

穩(wěn)定,就可以有很高的頻率穩(wěn)定度。

4.5.2晶體振蕩器電路

晶體振蕩器可分為并聯(lián)和串聯(lián)兩種類型的電路:一種是將晶體作為三端式電路中的回路電感使用,而整個振蕩回路處于并聯(lián)諧振狀態(tài),故稱其為并聯(lián)型電路;另一種是工作在晶體的串聯(lián)諧振頻率上,將晶體作為一個高選擇性的短路元件,串聯(lián)在反饋支路中,用以控制反饋系數(shù),故稱為串聯(lián)型電路。

在電子設備中,廣泛采用并聯(lián)型振蕩電路。

1.并聯(lián)型晶體振蕩器

1)電路

并聯(lián)型晶體振蕩器電路由晶體與外接電容器或線圈構成并聯(lián)諧振回路,按三端式振蕩器的連接原則組成振蕩器,晶體等效為電感。

振蕩器的振蕩頻率只能在fq<f<fp

范圍。

若在晶體兩端并聯(lián)一個電容CL

以組成并聯(lián)諧振回路(如圖4.5.2所示),則由于晶體的并聯(lián)電容由C0

增加到C0+CL,故回路的并聯(lián)諧振頻率可近似表示為

圖4.5.2晶體等效電路

在三端式電路中,晶體有兩種接入回路的方法。

一種是將晶體接在三極管集電極與基極之間,如圖4.5.3(a)所示,稱為皮爾斯(Pierce)電路。

圖中Lb

為高頻扼流圈,Cb

為旁路電容。

圖4.5.3(b)為諧振回路交流等效電路。

圖4.5.3(c)中Le

是晶體呈現(xiàn)的等效電感。

可見皮爾斯電路相當于電容三端式振蕩器。

另一種是將晶體接在基極與發(fā)射極之間(如圖4.5.4(a)所示),稱為密勒(Miller)電路。

圖4.5.4(b)為其交流等效電路。

圖4.5.4(c)中Le1

為LC

回路呈現(xiàn)的等效電感(LC

回路的諧振頻率應高于振蕩頻率),Le2為晶體呈現(xiàn)的等效電感。

所以密勒電路相當于電感三端式振蕩器。

在密勒電路中,晶體接在正向偏置的發(fā)射結(jié)上,因此輸入阻抗對晶體Q

值的影響大,而在皮爾斯電路中,晶體接在反向偏置的cb結(jié)上,影響較小。

所以,從提高頻率穩(wěn)定度著眼,應選用皮爾斯電路為好。

圖4.5.4密勒晶體振蕩器

2)頻率穩(wěn)定度的分析

由于晶體管振蕩器滿足振蕩條件時要求的回路阻抗很小(通常幾千歐),即使與石英晶體耦合再松些,也是能振蕩的。因此,實際的皮爾斯振蕩電路都采用改進型的電路,如圖4.5.5所示。

與晶體串聯(lián)的容量很小的電容

C3

通常采用微調(diào)電容,則與晶體并聯(lián)的電容為

圖4.5.5改進型的并聯(lián)晶體振蕩器

當忽略晶體管的高頻效應及回路損耗時,晶體振蕩器的振蕩頻率近似等于回路的諧振頻率,即振蕩回路中的晶體的等效感抗

XLe

等于CL

的容抗,則得其相位平衡條件為

圖4.5.6是晶體電抗和容抗隨頻率變化的曲線。

由此圖可見,相位平衡點A所對應的頻率fL

就是振蕩器的振蕩頻率,它在fq

與fp

之間。

由于振蕩頻率fL

是非常靠近晶體

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