標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 44937.4-2024 集成電路 電磁發(fā)射測量 第4部分:傳導(dǎo)發(fā)射測量1 Ω/150 Ω直接耦合法》是針對集成電路在工作過程中產(chǎn)生的電磁干擾(EMI)通過導(dǎo)線傳播的測量方法之一。該標(biāo)準(zhǔn)特別指出了使用1歐姆和150歐姆阻抗進行直接耦合的方式來進行測試,以評估集成電路對外部環(huán)境造成的潛在電磁干擾程度。
標(biāo)準(zhǔn)中定義了具體的測試條件、設(shè)備要求以及操作步驟,確保不同實驗室之間能夠獲得一致性和可比性的結(jié)果。它適用于各種類型的集成電路產(chǎn)品,在研發(fā)階段或質(zhì)量控制環(huán)節(jié)作為評價其電磁兼容性能的重要依據(jù)之一。
對于1 Ω/150 Ω直接耦合法的具體實施過程,首先需要準(zhǔn)備符合要求的測試環(huán)境,包括但不限于屏蔽室、電源線濾波器等設(shè)施;其次,根據(jù)被測設(shè)備的特點選擇合適的耦合網(wǎng)絡(luò),并按照規(guī)定的方法連接到待測集成電路及其供電回路;最后,利用頻譜分析儀或其他相關(guān)儀器記錄下特定頻率范圍內(nèi)由集成電路引起的電壓變化情況,以此來表征其傳導(dǎo)發(fā)射特性。
整個測量流程強調(diào)了對細節(jié)的關(guān)注,比如正確設(shè)置參考地平面、避免不必要的外部噪聲源影響實驗準(zhǔn)確性等。此外,還提供了關(guān)于如何處理數(shù)據(jù)、報告格式等方面的指導(dǎo),幫助使用者更好地理解和應(yīng)用這一標(biāo)準(zhǔn)。
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....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2024-12-31 頒布
- 2024-12-31 實施
文檔簡介
ICS31200
CCSL.56
中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)
GB/T449374—2024/IEC61967-42021
.:
集成電路電磁發(fā)射測量
第4部分傳導(dǎo)發(fā)射測量
:
1Ω/150Ω直接耦合法
Integratedcircuits—Measurementofelectromagneticemissions—
Part4Measurementofconductedemissions—
:
1Ω/150Ωdirectcouplingmethod
IEC61967-42021IDT
(:,)
2024-12-31發(fā)布2024-12-31實施
國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布
國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會
GB/T449374—2024/IEC61967-42021
.:
目次
前言
…………………………Ⅲ
引言
…………………………Ⅳ
范圍
1………………………1
規(guī)范性引用文件
2…………………………1
術(shù)語和定義
3………………1
概述
4………………………1
測量基本原理
4.1………………………1
電流測量
4.2RF…………………………2
引腳的電壓測量
4.3ICRF……………2
測量技術(shù)的評估
4.4……………………3
試驗條件
5…………………3
試驗設(shè)備
6…………………3
測量儀
6.1RF……………3
電流探頭規(guī)范
6.2RF……………………3
電流探頭性能的測試
6.3RF……………4
匹配網(wǎng)絡(luò)
6.4……………4
試驗布置
7…………………5
通用試驗配置
7.1………………………5
試驗用印制電路板的設(shè)計
7.2…………5
試驗程序
8…………………6
試驗報告
9…………………6
附錄資料性探頭驗證程序
A()…………7
附錄資料性傳導(dǎo)發(fā)射等級的分類
B()…………………10
介紹性說明
B.1…………………………10
概述
B.2…………………10
發(fā)射等級的定義
B.3……………………10
結(jié)果的表述
B.4…………………………11
附錄資料性應(yīng)用于汽車的參考等級的示例
C()………13
介紹性說明
C.1…………………………13
概述
C.2…………………13
參考等級
C.3……………13
附錄資料性要求以及如何使用測量技術(shù)
D()EMCICEMC………15
介紹性說明
D.1…………………………15
測量程序的使用
D.2EMC……………15
對模塊特性影響的評估
D.3ICEMC…………………15
Ⅰ
GB/T449374—2024/IEC61967-42021
.:
附錄資料性由主試驗板和試驗板組成的試驗裝置的示例
E()EMCICEME……17
介紹性說明
E.1…………………………17
主試驗板
E.2EMC……………………17
試驗板
E.3ICEME……………………18
附錄資料性差分數(shù)據(jù)傳輸?shù)募邦愃齐娐返墓材0l(fā)射測量用直接耦合網(wǎng)絡(luò)
F()IC150Ω………22
基本的直接耦合網(wǎng)絡(luò)
F.1………………22
用于高速或類似系統(tǒng)的共模耦合網(wǎng)絡(luò)替代示例
F.2CAN、LVDS、RS485………23
用于輸出到電阻負載的差分的共模耦合網(wǎng)絡(luò)替代方案示例例如安全氣囊
F.3IC(
觸發(fā)驅(qū)動器
)………………………23
用于容錯系統(tǒng)的共模耦合網(wǎng)絡(luò)的示例
F.4CAN……………………24
附錄資料性擴展頻率范圍內(nèi)的傳導(dǎo)發(fā)射測量
G()……………………25
概述
G.1………………25
導(dǎo)則
G.2………………25
應(yīng)用領(lǐng)域
G.3…………………………30
參考文獻
……………………32
Ⅱ
GB/T449374—2024/IEC61967-42021
.:
前言
本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定
GB/T1.1—2020《1:》
起草
。
本文件是集成電路電磁發(fā)射測量的第部分已經(jīng)發(fā)布了以下
GB/T44937《》4。GB/T44937
部分
:
第部分傳導(dǎo)發(fā)射測量直接耦合法
———4:1Ω/150Ω。
本文件等同采用集成電路電磁發(fā)射測量第部分傳導(dǎo)發(fā)射測量
IEC61967-4:2021《4:1Ω/150Ω
直接耦合法
》。
請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任
。。
本文件由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出
。
本文件由全國集成電路標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口
(SAC/TC599)。
本文件起草單位中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院深圳市北測標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)服務(wù)有限公司南京容測檢測
:、、
技術(shù)有限公司北京智芯微電子科技有限公司工業(yè)和信息化部電子第五研究所天津先進技術(shù)研究院
、、、、
北京無線電計量測試研究所河南凱瑞車輛檢測認證中心有限公司中國科學(xué)院微電子研究所安徽省
、、、
計量科學(xué)研究院蘇州泰思特電子科技有限公司中國汽車工程研究院股份有限公司廣州市誠臻電子
、、、
科技有限公司江蘇省計量科學(xué)研究院揚芯科技深圳有限公司南京師范大學(xué)東南大學(xué)重慶仕益
、、()、、、
產(chǎn)品質(zhì)量檢測有限責(zé)任公司廣州致遠電子有限公司
、。
本文件主要起草人崔強付君喬彥彬方文嘯吳建飛邢立文朱賽劉星汛李騰飛李彬鴻
:、、、、、、、、、、
王少啟謝玉章胡小軍黃雪梅邵鄂李楠周雷楊紅波顏偉周香劉洋陳勇志張紅麗
、、、、、、、、、、、、。
Ⅲ
GB/T449374—2024/IEC61967-42021
.:
引言
為規(guī)范集成電路電磁發(fā)射測量以及為集成電路制造商和檢測機構(gòu)提供不同的電磁發(fā)射測量方
,
法集成電路電磁發(fā)射測量規(guī)定了集成電路電磁發(fā)射測量的通用條件定義和不同測
,GB/T44937《》、
量方法的試驗程序以及試驗要求擬由個部分構(gòu)成
,9。
第部分通用條件和定義目的在于規(guī)定集成電路電磁發(fā)射測量的通用條件和定義
———1:。。
第部分通用條件和定義近場掃描數(shù)據(jù)交換格式目的在于規(guī)定近場掃描數(shù)據(jù)交換
———1-1:。
格式
。
第部分輻射發(fā)射測量小室和寬帶小室法目的在于規(guī)定小室和寬帶
———2:TEMTEM。TEM
小室法的試驗程序和試驗要求
TEM。
第部分輻射發(fā)射測量表面掃描法目的在于規(guī)定表面掃描法的試驗程序和試驗要求
———3:。。
第部分傳導(dǎo)發(fā)射測量直接耦合法目的在于規(guī)定直接耦合法的
———4:1Ω/150Ω。1Ω/150Ω
試驗程序和試驗要求
。
第部分傳導(dǎo)發(fā)射測量直接耦合法應(yīng)用指南目的在于給出直
———4-1:1Ω/150Ω。1Ω/150Ω
接耦合法應(yīng)用指導(dǎo)
。
第部分傳導(dǎo)發(fā)射測量工作臺法拉第籠法目的在于規(guī)定工作臺法拉第籠法的試驗程序
———5:。
和試驗要求
。
第部分傳導(dǎo)發(fā)射測量磁場探頭法目的在于規(guī)定磁場探頭法的試驗程序和試驗要求
———6:。。
第部分輻射發(fā)射測量帶狀線法目的在于規(guī)定帶狀線法的試驗程序和試驗要求
———8:IC。IC。
Ⅳ
GB/T449374—2024/IEC61967-42021
.:
集成電路電磁發(fā)射測量
第4部分傳導(dǎo)發(fā)射測量
:
1Ω/150Ω直接耦合法
1范圍
本文件規(guī)定了直接用阻性探頭測量射頻電流和耦合網(wǎng)絡(luò)測量電壓以測量集成
1Ω(RF)150ΩRF
電路傳導(dǎo)電磁發(fā)射的方法這些方法可確保測量具有高度的可重復(fù)性和相關(guān)性
(IC)(EME)。EME。
2規(guī)范性引用文件
下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文
。,
件僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于
,;,()
本文件
。
電磁兼容第部分試驗和測量技術(shù)射頻場感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度
IEC61000-4-6(EMC)4-6:
[Electromagneticcompatibility(EMC)—Part4-6:Testingandmeasurementtechniques—Immunity
toconducteddisturbances,inducedbyradio-frequencyfields]
注電磁兼容試驗和測量技術(shù)射頻場感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度
:GB/T17626.6—2017(IEC61000-4-6:2013,
IDT)
集成電路電磁發(fā)射測量第部分通用條件和定義
IEC61967-11:(Integratedcircuits-Meas-
urementofelectromagneticemissions—Part1:Generalconditionsanddefinitions)
3術(shù)語和定義
界定的術(shù)語和定義適用于本文件
IEC61967-1。
4概述
41測量基本原理
.
產(chǎn)生的可接受的最大發(fā)射電平取決于包含該的電子系統(tǒng)所允許的最大發(fā)射電平以及該電
ICIC
溫馨提示
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