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…………○…………內(nèi)…………○…………裝…………○…………內(nèi)…………○…………裝…………○…………訂…………○…………線…………○…………※※請(qǐng)※※不※※要※※在※※裝※※訂※※線※※內(nèi)※※答※※題※※…………○…………外…………○…………裝…………○…………訂…………○…………線…………○…………第=page22頁(yè),總=sectionpages22頁(yè)第=page11頁(yè),總=sectionpages11頁(yè)2025年人教版(2024)選擇性必修2化學(xué)上冊(cè)月考試卷含答案考試試卷考試范圍:全部知識(shí)點(diǎn);考試時(shí)間:120分鐘學(xué)校:______姓名:______班級(jí):______考號(hào):______總分欄題號(hào)一二三四五六總分得分評(píng)卷人得分一、選擇題(共7題,共14分)1、下列有關(guān)化學(xué)用語(yǔ)使用正確的是A.質(zhì)子數(shù)為6、中子數(shù)為8的核素:B.的電子式:Cl-C.原子的基態(tài)簡(jiǎn)化電子排布式為D.基態(tài)碳原子最外層的電子排布圖為2、下列關(guān)于元素或物質(zhì)性質(zhì)的比較中,不正確的是A.穩(wěn)定性:HF>HCl>HBr>HIB.非金屬性:C>N>O>FC.酸性:HNO3>H3PO4>H2SiO3D.電負(fù)性:C<N<O<F3、現(xiàn)有四種元素基態(tài)原子的電子排布式如下。則下列有關(guān)比較中正確的是。

①1s22s22p63s23p4②1s22s22p63s23p3③1s22s22p3④1s22s22p5A.第一電離能:④>③>①>②B.原子半徑:②>①>③>④C.電負(fù)性:④>①>③>②D.最高正化合價(jià):④>③=②>①4、下列有關(guān)表述錯(cuò)誤的是A.N原子的價(jià)電子軌道表示式:B.硫酸氫鈉在水溶液中的電離方程式:NaHSO4=Na++H++C.羧基的結(jié)構(gòu)式:D.二氧化碳分子中σ鍵和π鍵的個(gè)數(shù)比為1:15、下列比較正確的是A.原子半徑:B.電負(fù)性:C.堿性:D.熔點(diǎn):6、下列數(shù)據(jù)是對(duì)應(yīng)物質(zhì)的熔點(diǎn)表,有關(guān)的判斷正確的是。Na2ONaAlF3AlCl3Al2O3BCl3CO2SiO2920℃97.8℃1291℃190℃2073℃-107℃-57℃1723℃

A.AlF3的熔點(diǎn)比AlCl3高,原因是AlF3為離子晶體,AlCl3為分子晶體B.在共價(jià)化合物分子中各原子都形成8e-穩(wěn)定結(jié)構(gòu)C.同族元素的氧化物不可能形成不同類型的晶體D.金屬晶體的熔點(diǎn)一定比分子晶體的高7、下列各組物質(zhì)各自形成晶體,均屬于分子晶體的化合物是A.NH3、HC10H18B.PCl3、CO2、H2SO4C.SO2、SiO2、P2O5D.CCl4、Na2S、H2O2評(píng)卷人得分二、多選題(共6題,共12分)8、如圖為周期表的一小部分,A,B,C,D,E的位置關(guān)系如圖所示。其中B元素最高化合價(jià)是最低化合價(jià)絕對(duì)值的3倍,它的最高價(jià)氧化物中含氧下列說(shuō)法正確的是。ADBEC

A.D,B,E三種元素的第一電離能逐漸減小B.電負(fù)性:C.D,B,E三種元素形成的簡(jiǎn)單離子的半徑逐漸減小D.氣態(tài)氫化物的穩(wěn)定性順序:9、下列說(shuō)法中不正確的是A.葡萄糖分子(HOCH2?CHOH?CHOH?CHOH?CHOH?CHO)中的手性碳原子數(shù)為4B.基態(tài)銅原子的價(jià)電子排布圖:C.[Co(NH3)4Cl2]+的中心離子配位數(shù)為6D.AB2是V形,其A為sp3雜化10、下列說(shuō)法不正確的是A.SiCl4、CS2、NF3、PCl5中各原子不都滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)B.位于非金屬三角區(qū)邊界的“類金屬”電負(fù)性在1.8左右,可在此區(qū)域研究尋找高效催化劑C.SO2、NO2、COCl2、SOCl2分子的VSEPR模型相同,但分子的立體構(gòu)型不都相同D.過(guò)氧化鈉和水的反應(yīng)中離子鍵、極性鍵、非極性鍵都有斷裂和形成11、氫化鋁鋰以其優(yōu)良的還原性廣泛應(yīng)用于醫(yī)藥、農(nóng)藥、香料、染料等行業(yè),而且還是一種潛在的儲(chǔ)氫材料,其釋氫過(guò)程可用化學(xué)方程式表示為3LiAlH4=Li3AlH6+2Al+3H2↑,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是。

A.氫化鋁鋰中含有離子鍵、共價(jià)鍵、配位鍵B.AlH的VSEPR模型為正四面體結(jié)構(gòu)C.當(dāng)氫化鋁鋰釋放1mol氫氣時(shí),將有2molAl3+被還原D.該晶胞的密度為g/cm312、已知?dú)浠嚬腆w不導(dǎo)電,隔絕空氣熔融時(shí)能導(dǎo)電,它跟水反應(yīng)能生成氫氣。下列有關(guān)氫化鋰的說(shuō)法中,錯(cuò)誤的是A.LiH是離子晶體B.LiH的水溶液呈酸性C.LiH是一種氧化劑D.LiH中H—半徑大于Li+半徑13、已知:氧化鋰(Li2O)晶體形成過(guò)程中的能量變化如圖所示;下列說(shuō)法正確的是。

A.?H1<0,?H2>0B.-?H5+?H1+?H2+?H3+?H4+?H6=0C.?H3<0,?H4<0D.氧化鋰的晶格能=?H6評(píng)卷人得分三、填空題(共5題,共10分)14、價(jià)電子對(duì)互斥(簡(jiǎn)稱VSEPR)理論可用于預(yù)測(cè)簡(jiǎn)單分子的空間結(jié)構(gòu)。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:

(1)利用價(jià)電子對(duì)互斥理論推斷下列分子或離子的空間結(jié)構(gòu):

①___________;

②___________;

③___________;

④___________;

⑤HCHO___________;

⑥HCN___________。

(2)利用價(jià)電子對(duì)互斥理論推斷鍵角的大小:

①甲醛分子中的鍵角___________(填“>”“<”或“=”;下同)120°;

②分子中的鍵角___________120°;

③分子中的鍵角___________109°28′。

(3)有兩種活性反應(yīng)中間體微粒;它們的微粒中均含有1個(gè)碳原子和3個(gè)氫原子。請(qǐng)依據(jù)圖所示的這兩種微粒的球棍模型,寫(xiě)出相應(yīng)的化學(xué)式:

A:___________;B:___________。

(4)按要求寫(xiě)出第2周期非金屬元素組成的中性分子的化學(xué)式:平面形分子___________,三角錐形分子___________,四面體形分子___________。15、如圖所示為元素周期表的一部分;請(qǐng)回答下列問(wèn)題:

(1)元素②的原子結(jié)構(gòu)示意圖是_____。

(2)④和⑤兩種元素原子半徑較小的是______(填元素符號(hào)),①和②兩種元素最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物的酸性較強(qiáng)的是_____(填化學(xué)式)。

(3)元素④的單質(zhì)在元素③的單質(zhì)中燃燒的化學(xué)方程式為_(kāi)____。16、按要求填空:

(1)寫(xiě)出下列化合物的電子式:KCN_______,NaClO_______

(2)寫(xiě)出下列基態(tài)原子或離子核外電子排布式:P_______,F(xiàn)e2+_______

(3)寫(xiě)出下列微粒中心原子的雜化方式:CCl4_______,NO_______

(4)鉻原子的最高能層符號(hào)是_______,其價(jià)層電子的軌道表達(dá)式為_(kāi)______。

(5)比較第二電離能Cu_______Zn(填“>”、“=”、“<”),理由是:_______。17、以晶胞參數(shù)為單位長(zhǎng)度建立的坐標(biāo)系可以表示晶胞中各原子的位置,稱作原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)。四方晶系的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示;晶胞棱邊夾角均為90°,晶胞中部分原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)如表所示。

坐標(biāo)

原子xyz000000.50.250.250.125

一個(gè)晶胞中有___________個(gè)找出距離最近的___________(用分?jǐn)?shù)坐標(biāo)表示)。晶體中與單個(gè)鍵合的有___________個(gè)。18、納米技術(shù)是20世紀(jì)80年代末90年代初逐步發(fā)展起來(lái)的高新技術(shù)。由于它具有創(chuàng)造新生產(chǎn)工藝和新產(chǎn)品的巨大潛能,因而有可能掀起一場(chǎng)新的產(chǎn)業(yè)革命。請(qǐng)查閱資料,了解納米技術(shù)的發(fā)展?fàn)顩r,以“納米技術(shù)與未來(lái)生活”為題寫(xiě)一篇小論文________。評(píng)卷人得分四、判斷題(共4題,共36分)19、CH3CH2OH在水中的溶解度大于在水中的溶解度。(___________)A.正確B.錯(cuò)誤20、判斷正誤。

(1)雜化軌道只用于形成σ鍵或用于容納未參與成鍵的孤電子對(duì)____________

(2)分子中中心原子若通過(guò)sp3雜化軌道成鍵,則該分子一定為正四面體結(jié)構(gòu)____________

(3)NH3分子為三角錐形,N原子發(fā)生sp2雜化___________

(4)只要分子構(gòu)型為平面三角形,中心原子均為sp2雜化___________

(5)中心原子是sp1雜化的,其分子構(gòu)型不一定為直線形___________

(6)價(jià)層電子對(duì)互斥理論中,π鍵電子對(duì)數(shù)不計(jì)入中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)___________

(7)PCl3分子是三角錐形,這是因?yàn)镻原子是以sp2雜化的結(jié)果___________

(8)sp3雜化軌道是由任意的1個(gè)s軌道和3個(gè)p軌道混合形成的四個(gè)sp3雜化軌道___________

(9)凡中心原子采取sp3雜化的分子,其VSEPR模型都是四面體___________

(10)AB3型的分子空間構(gòu)型必為平面三角形___________

(11)分子中中心原子通過(guò)sp3雜化軌道成鍵時(shí),該分子不一定為正四面體結(jié)構(gòu)___________

(12)雜化軌道只用于形成σ鍵或用于容納未參與成鍵的孤電子對(duì)___________

(13)NH3和CH4兩個(gè)分子中中心原子N和C都是通過(guò)sp3雜化軌道成鍵___________

(14)雜化軌道理論與VSEPR模型分析分子的空間構(gòu)型結(jié)果常常相互矛盾___________

(15)配位鍵也是一種靜電作用___________

(16)形成配位鍵的電子對(duì)由成鍵雙方原子提供___________A.正確B.錯(cuò)誤21、用銅作電纜、電線,主要是利用銅的導(dǎo)電性。(______)A.正確B.錯(cuò)誤22、判斷正誤。

(1)雜化軌道只用于形成σ鍵或用于容納未參與成鍵的孤電子對(duì)____________

(2)分子中中心原子若通過(guò)sp3雜化軌道成鍵,則該分子一定為正四面體結(jié)構(gòu)____________

(3)NH3分子為三角錐形,N原子發(fā)生sp2雜化___________

(4)只要分子構(gòu)型為平面三角形,中心原子均為sp2雜化___________

(5)中心原子是sp1雜化的,其分子構(gòu)型不一定為直線形___________

(6)價(jià)層電子對(duì)互斥理論中,π鍵電子對(duì)數(shù)不計(jì)入中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)___________

(7)PCl3分子是三角錐形,這是因?yàn)镻原子是以sp2雜化的結(jié)果___________

(8)sp3雜化軌道是由任意的1個(gè)s軌道和3個(gè)p軌道混合形成的四個(gè)sp3雜化軌道___________

(9)凡中心原子采取sp3雜化的分子,其VSEPR模型都是四面體___________

(10)AB3型的分子空間構(gòu)型必為平面三角形___________

(11)分子中中心原子通過(guò)sp3雜化軌道成鍵時(shí),該分子不一定為正四面體結(jié)構(gòu)___________

(12)雜化軌道只用于形成σ鍵或用于容納未參與成鍵的孤電子對(duì)___________

(13)NH3和CH4兩個(gè)分子中中心原子N和C都是通過(guò)sp3雜化軌道成鍵___________

(14)雜化軌道理論與VSEPR模型分析分子的空間構(gòu)型結(jié)果常常相互矛盾___________

(15)配位鍵也是一種靜電作用___________

(16)形成配位鍵的電子對(duì)由成鍵雙方原子提供___________A.正確B.錯(cuò)誤評(píng)卷人得分五、實(shí)驗(yàn)題(共3題,共6分)23、某化學(xué)興趣小組欲在實(shí)驗(yàn)室制備二氧化硫,并探究相關(guān)物質(zhì)的一些性質(zhì)并驗(yàn)證碳、硅非金屬性的相對(duì)強(qiáng)弱。[信息提示:①酸性:亞硫酸>碳酸;②硅酸(H2SiO3)是白色膠狀沉淀]

(1)儀器A的名稱為_(kāi)__________,銅與濃硫酸反應(yīng)的化學(xué)方程式是___________。

(2)實(shí)驗(yàn)步驟:連接儀器、___________;加藥品后、打開(kāi)a、然后滴入濃硫酸;加熱。

(3)裝置E中足量酸性KMnO4溶液的作用是___________,請(qǐng)寫(xiě)出裝置E中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式___________。

(4)能說(shuō)明碳元素的非金屬性比硅元素的非金屬性強(qiáng)的實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象是___________。24、某興趣小組擬制備氯氣及驗(yàn)證其性質(zhì)并比較氯;溴、碘的非金屬性強(qiáng)弱。

Ⅰ[查閱資料]①當(dāng)溴水濃度較小時(shí);溶液顏色與氯水相似,也呈黃色。

②硫代硫酸鈉溶液在工業(yè)上可作脫氯劑。

Ⅱ[性質(zhì)驗(yàn)證]實(shí)驗(yàn)裝置如圖所示(夾持裝置省略)

實(shí)驗(yàn)步驟;

(1)檢查裝置的氣密性,按圖示加入試劑。儀器a的名稱是__________;

裝置C中Ⅱ處加入的試劑可以是_____(填字母)。

A.堿石灰B.硅膠C.濃硫酸D.無(wú)水氯化鈣。

(2)裝置B的作用為_(kāi)__________________________________。

(3)KI的電子式為_(kāi)____;硫代硫酸鈉中所含的化學(xué)鍵類型為_(kāi)______________;寫(xiě)出裝置F中反應(yīng)的離子方程式____________________(中的S元素被氧化成最高價(jià))。

Ⅲ[探究與反思]

(4)上圖中設(shè)計(jì)裝置D、E的目的是比較氯、溴、碘的非金屬性強(qiáng)弱,有同學(xué)認(rèn)為該設(shè)計(jì)不能達(dá)到實(shí)驗(yàn)?zāi)康?,其理由是________________________________________。該組同學(xué)思考后將上述D;E、F裝置改為下圖裝置;實(shí)驗(yàn)操作步驟如下:

①打開(kāi)彈簧夾;緩緩?fù)ㄈ肼葰狻?/p>

②當(dāng)a和b中的溶液都變?yōu)辄S色時(shí);夾緊彈簧夾。

③當(dāng)a中溶液由黃色變?yōu)樽厣珪r(shí);停止通氯氣。

(5)步驟④的操作是________________________________________________。25、下列裝置中有機(jī)物樣品在電爐中充分燃燒,通過(guò)測(cè)定生成的CO2和H2O的質(zhì)量;來(lái)確定有機(jī)物分子式。

(1)A裝置是提供實(shí)驗(yàn)所需的O2,B裝置中濃硫酸的作用是_______;C中CuO的作用是____________。

(2)若實(shí)驗(yàn)中所取樣品只含C、H、O三種元素中的兩種或三種,準(zhǔn)確稱取0.44g樣品,經(jīng)充分反應(yīng)后,D管質(zhì)量增加0.36g,E管質(zhì)量增加0.88g,已知該物質(zhì)的相對(duì)分子質(zhì)量為44,則該樣品的化學(xué)式為_(kāi)________。

(3)若該有機(jī)物的核磁共振氫譜如下圖所示,峰面積之比為1:3則其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式為_(kāi)_________________;

若符合下列條件,則該有機(jī)物的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式為_(kāi)____________________。

①環(huán)狀化合物②只有一種類型的氫原子。

(4)某同學(xué)認(rèn)E和空氣相通,會(huì)影響測(cè)定結(jié)果準(zhǔn)確性,應(yīng)在E后再增加一個(gè)裝置E,其主要目的是_________。評(píng)卷人得分六、工業(yè)流程題(共3題,共6分)26、氮化鎵(GaN)具有優(yōu)異的光電性能。一種利用煉鋅礦渣[主要含鐵酸鎵鐵酸鋅]制備GaN的工藝流程如下:

已知:

①Ga與Al同主族;化學(xué)性質(zhì)相似。

②常溫下,

③在該工藝條件下的反萃取率(進(jìn)入水相中金屬離子的百分?jǐn)?shù))與鹽酸濃度的關(guān)系見(jiàn)下表。鹽酸濃度/反萃取率/%286.99.4469.152.1617.571.3

回答下列問(wèn)題:

(1)“酸浸”時(shí)發(fā)生反應(yīng)的離子方程式為_(kāi)___?!八崛堋彼脼V渣的主要成分是________(填化學(xué)式)。

(2)“酸浸”所得浸出液中濃度分別為0.2165常溫下,為盡可能多地提取并確保不混入“調(diào)pH”時(shí)需用CaO調(diào)pH至_________(假設(shè)調(diào)pH時(shí)溶液體積不變)。

(3)“脫鐵”和“反萃取”時(shí),所用鹽酸的濃度a=________,b=_______(選填上表中鹽酸的濃度)。

(4)“沉鎵”時(shí),若加入NaOH的量過(guò)多,會(huì)導(dǎo)致的沉淀率降低,原因是_____________(用離子方程式表示)。

(5)利用CVD(化學(xué)氣相沉積)技術(shù),將熱分解得到的與在高溫下反應(yīng)可制得GaN,同時(shí)生成另一種產(chǎn)物,該反應(yīng)化學(xué)方程式為_(kāi)_________________。

(6)①GaN的熔點(diǎn)為1700℃,的熔點(diǎn)為77.9℃,它們的晶體類型依次為_(kāi)________、_________。

②GaN晶體的一種立方晶胞如圖所示。該晶體中與Ga原子距離最近且相等的N原子個(gè)數(shù)為_(kāi)_______。該晶體密度為GaN的式量為則晶胞邊長(zhǎng)為_(kāi)_______nm。(列出計(jì)算式,為阿伏加德羅常數(shù)的值)

27、鋅是冶金、化工、紡織等行業(yè)應(yīng)用廣泛的重要金屬之一、一種以含鋅煙塵(主要成分是還含有少量等元素的氧化物)制備金屬鋅的工藝流程如下:

已知:“濾液1”含有的離子有和

回答下列問(wèn)題:

(1)基態(tài)鋅原子的價(jià)層電子軌道表示式(電子排布圖)為_(kāi)__________。

(2)“溶浸”中主要的化學(xué)方程式為_(kāi)__________。

(3)“濾渣1”的主要成分是___________。

(4)“濾渣2”是“氧化除雜”的離子方程式為_(kāi)__________。

(5)“還原除雜”中加過(guò)量鋅粉的目的是___________。

(6)工業(yè)上一般利用閃鋅礦(主要成分是)為原料制備鋅,的晶胞結(jié)構(gòu)如圖,則鋅的配位數(shù)為_(kāi)__________;已知晶胞參數(shù)為該晶體的密度為_(kāi)__________(寫(xiě)出計(jì)算式,設(shè)阿伏加德羅常數(shù)的值為)。

28、銅是人類最早使用的金屬之一。

(1)銅元素基態(tài)原子的價(jià)電子排布式為_(kāi)______,其核外能級(jí)能量的高低3d______4s(填“>”、“<”或“=”)

(2)Cu與元素A能形成如下圖所示的兩種化合物甲和乙。元素A是短周期非金屬元素,A的常見(jiàn)氧化物常溫下為液態(tài),其熔沸點(diǎn)比同主族其他元素的氧化物高。

①兩種化合物的化學(xué)式分別為:甲___________,乙___________。

②熱穩(wěn)定性甲_________乙(填“>”、“<”或“=”),試從原子結(jié)構(gòu)上解釋原因____。

(3)銅離子形成的某種配合物陽(yáng)離子具有軸向狹長(zhǎng)的八面體結(jié)構(gòu)(如下圖)。

已知兩種配體都是10電子的中性分子;且都含氫元素。

①兩種配體分子的配位原子電負(fù)性大小為_(kāi)_____(填元素符號(hào)),其中熱穩(wěn)定性較弱的配體為(用電子式表示)__________。

②該配合物陽(yáng)離子與SO42-形成的配合物X的化學(xué)式為_(kāi)________.

(4)Cu單質(zhì)的晶體為面心立方堆積,其晶胞立方體的邊長(zhǎng)為acm,Cu的相對(duì)原子質(zhì)量為63.5,單質(zhì)Cu的密度為ρg/cm3,則阿伏加德羅常數(shù)可表示為_(kāi)____mol-1(含“a、ρ的代數(shù)式表示)。參考答案一、選擇題(共7題,共14分)1、C【分析】【詳解】

A.根據(jù)原子序數(shù)=質(zhì)子數(shù),質(zhì)子數(shù)為6,即原子序數(shù)為6,為C元素,中子數(shù)為8,根據(jù)質(zhì)量數(shù)=質(zhì)子數(shù)+中子數(shù),則C原子的質(zhì)量數(shù)為14,原子的左上標(biāo)為質(zhì)量數(shù),左下標(biāo)為質(zhì)子數(shù),則該碳元素的核素為:故A錯(cuò)誤;

B.是離子化合物,由銨根離子和氯離子構(gòu)成,其電子式為:故B錯(cuò)誤;

C.Cr為24號(hào)元素,原子核外電子數(shù)為24,其中3d能級(jí)達(dá)到半滿,簡(jiǎn)化電子排布式為[Ar]3d54s1;故C正確;

D.基態(tài)碳原子的核外電子排布為1s22s22p2,根據(jù)洪特規(guī)則,2p能級(jí)含有3個(gè)2p原子軌道,2p能級(jí)上的2個(gè)電子應(yīng)分別占據(jù)一個(gè)2p軌道,基態(tài)碳原子最外層的電子排布圖為故D錯(cuò)誤;

答案選C。2、B【分析】【詳解】

A.同主族元素從上到下非金屬性減弱,簡(jiǎn)單氣態(tài)氫化物穩(wěn)定性減弱,穩(wěn)定性:HF>HCl>HBr>HI,故A正確;

B.同周期元素從左到右非金屬性增強(qiáng),非金屬性:C

C.元素非金屬性越強(qiáng),最高價(jià)含氧酸的酸性越強(qiáng),酸性:HNO3>H3PO4>H2SiO3;故C正確;

D.同周期元素從左到右;電負(fù)性逐漸增大,電負(fù)性:C<N<O<F,故D正確;

選B。3、B【分析】由四種元素基態(tài)原子電子排布式可知;①是S元素;②是P元素、③是N元素、④是F元素。

【詳解】

A.P元素原子的3p軌道為較穩(wěn)定的半充滿狀態(tài);第一電離能高于同周期相鄰元素,則P元素原子的第一電離能大于S元素,故A錯(cuò)誤;

B.同周期主族元素從左到右原子半徑逐漸減小,所以原子半徑:電子層越多原子半徑越大,故原子半徑:②>①>③>④;故B正確;

C.同周期主族元素從左到右電負(fù)性逐漸增大,所以電負(fù)性:N元素非金屬性比S元素強(qiáng),所以電負(fù)性:故電負(fù)性:④>③>①>②;故C錯(cuò)誤;

D.最高正化合價(jià)等于最外層電子數(shù),但F元素沒(méi)有正化合價(jià),所以最高正化合價(jià):①>③=②;故D錯(cuò)誤;

故選B。4、A【分析】【分析】

【詳解】

A.氮原子的2p軌道上的三個(gè)電子的自旋方向應(yīng)該相同,應(yīng)為A錯(cuò)誤;

B.硫酸氫鈉屬于強(qiáng)電解質(zhì);能夠完全電離出鈉離子;氫離子和硫酸根離子,B正確;

C.羧基為-COOH,結(jié)構(gòu)式為C正確;

D.二氧化碳中碳原子和氧原子之間形成雙鍵;每個(gè)雙鍵都含有一個(gè)σ鍵和一個(gè)π鍵,所以σ鍵和π鍵的個(gè)數(shù)比為1:1,D正確;

故選A。5、B【分析】【詳解】

A.N、C同周期,同周期元素原子序數(shù)越大原子半徑越小,因此原子半徑:故A錯(cuò)誤;

B.P;Si同周期;同周期元素從左到右電負(fù)性增強(qiáng),電負(fù)性:,故B正確;

C.金屬性:Mg>Al,金屬性越強(qiáng),最高價(jià)氧化物的堿性越強(qiáng),堿性:故C錯(cuò)誤;

D.均為離子晶體,鈉離子半徑小于鉀離子半徑,離子半徑越小,離子鍵越強(qiáng),對(duì)應(yīng)晶體的熔點(diǎn)越高,熔點(diǎn):故D錯(cuò)誤;

故選:B。6、A【分析】【詳解】

A.由于Al和Cl的電負(fù)性差值小于1.7,故氯化鋁為分子晶體,而F元素的電負(fù)性大于Cl元素,鋁與氟電負(fù)性差值大于1.7,氟化鋁為離子晶體,離子晶體熔化須克服離子鍵,而分子晶體熔化只需要克服分子間作用力,故離子晶體的熔點(diǎn)更高,所以AlF3熔點(diǎn)高于AlCl3;A正確;

B.BCl3為共價(jià)化合物;B原子最外層電子數(shù)為6,B錯(cuò)誤;

C.C和Si同主族,但氧化物的晶體類型不同,CO2和SiO2分別屬于分子晶體和共價(jià)晶體;所以同族元素的氧化物可能形成不同類型的晶體,C錯(cuò)誤;

D.金屬晶體Na的熔點(diǎn)比分子晶體AlCl3低;所以金屬晶體的熔點(diǎn)不一定比分子晶體的高,D錯(cuò)誤;

故選A。7、B【分析】【分析】

【詳解】

A.NH3、C10H18屬于分子晶體的化合物;HD是單質(zhì),不是化合物,故A錯(cuò)誤;

B.PCl3,CO2,H2SO4均屬于分子晶體的化合物;故B正確;

C.SO2、P2O5屬于分子晶體的化合物,SiO2屬于共價(jià)晶體的化合物;故C錯(cuò)誤;

D.CCl4、H2O2屬于分子晶體的化合物,Na2S是離子晶體;不是分子晶體,故D錯(cuò)誤;

故選B。二、多選題(共6題,共12分)8、BC【分析】【分析】

B元素最高價(jià)是最低負(fù)價(jià)絕對(duì)值的3倍,則B元素最高正價(jià)為+6價(jià),其最高價(jià)氧化物化學(xué)式表示為BO3,又最高氧化物中含氧60%,設(shè)B元素相對(duì)原子質(zhì)量為x,則×100%=60%,解得b=32;故B為S元素,由元素在周期表中相對(duì)位置可知,A為O元素;C為Se、D為P元素、E為Cl元素。

【詳解】

A.非金屬性越強(qiáng);第一電離能越大,但P的3p電子半滿為穩(wěn)定結(jié)構(gòu),第一電離能P>Cl>S,A錯(cuò)誤;

B.同主族元素從上到下;元素的電負(fù)性減弱,同周期從左到右,電負(fù)性增大,則電負(fù)性Cl>S>Se,B正確;

C.P;S、Cl三種元素形成的簡(jiǎn)單離子具有相同的核外電子排布;核電荷數(shù)越大離子半徑越小,P、S、Cl三種元素形成的簡(jiǎn)單離子的半徑逐漸減小,C正確;

D.非金屬性:P<S<Cl,故氫化物穩(wěn)定性:PH3<H2S<HCl;D錯(cuò)誤;

故選BC。9、BD【分析】【分析】

【詳解】

A.葡萄糖分子(HOCH2?CHOH?CHOH?CHOH?CHOH?CHO)中;4個(gè)-CHOH-上的碳原子都是手性碳原子,故A正確;

B.基態(tài)銅原子的價(jià)電子排布圖應(yīng)為故B錯(cuò)誤;

C.[Co(NH3)4Cl2]+的中心離子分別與4個(gè)NH3分子中的N原子、2個(gè)Cl-形成6個(gè)配位鍵;故C正確;

D.AB2是V形,表明A原子的最外層至少有1對(duì)孤對(duì)電子,則A的價(jià)層電子對(duì)數(shù)可能為3,其A可能為sp2雜化;故D錯(cuò)誤;

故選BD。10、BC【分析】【分析】

【詳解】

A.化合價(jià)的絕對(duì)值+原子的最外層電子數(shù),若和為8,則該原子最外層電子數(shù)為8,只有PCl5中P是10電子結(jié)構(gòu);故A正確;

B.位于非金屬三角區(qū)邊界的“類金屬”電負(fù)性在1.8左右;可在此區(qū)域研究農(nóng)藥,而高效催化劑一般在過(guò)渡金屬區(qū)域選擇,故B不正確;

C.SO2價(jià)層電子對(duì)數(shù)為3,孤對(duì)電子為1,所以其VSEPR模型為平面三角形,立體構(gòu)型為V形,NO2孤對(duì)電子為1,價(jià)層電子對(duì)數(shù)為3,所以其VSEPR模型為平面三角形,立體構(gòu)型為V形,COCl2孤對(duì)電子為0,價(jià)層電子對(duì)數(shù)為3,所以其VSEPR模型為平面三角形,立體構(gòu)型為平面三角形,SOCl2孤對(duì)電子為1;價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4,所以其VSEPR模型為正四面體形,立體構(gòu)型為三角錐形,故C不正確;

D.過(guò)氧化鈉和水反應(yīng)的化學(xué)方程式2Na2O2+2H2O=4NaOH+O2↑;反應(yīng)中離子鍵;極性鍵、非極性鍵都有斷裂和形成,故D正確;

故選BC。11、CD【分析】【詳解】

A.根據(jù)晶胞的結(jié)構(gòu)可知?dú)浠X鋰中含有離子鍵、Al和H形成的共價(jià)鍵以及中含有的配位鍵;A正確;

B.價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4+=4,且沒(méi)有孤電子對(duì),為正四面體結(jié)構(gòu);B正確;

C.由方程式3LiAlH4=Li3AlH6+2Al+3H2↑可知,當(dāng)氫化鋁鋰釋放1mol氫氣時(shí),有的被還原;C錯(cuò)誤;

D.該晶胞的密度為D錯(cuò)誤;

故選CD。12、BC【分析】【分析】

【詳解】

A.LiH是由Li+和H-組成的;由陰;陽(yáng)離子通過(guò)離子鍵構(gòu)成的晶體是離子晶體,A正確;

B.LiH溶于水與水反應(yīng):LiH+H2O=LiOH+H2↑;故溶液呈堿性,B錯(cuò)誤;

C.LiH中Li+的化合價(jià)是Li的最高價(jià)+1價(jià),但只有很弱氧化性,H-為H的最低價(jià)-1價(jià)是一種強(qiáng)還原劑;通常LiH是一種還原劑,C錯(cuò)誤;

D.LiH中H—和Li+具有相同的核外電子排布,但Li的核電荷數(shù)比H的大,故H—半徑大于Li+半徑;D正確;

故答案為:BC。13、BD【分析】由圖可知,晶體鋰轉(zhuǎn)化為L(zhǎng)i(g)吸熱,?H1>0,Li(g)轉(zhuǎn)化為L(zhǎng)i+(g)吸熱,?H2>0;O2(g)到O(g)是化學(xué)鍵斷裂過(guò)程吸熱,?H3>0;O(g)→O2-(g)是得電子過(guò)程放熱,?H4<0;由蓋斯定律可知,?H1+?H1+?H3+?H4+?H6=?H5;由此分析。

【詳解】

A.Li晶體轉(zhuǎn)化為L(zhǎng)i(g)是吸熱過(guò)程,Li(g)→Li+(g)是失電子過(guò)程吸熱,即?H1>0、?H2>0;故A不符合題意;

B.由蓋斯定律可知,?H1+?H1+?H3+?H4+?H6=?H5,即-?H5+?H1+?H2+?H3+?H4+?H6=0;故B符合題意;

C.O2(g)到O(g)是化學(xué)鍵斷裂過(guò)程吸熱,O(g)→O2-(g)是得電子過(guò)程放熱,即?H3>0、?H4<0;故C不符合題意;

D.氣態(tài)離子形成1mol離子晶體釋放的能量是晶格能,故氧化鋰的晶格能=?H6;故D符合題意;

答案選BD。三、填空題(共5題,共10分)14、略

【分析】【詳解】

(1)中,的價(jià)電子對(duì)數(shù)為孤電子對(duì)數(shù)為0,為平面三角形;中,S的價(jià)電子對(duì)數(shù)為孤電子對(duì)數(shù)為2,為角形;中,N的價(jià)電子對(duì)數(shù)為孤電子對(duì)數(shù)為0,為直線形;中,N的價(jià)電子對(duì)數(shù)為孤電子對(duì)數(shù)為1,為角形;分子中有1個(gè)碳氧雙鍵,看作1對(duì)成鍵電子,2個(gè)單鍵為2對(duì)成鍵電子,C原子的價(jià)電子對(duì)數(shù)為3,且無(wú)孤電子對(duì),所以分子的空間結(jié)構(gòu)為平面三角形;分子的結(jié)構(gòu)式為含有1個(gè)鍵,看作1對(duì)成鍵電子,1個(gè)單鍵為1對(duì)成鍵電子,故C原子的價(jià)電子對(duì)數(shù)為2,且無(wú)孤電子對(duì),所以分子的空間結(jié)構(gòu)為直線形。

故答案為:平面三角形;角形;直線形;角形;平面三角形;直線形。

(2)①甲醛為平面形分子,由于鍵與鍵之間的排斥作用大于2個(gè)鍵之間的排斥作用,所以甲醛分子中的鍵角小于120°。

故答案為:<。

②分子中,原子的價(jià)電子對(duì)數(shù)是成鍵電子對(duì)數(shù)為2,孤電子對(duì)數(shù)為1,故分子的空間結(jié)構(gòu)為角形,的鍵角<120°。

故答案為:<。

③分子中,P的價(jià)電子對(duì)數(shù)為含有1對(duì)孤電子對(duì),由于孤電子對(duì)與鍵的排斥作用大于鍵間的排斥作用,所以的鍵角小于109°28′。

故答案為:<。

(3)型微粒,中心原子上無(wú)孤電子對(duì)的呈平面三角形,有1對(duì)孤電子對(duì)的呈三角錐形,所以化學(xué)式分別是

故答案為:

(4)第2周期的五種非金屬元素B、C、N、O、F組成的中性分子中,平面形分子為三角錐形分子為四面體形分子為

故答案為:【解析】平面三角形角形直線形角形平面三角形直線形<<<15、略

【分析】【詳解】

根據(jù)題給周期表;可判斷出①~⑤分別是C;N、O、Na、Cl。

(1)N的原子結(jié)構(gòu)示意圖是

(2)Na和Cl同周期,同周期元素從左至右原子半徑逐漸減小,則Cl的原子半徑較小;非金屬越強(qiáng),其最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物的酸性越強(qiáng),C和N同周期,非金屬性:C>H,則的酸性較強(qiáng);

(3)Na在中燃燒生成反應(yīng)的化學(xué)方程式為【解析】Cl16、略

【分析】【分析】

【詳解】

(1)KCN為離子化合物由鉀離子和氰根離子構(gòu)成,其電子式為NaClO為離子化合物由鉀離子和氰根離子構(gòu)成,其電子式為

(2)P為15號(hào)元素,其核外電子排布式為1s22s22p63s23p3或[Ne]3s23p3,鐵的電子排布式為1s22s22p63s23p63d64s2或[Ar]3d64s2,4s為最外層,兩個(gè)電子容易失去,故亞鐵離子的核外電子排布式應(yīng)該為1s22s22p63s23p63d6或[Ar]3d6;

(3)CCl4相當(dāng)于CH4上的四個(gè)氫原子被氯原子取代形成的產(chǎn)物,甲烷為正四面體結(jié)構(gòu),C原子采取sp3雜化,則CCl4中心原子C原子也采取sp3雜化,NO中心原子N原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)為3+=3,N原子采取sp2雜化;

(4)鉻原子為第四周期元素,有四個(gè)電子層,最高能層符號(hào)是N,基態(tài)Cr原子核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d54s1,其價(jià)層電子的軌道表達(dá)式為

(5)Cu失去一個(gè)電子后價(jià)層電子排布為3d10全滿穩(wěn)定的結(jié)構(gòu),再失去一個(gè)電子較困難,Zn失去一個(gè)電子后價(jià)層電子排布為3d104s1,再失去一個(gè)電子是4s1上的電子,則第二電離能Cu>Zn。【解析】1s22s22p63s23p3或[Ne]3s23p31s22s22p63s23p63d6或[Ar]3d6sp3sp2N>Cu失去一個(gè)電子后價(jià)層電子排布為3d10全滿穩(wěn)定的結(jié)構(gòu),再失去一個(gè)電子較困難,Zn失去一個(gè)電子后價(jià)層電子排布為3d104s1,再失去一個(gè)電子是4s1上的電子17、略

【分析】【詳解】

由四方晶系晶胞及原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)可知,有4個(gè)位于棱上,6個(gè)位于面上,則屬于一個(gè)晶胞的的個(gè)數(shù)為與最近的原子為如圖所示的a、b兩個(gè)原子,a位置的的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(0.5,0,0.25);b位置的的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(0.5,0.5,0);晶體中除與該晶胞中的2個(gè)鍵合外,還與相鄰晶胞中的2個(gè)鍵合,故晶體中單個(gè)與4個(gè)鍵合。【解析】4(0.5,0,0.25)、(0.5,0.5,0)418、略

【分析】【詳解】

納米技術(shù)會(huì)使人們的未來(lái)生活更加舒適、安全、健康。化妝品、涂料、食品、衣料等的生產(chǎn)會(huì)越來(lái)越多地應(yīng)用納米技術(shù),使這些產(chǎn)品的性能更好,適用性更強(qiáng),例如,化妝品中加入納米顆??墒够瘖y品具備防紫外線的功能,在化纖布料中加入少量納米顆??墒够w布料防靜電,等等。納米技術(shù)于細(xì)微處顯神奇,已經(jīng)悄然滲透到了人們的衣、食、住、行等領(lǐng)域.納米材料在人們?nèi)粘I钪械膹V泛應(yīng)用必將促進(jìn)納米技術(shù)的迅速發(fā)展。【解析】納米技術(shù)會(huì)使人們的未來(lái)生活更加舒適、安全、健康。化妝品、涂料、食品、衣料等的生產(chǎn)會(huì)越來(lái)越多地應(yīng)用納米技術(shù),使這些產(chǎn)品的性能更好,適用性更強(qiáng),例如,化妝品中加入納米顆粒可使化妝品具備防紫外線的功能,在化纖布料中加入少量納米顆粒可使化纖布料防靜電,等等。納米技術(shù)于細(xì)微處顯神奇,已經(jīng)悄然滲透到了人們的衣、食、住、行等領(lǐng)域.納米材料在人們?nèi)粘I钪械膹V泛應(yīng)用必將促進(jìn)納米技術(shù)的迅速發(fā)展四、判斷題(共4題,共36分)19、A【分析】【分析】

【詳解】

乙醇中的羥基與水分子的羥基相近,因而乙醇能和水互溶;而苯甲醇中的烴基較大,其中的羥基和水分子的羥基的相似因素小得多,因而苯甲醇在水中的溶解度明顯減小,故正確。20、B【分析】【分析】

【詳解】

(1)雜化軌道只用于形成σ鍵或用于容納未參與成鍵的孤電子對(duì);正確;

(2)分子中中心原子若通過(guò)sp3雜化軌道成鍵;則該分子正四面體結(jié)構(gòu)或三角錐形或折線形,錯(cuò)誤;

(3)NH3分子為三角錐形,N原子發(fā)生sp3雜化;錯(cuò)誤;

(4)只要分子構(gòu)型為平面三角形,中心原子均為sp2雜化;正確;

(5)中心原子是sp1雜化的;其分子構(gòu)型一定為直線形,錯(cuò)誤;

(6)價(jià)層電子對(duì)互斥理論中;π鍵電子對(duì)數(shù)不計(jì)入中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù),正確;

(7)PCl3分子是三角錐形,這是因?yàn)镻原子是以sp3雜化的結(jié)果且沒(méi)有孤電子對(duì);錯(cuò)誤;

(8)sp3雜化軌道是由中心原子的1個(gè)s軌道和3個(gè)p軌道混合形成的四個(gè)sp3雜化軌道;錯(cuò)誤;

(9)凡中心原子采取sp3雜化的分子;其VSEPR模型都是四面體,正確;

(10)AB3型的分子空間構(gòu)型為平面三角形或平面三角形;錯(cuò)誤;

(11)分子中中心原子通過(guò)sp3雜化軌道成鍵時(shí);該分子正四面體結(jié)構(gòu)或三角錐形或折線形,正確;

(12)雜化軌道只用于形成σ鍵或用于容納未參與成鍵的孤電子對(duì);正確;

(13)NH3和CH4兩個(gè)分子中中心原子N和C都是通過(guò)sp3雜化軌道成鍵;正確;

(14)雜化軌道理論與VSEPR模型分析分子的空間構(gòu)型結(jié)果不矛盾;錯(cuò)誤;

(15)配位鍵也是一種靜電作用;正確;

(16)形成配位鍵的電子對(duì)由一個(gè)原子提供,另一個(gè)原子提供空軌道,錯(cuò)誤。21、A【分析】【詳解】

因?yàn)殂~具有良好的導(dǎo)電性,所以銅可以用于制作電纜、電線,正確。22、B【分析】【分析】

【詳解】

(1)雜化軌道只用于形成σ鍵或用于容納未參與成鍵的孤電子對(duì);正確;

(2)分子中中心原子若通過(guò)sp3雜化軌道成鍵;則該分子正四面體結(jié)構(gòu)或三角錐形或折線形,錯(cuò)誤;

(3)NH3分子為三角錐形,N原子發(fā)生sp3雜化;錯(cuò)誤;

(4)只要分子構(gòu)型為平面三角形,中心原子均為sp2雜化;正確;

(5)中心原子是sp1雜化的;其分子構(gòu)型一定為直線形,錯(cuò)誤;

(6)價(jià)層電子對(duì)互斥理論中;π鍵電子對(duì)數(shù)不計(jì)入中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù),正確;

(7)PCl3分子是三角錐形,這是因?yàn)镻原子是以sp3雜化的結(jié)果且沒(méi)有孤電子對(duì);錯(cuò)誤;

(8)sp3雜化軌道是由中心原子的1個(gè)s軌道和3個(gè)p軌道混合形成的四個(gè)sp3雜化軌道;錯(cuò)誤;

(9)凡中心原子采取sp3雜化的分子;其VSEPR模型都是四面體,正確;

(10)AB3型的分子空間構(gòu)型為平面三角形或平面三角形;錯(cuò)誤;

(11)分子中中心原子通過(guò)sp3雜化軌道成鍵時(shí);該分子正四面體結(jié)構(gòu)或三角錐形或折線形,正確;

(12)雜化軌道只用于形成σ鍵或用于容納未參與成鍵的孤電子對(duì);正確;

(13)NH3和CH4兩個(gè)分子中中心原子N和C都是通過(guò)sp3雜化軌道成鍵;正確;

(14)雜化軌道理論與VSEPR模型分析分子的空間構(gòu)型結(jié)果不矛盾;錯(cuò)誤;

(15)配位鍵也是一種靜電作用;正確;

(16)形成配位鍵的電子對(duì)由一個(gè)原子提供,另一個(gè)原子提供空軌道,錯(cuò)誤。五、實(shí)驗(yàn)題(共3題,共6分)23、略

【分析】【分析】

銅與濃硫酸在B中發(fā)生反應(yīng)生成二氧化硫;二氧化硫通入飽和碳酸氫鈉溶液中發(fā)生反應(yīng),生成二氧化碳,混合氣體通入足量的高錳酸鉀溶液中除去二氧化硫,最后二氧化碳進(jìn)入硅酸鈉溶液中產(chǎn)生硅酸沉淀,從而證明碳酸的酸性強(qiáng)于硅酸,據(jù)此分析。

【詳解】

(1)由儀器的構(gòu)造可知A為分液漏斗;銅和濃硫酸在加熱條件下發(fā)生反應(yīng)生成硫酸銅、二氧化硫和水,反應(yīng)的方程式為:Cu+2H2SO4(濃)CuSO4+SO2↑+2H2O,故答案為:分液漏斗;Cu+2H2SO4(濃)CuSO4+SO2↑+2H2O;

(2)該裝置需要制取二氧化硫;在組裝好用儀器后需要進(jìn)行裝置氣密性檢驗(yàn),然后加藥品后;打開(kāi)a、然后滴入濃硫酸,加熱,故答案為:檢查裝置的氣密性;

(3)由上述分析可知,酸性高錳酸鉀的作用是除去二氧化碳中未反應(yīng)完的二氧化硫氣體,防止其干擾二氧化碳與硅酸鈉的反應(yīng),其中發(fā)生的反應(yīng)的離子方程式為:5SO2+2MnO+2H2O=2Mn2++4H++5SO故答案為:除去多余的二氧化硫;5SO2+2MnO+2H2O=2Mn2++4H++5SO

(4)二氧化碳進(jìn)入硅酸鈉溶液中產(chǎn)生硅酸沉淀,從而證明碳酸的酸性強(qiáng)于硅酸,而元素的最高價(jià)氧化物的水化物酸性越強(qiáng),元素的非金屬性越強(qiáng),因此通過(guò)觀察F中的白色沉淀現(xiàn)象可證明非金屬性碳>硅,故答案為:裝置F中出現(xiàn)白色沉淀;【解析】分液漏斗Cu+2H2SO4(濃)CuSO4+SO2↑+2H2O檢查裝置的氣密性除去多余的二氧化硫5SO2+2MnO+2H2O=2Mn2++4H++5SO裝置F中出現(xiàn)白色沉淀24、略

【分析】【分析】

由圖中裝置可知,裝置A中放入高錳酸鉀、分液漏斗中放入濃鹽酸,二者反應(yīng)產(chǎn)生的氯氣通入飽和食鹽水除去其中的氯化氫氣體,然后通入C,Ⅰ、Ⅲ處放干燥的有色布條,Ⅱ放入固體粒狀干燥劑,但不能是堿性干燥劑,否則會(huì)吸收氯氣,可觀察到Ⅰ處布條褪色,Ⅲ處不褪色,氯氣通入漏斗D中,溶液變橙色,再滴入KI溶液與苯的分層的液體中,苯層呈紫色,最后多余的氯氣用硫代硫酸鈉溶液吸收,Na2S2O3中硫顯+2價(jià),被氯氣氧化為排除氯氣對(duì)其溴;碘檢驗(yàn)的干擾;可進(jìn)行對(duì)比實(shí)驗(yàn),以此來(lái)解答。

【詳解】

(1)儀器a為長(zhǎng)頸漏斗;裝置C中Ⅱ處加的試劑干燥氯氣;且為固體,只有BD符合,故答案為:長(zhǎng)頸漏斗;BD;

(2)生成的氯氣中混有HCl;則裝置B的作用有除去氯氣中的氯化氫并作安全瓶;

(3)KI屬于離子化合物,其電子式為:Na2S2O3屬于離子化合物,其中Na+與之間通過(guò)離子鍵連接,內(nèi)部原子與原子之間通過(guò)共價(jià)鍵連接,因此Na2S2O3中所含的化學(xué)鍵類型為共價(jià)鍵、離子鍵;Na2S2O3中硫顯+2價(jià),被氯氣氧化則裝置F中相應(yīng)的離子反應(yīng)方程式為:

(4)裝置D、E的目的是比較氯、溴、碘的非金屬性,但氯氣可與NaBr、KI均反應(yīng),未排除Cl2對(duì)溴、碘的非金屬性的強(qiáng)弱實(shí)驗(yàn)的干擾,不能比較Cl、Br;I的非金屬性;

(5)改進(jìn)的實(shí)驗(yàn)步驟④為打開(kāi)活塞d,將少量b中溶液滴入c中,關(guān)閉活塞d,取下試管振蕩,第④步發(fā)生溴與KI的反應(yīng),碘溶于四氯化碳中,溴能夠置換碘,從而達(dá)到實(shí)驗(yàn)?zāi)康摹!窘馕觥块L(zhǎng)頸漏斗BD除去氯氣中的氯化氫并作安全瓶共價(jià)鍵、離子鍵未排除Cl2對(duì)溴、碘的非金屬性的強(qiáng)弱實(shí)驗(yàn)的干擾打開(kāi)活塞d,將少量b中溶液滴入c中,關(guān)閉活塞d,取下試管c振蕩25、略

【分析】【分析】

實(shí)驗(yàn)原理是測(cè)定一定質(zhì)量的有機(jī)物完全燃燒時(shí)生成CO2和H2O的質(zhì)量,來(lái)確定是否含氧及C、H、O的個(gè)數(shù)比,求出最簡(jiǎn)式;因此生成O2后必須除雜(主要是除H2O);E用來(lái)吸收二氧化碳,測(cè)定生成二氧化碳的質(zhì)量,D用來(lái)吸收水,測(cè)定生成水的質(zhì)量,B用于干燥通入E中的氧氣;A用來(lái)制取反應(yīng)所需的氧氣、C是在電爐加熱時(shí)用純氧氣氧化管內(nèi)樣品;核磁共振氫譜可以確定有機(jī)物分子中有多少種氫原子,以及不同環(huán)境氫原子的個(gè)數(shù)比;

【詳解】

(1)濃硫酸的作用是吸收氧氣中水蒸氣或干燥氧氣,CuO具有一定氧化性,可以使有機(jī)物充分氧化生成CO2、H2O;

(2)D管增重的質(zhì)量為水的質(zhì)量,所以n(H2O)==0.02mol,所以有機(jī)物中n(H)=0.04mol,E管增重的質(zhì)量為二氧化碳的質(zhì)量,所以n(CO2)==0.02mol,所以該有機(jī)物中n(C)=0.02mol,有機(jī)物中C、H元素總質(zhì)量為0.04mol×1g/mol+0.02mol×12g/mol=0.28g,所以還有0.44g-0.28g=0.16g氧原子,n(O)==0.01mol,所以有機(jī)物中n(C):n(H):n(O)=0.02:0.04:0.01=2:4:1,已知該物質(zhì)的相對(duì)分子質(zhì)量為44,則分子式為:C2H4O;

(3)若該有機(jī)物的核磁共振氫譜如圖所示,峰面積之比為1:3,所以分子中含兩種氫原子,且數(shù)量比為1:3,則其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式應(yīng)為CH3CHO;若為環(huán)狀化合物,只有一種類型的氫原子,則該有機(jī)物的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式為

(4)E裝置直接與空氣接觸,可能吸收空氣中的水和二氧化碳,導(dǎo)致測(cè)得結(jié)果不準(zhǔn)確,所以可E后再增加一個(gè)E裝置,吸收空氣中的二氧化碳和水蒸氣?!窘馕觥课昭鯕庵兴魵饣蚋稍镅鯕馐褂袡C(jī)物充分氧化生成CO2C2H4OCH3CHO吸收空氣中的二氧化碳和水蒸氣六、工業(yè)流程題(共3題,共6分)26、略

【分析】【分析】

礦渣中主要含鐵酸鎵、鐵酸鋅、SiO2,礦渣中加入稀硫酸,SiO2不溶于稀硫酸,浸出渣為SiO2,加入CaO調(diào)節(jié)pH,從已知②可知,Zn(OH)2Ksp相對(duì)Ga(OH)3和Fe(OH)3較大,因此控制pH可使Ga3+、Fe3+完全沉淀而Zn2+不沉淀,濾液中為硫酸鋅,再加入稀硫酸酸溶,溶液中含有Ga3+和Fe3+,加入萃取劑萃取,然后加入amol/L鹽酸進(jìn)行脫鐵,再加入bmol/L的鹽酸進(jìn)行反萃取,根據(jù)表中數(shù)據(jù)可知,脫鐵時(shí)鹽酸濃度較高,促使Fe3+更多地進(jìn)入水相被除去,鹽酸濃度為6mol/L,反萃取中要保證Ga3+更可能多地進(jìn)入水相,則此時(shí)鹽酸濃度為2mol/L,隨后加入NaOH沉鎵生成Ga(OH)3,Ga(OH)3經(jīng)過(guò)熱分解生成Ga2O3;最后經(jīng)過(guò)CVD得到GaN。

【詳解】

(1)Ga2(Fe2O4)3與稀硫酸反應(yīng)生成Ga3+、Fe3+和H2O,反應(yīng)的離子方程式為Ga2(Fe2O4)3+24H+=2Ga3++6Fe3++12H2O。酸溶前調(diào)節(jié)pH時(shí)加入了CaO,加入稀硫酸鈣離子和硫酸根離子反應(yīng)生成硫酸鈣,硫酸鈣微溶于水,故酸溶濾渣中為CaSO4。

(2)酸浸所得浸出液中Ga3+、Zn2+濃度分別為0.21g/L和65g/L即0.003mol/L和1mol/L,根據(jù)Ksp[Zn(OH)2]=10-16.6,Zn2+開(kāi)始沉淀時(shí)c(OH-)=10-8.3mol/L,Zn2+開(kāi)始沉淀的pH為5.7,根據(jù)Ksp[Ga(OH)3]=10-35.1,Ga3+開(kāi)始沉淀時(shí)c(OH-)=1.49×10-11,則Ga3+開(kāi)始沉淀的pH為3.17;則調(diào)節(jié)pH略小于5.7即可。

(3)根據(jù)分析可知脫鐵時(shí)鹽酸濃度較高,促使Fe3+更多地進(jìn)入水相被除去,鹽酸濃度為6mol/L,反萃取中要保證Ga3+更可能多地進(jìn)入水相;則此時(shí)鹽酸濃度為2mol/L。

(4)Ga與Al同主族,化學(xué)性質(zhì)相似,沉鎵時(shí)加入NaOH過(guò)多,則生成的Ga(OH)3重新溶解生成離子方程式為Ga(OH)3+OH-=+2H2O。

(5)Ga2O3與NH3高溫下反應(yīng)生成GaN和另一種物質(zhì),根據(jù)原子守恒,可得另一種物質(zhì)為H2O,化學(xué)方程式為Ga2O3+2NH32GaN+3H2O。

(6)①GaN熔點(diǎn)較高為1700℃,GaCl3熔點(diǎn)較低為77.9℃,則GaN為共價(jià)晶體,GaCl3為分子晶體。

②從圖中可知,該晶體中與Ga原子距離最近且相等的N原

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