TSZSA 031.01-2024 ESDTVS 靜電保護(hù)類器件測(cè)試規(guī)范

ICS31.080.01L40T/SZSA團(tuán) 體 標(biāo) 準(zhǔn)T/SZSA031.01-2024代替T/SZSA031.01—2022ESD/TVS靜電保護(hù)類器件測(cè)試規(guī)范ESD/TVS ESD Protection Device TestSpecification2024-10-14發(fā)布 2024-10-21實(shí)施深圳市半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展促進(jìn)會(huì) 發(fā)布目錄前言 I引言 IIESD/TVS電護(hù)器測(cè)試范 1圍 1范引文件 1語定義 1器Electro-StaticDischarge 1瞬抑二管TransientVoltageSuppressor 1擊電壓BreakdownVoltage 2反截電壓ReverseStand-OffVoltage 2向沖值流PeakPulseCurrent 2箝電壓ClampingVoltage 2反脈峰功率Reversepulsepeakpower 2結(jié)容Junctioncapacitor 2反漏流CurrentIntensityReverse 2I-V特曲線 2C-V特曲線 2傳線沖TransmissionLinePulse 3類號(hào) 3類 3號(hào) 3試法 4則 4試的 4試件 4試備裝置 5試鍵標(biāo) 5試容 5鍵數(shù)例 6附錄 A 7ESD/TVS電護(hù)器測(cè)試法 7試件 7試備 7試驟 7試果析 7試據(jù)錄 11參考獻(xiàn) 14II前言本標(biāo)準(zhǔn)按照GB/T1.1—2020給出的規(guī)則起草。本標(biāo)準(zhǔn)于2022年首次發(fā)布，本次為第一次修訂。IIII引言CMOSIC[1]。ESD/TVS靜[2][3]。3nm和5nmESDTT0201SA)和型號(hào)TT3304SP）工藝技術(shù)達(dá)到了PAGEPAGE1ESD/TVS靜電保護(hù)類器件測(cè)試規(guī)范本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范了ESD/TVS靜電保護(hù)類器件的測(cè)試要求，明確了產(chǎn)品型號(hào)命名規(guī)則、關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)、測(cè)試方法、數(shù)據(jù)記錄分析方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于ESD/TVS靜電保護(hù)類器件。）GB/T18802.321-2007低壓電涌保護(hù)器元件第321部分雪崩擊穿二級(jí)管規(guī)范GB/T17626.2-2018電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)靜電放電抗擾度測(cè)試GB/T17626.4-201817626.5-2019（IEC62615-2010Electrostaticdischargesensitivitytesting-Transmissionlinepulse(TLP)-ComponentlevelGB/T18802.321-2007, GB/T17626.2-2018,GB/T17626.4-2018,GB/T17626.5-2019，IEC62615-2010界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件。Electro-StaticDischargeESDTVSESDTransientVoltageSuppressorTVSPNPNTVS擊穿電壓BreakdownVoltageV(BR)反向截止電壓ReverseStand-OffVoltageVRWMPeakPulseCurrentIpp反向工作時(shí)，在規(guī)定的脈沖條件下，器件允許通過的最大脈沖峰值電流。箝位電壓ClampingVoltageVc在特定的脈沖峰值電流下，ESD/TVS保護(hù)器件兩端所測(cè)得的峰值電壓。反向脈沖峰值功率ReversepulsepeakpowerPPp最大峰值脈沖電流（Ipp）與箝位電壓（Vc）的乘積。 JunctioncapacitorCjCurrentIntensityReverseIR在規(guī)定的溫度和反向截止電壓（VRWM）下，流過器件的最大電流。I-V電流-電壓特性曲線,表示通過電子儀器的直流電電流與儀器終端直流電電壓兩者之間的關(guān)系。C-VTransmissionLinePulseTLP即TLP模擬器產(chǎn)生的非常短的ESD脈沖——納秒級(jí)的脈沖寬度和上升時(shí)間，通過使用方波脈沖能夠準(zhǔn)確測(cè)量通過被測(cè)器件的電流和電壓，從而得出被測(cè)器件的I-V特性。ESD/TVS靜電保護(hù)類器件分類如下表1所示。表1 產(chǎn)分標(biāo)準(zhǔn)分類標(biāo)準(zhǔn)類型信號(hào)通道單通道，多通道方向單向保護(hù)，雙向保護(hù)封裝形式DFN0603,DFN1006,SOD923,SOD523,SOD323,SOT23,SOT23-6,SOT363,SOT523,SOT553,SOT563,DFN1616-6,DFN2020-3,DO-8,DFN1610,DFN2626-10,DFN3020-10,DFN4120-10,DFN3810-9,DFN2510-10,DFN2020-6,MSOP-8,SOT-143等ESD/TVS靜電保護(hù)類器件產(chǎn)品命名分七部分，遵循如下圖1規(guī)則。圖1 命規(guī)示例產(chǎn)品命名代碼對(duì)應(yīng)關(guān)系如下表2所示。表2 產(chǎn)命代對(duì)表組成部分內(nèi)容代碼對(duì)應(yīng)關(guān)系第一部分公司品牌縮寫T——TITAN第二部分產(chǎn)品類型代號(hào)T——TVS(ESDProtection)S——Surge(SurgeProtection)第三部分工作電壓代號(hào)02——2V05——5V07——7V12——12V第四部分極性方向代號(hào)1/3/5——單向2/4/6——雙向第五部分信號(hào)通道數(shù)N——N信號(hào)通道(N=1、2、3、4、5……）第六部分結(jié)電容參數(shù)代號(hào)L——Cj>40pFM——7pF<Cj<15pFS——Cj<0.5pF第七部分封裝形式代號(hào)A——DFN0603B——DFN1006D——DFN1610E——SOD-323ESD/TVS靜電保護(hù)類器件的測(cè)試都應(yīng)符合本標(biāo)準(zhǔn)的要求。EDS/TVS，EDS/TVST/XXESD/TVSa)環(huán)境溫度：25℃b)相對(duì)濕度：MSL3c)氣壓：101.325kPa220V芯片測(cè)試機(jī)，能夠產(chǎn)生所要求的測(cè)試指令的控制設(shè)備和裝置。表3關(guān)鍵指標(biāo)參數(shù)說明指標(biāo)參數(shù)參數(shù)說明擊穿電壓V(BR)ESD/TVS器件雪崩擊穿時(shí)的電壓，在規(guī)定的電流下測(cè)量獲得反向脈沖峰值電流Ipp(max)在反向狀態(tài)工作時(shí)，在規(guī)定的脈沖條件下，器件允許通過的最大脈沖峰值電流截止電壓VRWMmax.(V)反向截止電壓，即ESD/TVS器件允許施加的最大工作電壓，在該電壓下ESD/TVS處于截止?fàn)顟B(tài)最大箝位電壓Vc(max)在特定的Ipp電流時(shí)，脈沖電壓通過ESD/TVS保護(hù)器件后所被箝位的電壓反向脈沖峰值功率PPR最大峰值脈沖電流Ipp與箝位電壓Vc的乘積結(jié)電容Cj(pF)漏電流IR最大反向工作電壓施加到EDS/TVS器件兩端時(shí)的電流包括但不限于5.5列示的關(guān)鍵指標(biāo)參數(shù)。VBRmin.(V)在5.3要求的測(cè)試條件下，按附錄A的方法和步驟對(duì)EDS/TVS各型號(hào)器件進(jìn)行測(cè)試分析。Ipp(max在5.1要求的測(cè)試條件下，按附錄A的方法和步驟對(duì)EDS/TVS各型號(hào)器件進(jìn)行測(cè)試分析。VRWMmax.(V)在5.1要求的測(cè)試條件下，按附錄A的方法和步驟對(duì)EDS/TVS各型號(hào)器件進(jìn)行測(cè)試分析。Vc(max)在5.1要求的測(cè)試條件下，按附錄A的方法和步驟對(duì)EDS/TVS各型號(hào)器件進(jìn)行測(cè)試分析。PPR在5.1要求的測(cè)試條件下，按附錄A的方法和步驟對(duì)EDS/TVS各型號(hào)器件進(jìn)行測(cè)試分析。Cj(pF)在5.1要求的測(cè)試條件下，按附錄A的方法和步驟對(duì)EDS/TVS各型號(hào)器件進(jìn)行測(cè)試分析。IR在5.1要求的測(cè)試條件下，按附錄A的方法和步驟對(duì)EDS/TVS各型號(hào)器件進(jìn)行測(cè)試分析。關(guān)鍵參數(shù)ESD(型號(hào)TT0201SA)ESD（TT3304SP）關(guān)鍵參數(shù)ESD(型號(hào)TT0201SA)ESD（TT3304SP）TVS(型號(hào)TS2524PS)規(guī)格值檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格值檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格值檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)擊穿電壓V(BR/TL)3V3-5V7V6-9V3.7V3.0-4.5VIPP4A≥4A6A≥6A40A≥40A最大反向工作電壓VRWM1.8V1.8V3.3V3.3V2.5V2.5V最大箝位電壓Vc(max)6V6V6V6V20V20V反向脈沖峰值功率PPp20W≥20W34W≥34W400W≥400W結(jié)電容Cj0.18pF≤0.18pF0.3pF≤0.3pF5pF≤5pF漏電流IR10nA≤10nA10nA≤10nA1uA＜1uA附錄 AESD/TVS靜電保護(hù)類器件測(cè)試方法按照5.1規(guī)定的測(cè)試環(huán)境條件。A.3測(cè)試步驟1、根據(jù)產(chǎn)品設(shè)計(jì)規(guī)格書編寫測(cè)試計(jì)劃，明確測(cè)試程序、條件、方法。2、對(duì)測(cè)試機(jī)編程，使得測(cè)試機(jī)產(chǎn)生測(cè)試條件所需要的信號(hào)，多個(gè)信號(hào)一起組成測(cè)試向量。34、將測(cè)量結(jié)果與存儲(chǔ)在測(cè)試機(jī)中的預(yù)期數(shù)值進(jìn)行比較。A.4測(cè)試結(jié)果分析將A.31、V-I曲線圖A.1、V-I曲線示例圖2、C-V曲線圖A.2、C-V曲線示例圖Vc(V)Vc(V)Vc(V)Vc(V)Vc(V)Vc(V)3、Ipp數(shù)據(jù)記錄TT0201SA(P1-P2)TT3304SP(P1-P3)(IO-GND)TS2524PS(P1&P2-P3)(IO-GND)實(shí)驗(yàn)電壓VC1(V)Ipp（A）實(shí)驗(yàn)電壓（V）VC(V)Ipp（A）實(shí)驗(yàn)電壓（V）VC(V)Ipp（A）54.161.188.78.560.32155.764.6864.161.56103.772.96256.729.3674.201.98123.923.52408.0016.2084.162.40144.214.42559.1223.8094.242.82164.725.258511.0036.80104.23.20174.965.6810012.1044.40114.283.60185.216.0811012.6049.20124.414.08195.616.4811613.2052.005.0TT0201SA(P1-P2)5.0TT0201SA(P1-P2)6.0TT34SP)Ipp4.72Ipp4.5.21964.5 4.365.04.724.4.04.043.803.643.403.243.084.21453.924.0773.53.03.02.00 1IppA34524Ipp(A)686024.02.006121I2p062485410.109.128.006.725.768.010.011.00P3)Ipp12.012.6012.10S54S1014.010104、TLP測(cè)試-5108-5108642005101520TT3304SP(IO-GND)TLP00.511.522.533.544.555.566.577.588.59TT0201SATLP20181614121086420Current(A)101086424035302520151050-50TS2524PS(P1&P2-P3)TLP圖A.4、TLP曲線示例圖11PAGE3A.5測(cè)試數(shù)據(jù)記錄表A.2 試數(shù)錄表TT0201SA測(cè)試參數(shù)測(cè)試條件規(guī)格書數(shù)值實(shí)測(cè)參數(shù)VrwmIt=1mA1.8V1.8VIR1Pin1-Pin20.01uA(typ)0.1uA(max)43.650pAIR2Pin2-Pin10.01uA(typ)0.1uA(max)25.120pAVbr1/Vtl1Pin1-Pin2@10uA1.2V(min)2.0V(max)1.96VVbr2/Vtl2Pin2-Pin1@10uA1.2V(min)2.0V(max)1.96VVh1Pin1-Pin2@1mA1.5V(typ)1.49VVh2Pin2-Pin1@30mA1.5V(typ)1.49VVc18/20us@1A3.5V(max)3.16VVc28/20us@4A4.0V(max)4.36VVc38/20us@Ippmax4.44V4.72VIpp8/20us4A4.32APpk8/20us2021WCjCj@VR=0V,f=1MHz0.13pF(typ)0.172pF放電時(shí)間t8/20us，開啟到關(guān)斷/38.0us(@1A)46us(@Ippmax)ESDAir+/-25KVESDContact+/-22KVTT3304SP測(cè)試參數(shù)測(cè)試條件規(guī)格書數(shù)值實(shí)測(cè)參數(shù)VrwmIt=1mA3.3(max)3.3(max)IR1Pin1-Pin30.1uA(typ)1.0uA(max)0.13nAIR2Pin3-Pin10.1uA(typ)1.0uA(max)0.04nAVbr1/Vtl1Pin1-Pin3@1mA6V(min)9V(max)7.21VVbr2/Vtl2Pin3-Pin1@1mA6V(min)9V(max)7.21VVh1Pin1-Pin3@50mA2.0V(min)3.0V(max)2.59VVh2Pin3-Pin1@50mA2.0V(min)3.0V(max)2.58VVc18/20us@6A5.0V(typ)5.21VVc28/20us@Ippmax/5.61VIpp8/20us6A6.48APpk8/20us/36WCjCj@VR=0V,f=1MHzBetweenI/OandI/OpF(typ)pF(max)0.15pFCjCj@VR=0V,f=1MHzBetweenI/O/andGND0.18pF(typ)0.3pF(max)0.28pF放電時(shí)間t8/20us，開啟到關(guān)斷/29.6us(@2.36A)36.8us(@Ippmax)ESDAir