芯片裝架工（四級(jí)）考試復(fù)習(xí)題庫(kù)（含理論、實(shí)操）

芯片裝架工（四級(jí)）考試復(fù)習(xí)題庫(kù)（含理論、實(shí)操）

一、單選題

1.有錫球的產(chǎn)品封裝形式是OO

A、BGA

B、QFN

C、QFP

D、LGA

答案：A

2.晶圓劃片前進(jìn)行晶圓貼膜，貼膜時(shí)需在晶圓外圍加一個(gè)（）,它起到支撐的作

用。

A、晶圓基底圓片

B、晶圓貼片環(huán)

C、引線框架

D、硅襯底

答案：B

3.在引線框架的長(zhǎng)邊彎曲程度稱為（）。

A、側(cè)彎程度

B、卷彎程度

C、扭曲度

D、弓型程度

答案：B

4.下圖進(jìn)行的是。操作。

A、引線鍵合

B、芯片粘接

C、外觀檢查

D、晶圓清洗

答案：C

5.一般情況下，絕緣腔高溫固化的溫度為0o

A、145±10℃

B、175±10℃

C、225±10℃

D、280±10℃

答案：A

6.下列選項(xiàng)中，晶圓減薄精磨階段更適合選擇。的金剛石砂輪。

A、20#

B、80#

C、1000#

D、2500#

答案：D

7.封裝工藝中，晶圓在劃片機(jī)上被分割成單個(gè)的（）。

A、硅片

B、框架

C、硅襯底

D、晶粒

答案:D

8.自旋式磨削使用的金剛石砂輪直徑一般選擇。。

Ax50mm~150mm

B、150mm~200mm

C、200mm~350mm

D、250mm~400mm

答案：C

9.銀漿在使用前需要進(jìn)行回溫，回溫時(shí)應(yīng)采用（）放置。

A、臥式

B、立式

C、任意

D、倒扣

答案：B

10.圖示符號(hào)代表()。

A、固定電阻

B、電位器

C、可變電阻

D、熱敏電阻

答案：C

11.引線框架基本尺寸量測(cè)時(shí),其步距(UnitPitch)應(yīng)測(cè)量()的長(zhǎng)度。

A、兩個(gè)相鄰Lead中心點(diǎn)之間

B、從一個(gè)Unit的定位孔中心到相鄰Unit定位孔中心

C、第一他Unit的完整定位孔中心到最后一個(gè)Unit的完整定位孔中心

D、芯片座相對(duì)于中心點(diǎn)偏移

答案：B

12.下圖是()封裝形式的引線框架。

A、S0P16

B、DIP20

C、TSOP44

D、T0-220

答案：A

13.一般情況下，導(dǎo)電膠的醒料時(shí)間為()。

A、0.5~1小時(shí)

B、3~4小時(shí)

C、6~8小時(shí)

D、10~12小時(shí)

答案：A

14.()是引線框架的主要材質(zhì)。

Ax金

B、鋁

C、銅

D、銀

答案：C

15.關(guān)于芯片粘接對(duì)應(yīng)關(guān)系，說(shuō)法錯(cuò)誤的是()o

A、共晶粘貼法-應(yīng)力大、芯片易開(kāi)裂、自動(dòng)化程度低

B、焊接粘貼法-成本低、導(dǎo)熱好，但略遜與共晶咕貼

C、導(dǎo)電膠粘貼法-常用于塑料封裝

D、玻璃膠粘貼法-去除有機(jī)成分和溶劑需完全，否則易對(duì)封裝結(jié)構(gòu)及其可靠性有

損害

答案:B

16.一般情況下，裝片后框架的固化溫度為。。

A、140℃

B、175℃

C、200℃

D、300℃

答案：B

17.ICPacking是指(),

A、晶圓測(cè)試

B、集成電路封裝

C、流片

D、成品芯片測(cè)試

答案：B

18.銀漿回溫次數(shù)應(yīng)該不大于()次/管。

A、15

B、20

C、5

D、1

答案：C

19.每片晶圓上分布有成千上萬(wàn)顆芯片連在一起，它們之間都留有足夠的間隙,

此間隙稱為()。

A、Die

B、Chip

C、ScribeLine

D\BondingPAD

答案：C

20.窄間距小外形封裝的英文簡(jiǎn)稱為（）o

A、SIP

B、DIP

C、SSOP

D、QFP

答案:C

21.電流的單位是（）。

A、V

B、Q

C、A

D、S

答案：C

22.如圖紅框處的結(jié)構(gòu)是（）。

A、邊導(dǎo)軌

B、定位孔

C、塑封線

D、鎖定孔

答案：B

23.圖示符號(hào)代表（）。

A、電位器

B、固定電阻

C、可變電阻

D、熱敏電阻

答案：A

24.自旋式磨削一般使用（）金剛石砂輪。

A、柱形

B、圓型

C、錐形

D、杯型

答案：D

25.導(dǎo)電膠又稱導(dǎo)電銀膠，在芯片粘接工序中常稱為銀漿，其基體材料大多數(shù)是

環(huán)氧樹(shù)脂，填充料一般是（）。

A、金顆?；蚪鸨∑?/p>

B、銀顆?；蜚y薄片

C、鈦顆?；蜮伇∑?/p>

D、錫顆?；蝈a薄片

答案：B

26.封裝流程中，晶圓減薄是對(duì)（）進(jìn)行的操作。

A、晶圓背面

B、晶圓正面

C、晶圓邊緣

D、晶圓上的晶粒

答案：A

27.以下減薄方式中，屬于純機(jī)械方式的是（）。

A、電化學(xué)腐蝕

B、化學(xué)機(jī)械拋光

C、等離子增強(qiáng)化學(xué)腐蝕

D、磨削

答案：D

28.圖不符號(hào)表示（）。

G」

A、N溝道耗盡型MOS管

B、N溝道增強(qiáng)型MOS管

C、P溝道耗盡型MOS管

D、P溝道增強(qiáng)型MOS管

答案：A

29.圖中的工具是()。

A、晶圓盒

B、高溫花籃

C、頂針盒

D、引線框架盒

答案:D

30.“8s管理”制度中，整理的定義是()o

A、必要的物品按需要量、分門(mén)別類(lèi)、依規(guī)定的位置放置，并擺放整齊，加以標(biāo)

識(shí)。

B、清除工作場(chǎng)所的臟污，并防止臟污再發(fā)生，保持工作場(chǎng)所干凈亮麗。

C、按照標(biāo)準(zhǔn)區(qū)分開(kāi)必要和不必要的物品，并對(duì)其進(jìn)行處理。

D、消除隱患，預(yù)防事故。

答案：C

31.裝片機(jī)上芯區(qū)用于頂起藍(lán)膜上的芯片的部件是()o

A、吸嘴

B、頂針

C、劈刀

D、點(diǎn)膠頭

答案:B

32.通過(guò)()可以確定芯片的裝架方向。

A、電路圖

B、鍵合圖

C、原理圖

D、接線圖

答案：B

33.裝片機(jī)維護(hù)保養(yǎng)時(shí)，一般沾?。ǎ?duì)機(jī)臺(tái)結(jié)構(gòu)進(jìn)行清洗。

A、消毒后的自來(lái)水

B、鹽酸溶液

C、氫氧化鈉溶液

D、無(wú)水乙醇

答案：D

34.減薄后進(jìn)行晶圓厚度測(cè)量時(shí)，需要扣除。的厚度。

A、有效電路層

B、藍(lán)膜

C、損傷層

D、氧化層

答案：B

35.下列說(shuō)法不屬于陶姿封裝優(yōu)點(diǎn)的是（）。

A、生產(chǎn)成本低

B、優(yōu)良的可靠度

C、熱、電、機(jī)械特性等穩(wěn)定

D、散熱性好

答案：A

36.若領(lǐng)取空引線框架中有變形彎曲的，可以如何處理？（）

A、進(jìn)行補(bǔ)片

B、將芯片扶正

C、用鏡子對(duì)變形部位整形，不能整形的則剔除

D、重新固化

答案：C

37.一般情況下，導(dǎo)電膠高溫固化的溫度為（）。

A、145±10℃

B、175±10℃

C、225±10℃

D、280±10℃

答案：B

38.封裝減薄前，8英寸晶圓的厚度一般為（）左右。

A、50um

B、300pm

C、725nm

D、1500|_im

答案：C

39.如下ESD描述，錯(cuò)誤的是O°

A、接觸產(chǎn)品必須戴手指套或防靜電手套

B、手指套被污染，若沒(méi)有破損，可以不用更換

C、必須嚴(yán)格按照無(wú)塵室內(nèi)穿著規(guī)范，需戴口罩，且口罩要完全遮住口和鼻

D、坐著作業(yè)時(shí)必須佩戴靜電手環(huán)

答案：B

40.絕緣膠一般存放在()條件下。

Ax-40~-20℃

B、-5~0℃

C、0~5"C

D、15~25℃

答案：A

41.如圖所示的引線框架，一條框架有()只產(chǎn)品。

A、10

B、20

C、30

D、40

答案：B

42.導(dǎo)電膠一般存放在()條件下。

A、-40~-20℃

B、-5~0tle

C、0~5℃

D、15~25℃

答案：C

43.劃片機(jī)對(duì)刀時(shí)，基準(zhǔn)線寬度設(shè)置主要與。有關(guān)。

A、Die的寬度

B、Wafer的尺寸

C、ScribeLine的寬度

D、PAD的大小

答案:C

44.圖中展示的設(shè)備是（）。

A、等離子清洗機(jī)

B、裝片機(jī)

C、氮?dú)夤?/p>

D、烘箱

答案：D

45.芯片粘接時(shí)，引線框架焊盤(pán)的尺寸要與芯片大小相匹配，若焊盤(pán)尺寸。，

則會(huì)導(dǎo)致在轉(zhuǎn)移成型過(guò)程中會(huì)由于流動(dòng)產(chǎn)生的應(yīng)力而造成引線彎曲及芯片位移

等現(xiàn)象。

A、與芯片大小相同

B、合適

C、太大

D、太小

答案:C

46.若防靜電點(diǎn)檢未通過(guò)則需要()。

A、重新啟動(dòng)檢測(cè)的儀器，再次檢測(cè)

B、請(qǐng)其他員工檢測(cè)，門(mén)開(kāi)啟后一同進(jìn)入

C、找管理部門(mén)手動(dòng)開(kāi)門(mén)

D、檢查著裝并消除靜電，重新檢測(cè)

答案：D

47.在晶圓劃片之前要在晶圓()進(jìn)行貼膜。

A、正面

B、背面

C、邊緣

D、中間

答案：B

48.12英寸晶圓的直徑大小是()o

A、125mm

B、150mm

C、200mm

D、300mm

答案：D

49.圖中展示的設(shè)備是()o

Ax晶圓劃片機(jī)

B、晶圓減薄機(jī)

C、晶圓貼膜機(jī)

D、晶圓清洗機(jī)

答案：C

50.()和()都是利用合金反應(yīng)進(jìn)行芯片粘貼的方法。

A、焊接粘貼法；玻璃膠粘貼法

B、共晶粘貼法；玻璃膠粘貼法

C、共晶粘貼法；焊接粘貼法

D、導(dǎo)電膠粘貼法；玻璃膠粘貼法

答案：C

51.下列選項(xiàng)中，晶圓劃片流程排序正確的是。。

①晶圓清洗

②晶圓貼膜

③劃片生產(chǎn)

④劃片設(shè)備準(zhǔn)備

A、①②④③

B、②④③①

C、①②③④

D、②③④①

答案：B

52.拆裝頂針時(shí)，最好用。來(lái)夾持，否則容易造成頂針傷及人身或頂針斷裂。

A、鏡子

B、手

C、真空吸筆

D、鉗子

答案：A

53.如圖為點(diǎn)膠頭外觀，其中④號(hào)點(diǎn)膠頭的內(nèi)徑為。。

①②③④⑤⑥

A、0.06mm

0.16mm

C、0.34mm

Dx0.61mm

答案:D

54.劃片機(jī)手動(dòng)裝片時(shí)，將晶圓放置到（）并開(kāi)啟真空，即可固定晶圓。

A、劃片刀架

B、貼膜盤(pán)

C、花籃

D、載片臺(tái)

答案:D

55.芯片裝架作業(yè)完成后，為檢測(cè)其強(qiáng)度，需進(jìn)行（）。

A、推力測(cè)試

B、拉力測(cè)試

C、老化測(cè)試

D、功能測(cè)試

答案：A

56.通常，芯片粘接到框架上后，膠點(diǎn)鋪開(kāi)后的直徑應(yīng)為芯片長(zhǎng)邊的（）倍，這

樣就可以保證有充足的膠水來(lái)粘結(jié)芯片，同時(shí)又可以避免過(guò)多銀漿的浪費(fèi)。

A、0.6

B、1.1

C、2.0

D、2.5

答案：B

57.下列哪一項(xiàng)不屬于晶圓劃片前貼膜的目的()o

A、保護(hù)晶圓正面的電路

B、使操作過(guò)程中晶圓不脫落、飛散

C、保證能夠準(zhǔn)確切割晶圓正面

D、固定晶圓位置

答案：A

58.下列芯片封裝形式與貼裝形式的對(duì)應(yīng)關(guān)系正確的是()o

A、QFP-直插式封裝

B、QFN-直插式封裝

C、SOP-貼片式封裝

D、DIP-貼片式封裝

答案：C

59.當(dāng)溫度升高時(shí)，半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力()。

A、增強(qiáng)

B、減弱

C、不變

D、不確定

答案：A

60.進(jìn)入車(chē)間前，如圖所示是在進(jìn)行()操作。

A、靜電檢測(cè)

B、啟動(dòng)檢測(cè)儀器

C、指紋驗(yàn)證

D、錄制語(yǔ)音信息

答案：A

61.圖不符號(hào)表ZF()。

D

一B

吟

S

A、N溝道耗盡型MOS管

B、N溝道增強(qiáng)型MOS管

C、P溝道耗盡型MOS管

D、P溝道增強(qiáng)型MOS管

答案：D

62.一般情況下，絕緣膠的醒料時(shí)間為()o

A、0.5~1小時(shí)

B、3~4小時(shí)

C、6~8小時(shí)

D、10~12小時(shí)

答案：B

63.LeadFrame是指()。

A、晶舟盒

B、劃片刀

C、晶圓貼片環(huán)

D、引線框架

答案：D

64.下面4張圖中，圖4的芯片的封裝形式是()。

答案：D

65.如圖為點(diǎn)膠頭外觀，其中②號(hào)點(diǎn)膠頭的規(guī)格為Oo

①②③④⑤⑥

A、18G

B、20G

C、22G

D、24G

答案：C

66.利用（）來(lái)實(shí)現(xiàn)IC芯片與封裝基板之間的粘貼，在陶瓷封裝中有廣泛的應(yīng)用。

A、共晶粘貼法

B、焊接粘貼法

C、導(dǎo)電膠粘貼法

D、玻璃膠粘貼法

答案：A

67.電流的符號(hào)是（）。

A、A

B、I

C、V

D、R

答案：B

68.砂輪的“目”是根據(jù)磨料的（）來(lái)劃分的。

A、材料

B、硬度

C、顆粒度

D、結(jié)合牢固性

答案:C

69.如圖為劃片后的晶圓外觀，該現(xiàn)象為（）。

A、正常

B、崩邊

C、劃傷

D、碎角

答案：B

70.對(duì)于晶圓減薄，需在晶圓（）貼膜。

A、正面

B、背面

C、邊緣

D、中間

答案：A

71.如圖為引線框架局部示意圖，其打凹深度是指()o

B、A與C兩點(diǎn)間的高度

C、B與C兩點(diǎn)間的距離

D、B與C兩點(diǎn)間的高度

答案：D

72.下列選項(xiàng)中的工序均屬于封裝前段工藝的是0o

A、晶圓劃片、引線鍵合、塑封、激光打字

B、晶圓貼膜、芯片粘接、激光打標(biāo)、去飛邊

C、晶圓貼膜、晶圓劃片、芯片粘接、引線鍵合

D、晶圓劃片、芯片粘接、塑封、去飛邊

答案：C

73.如圖TO分立器件為()。

A、T03

B、T092

C、T0220

D、T0237

答案：C

74.給PN結(jié)加正向偏置電壓會(huì)使PN結(jié)。。

A、變窄

B、變寬

C、不變

D、不確定

答案：A

75.下列選項(xiàng)中，晶圓減薄粗磨階段更適合選擇0的金剛石砂輪。

A、20#

B、80#

C、1000#

D、2500#

答案:B

76.封裝按材料分一般可分為塑料封裝、（）和陶瓷封裝等。

A、金屬封裝

B、橡膠封裝

C、實(shí)木封裝

D、DIP封裝

答案:A

77.保護(hù)膜是晶圓貼膜工序重要的原材料，針對(duì)UV膜類(lèi)型的保護(hù)膜，撕膜時(shí)，可

以照射適量（），能有效降低它的黏著力。

A、紅外線

B、太陽(yáng)光

C、激光

D、紫外線

答案：D

78.如圖所示的芯片，其管腳外型是（）。

A、翅型

B、直線型

C、J型

D、L型

答案：C

79.下列選項(xiàng)中，表示裝片工序的是（）。

A、WireBonding

B、Dicing

C、DieAttaching

D、Plating

答案：C

80.如圖TO分立器件為()。

A、T03

B、T092

C、T0220

D、T0237

答案：B

81.如下所示4幅圖中，()是引線框架盒。

A、圖1

B、圖2

C、圖3

D、圖4

答案：D

82.引線框架各部位中,外引線(ExternaHead)的功能是()。

A、作業(yè)時(shí)，起框架傳遞的作用

B、起到引導(dǎo)的作用(確保電鍍及打凹切斷的位置準(zhǔn)確性)

C、直接和電路板連接

D、便于封裝時(shí)剪切

答案：C

83.()這種粘接方式常用于塑料封裝。

A、環(huán)氧樹(shù)脂粘接法

B、絕緣膠粘接法

C、焊接粘接法

D、共晶粘接法

答案：A

84.等離子風(fēng)扇的功能是。。

A、消除周?chē)o電

B、消除灰塵

C、給作業(yè)人員降溫

D、提供壓力

答案：A

85.如圖設(shè)備為()o

A、清洗機(jī)

B、貼膜機(jī)

C、UV解膠機(jī)

D、光刻機(jī)

答案：C

86.下列不屬于銀漿作用的是()。

A、美化

B、固定

C、散熱

D、導(dǎo)電

答案：A

87.機(jī)械劃片過(guò)程中使用劃片刀進(jìn)行，()與晶圓切割道相互作用實(shí)現(xiàn)材料去除

A、磨削環(huán)

B、刀刃磨粒

C、墊片

D、激光束

答案：B

88.如圖為()的符號(hào)。

A、注意夾手

B、有電危險(xiǎn)

C、自燃物品

D、ESD

答案：D

89.芯片粘接工藝中，安裝銀漿時(shí)沒(méi)有鎖緊針筒固定座螺絲會(huì)造成()o

A、膠點(diǎn)偏移

B、膠點(diǎn)開(kāi)裂

C、膠點(diǎn)不固化

D、膠點(diǎn)大小不均勻

答案：D

90.銀漿配置時(shí),松香是作為()o

A、焊料

B、降低熔點(diǎn)的物質(zhì)

C、還原劑

D、溶劑

答案：C

91.下列表述中，更換貼膜機(jī)藍(lán)膜的流程正確的是（）o

A、檢查藍(lán)膜余量-取下滾軸-取下藍(lán)膜-更換新藍(lán)膜-裝滾軸-繞藍(lán)膜-準(zhǔn)備貼膜

B、檢查藍(lán)膜余量-取下藍(lán)膜-取下滾軸-更換新藍(lán)膜-繞藍(lán)膜-裝滾軸-準(zhǔn)備貼膜

C、取下滾軸-取下藍(lán)膜-更換新藍(lán)膜-繞藍(lán)膜-裝滾軸-檢查藍(lán)膜余量-準(zhǔn)備貼膜

D、取下滾軸-取下藍(lán)膜-檢查藍(lán)膜余量-更換新藍(lán)膜-裝滾軸-繞藍(lán)膜-準(zhǔn)備貼膜

答案：A

92.陶瓷無(wú)引線式載體（LCCC）、陶瓷針柵陣列封裝（CPGA）、有引線陶瓷片式

載體（LDCC）、陶瓷四邊引線扁平封裝（CQFP、CQFJ）等一般用于（）封裝。

A、集成電路

B、分立器件

C、光點(diǎn)器件

D、晶體管

答案：A

93.關(guān)于芯片粘接常見(jiàn)不良現(xiàn)象，下列哪一張圖片顯示的是芯片裝歪的問(wèn)題。（）

圖3圖4

A、圖1

B、圖2

C、圖3

D、圖4

答案：B

94.銀漿需要安裝在圖中的哪個(gè)區(qū)域。

95.裝片機(jī)運(yùn)行時(shí)，操作員領(lǐng)取點(diǎn)膠頭必須遵守。的原則，方便點(diǎn)膠頭的管理。

A、每周一次

B、每月一次

C、以一換一

D、多設(shè)備共用一個(gè)

答案：C

96.下面4張圖中，圖1的芯片的封裝形式是()o

圖3

A、圖1

B、圖2

C、圖3

D、圖4

答案：C

98.尺寸參數(shù)換算：100miI=()mm。

A、2.54

B、3.81

C、4.82

D、5.00

答案：A

99.()主要用來(lái)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的傳遞和處理，如擴(kuò)音機(jī)和電視機(jī)電路等。

A、電力電路

B、信號(hào)電路

C、直流電路

D、交流電路

答案：B

100.引線框架規(guī)格UDIP20(150x190)n,其“20”表示()。

A、Type

B、Lead

C、PadSize

D、Length

答案：B

101.根據(jù)隨件單，本次裝片作業(yè)需要領(lǐng)取的晶圓物料是（）。

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A、74HC138-LT001

B、74HC138-LT004

C、FD152Y47-LT001

D、FD152Y47-LT004

答案：C

102.切割時(shí)一般將X方向稱為CH1,Y方向稱為CH2,按照晶圓為單位進(jìn)行步進(jìn)

設(shè)置時(shí),步進(jìn)的計(jì)算方式為（），單位：mm。

A、CH1步進(jìn)二（CH1面芯片尺寸+切割道寬度）*（CH1面切割道數(shù)量7）

B、CH2步進(jìn)二（CH1面芯片尺寸+切割道寬度）*（CH1面切割道數(shù)量7）

C、X步進(jìn)二單顆芯片尺寸（X）+切割道寬度

D、X步進(jìn)二單顆芯片尺寸（Y）+切割道寬度

答案：A

103.如o圖為某劃片機(jī)界面，從參數(shù)信息可知，本次作業(yè)晶圓厚度為（）。

空

BWtOOUCDOR/WFOlS2YHF-1W<02

s同

A、250|1m

B、250mm

C、200um

D、200mm

答案：A

104.如圖為某劃片機(jī)界面，從參數(shù)信息可知，本次作業(yè)晶圓為()英寸。

A、4

B、6

C、8

D、12

答案：C

105.裝片機(jī)的芯片編程過(guò)程中，點(diǎn)擊右側(cè)欄中的()鍵，芯片自動(dòng)校正位置。

AvEpoxy

B、SrchDie

C、BondHead

D、Exit

答案：B

106.如圖為某劃片機(jī)界面，可通過(guò)()處的按鍵來(lái)放大圖像。

④

A、①

B、②

C、③

D、④

答案：C

107.請(qǐng)從下列設(shè)備中選出裝片機(jī)。（）

A、①

B、②

C、③

D、④

E、⑤

F、⑥

答案：E

108.裝片機(jī)調(diào)取引線框架與料盒程序時(shí)，選擇文件后需要點(diǎn)擊。按鍵，程序就

會(huì)自動(dòng)加載。

AxCopyPackage

BvLoadPackage

C、SavePackage

D、DeletePackage

答案：B

109.某批次作業(yè)的晶圓切割道寬度為60um,更適合選擇如下刀片厚度為（）的

劃片刀。

A、20Jim

B、50nm

C、60口m

D、100|Jm

答案：A

110.裝片后進(jìn)行外觀檢查時(shí)，圖中箭頭所指的不良現(xiàn)象是（）o

A、支架生銹、沾污

B、缺（崩）角

C、碎片

D、銀膠膠量不足

答案：B

111.進(jìn)行芯片粘接工序的檢驗(yàn)操作時(shí)，下列選項(xiàng)中不屬于材料不符的是。。

A、芯片方向與鍵合圖不一致

B、芯片型號(hào)與隨件單不一致

C、引線框架與產(chǎn)品不一致

D、焊料與隨件單不一致

答案：A

112.如圖為某劃片機(jī)顯示界面，放置晶圓后應(yīng)點(diǎn)擊（）鍵開(kāi)啟真空。

A、①

B、②

C、③

D、④

答案:B

113.裝片機(jī)的焊接設(shè)置界面可以通過(guò)點(diǎn)擊（）按鈕進(jìn)入。

A、BondingProcess

B、WorkHolderPR

C、IndexingProcess

D、WaferPR

答案：A

114.劃片機(jī)的載臺(tái)進(jìn)給速度是指。。

A、晶圓旋轉(zhuǎn)的速度，也就是載臺(tái)的轉(zhuǎn)速

B、劃片刀的刀刃厚度

C、晶圓切割時(shí)，水平方向上移動(dòng)的速度

D、主軸旋轉(zhuǎn)的速度

答案：C

115.粗磨去除量是指0o

A、原始厚度-粗磨目標(biāo)厚度

B、粗磨目標(biāo)厚度-精磨目標(biāo)厚度

C、原始厚度-精磨目標(biāo)厚度

D、精磨目標(biāo)厚度-粗磨目標(biāo)厚度

答案：A

116.如圖為某封裝工藝單的局部信息，該批產(chǎn)品使用的點(diǎn)膠頭是。。

劃片參考1266B點(diǎn)膠嘴:

.粘片注意：若來(lái)料有果點(diǎn)，點(diǎn)掉邊緣不完（藍(lán)/蘭色）

特殊工藝10.42

整管芯及鋁差芯片上芯：

要求

2.切筋注意：切筋用ESSOP10專用備件加_E,芯片尺寸：

并技術(shù)員確認(rèn)，新站高，用5技mm白管子。1.42*1.07

點(diǎn)

放

頭

(

嘴

)

A、①

B、②

C、③

D、④

E、⑤

答案：B

117.下列不屬于裝片機(jī)日常維護(hù)項(xiàng)的是()o

A、檢查設(shè)備的各個(gè)運(yùn)動(dòng)部分的平滑程度，確認(rèn)是否有異常

B、檢查各路氣管是否有松脫或破損，及時(shí)加固或更換

C、檢查控制面板上的各操作按鈕，如果出現(xiàn)故障要及時(shí)更換

D、檢查刀架的緊固情況，若有松動(dòng)需及時(shí)緊固處理

答案：D

118.請(qǐng)從下列設(shè)備中選出貼膜機(jī)。()

C、③

D、④

E、⑤

F、⑥

答案：D

119.減薄時(shí)出現(xiàn)如圖現(xiàn)象，該異常為（），該晶圓（）處理。

A、劃傷，繼續(xù)生產(chǎn)

B、劃傷，剔除

C、裂片，繼續(xù)生產(chǎn)

D、裂片,剔除

答案：D

120.劃片作業(yè)完成后，晶圓放入（），即待裝片的物料儲(chǔ)存位。

圖3圖4

A、圖1

B、圖2

C、圖3

D、圖4

答案：B

121.如圖為()界面。

A、減薄機(jī)生產(chǎn)界面

B、劃片對(duì)刀界面

C、劃片機(jī)生產(chǎn)界面

D、減薄機(jī)故障報(bào)警界面

答案：C

122.劃片時(shí)出現(xiàn)圖示現(xiàn)象，下列選項(xiàng)的原因中可能會(huì)導(dǎo)致該現(xiàn)象的是。。

A、對(duì)刀錯(cuò)誤

B、劃片刀磨損

C、載片臺(tái)上有灰塵

D、未貼膜

答案：B

123.請(qǐng)從下列選項(xiàng)中，選擇正確的裝片機(jī)調(diào)取引線框架與料盒程序時(shí)的按鍵順序。

()

A、DataSetup->Setup-*PackageFiIe

B、PackageFiIe-*DataSetup->Setup

C、DataSetup->PackageFile->Setup

D、Setup->DataSetup->PackageFiIe

答案：D

124.劃片刀一般采用目數(shù)為()。

A、46#200#

B、300#~600#

C、800^1500#

D、2000#~4000#

答案：D

125.芯片貼裝時(shí)，切換至（）界面可以控制設(shè)備的運(yùn)行和暫停。

A、WaferPR

B、Setup

C、Bond

D、BondingProcess

答案：C

126.如圖為（）封裝形式裝架后的圖像。

A、T0

B、SOP

C、DIP

D、QFN

答案：A

127.裝片后進(jìn)行外觀檢查時(shí)，如圖視角中的不良現(xiàn)象是（）o

A、支架生銹、沾污

B、缺（崩）角

C、碎片

D、銀膠膠量不足

答案：A

128.芯片粘接的裝料過(guò)程中，哪一步是需要參照鍵合圖的。（）

A、裝引線框架

B、裝引線框架盒

C、安裝銀漿

D、裝晶圓花籃

答案：A

129.裝片后進(jìn)行外觀檢查時(shí)，如圖不良現(xiàn)象為（）。

A、芯片傾斜

B、框架變形

C、焊料氧化

D、框架鍍銀區(qū)域氧化

答案：D

130.裝片后進(jìn)行外觀檢查時(shí)，圖中箭頭所指的不良現(xiàn)象是。。

A、支架生銹、沾污

B、缺（崩）角

C、碎片

D、銀膠膠量不足

答案：D

131.如圖，進(jìn)入的是0車(chē)間。

A、晶圓測(cè)試

B、封裝前段

C、封裝后段

D、成品測(cè)試

答案：B

132.減薄機(jī)的砂輪軸向進(jìn)給速度是指()。

A、砂輪旋轉(zhuǎn)的速度，一般以每分鐘所轉(zhuǎn)圈數(shù)表示

B、砂輪按旋轉(zhuǎn)軸的方向，向下移動(dòng)的速度

C、晶圓旋轉(zhuǎn)的速度，也就是載臺(tái)的轉(zhuǎn)速

D、晶圓每轉(zhuǎn)一圈去除的硅厚度

答案：B

133.裝片機(jī)安裝完銀漿后，點(diǎn)擊()可以確認(rèn)完成，退回銀漿模組。

A、Bond

Setup

C、Confirm

D、Autobond

答案：C

134.下圖為某減薄機(jī)的操作盤(pán)(局部)示意圖，若需要暫停運(yùn)行中的減薄機(jī)應(yīng)按

O按鍵。

①②③

._____________________1

A、①

B、②

C、③

D、④

答案：A

135.下列情況比較可能會(huì)導(dǎo)致晶圓減薄過(guò)程中碎片的是()o

A、磨頭尺寸不對(duì)

B、磨頭目數(shù)大

C、晶圓正面沒(méi)有貼膜

D、作業(yè)參數(shù)設(shè)置不良

答案：D

多選題

1.在使用導(dǎo)電膠工藝過(guò)程中，由于芯片放置不當(dāng)會(huì)導(dǎo)致()0

A、空洞造成高應(yīng)力

B、環(huán)氧黏著在引腳上造成搭橋現(xiàn)象，引起內(nèi)連接問(wèn)題

C、在引線鍵合時(shí)造成框架翹曲

D、引線鍵合的生產(chǎn)率降低，成品率下降

答案：ABCD

2.下列說(shuō)法中正確的有()。

A、作業(yè)人員作業(yè)前必須進(jìn)行安全教育，防止其不清楚現(xiàn)場(chǎng)危險(xiǎn)狀況

B、要經(jīng)常保持設(shè)備內(nèi)部的清潔，不得一直敞開(kāi)

C、潔凈車(chē)間內(nèi)可以攜帶餐巾紙和食物

D、戴發(fā)罩時(shí)，若女生頭發(fā)較長(zhǎng)，允許露出一部分頭發(fā)在外部

答案：AB

3.常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料有()

A、硅

B、碳

C、錯(cuò)

D、錢(qián)

答案：AC

4.晶圓減薄后，晶圓可能出現(xiàn)的質(zhì)量問(wèn)題有()。

A、厚度不均勻

B、厚度未達(dá)到要求

C、劃痕

D、裂片

答案：ABCD

5.對(duì)于芯片外觀，裝架后要求（）。

A、芯片電極清晰

B、表面無(wú)損傷

C、背部需有藍(lán)膜殘留

D、無(wú)斜片、倒片等現(xiàn)象

答案：ABD

6.合格的晶圓貼膜應(yīng)滿足以下要求（）o

A、平整

B、無(wú)污點(diǎn)

C、無(wú)氣泡

D、無(wú)毛邊

答案：ABCD

7.從顯微鏡下觀察，裝架合格的芯片（）。

A、電極清晰完整

B、芯片表面無(wú)損傷

C、芯片表面無(wú)粘膠

D、芯片背面無(wú)藍(lán)膜殘余

答案：ABCD

8.下列關(guān)于導(dǎo)電膠在使用過(guò)程中可能會(huì)產(chǎn)生的問(wèn)題描述正確的是（）。

A、高溫存儲(chǔ)時(shí)的短期降解

B、界面處形成空洞會(huì)引起芯片的開(kāi)裂

C、空洞處的電阻會(huì)造成局部溫度升高

D、吸潮性導(dǎo)致模塊開(kāi)裂

答案:BD

9.芯片粘接領(lǐng)取框架、吸嘴等物料后，需要確認(rèn)的內(nèi)容有（）。

A、晶圓是否裂片

B、引線框架的表面質(zhì)量

C、點(diǎn)膠頭規(guī)格、質(zhì)量

D、芯片吸嘴尺寸

答案：BCD

10.芯片粘接的晶圓在領(lǐng)料時(shí)應(yīng)與隨件單進(jìn)行以下幾方面的確認(rèn)：（）。

A、產(chǎn)品名稱

B、數(shù)量

C、鍵合線材料

D、批號(hào)

答案：ABD

11.下列屬于點(diǎn)膠頭的計(jì)頭形狀的是（）。

A、矩形：X型

B、矩形：雙Y型

C、菱形

D、圓形

答案：ABD

12.集成電路芯片封裝實(shí)現(xiàn)的主要功能有()。

A、電能傳輸

B、信號(hào)傳輸

C、散熱

D、結(jié)構(gòu)保護(hù)與支撐

答案：ABCD

13.封裝工藝中，在塑封體上進(jìn)行激光打字時(shí)，打標(biāo)內(nèi)容可以有。。

A\產(chǎn)品名稱

B、產(chǎn)品使用說(shuō)明

C、生產(chǎn)批次

D、商標(biāo)

答案：ACD

14.在進(jìn)行芯片的推力測(cè)試時(shí)，以下那種情況可以認(rèn)定為質(zhì)量不合格？()

A、芯片斷裂，此時(shí)的推力值大于最小值

B、芯片被推起，此時(shí)的推力值小于最小值

C、芯片和銀膠被推起，此時(shí)的推力值大于芯片被推起的最小值

D、芯片和銀膠被推起，此時(shí)的推力值小于芯片被推起的最小值

答案：BCD

15.劃片的方法常有下列幾種()o

A、金剛刀

B、砂輪

C、激光

D、橫向拉力

答案：ABC

16.如下選項(xiàng)中，屬于銀漿配置時(shí)所需的材料有0o

A、氧化物

B、氧化銀

C、松香

D、松節(jié)油

答案：ABCD

17.本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電性很差，只有在硅片中加入少量雜質(zhì)，使其結(jié)構(gòu)和電導(dǎo)率

發(fā)生改變，才能成為一個(gè)有用的半導(dǎo)體，這個(gè)過(guò)程叫做摻雜。摻雜通常有哪些摻

雜方式？()

A、離子注入

B、熱氧化

C、擴(kuò)散

D、淀積

答案：AC

18.四邊扁平封裝引腳中心距有()等規(guī)格。

A、0.4

B、0.65

C、1.0

D、2.0

答案：ABC

19.自動(dòng)裝片機(jī)進(jìn)行日常的維護(hù)保養(yǎng)時(shí)，以下選項(xiàng)中哪些部件需要清洗？。

A、膠盤(pán)

B、吸嘴

C、頂針

D、點(diǎn)膠頭

答案：ABCD

20.芯片粘接作業(yè)時(shí)，以下哪些情況需要進(jìn)行首檢？（）

A、更換品種或人員

B、開(kāi)班前

C、停機(jī)超過(guò)規(guī)定時(shí)間

D、作業(yè)時(shí)的補(bǔ)料后

答案：ABC

21.下列屬于表面貼裝型芯片的有（）o

A、PGA

B、S0P

C、QFP

D、DIP

答案：BC

22.下列屬于封裝后道工序的有（）。

A、引線鍵合

B、電鍍

C、芯片粘接

D、激光打標(biāo)

答案：BD

23.晶圓背面減薄工藝對(duì)表面光潔度沒(méi)有像正面拋光要求那么嚴(yán)格，它的技術(shù)難

點(diǎn)是精確地控制晶圓的()。

A、厚度

B、均勻度

C、潔凈度

D、平行度

答案：ABD

24.以下屬于裝架時(shí)的異常情況的有()0

A、首檢不合格

B、來(lái)料框架變形、發(fā)黃

C、芯片推力不合格

D、鍵合線拉力不合格

答案：ABC

25.銀漿固化性能包括()o

A、點(diǎn)膠位置應(yīng)在芯片座中央

B、獲得固化所需的溫度和時(shí)間

C、固化后需要一定粘結(jié)強(qiáng)度和僅可能小的收縮率，以減少應(yīng)力產(chǎn)生

D、固化時(shí)不應(yīng)有氣體放出，避免產(chǎn)生針孔

答案：BCD

26.芯片粘接工序中涉及的工具或材料有。。

A、點(diǎn)膠頭

B、空引線框架

C、銀漿

D、引線框架盒

答案：ABCD

27.共晶粘貼法中的預(yù)型片為純金材料時(shí)，優(yōu)點(diǎn)包括()。

A、不發(fā)生氧化反應(yīng)

B、減少了磨除氧化層的步驟

C、較低溫度就能形成共晶粘貼

D、成本低

答案：AB

28.下列選項(xiàng)中，()屬于“8S管理”的內(nèi)容。

Av整頓

B、清潔

C、素養(yǎng)

D、安全

答案：ABCD

29.下列說(shuō)法正確的有()o

A、操作人員無(wú)法處理的設(shè)備問(wèn)題，需要請(qǐng)調(diào)機(jī)人員或設(shè)備維護(hù)人員處理

B、電源插座、電熱源周邊不可堆放易燃易爆品

C、銀膠沾到皮膚無(wú)需清洗

D、框架送入高溫烘箱時(shí)，需佩戴好防護(hù)手套，避免燙傷

答案：ABD

30.崩邊晶圓劃片時(shí)比較常見(jiàn)的異常現(xiàn)象，包括0等

A、正崩

B、背崩

C、掉角

D、裂痕

答案：ABCD

31.烘箱清潔時(shí)，需要清洗烘箱的（）等部位。

A、內(nèi)壁

B、支撐架

C、進(jìn)/出氣孔

D、圖溫手套

答案：ABC

32.下列關(guān)于劃片的表述，正確的有0o

A、劃片機(jī)運(yùn)行過(guò)程中，切割路徑和切割通道可以不重合

B、激光切割后，必須配合機(jī)械切割做進(jìn)一步處理

C、機(jī)械劃片常用的圓形砂輪刀，是一種很薄的、刃口有金剛石顆粒的砂輪刀片

D、劃片機(jī)的對(duì)刀界面中，屏幕圖像中間的綠線為法線（即基準(zhǔn)線）

答案：CD

33.晶圓貼膜遇見(jiàn)哪些情況時(shí)需要重新貼膜，以保證貼膜正常。（）

A、晶圓劃傷

B、貼膜氣泡

C、藍(lán)膜起皺

D、藍(lán)膜破損

答案:BCD

34.芯片粘接工序常見(jiàn)的芯片廢棄情況有。。

A、污染

B、錯(cuò)位

C、缺失

D、堆疊

答案：ABCD

35.DIP封裝的特點(diǎn)有()

A、合適在PCB上穿孔焊接，操作便利

B、適合高頻運(yùn)用

C、由于芯片面積與封裝面積之間的比值較大，故體積也較大

D、芯片面積與封裝面積非常相近

答案：AC

36.操作員在每批次裝架作業(yè)前需檢查投料芯片是否與領(lǐng)料信息一致，包括()

等。

A、產(chǎn)品名稱

B、產(chǎn)品批號(hào)

C、數(shù)量

D、作業(yè)時(shí)長(zhǎng)

答案：ABC

37.焊接粘貼法所使用的材料可以區(qū)分為硬質(zhì)焊料與軟質(zhì)焊料兩大類(lèi)，下列屬于

硬質(zhì)焊料的有（）。

A、鉛-錫

B、金-硅

C、金-錫

D、鉛-銀-錮

答案:BC

38.按照引腳分布形態(tài)區(qū)分，封裝元器件有（）。

A、單邊引腳

B、雙邊引腳

G四邊引腳

D、底部引腳

答案：ABCD

39.芯片粘接時(shí)，質(zhì)量合格的點(diǎn)膠要求有（）。

A、芯片表面潔凈

B、芯片底部膠質(zhì)地均勻

C、膠有明顯顆粒

D、無(wú)膠高低不均現(xiàn)象

答案：ABD

40.在導(dǎo)電膠粘貼法中，使用自動(dòng)裝片機(jī)將芯片精準(zhǔn)放置到焊盤(pán)的黏著劑上時(shí)，

對(duì)于大芯片，誤差應(yīng)小于0Um,角誤差小于0度。

A、25

B、2

C、10

D、0.3

答案:AD

判斷題

1.切割不同的晶圓時(shí)要根據(jù)實(shí)際情況更換不同型號(hào)的劃片刀。

Av正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

2.芯片粘接時(shí)，芯片應(yīng)位于粘結(jié)膠的中心位置，芯片必須四面包膠。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

3.引線框架未裝料到設(shè)備上時(shí)，允許徒手接觸其表面。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

4.擦拭設(shè)備時(shí)，應(yīng)使用干凈的餐巾紙。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

5.在電路中任意兩點(diǎn)之間的電位差稱為這兩點(diǎn)的電壓。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

6.劃片作業(yè)結(jié)束后，晶圓表面的藍(lán)膜或UV膜無(wú)需去除，結(jié)批后放到對(duì)應(yīng)位置。

Av正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

7.裝架后制品進(jìn)行高溫固化，烘烤結(jié)束需冷卻一段時(shí)間，再取出制品。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

8.常規(guī)的晶圓花籃有25個(gè)晶圓槽，可以對(duì)應(yīng)25片晶圓。

Av正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

9.導(dǎo)電膠領(lǐng)取后，需要在常溫下行醒料后方可投入使用。

A^正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

10.芯片裝架作業(yè)時(shí)，首檢通過(guò)后方可繼續(xù)批量生產(chǎn)。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

11.封裝架使用的、未過(guò)期失效的導(dǎo)電膠，在不用時(shí)也應(yīng)及時(shí)送入冰箱貯存。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

12.晶圓減薄后測(cè)量厚度，測(cè)量時(shí)通常會(huì)在晶圓上選取幾個(gè)采樣點(diǎn)。

Av正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

13.減薄過(guò)程中，磨削砂輪的轉(zhuǎn)速越大越好，可以提高晶圓平整度和工作效率。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

14.減薄作業(yè)結(jié)束后，晶圓表面的藍(lán)膜或UV膜無(wú)需去除，直接將物料回庫(kù)后放至

待劃片氮?dú)夤裰小?/p>

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

15.UV照射機(jī)作業(yè)過(guò)程中，允許強(qiáng)行打開(kāi)機(jī)頂蓋。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

16.芯片粘接時(shí)，對(duì)于鉆接膠同時(shí)使用了導(dǎo)電膠和絕緣膠的產(chǎn)品，必須先裝架粘

接膠為絕緣膠的芯片，并在烘烤之后繼續(xù)裝架粘接膠為導(dǎo)電膠的芯片。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

解析：粘接膠同時(shí)使用了導(dǎo)電膠和絕緣膠的產(chǎn)品，必須先裝架粘接膠為導(dǎo)電膠的

芯片，并在烘烤之后繼續(xù)裝架粘接膠為絕緣膠的芯片。

17.導(dǎo)電銀膏價(jià)格低，常用于民用小功率的器件和電路中，它適用于不同的固化

溫度和固化條件。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

18.裝片機(jī)取芯過(guò)程中，會(huì)吸取每一顆芯片，對(duì)于不合格的芯片，會(huì)利用吸嘴放

置在不合格的相關(guān)區(qū)域。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

19.芯片粘接時(shí)，點(diǎn)膠頭越大越好，可以使粘接牢固。

Ax正確

B、錯(cuò)誤

答案:B

20.導(dǎo)電膠粘貼法去除有機(jī)成分和溶劑需要完全，否則易對(duì)封裝結(jié)構(gòu)及其可靠性

有損害。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

21.薄型四邊扁平封裝(TQFP)封裝體厚度一般為2.0~3.6mm

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

22.芯片粘接作業(yè)時(shí)，點(diǎn)膠頭只要沒(méi)有損壞，就可以一直使用。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

23.GaAs場(chǎng)效應(yīng)晶體管的芯片燒結(jié)通常用金錫共晶焊料片，為防止金中錫的氧化,

必須在純氮保護(hù)氣氛下加熱操作。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

24.晶圓貼膜是在晶圓表面貼上保護(hù)膜的過(guò)程，主要應(yīng)用于固晶和鍵合環(huán)節(jié)。

Ax正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

25.生產(chǎn)時(shí)，一般先由設(shè)備人員改機(jī)并調(diào)試好設(shè)備，再交付給產(chǎn)線，有操作人員

進(jìn)行批量生產(chǎn)。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

26.芯片的推力測(cè)試只需通過(guò)顯微鏡即可完成。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

27.絕緣膠的存放溫度較低，其取出后需要在50℃條件下行醒料。

Av正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

解析：常溫下醒料。

28.在點(diǎn)膠過(guò)程中，當(dāng)引線框架的芯片座大小相差不大時(shí)，可選用相同點(diǎn)膠頭。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

29.封裝工藝中，電鍍是為了防止晶圓生銹或受到其他污染。

Ax正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

30.芯片粘接生產(chǎn)時(shí)，剛開(kāi)始作業(yè)操作員需要對(duì)裝架后的制品進(jìn)行檢查，假設(shè)檢

查了20顆，只有1顆裝架不合格，則可以繼續(xù)生產(chǎn)。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

解析：檢查有問(wèn)題時(shí)，需要反饋、確認(rèn)，處理正常后方可繼續(xù)生產(chǎn)。

31.使用顯微鏡時(shí)，應(yīng)用小倍數(shù)鏡頭開(kāi)始調(diào)整，然后換成大倍數(shù)鏡頭

Av正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

32.芯片不用時(shí)，應(yīng)及時(shí)放入氮?dú)夤駜?nèi)妥善保存。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

33.在恒溫控制中，熱偶短路，顯示為超溫。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

34.清理工作臺(tái)面時(shí)，需要使用干凈的無(wú)塵布擦拭。

Ax正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

35.工具、物品、及文件須放置規(guī)定區(qū)域，不可任意擺放。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

36.集成電路設(shè)計(jì)、制造、封裝與測(cè)試都屬于集成電路產(chǎn)業(yè)鏈中的環(huán)節(jié)。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

37.UV膜的粘性主要受溫度的影響。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

38.當(dāng)機(jī)臺(tái)運(yùn)行時(shí)，禁上身體的任何部位進(jìn)入設(shè)備運(yùn)行機(jī)構(gòu)的活動(dòng)區(qū)域以防止意

外的發(fā)生。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

39.氮?dú)夤裰型ㄟ^(guò)氮?dú)饪刂破溲鹾浚耋w內(nèi)保持一定的溫濕度，可以保護(hù)存儲(chǔ)

在其中的晶圓。

Ax正確

B、錯(cuò)誤

答案:A

40.劃片前貼膜時(shí)，覆膜完成，操作人員沿著晶圓邊緣將藍(lán)膜切斷。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

41.芯片粘接作業(yè)時(shí)，每次更換粘接膠的種類(lèi)或是型號(hào)，必須進(jìn)行點(diǎn)膠頭的清洗。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

42.QFP是一種無(wú)引腳封裝，呈正方形或矩形，封裝四周配有電極觸點(diǎn)。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

43.使用顯微鏡時(shí)，直接用大倍數(shù)鏡頭觀察

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案:B

44.激光劃片屬于非接觸式切割，對(duì)晶圓表面的影響較小。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案:A

45.在導(dǎo)電膠粘貼工藝中，銀漿可以實(shí)現(xiàn)芯片在引線框架上的固定，使用之前需

要回溫，除去氣泡。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

46.集成電路是將一些常用的電子元器件，比如說(shuō)電阻、電容、晶體管等，以及

它們之間的布線，通過(guò)半導(dǎo)體工藝集成在一起，形成的一個(gè)具有特定功能電珞的

微型電子器件。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

47.芯片粘接后檢查，發(fā)現(xiàn)管芯的定向和定位不符合裝配圖時(shí)，判斷該管芯的方

位不合格。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

48.利用靜電測(cè)試儀進(jìn)行防靜電點(diǎn)檢時(shí)，雙腳需要站立在儀器指定的站立區(qū)域。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

49.光刻是指用化學(xué)或物理的方法，將晶圓表面上淀積的各種絕緣介質(zhì)膜、金屬

薄膜等按照掩膜版的圖形結(jié)構(gòu)選擇性的去除，以便形成各種器件結(jié)構(gòu)和電路互連。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

50.對(duì)于半自動(dòng)貼膜機(jī)，在放置晶圓貼片環(huán)時(shí)，需要使其定位缺口與貼膜盤(pán)的定

位釘一致。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

51.根據(jù)芯片大小選擇單PIN或多PIN頂針，單PIN頂針應(yīng)用于較小的芯片尺寸；

多PIN頂針應(yīng)用于較大的芯片尺寸。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

52.如圖所示的磨輪，其磨削環(huán)包含了結(jié)合劑和磨料。

Ax正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

53.劃片刀需要定期磨刀或換刀，保證劃片質(zhì)量。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

54.生產(chǎn)時(shí)，操作員從物料區(qū)隨機(jī)領(lǐng)取物料進(jìn)行作業(yè)即可。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

55.料盒在傳送過(guò)程中要平拿平放，避免引線框架滑落或使芯片傾斜。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

56.銀漿燒結(jié)是一種流傳較廣的方法，它適用于大功率晶體管。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

57.在恒溫控制中，熱偶斷了，顯示為超溫。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

58.為了提高效率，可以一次性取出多個(gè)批次的框架。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

59.減薄作業(yè)過(guò)程中，當(dāng)操作員發(fā)現(xiàn)減薄參數(shù)有問(wèn)題時(shí)，可以直接通過(guò)顯示界面

進(jìn)行修改。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

60.對(duì)于窄切割道一般是盡可能選擇最薄的刀片。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

61.為提高效率，磨削深度越大越好。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

62.芯片粘接工序時(shí)，核對(duì)物料和隨件單信息一致需要通過(guò)顯微鏡檢查。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

63.一般情況下，同一產(chǎn)品作業(yè)時(shí)不會(huì)更改劃片刀型號(hào)，但如果更換了不同外徑

的劃片刀，必須保持原來(lái)的轉(zhuǎn)速，以保證切割質(zhì)量及穩(wěn)定性。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

64.減薄機(jī)砂輪轉(zhuǎn)速的單位一般為um/min

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

65.如圖為某裝片機(jī)的界面局部視圖，根據(jù)產(chǎn)品型號(hào)，裝片位置原則上不能超出

紅線區(qū)域（特殊工藝除外）。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

66,軟刀是一種圓形薄片的砂輪刀。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

67.軟刀安裝時(shí)，無(wú)需刀盤(pán)即可直接安裝在劃片機(jī)上。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

68.切割道寬度是劃片刀厚度選擇依據(jù)之一。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

69.在相同轉(zhuǎn)速下，劃片刀外徑不同，外圓線速度也是不同的。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

填空題

1.操作人員進(jìn)入劃片作業(yè)的車(chē)間，如下圖是其換好衣服的狀態(tài)，著裝是否正確?

()(填寫(xiě)“正確”或“不正確”)

答案：正確

2.一般情況下，整個(gè)劃片生產(chǎn)過(guò)程會(huì)用到以下哪些設(shè)備？()(填寫(xiě)大寫(xiě)英文字

母,如“ABC”)

答案:ACDFG

3.進(jìn)行晶圓厚度測(cè)量時(shí)，測(cè)厚儀的顯示數(shù)值如圖，假設(shè)UV膜厚度為70um,則

此時(shí)的晶圓厚度為()limo

答案：250

4.識(shí)讀流程卡，F(xiàn)D152Y47整批次中的物料數(shù)量有()只。

IC封爰工藝流程卡lllllllllllllllll

產(chǎn)B名徐，帽「；困匕費(fèi)入時(shí)間?

力婪世號(hào)，折分K號(hào)，JJHJL分批片號(hào)，

客戶代科，封袋形式，1'隘密卡■，R

*科是量，家科片嵌，批

&■?:

“黑工藝&■b「』'晶門(mén),力用$彳？MMV■

?泉

2,M?咽X寶sor16《?脩）HWHK?

1.73tl.41BB

答案：69238

5.如圖為某型號(hào)減薄機(jī),欲使其上料區(qū)的花籃1、降應(yīng)按紅框中的。按鍵。

^iu9■

A■

二￡O

■1.

緊急制動(dòng)

答案：DOWN

6.如圖為晶圓外觀示意圖，晶圓正面為（）o（填寫(xiě)大寫(xiě)英文字母）

答案：A項(xiàng)

7.如圖為貼膜不良，該不良現(xiàn)象是UV膜（）。

答案：褶皺

8.減薄準(zhǔn)備時(shí)，下列物料中需要在減薄機(jī)裝料的是()o(填寫(xiě)大寫(xiě)英文字母,

答案：AE

9.本次作業(yè)鍵合圖如下左圖，檢查右圖裝片情況，可知該裝片是否合格。0(填

寫(xiě)“合格”或“不合格”)

答案：合格

10.操作人員更換著裝后進(jìn)行靜電檢測(cè)，如圖為靜電檢測(cè)儀的界面顯示，表示該

人員靜電檢測(cè)是否通過(guò)？（）（填寫(xiě)“通過(guò)”或“不通過(guò)”）

山ID352104015

答案：通過(guò)

11.如圖為貼膜不良，該不良現(xiàn)象是UV膜。。

答案：破損

12.核對(duì)下圖中晶圓實(shí)物信息和隨件單信息，判斷信息是否一致。()(填寫(xiě)“一

致”或“不一致”)

答案：一致

13.如圖所示為某產(chǎn)品封裝時(shí)的工藝流程卡，根據(jù)該批次產(chǎn)品的數(shù)量和引線框架

規(guī)格可知，本次作業(yè)需使用(