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文檔簡介
第二章邏輯代數(shù)理論與電路實現(xiàn)2.2邏輯運算的電路實現(xiàn)
主講人:黃麗亞=AB一、二極管構成的門電路假設二極管為理想二極管0V邏輯03V邏輯13V0ABF12V=A+B3V0ABF二極管與門電路二極管或門電路二、三極管開關特性(1)截止條件:e結反偏,c結反偏(2)飽和條件:e結正偏,c結正偏;
在數(shù)字電路中,只利用截止區(qū)(關態(tài))和飽和區(qū)(開態(tài))。二、三極管開關特性2.2.1MOS管的開關特性SGDN+N+P型硅襯底絕緣層(SiO2)襯底引線B半導體金屬電極N溝道增強型MOSFET結構示意圖(EnhancementNMOSFET)iD0uDSUGS=6V截止區(qū)4V3V2V5V可變電阻區(qū)恒流區(qū)區(qū)穿擊2.2.1MOS管的開關特性MOS管導通MOS管截止截止區(qū):靠近源極S和漏極D處的溝道均夾斷??勺冸娮鑵^(qū):靠近源極S和漏極D的溝道均未夾斷恒流區(qū):靠近源極S處溝道未夾斷,漏極D處夾斷SGDiD0uDSUGS=6V截止區(qū)4V3V2V5V可變電阻區(qū)恒流區(qū)區(qū)穿擊2
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