AI應(yīng)用側(cè)深度滲透驅(qū)動國產(chǎn)先進封裝技術(shù)尋求突破

l效率提升≠需求下降：本質(zhì)上，算法優(yōu)化并非削弱算力產(chǎn)業(yè)重構(gòu)需求結(jié)構(gòu)打開更大市場空間——從集中式訓(xùn)練向分布式推理延展，從通部存儲器之間高效傳輸，嚴重制約了AI請務(wù)必仔細閱讀本報告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-1-請務(wù)必仔細閱讀本報告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-2-DeepSeek從模型的輸入處理階段到計算階段再到模型的輸出階策略使推理階段復(fù)雜度從0(n2)降至0(n)，大幅減少冗余計算。KV緩存快速存取，以及更強的并行計算能力處理動態(tài)增請務(wù)必仔細閱讀本報告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-3-），請務(wù)必仔細閱讀本報告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-4-圖表2:MHAvsGQAvsMQAvsMLA著降低計算負載:），請務(wù)必仔細閱讀本報告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-5-l反向傳播：梯度更新僅作用于被激活的專家及路由網(wǎng)絡(luò)，參關(guān)，長文本處理效率提升3-5倍片請務(wù)必仔細閱讀本報告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-6-405B-InstArchitecture圖表4:MoE基礎(chǔ)架構(gòu)請務(wù)必仔細閱讀本報告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-7-圖表5:共享專家+無額外損耗負載均衡策略請務(wù)必仔細閱讀本報告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-8-請務(wù)必仔細閱讀本報告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-9-請務(wù)必仔細閱讀本報告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-10-請務(wù)必仔細閱讀本報告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-11-圖表7:DeepSeekR1Zero推理能力顯著提升，達到了與OpenAI-o1-0912相當(dāng)?shù)男阅芩秸垊?wù)必仔細閱讀本報告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-12-秩壓縮技術(shù)（KV緩存減少90%）的協(xié)同作用。但總量需求仍大。打開更大市場空間——從集中式訓(xùn)練向分布式推理延展，從通用計算向場景專用架構(gòu)升級，最終形成萬億級算力市場的多級增長請務(wù)必仔細閱讀本報告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-13-圖表8:更多用戶和場景化采用AI，形成規(guī)?；?yīng)服務(wù)騰訊微信灰度測試“AI搜索”功能，接入DeepSeek-能教育、科研微博智搜教育、技術(shù)研發(fā)請務(wù)必仔細閱讀本報告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-14-性增加，訓(xùn)練數(shù)據(jù)集規(guī)模持續(xù)擴大。根據(jù)ZheweiYao、SehoonKim等人研究發(fā)現(xiàn)，大型Transformer模型中的參數(shù)數(shù)量呈指數(shù)圖表9:DeepSeekR1Zero推理能力顯著提升，達到了與OpenAI-o1-0912相當(dāng)?shù)男阅芩秸垊?wù)必仔細閱讀本報告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-15-在一定程度上使得摩爾定律放緩,高性能芯片的可靠性及功耗成圖表10:Moore定律放緩，且規(guī)模化效應(yīng)銳減請務(wù)必仔細閱讀本報告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-16-請務(wù)必仔細閱讀本報告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-17-芯片整體能效比的重要因素。系統(tǒng)級互連的電阻損耗、請務(wù)必仔細閱讀本報告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-18-圖表12:高端AI加速器對先進封裝技術(shù)的需求請務(wù)必仔細閱讀本報告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-19-圖表13:傳統(tǒng)封裝技術(shù)（左為塑料封裝及常見封裝技術(shù)，右圖為引線鍵合）請務(wù)必仔細閱讀本報告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-20-間的帶寬，也縮短了信號傳輸?shù)木嚯x，減少請務(wù)必仔細閱讀本報告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-21-請務(wù)必仔細閱讀本報告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-22-實現(xiàn)芯片與基板之間的電氣連接。FCBG如ABF（AjinomotoBuild-upFilm）材料，提供更高的布線）：請務(wù)必仔細閱讀本報告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-23-請務(wù)必仔細閱讀本報告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-24-運而生。2.5D封裝技術(shù)的核心要素在于中介層(interpose請務(wù)必仔細閱讀本報告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-25-圖表19:Interposer及2.5D封裝結(jié)構(gòu)請務(wù)必仔細閱讀本報告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-26-封裝，最終形成3D晶圓堆疊封裝的關(guān)鍵技術(shù)，包括臺積電的CoWoS-R和新一代高帶寬存儲器(High-BandwidthMemory,HBM)TSV刻蝕主要方法分為兩種，一種是深反應(yīng)離子刻蝕（Deep），比度性蝕好好高高m差差低低請務(wù)必仔細閱讀本報告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-27-分為刻蝕和鈍化兩個步驟，先通過siF6刻蝕氣體各向同性刻蝕至緣層材料一般采用sio2、siNx和其他聚合物。sio2、siNx等無機請務(wù)必仔細閱讀本報告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-28-光CMP（ChemicalMechanicalPolish）工藝來去除芯片表面的請務(wù)必仔細閱讀本報告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-29-以構(gòu)建低阻抗的電源分配網(wǎng)絡(luò)，為芯片提供穩(wěn)定的輸入/輸出電請務(wù)必仔細閱讀本報告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-30-請務(wù)必仔細閱讀本報告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-31-圖表24:CoWoS-S\CoWoS-R\CoWos-L請務(wù)必仔細閱讀本報告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-32-為復(fù)雜且層數(shù)較多的情況下，最終良率往往不能滿足要求。而圖表25:CoWoS-S\CoWoS-R\CoWos-L請務(wù)必仔細閱讀本報告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-33-請務(wù)必仔細閱讀本報告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-34-應(yīng)用落地，對于高帶寬、低延遲的封裝技術(shù)要求更高。受益于請務(wù)必仔細閱讀本報告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-35-請務(wù)必仔細閱讀本報告最后部分的免責(zé)聲明曙光在前金元在先-36-增持：股票價格在未來6個月內(nèi)相對大盤變動幅度為5%～15%；商業(yè)、財務(wù)、稅收等方面