2025年半導(dǎo)體知識(shí)試題

半導(dǎo)體知識(shí)試題一、選擇題1.下列哪種元素是典型的半導(dǎo)體材料？（）[單選題]*A.銅B.硅C.鐵D.鋁E.金答案：B。原因：硅是最典型且廣泛應(yīng)用的半導(dǎo)體材料，銅、鐵、鋁、金屬于金屬材料，它們具有良好的導(dǎo)電性，而不是半導(dǎo)體特性。2.半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力介于（）之間。（）[單選題]*A.導(dǎo)體和超導(dǎo)體B.絕緣體和導(dǎo)體C.絕緣體和超導(dǎo)體D.磁體和導(dǎo)體E.磁體和絕緣體答案：B。原因：半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力不如導(dǎo)體強(qiáng)，但是比絕緣體要好，所以它的導(dǎo)電能力介于絕緣體和導(dǎo)體之間。超導(dǎo)體是在特定條件下電阻為零的物質(zhì)，與半導(dǎo)體特性不同；磁體主要與磁性相關(guān)，與半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性無(wú)關(guān)。3.以下哪個(gè)是半導(dǎo)體的特性？（）[單選題]*A.電阻隨溫度升高而增大B.電阻不隨外界條件變化C.電阻隨光照強(qiáng)度增強(qiáng)而減小D.只在高壓下導(dǎo)電E.只在低溫下導(dǎo)電答案：C。原因：半導(dǎo)體具有光敏特性，光照強(qiáng)度增強(qiáng)時(shí)，其內(nèi)部的載流子數(shù)量會(huì)增加，從而導(dǎo)致電阻減小。一般金屬電阻隨溫度升高而增大，而半導(dǎo)體電阻與溫度的關(guān)系較為復(fù)雜，并非簡(jiǎn)單的隨溫度升高而增大；半導(dǎo)體的電阻會(huì)隨外界條件（如溫度、光照等）變化；半導(dǎo)體不是只在高壓或低溫下才導(dǎo)電。4.半導(dǎo)體中的載流子是（）。（）[單選題]*A.只有電子B.只有空穴C.電子和空穴D.質(zhì)子和中子E.離子答案：C。原因：在半導(dǎo)體中，電子和空穴都可以作為載流子參與導(dǎo)電。電子帶負(fù)電，空穴可視為帶正電的載流子，而質(zhì)子和中子是組成原子核的粒子，離子是原子得失電子后的帶電粒子，它們不是半導(dǎo)體中的載流子。5.下列哪種工藝可以改變半導(dǎo)體的電學(xué)性質(zhì)？（）[單選題]*A.切割B.拋光C.摻雜D.清洗E.加熱答案：C。原因：摻雜是向半導(dǎo)體中引入少量雜質(zhì)原子的工藝，通過(guò)摻雜可以顯著改變半導(dǎo)體的電學(xué)性質(zhì)，如增加載流子濃度等。切割、拋光、清洗主要是對(duì)半導(dǎo)體進(jìn)行物理處理，對(duì)電學(xué)性質(zhì)改變不大；加熱雖然可能會(huì)對(duì)半導(dǎo)體電學(xué)性質(zhì)有一定影響，但不是主要用于改變電學(xué)性質(zhì)的工藝。6.在N型半導(dǎo)體中，多數(shù)載流子是（）。（）[單選題]*A.空穴B.電子C.離子D.質(zhì)子E.中子答案：B。原因：N型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入五價(jià)雜質(zhì)元素形成的，在這種半導(dǎo)體中，電子是多數(shù)載流子，空穴是少數(shù)載流子；離子、質(zhì)子、中子都不是N型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子。7.P型半導(dǎo)體中，雜質(zhì)原子一般是（）。（）[單選題]*A.三價(jià)元素B.四價(jià)元素C.五價(jià)元素D.六價(jià)元素E.二價(jià)元素答案：A。原因：P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入三價(jià)雜質(zhì)元素形成的，這些三價(jià)雜質(zhì)原子會(huì)在半導(dǎo)體中形成空穴，從而使空穴成為多數(shù)載流子。四價(jià)元素一般是本征半導(dǎo)體的基本組成元素；五價(jià)元素用于形成N型半導(dǎo)體；六價(jià)元素和二價(jià)元素一般不用于形成P型半導(dǎo)體。8.以下關(guān)于半導(dǎo)體二極管的說(shuō)法正確的是（）。（）[單選題]*A.只有正向?qū)〞r(shí)才有電流B.反向也有較大電流通過(guò)C.正向電流與反向電流一樣大D.反向時(shí)電阻為零E.正向時(shí)電阻無(wú)限大答案：A。原因：半導(dǎo)體二極管具有單向?qū)щ娦?，正向偏置時(shí)二極管導(dǎo)通，有較大電流通過(guò)；反向偏置時(shí)，二極管截止，只有很小的反向飽和電流，正向電流和反向電流大小差異很大，反向時(shí)電阻很大，正向時(shí)電阻相對(duì)較小。9.下列哪個(gè)不是半導(dǎo)體器件？（）[單選題]*A.晶體管B.電容C.集成電路D.光電二極管E.場(chǎng)效應(yīng)管答案：B。原因：晶體管、集成電路、光電二極管、場(chǎng)效應(yīng)管都是基于半導(dǎo)體材料制成的器件。電容是一種儲(chǔ)存電荷和電能的元件，其制作材料主要是極板（如金屬）和絕緣介質(zhì)，不屬于半導(dǎo)體器件。10.半導(dǎo)體的禁帶寬度（）。（）[單選題]*A.非常大B.非常小C.比絕緣體大D.比導(dǎo)體大E.等于零答案：D。原因：半導(dǎo)體的禁帶寬度比導(dǎo)體大，比絕緣體小。導(dǎo)體沒(méi)有禁帶或者禁帶寬度幾乎為零；絕緣體禁帶寬度非常大；半導(dǎo)體禁帶寬度處于導(dǎo)體和絕緣體之間，不是非常大也不是非常小，更不等于零。11.隨著溫度升高，P型半導(dǎo)體中的空穴濃度（）。（）[單選題]*A.減小B.不變C.先減小后增大D.增大E.變?yōu)榱愦鸢福篋。原因：在P型半導(dǎo)體中，隨著溫度升高，本征激發(fā)產(chǎn)生的電子-空穴對(duì)增加，空穴濃度會(huì)增大。不會(huì)減小、不變或變?yōu)榱悖膊淮嬖谙葴p小后增大的情況。12.以下哪種現(xiàn)象不是半導(dǎo)體的熱效應(yīng)？（）[多選題]*A.光電導(dǎo)現(xiàn)象B.塞貝克效應(yīng)C.帕爾貼效應(yīng)D.湯姆遜效應(yīng)E.磁