標(biāo)準(zhǔn)解讀

《T/CIE 133-2022 磁隨機(jī)存儲(chǔ)器件數(shù)據(jù)保持時(shí)間測(cè)試方法》是一項(xiàng)專門針對(duì)磁隨機(jī)存儲(chǔ)器（MRAM）的數(shù)據(jù)保持能力進(jìn)行評(píng)估的標(biāo)準(zhǔn)。該標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了測(cè)試磁隨機(jī)存儲(chǔ)器件在不同條件下保持?jǐn)?shù)據(jù)完整性的方法，確保這些器件能夠滿足長(zhǎng)期存儲(chǔ)需求。

首先，該標(biāo)準(zhǔn)明確了適用范圍，主要針對(duì)使用磁性材料作為存儲(chǔ)介質(zhì)的非易失性存儲(chǔ)器，如STT-MRAM、SOT-MRAM等類型。其次，它定義了一系列關(guān)鍵術(shù)語(yǔ)與定義，包括但不限于“數(shù)據(jù)保持時(shí)間”、“高溫老化”、“溫度循環(huán)”等，為后續(xù)測(cè)試過(guò)程提供統(tǒng)一的語(yǔ)言基礎(chǔ)。

接著，《T/CIE 133-2022》描述了具體的測(cè)試環(huán)境要求，比如溫度范圍、濕度控制以及電磁干擾水平等條件設(shè)定，以保證實(shí)驗(yàn)結(jié)果的一致性和可靠性。此外，還特別強(qiáng)調(diào)了樣品準(zhǔn)備階段的重要性，指出需要對(duì)被測(cè)設(shè)備進(jìn)行預(yù)處理，如初始化設(shè)置、寫入特定模式的數(shù)據(jù)等步驟，以便于準(zhǔn)確測(cè)量其數(shù)據(jù)保持性能。

對(duì)于實(shí)際操作流程，《T/CIE 133-2022》提供了詳細(xì)的指導(dǎo)，包括但不限于：

  • 初始狀態(tài)檢查：確認(rèn)待測(cè)樣本處于正常工作狀態(tài)。
  • 編程與讀取：按照預(yù)定方案向存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù)，并通過(guò)讀取驗(yàn)證正確性。
  • 加速老化試驗(yàn)：通過(guò)模擬極端環(huán)境條件（如高溫高濕）來(lái)加速材料老化過(guò)程。
  • 周期性監(jiān)測(cè)：定期檢查數(shù)據(jù)完整性，記錄任何可能發(fā)生的錯(cuò)誤或變化。
  • 最終評(píng)估：基于整個(gè)測(cè)試期間收集的數(shù)據(jù)，分析并確定樣本的實(shí)際數(shù)據(jù)保持時(shí)間。

最后，本標(biāo)準(zhǔn)還提到了報(bào)告編寫的要求，建議包含所有相關(guān)參數(shù)、測(cè)試條件、觀察到的現(xiàn)象及結(jié)論等內(nèi)容，以便其他研究者復(fù)現(xiàn)實(shí)驗(yàn)或進(jìn)行比較研究。


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....

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  • 正在執(zhí)行有效
  • 2022-08-10 頒布
  • 2022-08-10 實(shí)施
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文檔簡(jiǎn)介

ICS31200

CCSL.56

團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

T/CIE133—2022

磁隨機(jī)存儲(chǔ)器件數(shù)據(jù)保持時(shí)間測(cè)試方法

Testmethodsfordataretentiontimeofmagneticrandom-accessmemorydevices

2022-08-10發(fā)布2022-08-10實(shí)施

中國(guó)電子學(xué)會(huì)發(fā)布

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版

T/CIE133—2022

目次

前言

…………………………Ⅰ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語(yǔ)和定義

3………………1

測(cè)試設(shè)備及條件

4…………………………3

測(cè)試設(shè)備和裝置

4.1……………………3

測(cè)試條件

4.2……………3

測(cè)試方法

5…………………3

通則

5.1…………………3

掃描磁場(chǎng)測(cè)試器件數(shù)據(jù)保持時(shí)間

5.2…………………4

測(cè)試原理

5.2.1………………………4

測(cè)試方法

5.2.2………………………5

測(cè)試記錄

5.2.3………………………7

掃描電流測(cè)試器件數(shù)據(jù)保持時(shí)間

5.3…………………7

測(cè)試原理

5.3.1………………………7

測(cè)試方法

5.3.2………………………8

測(cè)試記錄

5.3.3………………………10

參考文獻(xiàn)

……………………11

T/CIE133—2022

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任

。。

本文件由中國(guó)電子學(xué)會(huì)提出并歸口

。

本文件起草單位北京航空航天大學(xué)致真存儲(chǔ)北京科技有限公司中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五

:、()、

十八研究所上海佑磁信息科技有限公司北京時(shí)代民芯科技有限公司深圳亙存科技有限責(zé)任公司合

、、、、

肥致真精密設(shè)備有限公司

。

本文件主要起草人趙巍勝彭守仲蘆家琪李偉祥李月婷雷娜曹凱華王昭昊聶天曉

:、、、、、、、、、

張博宇劉佳豪劉照春王戈飛劉宏喜趙桂林帥喆孫杰杰王超盧輝王亮鄭宏超陸時(shí)進(jìn)

、、、、、、、、、、、、、

李鑫云曹安妮郭瑋何帆程厚義杜寅昌

、、、、、。

Ⅰ

T/CIE133—2022

磁隨機(jī)存儲(chǔ)器件數(shù)據(jù)保持時(shí)間測(cè)試方法

1范圍

本文件規(guī)定了磁隨機(jī)存儲(chǔ)器件數(shù)據(jù)保持時(shí)間測(cè)試方法的測(cè)試原理測(cè)試環(huán)境測(cè)試設(shè)備測(cè)試程

、、、

序等

。

本文件適用于磁隨機(jī)存儲(chǔ)器件的數(shù)據(jù)保持時(shí)間測(cè)試和磁隨機(jī)存儲(chǔ)器件的數(shù)據(jù)保持時(shí)間驗(yàn)證

。

2規(guī)范性引用文件

本文件沒(méi)有規(guī)范性引用文件

。

3術(shù)語(yǔ)和定義

下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

。

31

.

磁隨機(jī)存儲(chǔ)器magneticrandom-accessmemoryMRAM

;

利用磁性層的磁矩作為信息存儲(chǔ)的載體利用隧穿磁阻效應(yīng)作為信息讀取方法具有非易失性近

,,、

乎無(wú)限次擦寫和快速寫入等優(yōu)點(diǎn)的隨機(jī)存儲(chǔ)器

。

32

.

磁隧道結(jié)magnetictunneljunctionMTJ

;

磁隨機(jī)存儲(chǔ)器的基本存儲(chǔ)單元它的核心部分是由兩個(gè)鐵磁金屬層夾著一個(gè)隧穿勢(shì)壘層形成的三

。

明治結(jié)構(gòu)

。

33

.

參考層固定層referencelayerpinnedlayer

()()

磁隧道結(jié)中的一個(gè)鐵磁層它的磁矩方向沿著易磁化軸方向保持不變

,。

34

.

自由層freelayer

磁隧道結(jié)中的另一個(gè)鐵磁層其磁化有兩個(gè)穩(wěn)定的取向分別與參考層的磁矩方向平行或反平行

,,。

35

.

數(shù)據(jù)保持時(shí)間dataretentiontime

磁隧道結(jié)或者磁隨機(jī)存儲(chǔ)芯片不進(jìn)行讀寫的情況下在允許錯(cuò)誤范圍內(nèi)能夠保持?jǐn)?shù)據(jù)穩(wěn)定存儲(chǔ)的

,

最長(zhǎng)時(shí)間

。

注數(shù)據(jù)保持時(shí)間決定了磁隨機(jī)存儲(chǔ)芯片的可靠性數(shù)據(jù)保持的定義見(jiàn)中的相關(guān)規(guī)定

:

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